H01L 21/306 — обробка хімічними або електричними способами, наприклад електролітичне травлення

Спосіб визначення моменту закінчення процесу плазмохімічного травлення мікроструктур в хлорвуглецевій плазмі

Завантаження...

Номер патенту: 95442

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Коломієць Віталій Ігорович

МПК: H01L 21/306

Мітки: процесу, моменту, визначення, хлорвуглецевій, спосіб, плазми, плазмохімічного, закінчення, мікроструктур, травлення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення моменту закінчення процесу плазмохімічного травлення мікроструктур в хлорвуглецевій плазмі, при якому власне оптичне випромінювання плазми розділяють за допомогою оптичних вузькосмугових фільтрів на інформативне і фонове, за допомогою оптичних частотних перетворювачів перетворюють в електричні частотні сигнали, частота яких залежить від інтенсивності випромінювання, а самі частотні сигнали порівнюють між собою і за...

Спосіб отримання поруватого шару n-gaas шляхом електрохімічного травлення

Завантаження...

Номер патенту: 79850

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Кірілаш Олександр Іванович, Кідалов Валерій Віталійович, Сімченко Сергій Володимирович

МПК: H01L 21/306, C30B 33/08

Мітки: n-gaas, шляхом, травлення, отримання, спосіб, поруватого, електрохімічного, шару

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватого шару n-GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала n-GaAs у розчині етилового спирту та HF у співвідношенні 1:1 відповідно при проходженні через електроліт постійного струму щільністю 70-90 мА/см2 протягом 10-15 хв.

Спосіб плазмового травлення в хлоровуглецевій плазмі

Завантаження...

Номер патенту: 79431

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Кравченко Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/306

Мітки: хлоровуглецевій, травлення, спосіб, плазми, плазмового

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового травлення в хлоровуглецевій плазмі, при якому травлення проводять у плазмі, яку одержують високочастотним електромагнітним полем в реакційній камері при пониженому тиску газу та суміші основного газу-реагенту, за який використовують тетрахлорид вуглецю, та інертного газу-носія, наприклад, аргону, за рахунок взаємодії з поверхнею продуктів розкладання молекули основного газу-реагенту тетрахлориду вуглецю, а контроль початку...

Спосіб текстурування поверхні фосфіду індію р-типу

Завантаження...

Номер патенту: 53712

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Сукач Георгій Олексійович, Коноваленко Анатолій Анатольович, Кідалов Валерій Вітальович, Балан Олександр Сергійович

МПК: H01L 21/306

Мітки: спосіб, р-типу, фосфіду, індію, текстурування, поверхні

Формула / Реферат:

1. Cпосіб виготовлення текстурованих структур з розвиненою морфологією на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу, а саме фотоелектрохімічного травлення, що проводять у розчині плавикової бромоводневої кислоти концентрацією НВr:Н2О=1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у 50% розчині бромідної кислоти при щільності струму 150 мА/см2 та часі анодування 8 хв.3. Спосіб за п. 1, який...

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 46274

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Акім Віталійович, Кравчина Віталій Вікторович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 21/225, H01L 21/306

Мітки: спосіб, напівпровідникових, силових, приладів, дифузійним, кільцем, охоронним, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем, що включає підготовку шліфованих пластин, проведення процесів дифузії легуючих домішок р- та n-типу провідності, локальне травлення, локальну дифузію, формування легованого бором та алюмінієм глибокого р+-р-шару, окислення, формування шару з охоронним дифузійним кільцем, вилучення окислу, формування ізоляції, формування фаски за допомогою механічної та...

Зернистий абразивний матеріал, спосіб його формування та спосіб полірування виробу з використанням зернистого абразивного матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 87938

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Ванг Джун, Хаерле Ендрю Дж.

МПК: C09G 1/00, C01F 7/02, C09K 3/14 ...

Мітки: матеріал, полірування, формування, абразивного, матеріалу, спосіб, зернистий, використанням, абразивний, зернистого, виробу

Формула / Реферат:

1. Зернистий абразивний матеріал, який містить:частинки оксиду алюмінію, які включають перехідний оксид алюмінію та щонайменше 5,0 мас. % аморфної фази, причому частинки оксиду алюмінію мають щільність, не більшу за 3,20 г/см3.2. Зернистий абразивний матеріал за п. 1, в якому перехідний оксид алюмінію містить щонайменше одну з фаз, якими є гамма-фаза оксиду алюмінію та дельта-фаза оксиду алюмінію.3. Зернистий абразивний...

Спосіб плазмового травлення оптично прозорих плівок оксиду індію та олова

Завантаження...

Номер патенту: 22675

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Плахотнюк Максим Миколайович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ

МПК: H01L 21/306

Мітки: олова, спосіб, плівок, плазмового, індію, оптично, травлення, оксиду, прозорих

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового травлення оптично прозорих плівок оксиду індію та олова, при якому травлення проводять у плазмі, яку одержують високочастотним електромагнітним полем в реакційній камері при пониженому тиску газу та суміші основного газу-реагенту та інертного газу-носія аргону, який відрізняється тим, що як основний газ-реагент використовують тетрахлорид вуглецю, процес травлення здійснюють за рахунок взаємодії з поверхнею плівок оксиду...

Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію

Завантаження...

Номер патенту: 67968

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бережанський Володимир Михайлович, Скробач Ірина Ярославівна

МПК: H01L 21/306

Мітки: полікремнію, травлення, спосіб, плазмохімічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію, що включає технологічні операції формування фотокопії: хімічну обробку підкладок в парах гексаметилдисалазану, нанесення плівки фоторезисту, його сушіння і експонування, проявлення заекспонованих областей, дублення плівки резисту, плазмохімічного травлення, який відрізняється тим, що процес травлення проводиться в суміші газів, до складу якої входять: травильний газ SF6, галогеновмісний газ,...

Квантовий процесор

Завантаження...

Номер патенту: 57825

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Ходаковський Микола Іванович, Одарич Олег Миколайович, Палагін Олександр Васильович, Мержвинський Анатолій Олександрович, Шкляр Михайло Петрович, Мержвинський Павло Анатолійович, Яворський Ігор Олександрович, Вербицький Володимир Григорович, Осінський Володимир Іванович, Золотопуп Анатолій Іванович

МПК: G06E 3/00, H01L 21/306

Мітки: процесор, квантовий

Формула / Реферат:

Квантовий процесор, який містить лазерне джерело світла, оптично зв'язане з вхідним формувачем двомірного масиву інформації, блок операційної системи, вихід якого зв'язаний з входом вихідного формувача двомірного масиву інформації, блок оптоелектронного перетворення масиву інформації та блок квантової обробки електронних зображень, який відрізняється тим, що блок квантової обробки електронних зображень виконаний як матрична структура приладу...

Спосіб локальної дифузії алюмінію

Завантаження...

Номер патенту: 56001

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/306, H01L 21/225

Мітки: алюмінію, спосіб, дифузії, локальної

Формула / Реферат:

1. Спосіб локальної дифузії алюмінію, який містить локальне, наприклад з застосуванням фотолітографії, нанесення на поверхню кремнієвої пластини алюмінію і наступне проведення дифузії в окислювальній атмосфері, який відрізняється тим, що алюміній наносять у вигляді сполуки в складі рідкого джерела дифузії, а перед фотолітографією проводять термообробку пластини в окислювальній атмосфері.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що...

Спосіб осушення кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 51663

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Шелленбергер Вільгельм, Геррмансдерфер Дітер

МПК: H01L 21/306

Мітки: осушення, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб осушення поверхні підкладинки (1), який передбачає:занурення підкладинки у ванну з рідиною (2);пропускання над поверхнею ванни з рідиною газу, який розчиняється у цій рідині і тим самим знижує її поверхневий натяг; тарозділення підкладинки (1) і рідини (3) з такою швидкістю, що різниця між поверхневим натягом рідини, яка має вищу концентрацію розчиненого газу біля поверхні підкладинки, та рідини, яка має нижчу...

Спосіб плазмохімічного зняття плівок фоторезиста

Завантаження...

Номер патенту: 5773

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Лебедєв Едуард Олександрович, Гомжин Іван Васильович, Покроєв Анатолій Георгійович, Єфремов Олександр Миколайович, Будянський Олександр Михайлович

МПК: H01L 21/306

Мітки: плівок, зняття, плазмохімічного, спосіб, фоторезиста

Формула / Реферат:

Способ плазмохимического удаления пленок фоторезиста с образцов, имеющих диэлектриче­ские слои, включающий непрерывный напуск ра­бочего газа и откачку продуктов реакции, активацию рабочего газа плазмой ВЧ-разряда, от­деление зоны активации газа от зоны обработки образца, размещение образца в зоне обработки в потоке активированного разрядом газа и удаление полимерной фоторезистивной пленки под действи­ем химически активных частиц, отличающийся...

Спосіб виготовлення кремнійових пластин

Завантаження...

Номер патенту: 3674

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Шурдук Борис Костянтинович, Кутовий Ігор Васильович, Богданов Євген Іванович, Живов Михайло Давидович

МПК: H01L 21/306

Мітки: кремнійових, пластин, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изготовления кремниевых пластин, включающий резку, двустороннюю шлифовку, травление в селективном кислотном травителе на глубину 0,4-0,8 диаметра зерна абразивного порошка, применяемого при шлифовке, и полировку рабочей поверхности пластин, отличающийся тем, что после травления на обе стороны кремниевых пластин наносят пленку поликремния толщиной 0,4-3 мкм, производят термообработку в диапазоне температур 900-1000°С в инертной среде в...

Спосіб виготовлення кремнійових пластин

Завантаження...

Номер патенту: 2218

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Шурдук Борис Констянтинович, Федорів Вадим Михайлович, Кутовой Ігор Васильович

МПК: H01L 21/306

Мітки: пластин, кремнійових, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления кремниевых пластин, включающий резку, двустороннюю шлифовку, травление, предварительную полировку и химико-механическую полировку рабочей стороны пластин, отличающийся тем, что с целью повы­шения качества пластин за счет уменьшения плот­ности точечных дефектов и площади с линиями скольжения на рабочей поверхности пластин, а также повышения воспроизводимости глубины травления, травление пластин производят в се­лективном...

Спосіб обробки поверхневих шарів напівпровідникових пластин

Завантаження...

Номер патенту: 1774

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Бабій Ігор Євгенович, Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович, Александров Євген Веніамінович, Сьома Богдан Дмитрович

МПК: H01L 21/306

Мітки: шарів, пластин, поверхневих, напівпровідникових, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Способ обработки поверхностных слоев полупроводниковых пластин, включающий установку рабочих полупроводниковых пластин на одинаковом расстоянии одна от другой в кассету, установку перед первой и после последней рабочими пластинами балластных пластин на том же расстоянии и последующую обработку, отличающийся тем. что в качестве балластных используют пластины, на поверхность которых нанесен обрабатываемый слой в едином цикле с рабочими...