H01L 21/20 — нанесення напівпровідникових матеріалів на підкладку, наприклад епітаксіальне нарощування

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази

Завантаження...

Номер патенту: 115873

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Боскін Олег Осипович, Цибуленко Вадим Володимирович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20, H01L 21/208, C30B 19/00 ...

Мітки: фазі, епітаксії, змочування, спосіб, рідинної, очищення, розчину-розплаву, підкладки

Формула / Реферат:

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази, що полягає у змочуванні підкладки розчином-розплавом, на який діє сила тяжіння, способом зміщення слайдера касети, який утримує підкладку, між комірками, що заповнені розчинами-розплавами, і очищенні підкладки від розчину-розплаву, який відрізняється тим, що при змочуванні на розчин-розплав додатково діють силою Ампера, яку викликають тим, що по...

Спосіб отримання наноструктур ag2o на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 112999

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Савкіна Рада Костянтинівна, Удовицька Руслана Сергіївна, Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович

МПК: H01L 21/20, C23C 14/48, B82B 3/00 ...

Мітки: поверхні, p-cdhgte, отримання, спосіб, гетероепітаксійної, наноструктур, плівки

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Аксіментьєва Олена Ігорівна, Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович

МПК: H01L 21/04, H01L 31/00, H01L 21/20 ...

Мітки: структур, поруватого, спосіб, отримання, кремнію, фоточутлівих, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Спосіб формування точкових нвч-діодів з малим часом переключення і відновлення

Завантаження...

Номер патенту: 110188

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович, Мельник Любомир Васильович

МПК: H01L 29/862, H01L 21/20

Мітки: формування, нвч-діодів, часом, переключення, точкових, спосіб, малим, відновлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування точкових НВЧ-діодів, що полягає у виготовленні кристала, тримачів кристала, контактної пружини і корпусних деталей, який відрізняється тим, що кристал виготовляють за гетероепітаксійною плазмовою технологією формування ізотипних n-n+переходів із германію чи арсеніду галію на монокремнієвих підкладках n+типу, а контактну пружину формують із вольфрамово-молібденового дроту і, після приварювання до нікелевого тримача...

Спосіб отримання конденсатів всередині нанопор анодно-окисленого алюмінію

Завантаження...

Номер патенту: 95509

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Корнющенко Ганна Сергіївна, Перекрестов В'ячеслав Іванович, Наталіч Вікторія Вадимівна

МПК: H01L 21/20

Мітки: анодно-окисленого, отримання, конденсатів, спосіб, нанопор, алюмінію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання конденсатів всередині нанопор анодно-окисленого алюмінію (Аl2О3) шляхом випаровування речовини у вакуумі з подальшою конденсацією сформованих при цьому парових потоків всередині упорядкованої системи пор Аl2О3, який відрізняється тим, що формування парових потоків здійснюють за допомогою магнетронного розпилення речовини, при цьому утворений паровий потік пропускають через тісно прилягаючі одна до одної трубки, діаметр яких...

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Чобанюк Володимир Михайлович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Володимирович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02, H01L 21/20, H01L 35/34, C30B 11/00 ...

Мітки: квантово-розмірного, термоелектричного, матеріалу, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Спосіб отримання тонких плівок оксиду алюмінію, які містять наноструктурований триоксид вольфраму

Завантаження...

Номер патенту: 73012

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Токарєва Ірина Анатоліївна, Сьомкіна Олена Володимирівна, Ляшок Лариса Василівна, Байрачний Борис Іванович

МПК: B82B 3/00, H01L 21/20

Мітки: вольфраму, спосіб, містять, оксиду, наноструктурований, отримання, триоксид, плівок, алюмінію, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок оксиду алюмінію, які містять наноструктурований триоксид вольфраму, що включає одержання поруватих оксидних плівок шляхом двостадійного анодування алюмінію з подальшим заповненням пор матриці, який відрізняється тим, що заповнення пор проводять просоченням у розчині вольфрамату амонію з подальшим сушінням зразків та термічним розкладом солі до триоксиду вольфраму при температурі 450-500 °C протягом 30-40...

Сапфірні основи і процеси їх виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 98314

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Чіннакаруппан Паланіаппан, Танікелла Брахманандам В., Ведантхам Рамануджам, Сімпсон Метью А., Ріццуто Роберт А.

МПК: B24B 7/00, B24B 37/005, H01L 21/304, H01L 21/20 ...

Мітки: процесі, основі, сапфірні, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Процес створення партії сапфірових підкладок, який включає:шліфування поверхні кожної сапфірової підкладки за допомогою першого фіксованого абразиву таким чином, що перша поверхня має с-площинну орієнтацію, де зазначена партія сапфірових підкладок містить принаймні 20 сапфірових підкладок, ташліфування зазначеної поверхні сапфірової підкладки за допомогою другого фіксованого абразиву, де другий фіксований абразив є більш...

Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 68203

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович, Кіндрат Тарас Петрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: формування, кремнієвих, шарів, арсенід-галієвих, монокристалічних, підкладках, спосіб, епітаксійних

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...

Спосіб одержання епітаксійних шарів

Завантаження...

Номер патенту: 96837

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Кавич Володимир Йосипович, Писаревський Володимир Костянтинович

МПК: B23K 26/06, C23C 16/00, C23C 14/24 ...

Мітки: шарів, спосіб, одержання, епітаксійних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання епітаксійних шарів, в якому підігрівають підкладку та мішень, випаровують матеріал мішені, транспортують пару та конденсують на підкладку у вакуумній камері, який відрізняється тим, що попередньо підготовлені підкладку та мішень розміщують на відстані 50±5 мм у вакуумній камері з тиском 10-5-10-7 Па, після чого підкладку підігрівають до температури 180-250 °С зовнішнім нагрівачем, а мішень нагрівають імпульсним лазерним...

Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок

Завантаження...

Номер патенту: 94699

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Марончук Ігор Ігорович, Кулюткіна Тамара Фатихівна

МПК: H01L 21/20, C30B 19/00, C30B 29/00 ...

Мітки: епітаксійних, масивами, спосіб, наногетероструктур, точок, вирощування, квантових

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температури  монокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру

Спосіб нанесення суцільних шарів методом трафаретного друку

Завантаження...

Номер патенту: 94561

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Сингаївський Олександр Федорович, Осипьонок Микола Михайлович, Пекар Григорій Соломонович

МПК: H01L 21/20, H01L 27/142, B41F 15/00 ...

Мітки: спосіб, друку, суцільних, шарів, нанесення, трафаретного, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення суцільних шарів для створення сонячних елементів на основі напівпровідникових сполук шляхом трафаретного друку з пасти, яка містить напівпровідниковий матеріал та зв'язувальну речовину (біндер), який відрізняється тим, що пасту наносять безпосередньо на поверхню підкладки, трафарет виконують у вигляді односпрямованих дротів або волокнин, або стрічок у кількості не менше двох, які кріплять або притискають до підкладки...

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: фотовольтаїчних, випромінювання, структур, арсеніду, рентгенівського, галію, діапазону, детекторів, отримання, спосіб, епітаксійних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Спосіб одержання сегнетоелектричних тонких плівок складу ktaxnb1-xo3

Завантаження...

Номер патенту: 85311

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна

МПК: H01L 21/20, H01L 21/40

Мітки: плівок, сегнетоелектричних, ktaxnb1-xo3, одержання, спосіб, складу, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричних тонких плівок складу KTaxNb1-xO3, що включає одержання плівок при підвищеній температурі у вакуумі, який відрізняється тим, що одержують плівки шляхом послідовного нанесення на підкладку шарів двошарової системи Ta та Nb, у визначеному співвідношенні товщин, із наступним утворенням шару оксиду (TaxNb1-x)2O5, після чого наносять термічним випаровуванням шар їдкого калію та здійснюють відпал при температурі...

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 28402

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/20

Мітки: спосіб, отримання, гомоепітаксійних, шарів, арсеніду, товстих, галію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...

Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 71495

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Журба Олександр Михайлович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/20, H01L 27/18 ...

Мітки: надпровідників, високотемпературних, епітаксії, рідкофазної, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників, що містить вертикальний реактор, розміщений усередині вертикальної резистивної печі, підставку для печі з отвором для термопари і термопару, верхню та нижню горизонтальну підкладки, які розміщені в робочій зоні вертикального реактора з зазором між ними, підставку для нижньої горизонтальної підкладки, який відрізняється тим, що нижня горизонтальна підкладка має паз, верхня...

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією

Завантаження...

Номер патенту: 67198

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Золкіна Людмила Вікторівна, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: H01L 21/20

Мітки: рідкофазною, напівпровідникових, шарів, вирощування, спосіб, епітаксією

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією, у якому вирощування проводять з розчину, поміщеного в графітовий тигель, на монокристалічну пластину в циліндричній кварцовій ампулі шляхом лінійного охолодження зі швидкістю 0,5 К/хв, який відрізняється тим, що в розчин вводять ультразвукові хвилі з частотою від 0,3 до 5 МГц у напрямку, перпендикулярному поверхні пластини, а процес кристалізації здійснюють зі швидкістю від...

Спосіб одержання монокристалевих тонких плівок

Завантаження...

Номер патенту: 35139

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Татаринов В'ячеслав Ігорович, Матюшин Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: монокристалевих, тонких, одержання, плівок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалевих тонких плівок шляхом кристалізації, що відрізняється тим, що полікристалеву тонку плівку напівпровідника піддають обробці в атомарному водні

Спосіб одержання епітаксійних шарів арсеніду галію на кремнієвих основах рідкофазною епітаксією

Завантаження...

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: кремнієвих, шарів, одержання, арсеніду, основах, галію, спосіб, рідкофазною, епітаксійних, епітаксією

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...

Спосіб вирощування з рідкої фази арсенід-галієвих епітаксіальних діодних p-і-n структур

Завантаження...

Номер патенту: 8064

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Поліщук Сергій Михайлович, Нагорний Ростислав Леонтійович, Войтович Віктор Євгенович

МПК: H01L 21/20

Мітки: фазі, рідкої, p-і-n, арсенід-галієвих, спосіб, епітаксіальних, діодних, структур, вирощування

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева тем­пературы и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентра­ции в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...