H01L 21/203 — фізичним осадженням або напиленням, наприклад вакуумним розпиленням або розбризкуванням

Номер патенту: 108463

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Кисіль Дмитро Вадимович, Лисенко Володимир Сергійович, Назаров Олексій Миколайович, Русавський Андрій Вадимович, Васін Андрій Володимирович, Севостьянов Станіслав Володимирович, Локшин Михайло Маркович, Тьортих Валентин Анатолієвич

МПК: C09K 11/65, H01L 21/203

Мітки: люмінофору, способом, нанокомпозиту, основі, білою, порошок, даним, sіo2:c, спосіб, виготовлений, синтезу, фотолюмінесценцією

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу люмінофору на основі нанокомпозиту SiO2:C, з отриманням нанодисперсного порошку пірогенного кремнезему шляхом високотемпературного гідролізу тетрахлориду кремнію SiCl4 у воднево-кисневому полум'ї, який відрізняється тим, що обробку нанодисперсного порошку пірогенного кремнезему проводять водним розчином сахарози з концентрацією 2÷5 мМоль/л, висушують його при кімнатній температурі, а термічний відпал порошку...

Номер патенту: 95155

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Солнцев В'ячеслав Сергійович, Горбанюк Теятна Іванівна, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/203, H01L 21/223, B82Y 30/00 ...

Мітки: оксиду, газових, вольфраму, спосіб, отримання, наноструктурованої, плівки, сенсорів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованої плівки оксиду вольфраму (WO3) для газових сенсорів шляхом термічного окислення вольфраму (W) в атмосфері кисню (O2), який відрізняється тим, що вольфрамову плівку товщиною 20-100 нм наносять на кремнієву підкладку (Si) р-типу методом магнетронного розпилення вольфрамової (W) мішені, після чого проводять процес термічного окислення при температурі 400-600 °C, швидкості потоку О2 10-20 см3/с та часу...

Номер патенту: 102635

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Лисенко Володимир Сергійович, Локшин Михайло Маркович, Русавський Андрій Вадимович, Васін Андрій Володимирович, Назаров Олексій Миколайович

МПК: C23C 14/35, H01L 21/203, C09K 11/65 ...

Мітки: шару, металів, містить, фотолюмінісцентного, рідкісноземельних, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фотолюмінісцентного шару, що включає формування шару пористого двоокису кремнію з вуглецем, який відрізняється тим, що об'єкт довільної форми, на якому потрібно сформувати шар люмінофору, розташовують у вакуумній камері установки магнетронного розпорошення, наповнюють вакуумну камеру газовою сумішшю Аr/СН4 та розпорошують встановлену у камері кремнієву мішень у суміші Аr/СН4 при температурі об'єкта 180-220 °C, доки...

Номер патенту: 80521

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Яворський Ярослав Святославович

МПК: H01L 21/203, H01F 41/00

Мітки: пристрій, отримання, плівок, тонких

Формула / Реферат:

Пристрій для отримання тонких плівок, що містить мікропечі, підкладки, випарник із наважкою, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що для отримання конденсату використовують систему поворотних мікропечей з підкладками на радіальних кронштейнах і заслінку із асиметричним нецентральним отвором, розміщеним над випарником.

Номер патенту: 101295

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Козакевич Роман Борисович, Лисенко Володимир Сергійович, Локшин Михайло Маркович, Васін Андрій Володимирович, Русавський Андрій Вадимович, Назаров Олексій Миколайович, Тьортих Валентин Анатолієвич, Больбух Юлія Миколаївна

МПК: H01L 21/203, C09K 11/06, C09D 183/04 ...

Мітки: способом, виготовлення, білою, домішок, інтенсивною, даним, спосіб, люмінофору, виготовлений, люмінофор, металевих, містить, фотолюмінесценцією

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу люмінофору на основі нанокомпозиту SiO2:C, з отриманням кремнезему під час відпалу у струмені газу, який відрізняється тим, що синтез нанодисперсного порошку пірогенного кремнезему - аеросилу А-300 з середнім розміром частинок SiO2 10 нм проводять шляхом високотемпературного гідролізу чотирихлористого кремнію SiCl4 у воднево-кисневому полум'ї, обробку нанодисперсного порошку аеросилу проводять розчином фенілтриметоксисилану...

Номер патенту: 92377

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Кондратенко Максим Максимович, Маниліч Михайло Іванович

МПК: C30B 23/02, H01L 21/203

Мітки: епітаксійних, спосіб, шарів, розчинів, олова, легованих, одержання, свинцю, індієм, фоточутлівих, телуридів, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фоточутливих епітаксійних шарів твердих розчинів телуридів свинцю і олова, легованих індієм, який включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколотій в кристалографічній площині (111) підкладці з фториду барію, який відрізняється тим, що для випаровування беруть матеріал хімічного складу (Рb1-xSnх)1-уІnуТе1+d, де 0,34 £ х £ 0,35, 0,015 £...

Номер патенту: 86137

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/203

Мітки: металізації, спосіб, підкладок, кремнієвих

Формула / Реферат:

Спосіб металізації кремнієвих підкладок, що включає розміщення підкладки у відкачаній вакуумній камері, нагрівання підкладки та напилення на її поверхню металу із отриманням тонкої плівки, який відрізняється тим, що здійснюють термічне напилення міді із отриманням металевої плівки із товщиною від 10 до 400 нм, яке проводять зі швидкістю 0,2-2 нм/с, при цьому забезпечують у металевій плівці мінімальну величину механічних напруг термічної...

Номер патенту: 19622

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович, Каганович Елла Борисівна, Бєгун Євгенія Валеріївна

МПК: H01L 21/203, H01L 21/268

Мітки: одержання, квантовими, фотолюмінесцентної, спосіб, плівки, точками, германієвими

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фотолюмінесцентної плівки з германієвими квантовими точками імпульсним лазерним осадженням зворотного потоку частинок ерозійного факела на підкладку, що розташована в площині мішені, який відрізняється тим, що використовують мішень з германію, що містить 1-2 % по площині поверхні алюмінію, підкладку встановлюють на відстані 2-15 мм від осі ерозійного факела в вакуумній камері з тиском аргону 13-100 Па та діють...

Номер патенту: 19621

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович, Каганович Елла Борисівна, Бєгун Євгенія Валеріївна

МПК: H01L 21/268, H01L 21/203

Мітки: спосіб, точками, плівки, кремнієвими, квантовими, фотолюмінесцентної, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фотолюмінесцентної плівки з кремнієвими квантовими точками, що включає формування Аl2О3 плівки з Si нанокристалами імпульсним лазерним осадженням з прямого потоку частинок ерозійного факела при дії променем IAГ:Nd3+ лазера на мішень, що містить Si, та активацію фотолюмінесценції, який відрізняється тим, що формування Аl2О3 плівки з Si нанокристалами та активацію фотолюмінесценції проводять одностадійно осадженням на кремнієву...

Номер патенту: 18609

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Бєгун Євгенія Валеріївна, Каганович Елла Борисівна, Манойлов Едуард Геннадійович, Свєчніков Сергій Васильович

МПК: H01L 21/268, H01L 21/203

Мітки: квантовими, плівки, спосіб, одержання, фотолюмінісцентної, точками, германієвими

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фотолюмінісцентної плівки з германієвими квантовими точками, що включає формування GeO2 плівки з германієвими нанокристалами імпульсним лазерним осадженням зі зворотного потоку частинок ерозійного факела на підкладку, що розташована в площині мішені, який відрізняється тим, що підкладку встановлюють на відстані в 2-15 мм від осі ерозійного факела та діють променем IAГ:Nd3+ лазера з довжиною хвилі 1,06 мкм, густиною енергії...

Номер патенту: 15063

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович, Каганович Елла Борисівна, Пантелус Євгенія Валеріївна

МПК: H01L 21/203, H01L 21/268

Мітки: квантовими, фотолюмінісцентної, плівки, кремнієвими, одержання, спосіб, точками

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фотолюмінісцентної плівки з кремнієвими квантовими точками, що включає формування SiO2 плівки з кремнієвими нанокристалами на підкладку, впровадження вуглецю в плівку та активацію фотолюмінісценції, який відрізняється тим, що формування SiO2 плівки з кремнієвими нанокристалами, впровадження вуглецю в плівку та активацію фотолюмінісценції проводять одностадійно методом імпульсного лазерного осадження шляхом опромінення...

Номер патенту: 50353

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Примаченко Віктор Євгенович, Кізяк Ірина Миронівна, Свєчніков Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович, Каганович Елла Борисівна

МПК: H01L 21/203, H01L 21/268

Мітки: фотолюмінесцентної, плівки, кремнію, спосіб, пористого, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування фотолюмінесцентної плівки пористого кремнію, що включає лазерну абляцію кремнієвої мішені в атмосфері інертного газу, осадження плівки із зворотного потоку часток ерозійного факела на розташовану в площині мішені підкладку та пасивацію внутрішньої поверхні плівки, який відрізняється тим, що абляцію здійснюють променем лазера ІAГ:Nd3+ з довжиною хвилі 1,06 мкм, густиною енергії імпульсу 15-30 Дж/см2, його тривалістю 8-12 нс...

Номер патенту: 50352

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Каганович Елла Борисівна, Кізяк Ірина Миронівна, Манойлов Едуард Геннадійович, Свєчніков Сергій Васильович, Примаченко Віктор Євгенович

МПК: H01L 21/268, H01L 21/203

Мітки: спосіб, плівки, кремнію, фотолюмінесцентної, нанокристалічного, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування фотолюмінесцентної плівки нанокристалічного кремнію, що включає абляцію лазером ІAГ : Nd3+ кремнієвої мішені в атмосфері аргону, осадження плівки із прямого потоку часток ерозійного факела на підкладку, розташовану на відстані від мішені по нормалі від неї, та активацію фотолюмінесценції, який відрізняється тим, що проводять лазерну абляцію променем довжиною хвилі 1,06 мкм, густиною енергії 15 - 30 Дж/см2, частотою імпульсів...

Номер патенту: 30568

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Ольховий Вадим Олексійович, Бахрушин Володимир Євгенович

МПК: H01L 21/203

Мітки: одношарових, спосіб, виготовлення, кремнієвих, структур

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих одношарових структур, який включає осадження легованого епітаксіального шару кремнію на підкладку, виготовлену з легованого монокристалічного кремнію, та уведення в епітаксіальний шар або підкладку додаткової домішки, що компенсує різницю періодів кристалічних ґраток підкладки і шару, який відрізняється тим, що в якості підкладок використовуються кремнієві пластини з концентрацією кисню не більш 3×1017...