H01L 21/04 — приладів, які мають хоча б один потенційний бар’єр, на якому здійснюється стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневий бар’єр, наприклад pn-перехід, збіднений шар, шар з підвищеною концентрацією носіїв

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Аксіментьєва Олена Ігорівна, Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04, H01L 21/20 ...

Мітки: основі, спосіб, отримання, фоточутлівих, структур, кремнію, поруватого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 100132

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Аксіментьєва Олена Ігорівна, Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 29/861, H01L 21/04, H01L 31/00 ...

Мітки: отримання, кремнію, поруватого, сенсорних, фотовольтаїчних, спосіб, структур, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію в розчині C2H5OH:HF:H2O=1:1:1 при густині струму 10-60 мА/см2 упродовж 10-30 хвилин і на отриманий поруватий шар кремнію електрохімічно осаджують пасивуючий шар полімеру, який відрізняється тим, що як полімер використовують полі-3,4-етилендіокситіофен, а пасивуючий шар отримують...

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію р-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Сукач Андрій Васильович, Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/00, H01L 21/04 ...

Мітки: контакт, гетероструктурний, р-типу, провідності, полікристалічних, омічний, телуриду, шарів, кадмію

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур

Завантаження...

Номер патенту: 105248

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Соколовський Богдан Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: H01L 29/861, H01L 21/04, H01L 31/00 ...

Мітки: структур, спосіб, кремнієвих, фотовольтаїчних, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур, за яким електрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію, створюють р-n перехід та виготовляють електричні контакти, який відрізняється тим, що як зразок використовують монокристалічний кремній орієнтації (100), n - типу провідності, товщиною 400 мкм, з питомим опором 4.5 Ом*см, на тильну поверхню якого термовакуумно напилюють плівку срібла товщиною 1 мкм, анодують у розчині...

Спосіб виготовлення діодів шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Фролов Олександр Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Самойлов Микола Олександрович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/329, H01L 21/31 ...

Мітки: кільцем, шотткі, виготовлення, охоронним, спосіб, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-cdte, легованого хлором

Завантаження...

Номер патенту: 76097

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Тетьоркін Володимир Володимирович, Корбутяк Дмитро Васильович, Ворощенко Андрій Тарасович, Лоцько Олександр Павлович, Демчина Любомир Андрійович, Сукач Андрій Васильович

МПК: H01L 21/04

Мітки: контактів, спосіб, зразків, монокристалічних, омічних, хлором, p-cdte, високоомних, легованого, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-CdTe, легованих хлором, який включає різку монокристала CdTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразків в поліруючому травнику та виготовлення електричних контактів методом термовакуумного напилення золота, який відрізняєтьсятим, що зразки додатково відпалюють в інертній атмосфері впродовж 60-65 хв. при температурі 175-178 °C.

Оптрон на основі квантових точок телуриду кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 62707

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Калитчук Сергій Михайлович, Халавка Юрій Богданович, Корбутяк Дмитро Васильович, Щербак Лариса Павлівна, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: H01L 21/04, H01L 33/00, H01L 51/00 ...

Мітки: оптрон, кадмію, телуриду, квантових, основі, точок

Формула / Реферат:

Оптрон, який складається з фотоприймача та світловипромінюючого пристрою, який відрізняється тим, що фотоприймачем є гетерофотоелемент, виготовлений із шаруватих напівпровідників GaSe та InSe, а світловипромінюючий пристрій виконаний у вигляді електролюмінесцентної багатошарової полімерної матриці з квантовими точками телуриду кадмію, яка нанесена на поверхню GaSe.

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 60700

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Сєліверстов Ігор Анатолійович, Сєліверстова Світлана Ростиславівна

МПК: H01L 21/31, H01L 21/329, H01L 21/04 ...

Мітки: охоронним, кремнієвих, спосіб, виготовлення, шотткі, кільцем, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...

Спосіб виготовлення кремнієвих меза-діодів

Завантаження...

Номер патенту: 93186

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Фролов Олександр Олександрович, Фролов Костянтин Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/316, H01L 21/04, H01L 21/31 ...

Мітки: спосіб, виготовлення, кремнієвих, меза-діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих меза-діодів в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеного на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за допомогою дифузії домішки другого типу провідності та...

Сцинтиляційний детектор g- та х-випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 54886

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Лоцько Олександр Павлович, Вахняк Надія Дмитрівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: G01T 1/20, G01T 3/00, H01L 21/04 ...

Мітки: сцинтиляційний, х-випромінювання, детектор

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний детектор γ- та Х-випромінювання, що включає чутливий до γ- та Х-випромінювання сцинтилятор та напівпровідниковий фотоприймач з відповідною чутливістю до діапазону світіння сцинтилятора, який відрізняється тим, що фотоприймачем служить гетерофотоелемент, який виготовлений на основі шаруватих монокристалічних напівпровідників n-InSe та p-GaSe.

Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації в процесі виготовлення p-i-n діодів

Завантаження...

Номер патенту: 91578

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00, H01L 21/04

Мітки: генерації, процесі, параметрів, тестова, структура, рекомбінації, діодів, виготовлення, визначення, p-і-n

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації носіїв заряду в процесі виготовлення р-і-n діодів, що має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад р+-область, розташовану на напівпровідниковій основі n-типу провідності, область керованого збіднення (3), що прилягає до р+-області (1), шар ізолятора (5), що покриває р+-область та частину напівпровідникової основи, нанесений...

Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод

Завантаження...

Номер патенту: 48718

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Кривуца Валентин Антонович, Веремійченко Георгій Микитович, Суворова Лідія Михайлівна, Басанець Володимир Васильович, Личман Кирило Олексійович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/86, H01L 21/02, H01L 21/04 ...

Мітки: кремнієвий, діод, р-i-n, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...

Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора g- та х-випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 47578

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Лоцько Олександр Павлович, Єрмаков Валерій Миколайович, Редько Роман Анатолійович, Мілєнін Віктор Володимирович, Корбутяк Дмитро Васильович, Конакова Раїса Василівна, Демчина Любомир Андрійович

МПК: H01L 21/04

Мітки: виготовлення, телурид-кадмієвого, х-випромінювання, детектора, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора γ- та X-випромінювання, що включає різання високоомного монокристала CdTe на пластини, шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному травнику, нанесення контактів, який відрізняється тим, що напівпровідникову пластину високоомного телуриду кадмію додатково відпалюють шляхом 10 сеансів НВЧ-опромінення потужністю 7,5±0,4 Вт/см2 з частотою 2,45 ГГц протягом 3±1 с кожний...

Надвисокочастотний p-i-n-діод з карбіду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 46834

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Кривуца Валентин Антонович, Уріцкая Надія Ярославівна, Голинная Тетяна Іванівна, Личман Кирило Олексійович

МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...

Мітки: карбіду, p-i-n-діод, надвисокочастотний, кремнію

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...

Напівпровідниковий надвисокочастотний p-i-n- діод

Завантаження...

Номер патенту: 43851

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Уріцкая Надія Ярославівна, Басанець Володимир Васильович, Кривуца Валентин Антонович, Болтовець Микола Силович, Голинная Тетяна Іванівна, Личман Кирило Олексійович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/86, H01L 21/04 ...

Мітки: діод, напівпровідниковий, p-і-n, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...

Спосіб виготовлення високовольтних діодів

Завантаження...

Номер патенту: 87043

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Фролов Олександр Олександрович, Фролов Костянтин Олександрович, Лубяний Віктор Захарович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/329

Мітки: високовольтних, виготовлення, спосіб, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних діодів в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури, високотемпературне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за допомогою дифузії домішки другого типу...

Спосіб виготовлення детекторів x- і g-випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 41216

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі

МПК: C30B 11/00, H01L 21/04

Мітки: спосіб, детекторів, виготовлення, g-випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання, що включає напилення на поліровану поверхню монокристалічної пластини високоомного CdTe р-типу плівки In, легування поверхневого шару пластини CdTe індієм шляхом опромінення плівки індію імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії 90-100 мДж/см2, напилення на протилежну поверхню пластини CdTe золотого електрода, який відрізняється...

Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею

Завантаження...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі

МПК: H01L 21/04

Мітки: електричних, групи, створенні, сполук, структур, хвилею, пружною, легування, бар'єрних, спосіб, елементами, аiiвvi, напівпровідникових, приповерхневого, аiii

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...

Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний p-i-n- діод

Завантаження...

Номер патенту: 30533

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Ніколаєнко Юрій Григорович, Кривуца Валентин Антонович, Суворова Лідія Михайлівна, Личман Кирило Олексійович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...

Мітки: діод, кремнієвий, безкорпусний, надвисокочастотний, p-і-n

Формула / Реферат:

1. Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, який містить кремнієвий кристал з високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари р- та n-типу провідності і омічні контакти до них, смужковий вивід та основне захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді чіпа, а бічну поверхню р-n переходу чіпа методом травлення в р-n переході кільцевої...

Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі сdte

Завантаження...

Номер патенту: 28885

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Маслов Володимир Петрович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович

МПК: H01L 33/00, H01L 31/00, H01L 21/04 ...

Мітки: сdte, фотоприймачів, основі, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі CdTe, що базується на термічному випаровуванні вихідної речовини - телуриду кадмію у вакуумному квазізамкненому об'ємі при температурах 480-550 °С та конденсації з парової фази шару на діелектричній підкладці при температурах 380-450 °С, який відрізняється тим, що джерело випаровування і підкладку розташовували на малій (0,5-3,0 мм) відстані одне над одним, використовуючи для цього...

Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод

Завантаження...

Номер патенту: 8455

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Басанець Володимир Васильович, Суворова Лідія Михайлівна, Болтовець Микола Силович, Сєдова Марина Олексійовна

МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...

Мітки: безкорпусний, кремнієвий, р-і-n-діод, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кремнієвий кристал із високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари p+- і n+-типу провідності і омічні контакти до них, металеву основу, смужковий вивід, захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді псевдосфери методом двостороннього ізотропного травлення напівпровідникової...

Спосіб виготовлення детектора g- та х-випромінювання на основі високоомних напівпровідників сdte та cdznte

Завантаження...

Номер патенту: 46513

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Крилюк Сергій Георгійович, Бобицький Ярослав Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Вахняк Надія Дмитрівна, Крюченко Юрій Володимирович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: H01L 21/04

Мітки: сdte, cdznte, детектора, напівпровідників, х-випромінювання, спосіб, основі, високоомних, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора  - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv  Eg  і густиною...

Спосіб виготовлення високовольтних напівпровіднико вих пріладів

Завантаження...

Номер патенту: 22169

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Герасим Василь Васильович, Горда Євгеній Львович, Політанський Леонід Францович, Геллер Віталій Ізраїльович

МПК: H01L 21/04

Мітки: спосіб, вих, виготовлення, високовольтних, приладів, напівпровіднико

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних напівпровідникових приладів, що включає формування високовольтного р-n переходу введенням домішки другого типу провідності у слаболеговану підкладку першого типу провідності, який відрізняється тим, що травленням товстої слабо-легованої підкладки під високовольтним р-n переходом утворюють мембрану, проводять іонне легування зворотного боку підкладки з витравленою мембраною іонами домішок першого типу...

Спосіб виготовлення гетеропереходу на основі шаруватого напівпровідника

Завантаження...

Номер патенту: 14605

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Бобицький Ярослав Васильович, Вознюк Євгеній Федорович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/04, H01L 31/00

Мітки: гетеропереходу, шаруватого, виготовлення, напівпровідника, спосіб, основі

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления гетероперехода на ос­нове слоистого полупроводника, включающий ме­ханический прижим монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке, отличающийся тем, что слоистый полу­проводник предварительно облучают одиночным импульсом технологического лазера в месте пред­полагаемого расположения электрического кон­такта, на это место наносят металл с соответству­ющей работой выхода, отслаивают по...