H01L 21/66 — випробування або вимірювання в процесі виготовлення або обробки

Спосіб визначення висоти потенціального бар’єра контакту метал-напівпровідник

Завантаження...

Номер патенту: 122626

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Сльотов Олексій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: бар'єра, контакту, метал-напівпровідник, висоті, спосіб, визначення, потенціального

Формула / Реферат:

Спосіб визначення висоти потенціального бар'єра  контакту метал-напівпровідник (КМН), що включає вимірювання при сталій температурі безструктурного спектра при енергіях фотонів , менших за ширину забороненої зони  напівпровідника, його...

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 120756

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: ширини, визначення, забороненої, зони, спосіб, напівпровідникових, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони , що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання  не менше як трьох зразків різної товщини  конкретного напівпровідника, знаходження для кожного з них ширини...

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 108138

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: визначення, ширини, матеріалів, напівпровідникових, забороненої, спосіб, зони

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони  напівпровідникових матеріалів, що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання зразків певної товщини , їх трансформацію у спектри поглинання  та визначення

Спосіб одержання полікристалічного кремнію водневим відновленням трихлорсилану

Завантаження...

Номер патенту: 107606

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Баженов Євгеній Васильович, Шварцман Леонід Якович, Троценко Едуард Анатолійович

МПК: C01B 33/035, H01L 21/66

Мітки: відновленням, водневим, кремнію, спосіб, одержання, полікристалічного, трихлорсилану

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію водневим відновленням трихлорсилану, який подають в складі парогазової суміші, на кремнієвих стрижнях, розігрітих електричним струмом до заданої температури їх поверхні, що включає запам'ятовування керованих і керуючих параметрів еталонних режимів ведення процесу, вимірювання параметрів кремнієвих стрижнів, коригування процесу шляхом зміни керуючих параметрів режимів при відхиленні вимірюваних...

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 100436

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович, Червак Оксана Петрівна

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: частотним, шестизондовий, мікроелектронний, виходом, вимірювання, напівпровідникового, пристрій, опору, двокаскадний

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку - тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому в перший каскад введено чотири зонди, друге джерело живлення, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, причому третій та...

Двокаскадний мікроелектронний чотирьохзондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 98569

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Ярослав Олександрович, Нікешин Юрій Ігорович, Червак Оксана Петрівна

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: чотирьохзондовий, частотним, мікроелектронний, виходом, двокаскадний, пристрій, опору, вимірювання, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку-тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому перший каскад містить два зонди, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, третій та четвертий зонди з'єднані з першим та...

Спосіб визначення концентрації преципітованого кисню в монокристалічному кремнії

Завантаження...

Номер патенту: 97884

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Лісовський Ігор Петрович, Злобін Сергій Олександрович, Войтович Марія Володимирівна

МПК: H01L 21/66

Мітки: кисню, концентрації, преципітованого, монокристалічному, кремнії, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення концентрації преципітованого кисню в монокристалічному кремнії, який включає хімічну обробку полірованої з обох сторін пластини кремнію в розчині HF, опромінення її ІЧ світлом і вимірювання смуги ІЧ пропускання в діапазоні 1000-1200 см-1 на валентних Si-Ο зв'язках, який відрізняється тим, що пластину кремнію при вимірюванні смуги ІЧ пропускання додатково охолоджують до температури рідкого азоту 77 К, із зареєстрованої...

Сегментний концентратор випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 97781

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Хрипунов Геннадій Семенович, Нікітін Віктор Олексійович, Сокол Євген Іванович, Кіріченко Михайло Валерійович, Зайцев Роман Валентинович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: випромінювання, сегментний, концентратор

Формула / Реферат:

Сегментний концентратор випромінювання, який включає основу концентратора та світловідбиваючі сегменти, який відрізняється тим, що основу концентратора виконано у вигляді кругового масиву профільованих ребер, котрі задають профіль вигину світловідбиваючих сегментів за параболо-циліндричною формою, та світловідбиваючі сегменти виконано у вигляді трапецієподібних сегментів параболічного циліндра з довгою фокусною відстанню та багатошаровим...

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Юдачов Андрій Валерійович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: контролю, пристрій, температури, приладів, кристала, напівпровідникових, силових

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Світлодіодно-галогеновий освітлювач

Завантаження...

Номер патенту: 94622

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Зайцев Роман Валентинович, Лук'янов Євген Олександрович, Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: світлодіодно-галогеновий, освітлювач

Формула / Реферат:

Світлодіодно-галогеновий освітлювач, що має у своєму складі випромінюючий елемент у формі сегмента сфери, на внутрішній поверхні якого розміщено світлодіоди різного кольору та галогенові лампи, блок роздільного автоматичного керування потужністю випромінення світлодіодів кожного кольору та стабілізоване джерело постійного струму, який відрізняється тим, що надяскраві світлодіоди кількістю до 100 одиниць згруповано у світловипромінюючі...

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 106862

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Ященко Лариса Миколаївна, Калініченко Дмитро Володимирович, Макара Володимир Арсенійович, Кобзар Юлія Леонідівна, Стебленко Людмила Петрівна, Тодосійчук Тамара Тимофіївна, Курилюк Алла Миколаївна, Подолян Артем Олександрович

МПК: H01L 27/30, H01L 21/66, G01R 31/26 ...

Мітки: корисної, коефіцієнта, дії, сонячних, спосіб, елементів, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії сонячних елементів, виготовлених на основі кристалів кремнію сонячної якості, що використовуються для потреб сонячної енергетики, який відрізняється тим, що спочатку на поверхню кремнію сонячної якості наносять полімерну епоксіуретанову плівку товщиною 15-25 мкм, а потім витримують сформовані структури в стаціонарному магнітному полі з індукцією В = 0,15-0,19 Тл протягом 180-220 діб або в...

Активний дискретний нвч пристрій

Завантаження...

Номер патенту: 87875

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович

МПК: H01L 21/66

Мітки: пристрій, нвч, дискретний, активний

Формула / Реферат:

1. Активний дискретний НВЧ-пристрій з двома каскадами радіальної лінії передачі, який містить в собі розташовані вісесиметрично напівпровідникову активну структуру дискової форми, до плоских сторін якої створені низькоомні катодний та анодний контакти, яка представляє собою діод, циліндричний тримач, на торцевій площині циліндричного виступу якого закріплена катодною стороною напівпровідникова структура, кільцевий ізолятор з кришкою, плоскі...

Спосіб виявлення гарячих областей випромінюючої поверхні світлодіода

Завантаження...

Номер патенту: 103943

Опубліковано: 10.12.2013

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович, Попов Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/66, G02F 1/13, G01K 11/00 ...

Мітки: випромінюючої, областей, поверхні, виявлення, світлодіода, гарячих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення гарячих областей випромінюючої поверхні світлодіода (СД), який включає нанесення на поверхню плівки рідкого кристала, спостереження поверхні в поляризаційному мікроскопі і фіксацію візуального відображення температури поверхні в плівці рідкого кристала під час дії джерела нагрівання поверхні, який відрізняється тим, що на випромінюючу поверхню СД до випромінювання осаджують із розчину плівку термоіндикатора гістерезисного,...

Спосіб підвищення ккд кремнієвого фотоелектричного перетворювача з вертикальними діодними комірками

Завантаження...

Номер патенту: 77670

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Поляков Володимир Іванович, Стребков Дмитро Семенович, Кіріченко Михайло Валерійович, Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: фотоелектричного, підвищення, спосіб, вертикальними, комірками, ккд, перетворювача, кремнієвого, діодними

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД багатоперехідного кремнієвого фотоелектричного перетворювача з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками i сонячного модуля з таких приладів, котрий включає їх обробку у стаціонарному магнітному полі з індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що працюючий багатоперехідний кремнієвий фотоелектричний перетворювач з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками і сонячний модуль з таких...

Світловипромінююча комірка

Завантаження...

Номер патенту: 77613

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович, Копач Володимир Романович, Кіріченко Михайло Валерійович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: світловипромінююча, комірка

Формула / Реферат:

Світловипромінююча комірка, яка складається зі світлодіодів з безперервним спектром випромінювання в діапазоні довжин хвиль 0,38-1,10 мкм, розміщених по концентричній окружності на рівних відстанях один від одного у порядку чергування, яка відрізняється тим, що матричні світлодіоди розміщено на компактній системі охолодження, інтегровану систему керування спектральним складом їх випромінювання розміщено безпосередньо у світловипромінюючій...

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникого опору

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: напівпровідникого, пристрій, опору, мікроелектронний, вимірювання, чотиризондовий

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, причому другий та третій з'єднані з біполярним транзистором, перший та четвертий з'єднані з першим джерелом живлення, друге джерело живлення з'єднано з другою ємністю та третім резистором, перший і другий резистори з'єднанні з...

Спосіб визначення температури і теплового опору випромінюючої поверхні кристала світлодіода

Завантаження...

Номер патенту: 100604

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович

МПК: G01K 11/16, H01L 21/66

Мітки: світлодіода, випромінюючої, спосіб, визначення, кристала, опору, теплового, температури, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури і теплового опору випромінюючої поверхні кристала світлодіода, який включає в себе нанесення на поверхню кристала плівки холестеричного рідкого кристала (ХРК), який має температурні діапазони існування в холестеричному і смектичному станах, використання джерела електричного живлення, вимірювальних приладів та поляризаційного мікроскопа для спостереження в процесі споживання потужності візуального відображення в...

Пристрій та спосіб вимірювання показника зростання товщини кремнієвих стрижнів у кремнієосаджувальному реакторі

Завантаження...

Номер патенту: 100089

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Стубхан Франк, Вольмар Вілфрід

МПК: C01B 33/035, G01B 11/08, G01B 11/06 ...

Мітки: реакторі, спосіб, стрижнів, кремнієвих, вимірювання, кремнієосаджувальному, товщини, показника, зростання, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання показника зростання товщини кремнієвих стрижнів в кремнієосаджувальному реакторі на підставі показників пристрою для вимірювання температури, який відрізняється тим, що як пристрій для вимірювання температури використано безконтактний пристрій для вимірювання температури (4), який виконаний з можливістю обертання вздовж осі обертання (5) за допомогою обертаючого приводу (9), при цьому вісь обертання (5) розташована...

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 74631

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: пристрій, вимірювання, шестизондовий, мікроелектронний, опору, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення,...

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 68937

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: мікроелектронний, напівпровідникового, опору, шестизондовий, пристрій, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, друге та третє джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені третій та четвертий зонди, крім того...

Тонкоплівковий перетворювач випромінювання прямої дії

Завантаження...

Номер патенту: 97624

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Бородін Борис Григорович, Жерліцин Олександр Сергійович, Гордієнко Юрій Омелянович

МПК: H01L 21/66

Мітки: прямої, дії, випромінювання, тонкоплівковий, перетворювач

Формула / Реферат:

Комірка матриці тонкоплівкового перетворювача випромінювання прямої дії, яка являє собою тривимірну тонкоплівкову структуру, що сформована на скляній пластині, і містить фоторезистивний приймач випромінювання та електролюмінесцентний випромінювач, структура комірки має декілька інтегральних рівнів, яка відрізняється тим, що структура містить вісім розташованих один над одним інтегральних рівнів, у першому рівні, що є нижнім, знаходяться...

Спосіб визначення температури кюрі напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 67458

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: кюрі, матеріалів, спосіб, температури, напівпровідникових, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури Кюрі напівпровідникових матеріалів, що включає її знаходження шляхом розрахунку, який відрізняється тим, що для матеріалу. експериментально визначають енергію поздовжнього оптичного фонона, а температуру Кюрі визначають з виразу, Κ,де енергія поздовжнього фонона

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 66947

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: пристрій, вимірювання, чотиризондовий, мікроелектронний, опору, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені другий та третій зонди, крім того ємність...

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів ганна

Завантаження...

Номер патенту: 65725

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Бобиль Олександр Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Мілєнін Віктор Володимирович, Новицький Сергій Вадимович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Конакова Раїса Василівна, Тарасов Ілля Сергійович, Шеремет Володимир Миколайович, Іванов Володимир Миколайович, Арсентьєв Іван Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: H01L 21/66

Мітки: катодного, діодів, якості, спосіб, ганна, контролю, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...

Спосіб контролю проведення “хлоридної” обробки в плівкових фотоелектричних перетворювачах на основі cds/cdte

Завантаження...

Номер патенту: 65024

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Хрипунов Геннадій Семенович, Лісачук Георгій Вікторович, Кудій Дмитро Анатолійович

МПК: G01J 3/50, H01L 21/66

Мітки: плівкових, фотоелектричних, перетворювачах, спосіб, хлоридної, основі, проведення, обробки, контролю

Формула / Реферат:

Спосіб контролю проведення "хлоридної" обробки в плівкових фотоелектричних перетворювачах на основі CdS/CdTe, що являє собою спосіб ідентифікації варизонних прошарків твердих розчинів CdSxTe1-х на міжфазній границі досліджуваної гетеросистеми CdS/CdTe, шляхом аналізу її оптичних властивостей, який відрізняється тим, що аналізують товщину та склад варизонних прошарків твердих розчинів CdSxTe1-х, шляхом розділення досліджуваного...

Спосіб відновлювання плівкових сонячних елементів, що зазнали деградації

Завантаження...

Номер патенту: 61927

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Дейнеко Наталя Вікторівна, Кіріченко Михайло Валерійович, Лісачук Георгій Вікторович, Зайцев Роман Валентинович, Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: деградації, елементів, сонячних, відновлювання, зазнали, спосіб, плівкових

Формула / Реферат:

Спосіб відновлювання плівкових СЕ, що зазнали деградацію, та виготовлені на основі сульфіду і телуриду кадмію, заснований на інтенсифікації процесів транспорту атомів міді, перебудові комплексів точкових дефектів, що містять мідь, фазовому перетворенні частки СuТе у Сu1,4Tе, зменшенні опору шару CdS та електродифузії у абсорбер аніонів сірки і міжвузловинних катіонів CuCd-, який відрізняється тим, що затемнений СЕ витримують протягом не...

Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал-діелектрик-напівпровідник

Завантаження...

Номер патенту: 94947

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Клименко Анатолій Семенович, Попов Володимир Михайлович, Шустов Юрій Михайлович, Поканевич Олексій Платонович

МПК: G01R 31/265, G01N 27/00, G01N 13/00 ...

Мітки: активних, метал-діелектрик-напівпровідник, поверхні, напівпровідника, спосіб, електричної, виявлення, дефектів, локальних, структурах

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал - діелектрик - напівпровідник (МДН), за яким по структурі, до якої прикладена напруга інвертуючої полярності, сканують електронним або фотонним променем з енергією, достатньою для генерації носіїв заряду на поверхні напівпровідника, а реєстрацію електрично активних дефектів проводять по зміні струму, наведеного електронним або фотонним...

Спосіб підвищення ккд монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача

Завантаження...

Номер патенту: 60406

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Копач Володимир Романович, Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Лісачук Георгій Вікторович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: кремнієвого, підвищення, фотоелектричного, спосіб, перетворювача, ккд, монокристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 56827

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Ляшенко Олег Всеволодович, Велещук Віталій Петрович, Босий Віталій Ісаєвич, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: світлодіодів, відбракування, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів на основі GaN, GaAs, GaP, який включає вимірювання напруги, який відрізняється тим, що для випробування на надійність світловипромінюючих структур попередньо для зразків із партії, виготовленої в одному технологічному циклі, методами акустичної емісії вимірюють середній струм , при якому виникає акустична емісія, і...

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням

Завантаження...

Номер патенту: 55758

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Лущін Сергій Петрович, Точилін Дмитро Сергійович

МПК: H01L 21/66

Мітки: поверхні, напівпровідникових, пластин, лазерним, випромінюванням, спосіб, контролю, гетерування

Формула / Реферат:

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням, що включає опромінення поверхні пластин лазерним випромінюванням, визначення ступеня дефектності пластин по характеру дії на них лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що ступінь дефектності в результаті гетерування визначають по інтенсивності відбитого променя під прямим кутом до поверхні пластин.

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Олійник Сергій Володимирович, Терзін Ігор Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколайович, Чуйко Олексій Сергійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: напівпровідниках, часу, вимірювання, спосіб, носіїв, життя, нерівноважних, струму

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора

Завантаження...

Номер патенту: 89911

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Семеновська Олена Володимирівна, Тимофєєв Володимир Іванович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: опору, теплового, визначення, кристала, транзистора, субмікронного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристалу під кутами α і β, вимірювання величини приросту площ перерізу фігури теплового еквівалента за висотою кристала, який відрізняється тим, що вимірюють висоту злому бокової поверхні теплового еквівалента та на цій висоті вимірюють...

Спосіб визначення ефективної концентрації основних носіїв заряду в базі широкозонного діода

Завантаження...

Номер патенту: 47826

Опубліковано: 25.02.2010

Автори: Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/66, G01N 27/22

Мітки: носіїв, ефективно, визначення, спосіб, основних, концентрації, базі, заряду, широкозонного, діода

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ефективної концентрації основних носіїв заряду в базі широкозонного діода, що включає вимірювання залежності бар'єрної ємності діода від зворотного зміщення, який відрізняється тим, що ефективну концентрацію основних носіїв заряду в базі діода визначають шляхом фіксації напруги змикання діода в процесі вимірювань, при досягненні нульового значення похідної бар'єрної ємності діода по напрузі, а величину ефективної...

Спосіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів

Завантаження...

Номер патенту: 43912

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Горєв Микола Борисович, Коджеспірова Інна Федорівна, Привалов Євген Миколайович

МПК: H01L 21/66

Мітки: глибоких, визначення, спосіб, концентрації, незаповнених, центрів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів, що включає вимірювання вольт-фарадної характеристики та визначення шуканої величини за математичною формулою, який відрізняється тим, що вимірюється сімейство вольт-фарадних характеристик у темряві та при різних інтенсивностях інфрачервоного освітлення, визначаються точки перегину вольт-фарадних характеристик, в яких вони стають з опуклих униз опуклими догори, за цими точками...

Спосіб визначення основних параметрів, а саме концентрації і рухливості неосновних носіїв заряду в твердих тілах

Завантаження...

Номер патенту: 87695

Опубліковано: 10.08.2009

Автор: Угрин Юрій Орестович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: тілах, рухливості, спосіб, визначення, носіїв, твердих, заряду, неосновних, концентрації, основних, параметрів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення основних параметрів, а саме концентрації і рухливості неосновних носіїв заряду в твердих тілах, що включає внесення зразка твердого тіла в магнітне поле, що перпендикулярне прикладеній напрузі, вимірюванні питомого опору у відсутності магнітного поля, точки перегину поперечного магнетоопору і його величини в цій точці, який відрізняється тим, що вимірюють питомий опір насичення, тобто максимальний питомий опір, а...

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 87523

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Шпак Іван Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 25/00, G01N 21/59, H01L 21/66 ...

Мітки: склоподібних, визначення, області, напівпровідниках, проміжного, існування, температурної, спосіб, порядку

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках, який включає експериментальні дослідження фізичних властивостей склоподібних напівпровідників, який відрізняється тим, що проводять температурні дослідження краю оптичного поглинання склоподібних напівпровідників і представляють енергетичну ширину w краю оптичного поглинання у вигляді

Спосіб визначення внеску окремого типу розупорядкування в оптичну ширину забороненої зони кристалічних твердих розчинів

Завантаження...

Номер патенту: 87498

Опубліковано: 27.07.2009

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01L 21/66, G01N 25/00, G01N 21/59 ...

Мітки: оптичну, визначення, забороненої, типу, розчинів, зони, розупорядкування, внеску, окремого, спосіб, ширину, твердих, кристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення внеску окремого типу розупорядкування в оптичну ширину забороненої зони кристалічних твердих розчинів, який включає експериментальне визначення внесків температурного та структурного розупорядкування в оптичну ширину забороненої зони шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих розчинів, визначення за результатами температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих розчинів оптичної ширини...

Світлодіодний освітлювач

Завантаження...

Номер патенту: 33676

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Копач Володимир Романович, Лісачук Георгій Вікторович, Зайцев Роман Валентинович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: світлодіодний, освітлювач

Формула / Реферат:

Світлодіодний освітлювач, що має у своєму складі випромінюючий елемент у формі сегмента сфери, на внутрішній поверхні якого розміщені кольорові напівпровідникові світлодіоди, блок роздільного автоматичного керування потужністю випромінення світлодіодів кожного кольору та стабілізоване джерело постійного струму, який відрізняється тим, що світлодіоди у кількості 250-300 одиниць розміщені у випромінюючому елементі по спіралі Архімеда, котра...

Спосіб виявленя локальних джерел тепловиділення в зразках кристалів інтегральних схем та напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 77499

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович, Мошель Микола Васильович

МПК: G01R 3/00, G01N 13/00, H01L 21/66 ...

Мітки: схем, джерел, зразках, виявленя, локальних, приладів, напівпровідникових, інтегральних, тепловиділення, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних джерел тепловиділення в зразках кристалів  інтегральних схем та напівпровідникових приладів, за яким на контрольовану поверхню зразка кристала наносять тонку плівку холестеричного рідкого кристала, зразок закріплюється на нагріваному тримачі з терморегулятором і підключається до джерела електричного живлення, а локальні джерела тепловиділення виявляють за оптичними зображеннями в поляризаційному мікроскопі...

Пірометр

Завантаження...

Номер патенту: 8403

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Поляков Вадім Вітальєвіч, Пісьмєнов Алєксандр Владіміровіч, Скубілін Міхаіл Дємьяновіч

МПК: G01J 5/58, H01L 21/66

Мітки: пірометр

Формула / Реферат:

Пірометр, що містить вхід із прозорого в робочому діапазоні матеріалу оптичного зв'язку і датчик випромірювання нагрітого тіла, розташований у фокальній площині і на осі входу, перший і другий аналого-цифрові перетворювачі (АЦП), елемент порівняння, з'єднаний першими і другими входами порозрядно з виходами першого і другого АЦП відповідно, перший і другий елементи АБО, з'єднані входами з виходами першого і другого АЦП відповідно, групи...