H01L 21/223 — дифузія з твердої фази в газову або з газової фази в тверду

Номер патенту: 95155

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Горбанюк Теятна Іванівна, Литовченко Володимир Григорович, Солнцев В'ячеслав Сергійович

МПК: H01L 21/203, H01L 29/43, H01L 21/223, B82Y 30/00 ...

Мітки: наноструктурованої, отримання, газових, вольфраму, плівки, оксиду, спосіб, сенсорів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованої плівки оксиду вольфраму (WO3) для газових сенсорів шляхом термічного окислення вольфраму (W) в атмосфері кисню (O2), який відрізняється тим, що вольфрамову плівку товщиною 20-100 нм наносять на кремнієву підкладку (Si) р-типу методом магнетронного розпилення вольфрамової (W) мішені, після чого проводять процес термічного окислення при температурі 400-600 °C, швидкості потоку О2 10-20 см3/с та часу...

Номер патенту: 54007

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Мартинюк Роман Валентинович, Матюшин Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/223

Мітки: структур, спосіб, виготовлення, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникових структур, що полягає в нанесенні плівок дифузанту на монокристалічні напівпровідникові пластини і проведенні твердофазного дифузійного легування, який відрізняється тим, що дифузію легуючої домішки проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-57°С.

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Швець Юлій Олександрович, Горбенко Віталій Іванович

МПК: H01L 21/223

Мітки: індію, отримання, контакту, електричного, метал-напівпровідник, фосфіду, спосіб, типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Швець Юлій Олександрович, Горбенко Віталій Іванович

МПК: H01L 21/223

Мітки: електричного, контакту, індію, спосіб, металнапівпровідник, отримання, фосфіду, типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.

Номер патенту: 29316

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Янус Олександр Володимірович, Бахрушин Володимир Євгенович, П'ятигорець Роман Олександрович, Крітська Тетяна Володимірівна

МПК: H01L 21/223

Мітки: композицій, отримання, кремнієвих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвих N+-P-N композицій, що включає вирощування кристалу кремнію, який містить 1*1016-1*1020см-3 легувалСпосіб отримання кремнієвих N+-P-N композицій, що включає вирощування кристалу кремнію, який містить 1*1016-1*1020см-3 легувальної донорної домішки, виготовлення із нього кремнієвої підкладки п+- типу та формування високоомних шарів кремнію р- та n-типів шляхом епітаксійного осадження з газової фази, який відрізняється...