H01L 21/20 — нанесення напівпровідникових матеріалів на підкладку, наприклад епітаксіальне нарощування

Спосіб отримання наноструктур ag2o на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 112999

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Сизов Федір Федорович, Савкіна Рада Костянтинівна, Удовицька Руслана Сергіївна, Смірнов Олексій Борисович

МПК: C23C 14/48, H01L 21/20, B82B 3/00 ...

Мітки: плівки, отримання, поверхні, спосіб, p-cdhgte, наноструктур, гетероепітаксійної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Монастирський Любомир Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Оленич Ігор Богданович

МПК: H01L 21/20, H01L 31/00, H01L 21/04 ...

Мітки: фоточутлівих, спосіб, основі, кремнію, отримання, поруватого, структур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Спосіб формування точкових нвч-діодів з малим часом переключення і відновлення

Завантаження...

Номер патенту: 110188

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович

МПК: H01L 21/20, H01L 29/862

Мітки: формування, відновлення, спосіб, часом, переключення, малим, нвч-діодів, точкових

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування точкових НВЧ-діодів, що полягає у виготовленні кристала, тримачів кристала, контактної пружини і корпусних деталей, який відрізняється тим, що кристал виготовляють за гетероепітаксійною плазмовою технологією формування ізотипних n-n+переходів із германію чи арсеніду галію на монокремнієвих підкладках n+типу, а контактну пружину формують із вольфрамово-молібденового дроту і, після приварювання до нікелевого тримача...

Спосіб отримання конденсатів всередині нанопор анодно-окисленого алюмінію

Завантаження...

Номер патенту: 95509

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Наталіч Вікторія Вадимівна, Корнющенко Ганна Сергіївна, Перекрестов В'ячеслав Іванович

МПК: H01L 21/20

Мітки: алюмінію, отримання, спосіб, конденсатів, анодно-окисленого, нанопор

Формула / Реферат:

Спосіб отримання конденсатів всередині нанопор анодно-окисленого алюмінію (Аl2О3) шляхом випаровування речовини у вакуумі з подальшою конденсацією сформованих при цьому парових потоків всередині упорядкованої системи пор Аl2О3, який відрізняється тим, що формування парових потоків здійснюють за допомогою магнетронного розпилення речовини, при цьому утворений паровий потік пропускають через тісно прилягаючі одна до одної трубки, діаметр яких...

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Лисюк Юрій Володимирович, Чобанюк Володимир Михайлович

МПК: C30B 11/00, H01L 21/20, C30B 11/02, H01L 35/34 ...

Мітки: отримання, термоелектричного, спосіб, квантово-розмірного, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Спосіб отримання тонких плівок оксиду алюмінію, які містять наноструктурований триоксид вольфраму

Завантаження...

Номер патенту: 73012

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Сьомкіна Олена Володимирівна, Токарєва Ірина Анатоліївна, Ляшок Лариса Василівна, Байрачний Борис Іванович

МПК: B82B 3/00, H01L 21/20

Мітки: тонких, наноструктурований, триоксид, спосіб, вольфраму, містять, плівок, оксиду, алюмінію, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок оксиду алюмінію, які містять наноструктурований триоксид вольфраму, що включає одержання поруватих оксидних плівок шляхом двостадійного анодування алюмінію з подальшим заповненням пор матриці, який відрізняється тим, що заповнення пор проводять просоченням у розчині вольфрамату амонію з подальшим сушінням зразків та термічним розкладом солі до триоксиду вольфраму при температурі 450-500 °C протягом 30-40...

Сапфірні основи і процеси їх виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 98314

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Сімпсон Метью А., Чіннакаруппан Паланіаппан, Танікелла Брахманандам В., Ведантхам Рамануджам, Ріццуто Роберт А.

МПК: B24B 7/00, B24B 37/005, H01L 21/20, H01L 21/304 ...

Мітки: основі, виготовлення, сапфірні, процесі

Формула / Реферат:

1. Процес створення партії сапфірових підкладок, який включає:шліфування поверхні кожної сапфірової підкладки за допомогою першого фіксованого абразиву таким чином, що перша поверхня має с-площинну орієнтацію, де зазначена партія сапфірових підкладок містить принаймні 20 сапфірових підкладок, ташліфування зазначеної поверхні сапфірової підкладки за допомогою другого фіксованого абразиву, де другий фіксований абразив є більш...

Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 68203

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: епітаксійних, монокристалічних, кремнієвих, підкладках, шарів, арсенід-галієвих, спосіб, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...

Спосіб одержання епітаксійних шарів

Завантаження...

Номер патенту: 96837

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Кавич Володимир Йосипович, Писаревський Володимир Костянтинович

МПК: C23C 14/24, C23C 16/00, B23K 26/06 ...

Мітки: спосіб, епітаксійних, шарів, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання епітаксійних шарів, в якому підігрівають підкладку та мішень, випаровують матеріал мішені, транспортують пару та конденсують на підкладку у вакуумній камері, який відрізняється тим, що попередньо підготовлені підкладку та мішень розміщують на відстані 50±5 мм у вакуумній камері з тиском 10-5-10-7 Па, після чого підкладку підігрівають до температури 180-250 °С зовнішнім нагрівачем, а мішень нагрівають імпульсним лазерним...

Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок

Завантаження...

Номер патенту: 94699

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович, Марончук Ігор Ігорович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/20, C30B 29/00 ...

Мітки: вирощування, квантових, епітаксійних, точок, наногетероструктур, спосіб, масивами

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температури  монокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру

Спосіб нанесення суцільних шарів методом трафаретного друку

Завантаження...

Номер патенту: 94561

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Осипьонок Микола Михайлович, Пекар Григорій Соломонович, Сингаївський Олександр Федорович

МПК: B41F 15/00, H01L 27/142, H01L 21/20 ...

Мітки: суцільних, шарів, методом, трафаретного, нанесення, спосіб, друку

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення суцільних шарів для створення сонячних елементів на основі напівпровідникових сполук шляхом трафаретного друку з пасти, яка містить напівпровідниковий матеріал та зв'язувальну речовину (біндер), який відрізняється тим, що пасту наносять безпосередньо на поверхню підкладки, трафарет виконують у вигляді односпрямованих дротів або волокнин, або стрічок у кількості не менше двох, які кріплять або притискають до підкладки...

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: отримання, структур, епітаксійних, спосіб, рентгенівського, фотовольтаїчних, арсеніду, детекторів, галію, випромінювання, діапазону

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Спосіб одержання сегнетоелектричних тонких плівок складу ktaxnb1-xo3

Завантаження...

Номер патенту: 85311

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна

МПК: H01L 21/40, H01L 21/20

Мітки: сегнетоелектричних, складу, тонких, спосіб, одержання, ktaxnb1-xo3, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричних тонких плівок складу KTaxNb1-xO3, що включає одержання плівок при підвищеній температурі у вакуумі, який відрізняється тим, що одержують плівки шляхом послідовного нанесення на підкладку шарів двошарової системи Ta та Nb, у визначеному співвідношенні товщин, із наступним утворенням шару оксиду (TaxNb1-x)2O5, після чого наносять термічним випаровуванням шар їдкого калію та здійснюють відпал при температурі...

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 28402

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: шарів, отримання, товстих, спосіб, арсеніду, гомоепітаксійних, галію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...

Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 71495

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Журба Олександр Михайлович

МПК: H01L 21/20, H01L 27/18, C30B 19/00 ...

Мітки: епітаксії, високотемпературних, надпровідників, пристрій, рідкофазної

Формула / Реферат:

Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників, що містить вертикальний реактор, розміщений усередині вертикальної резистивної печі, підставку для печі з отвором для термопари і термопару, верхню та нижню горизонтальну підкладки, які розміщені в робочій зоні вертикального реактора з зазором між ними, підставку для нижньої горизонтальної підкладки, який відрізняється тим, що нижня горизонтальна підкладка має паз, верхня...

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією

Завантаження...

Номер патенту: 67198

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Золкіна Людмила Вікторівна

МПК: H01L 21/20

Мітки: спосіб, напівпровідникових, епітаксією, шарів, рідкофазною, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією, у якому вирощування проводять з розчину, поміщеного в графітовий тигель, на монокристалічну пластину в циліндричній кварцовій ампулі шляхом лінійного охолодження зі швидкістю 0,5 К/хв, який відрізняється тим, що в розчин вводять ультразвукові хвилі з частотою від 0,3 до 5 МГц у напрямку, перпендикулярному поверхні пластини, а процес кристалізації здійснюють зі швидкістю від...

Спосіб одержання монокристалевих тонких плівок

Завантаження...

Номер патенту: 35139

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Татаринов В'ячеслав Ігорович

МПК: H01L 21/20

Мітки: тонких, спосіб, монокристалевих, одержання, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалевих тонких плівок шляхом кристалізації, що відрізняється тим, що полікристалеву тонку плівку напівпровідника піддають обробці в атомарному водні

Спосіб одержання епітаксійних шарів арсеніду галію на кремнієвих основах рідкофазною епітаксією

Завантаження...

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: спосіб, рідкофазною, одержання, епітаксією, шарів, кремнієвих, арсеніду, основах, галію, епітаксійних

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...

Спосіб вирощування з рідкої фази арсенід-галієвих епітаксіальних діодних p-і-n структур

Завантаження...

Номер патенту: 8064

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Поліщук Сергій Михайлович, Войтович Віктор Євгенович, Нагорний Ростислав Леонтійович

МПК: H01L 21/20

Мітки: спосіб, рідкої, діодних, структур, епітаксіальних, вирощування, фазі, p-і-n, арсенід-галієвих

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева тем­пературы и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентра­ции в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...