H01L 21/00 — Способи і пристрої, спеціально призначені для виготовлення або обробки напівпровідникових приладів або приладів на твердому тілі або їх частин

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: кристала, визначення, спосіб, напівпровідникового, діода, перегріву

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Номер патенту: 115733

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Манілов Антон Ігорович, Карлаш Ганна Юріївна, Скришевський Валерій Антонович

МПК: H01L 33/34, H01L 21/00

Мітки: спосіб, світловипромінювального, виготовлення, нанокремнію, композита

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінювального композита нанокремнію, що включає виготовлення люмінесцентних наночастинок кремнію, синтез аерогелю кремнезему методом надкритичного висушування силікатного гелю та інкорпорацію наночастинок у аерогель, який відрізняється тим що силікатний гель виготовляють на основі тетраетилортосилікату; наночастинки кремнію створюють анодним або хімічним травленням кристалічного Si; виготовлення суміші...

Номер патенту: 120347

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Філіпщук Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Глухова Валентина Іванівна, Фролов Олександр Миколайович, Шевченко Віктор Васильович, Самойлов Микола Олександрович

МПК: H01L 21/761, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, ємністю, змінною, спосіб, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури шляхом анодного окислювання кремнію в киплячому розчині борної кислоти в режимах отримання пористого окислу кремнію, термічне окислювання, селективне видалення...

Номер патенту: 119736

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: отримання, znmgse, спосіб, фотодетекторів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотодетекторів включає відпал кристалів ZnMgSe не гірше 10-4 Торр., який відрізняється тим, що кристали твердого розчину ZnMgSe відпалюють у парі магнію при температурі 800-950 °C.

Номер патенту: 118793

Опубліковано: 28.08.2017

Автор: Литвиненко Віктор Миколайович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/761, H01L 21/00 ...

Мітки: спосіб, структур, імпульсного, діода, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур імпульсного діода, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, дифузію бору в дві стадії з твердого джерела В2О3 для одержання р-n-переходу, витримку пластини у розчині на основі золотохлористоводневої кислоти, дифузію золота, термообробку діодних структур, який відрізняється тим, що перед термічним окисленням...

Номер патенту: 118645

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна, Хрипко Сергій Леонідович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: легованої, отримання, алюмінієм, спосіб, плівки, прозорої

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки ZnO, легованої алюмінієм, який відрізняється тим, що дана плівка отримується за допомогою методу спрей-піролізу: для утворення плівок ZnO використовується розчин 0,15 М ацетату цинку Zn(CH3CO2)2 з сумішшю ізопропілового спирту та дистильованої води.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що отримання структури ZnO:Al здійснюється рівномірним нанесенням шарів на кремнієві підкладки при температурі...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: H01L 21/00, C30B 11/00

Мітки: напівпровідників, елементами, наносекундними, спосіб, лазера, хвилями, а2в6, групи, генерованими, шару, рідкому, імпульсами, деформаційними, твердофазного, ударними, середовищі, поверхневого, легування

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00, C30B 29/06 ...

Мітки: отримання, нанорозмірного, використанням, сонячних, спосіб, елементів, кремнію, поруватого, монокристалічному, кремнії

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Номер патенту: 113351

Опубліковано: 25.01.2017

Автор: Литвиненко Віктор Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: концентрації, виготовлення, спосіб, базі, варикапу, структур, градієнтом, домішки, зворотним

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур варикапу зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, хімічне окислення пластин, іонне легування фосфором, термообробку пластин, розгонку фосфору для формування зворотного градієнта концентрації, фотолітографію по шару фосфоросилікатного скла, дифузію бору для...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/00

Мітки: кристала, перегріву, спосіб, напівпровідникового, визначення, діода, робочого

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Номер патенту: 109648

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович

МПК: C23C 14/54, C23C 14/50, H01L 21/00 ...

Мітки: спосіб, контактів, підкладці, отримання, кремнієвий

Формула / Реферат:

Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці, за яким на кремнієву підкладку напилюють у вакуумі спочатку алюмінієву плівку, а через 5-10 хвилин - шар міді товщиною 500-3000 Å, після чого формують контактний майданчик, до якого термокомпресійно приварюють один кінець золотого мікродроту, який відрізняється тим, що попередньо фіксують другий кінець золотого мікродроту, а місце приварювання покривають епоксидною смолою.

Номер патенту: 112300

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Віам Хью, Йонемічі Томохіро, Лекомт Бенуа

МПК: C03C 17/00, C23C 16/54, C23C 14/56 ...

Мітки: модульного, поділ, нанесення, пристрою, покриття

Формула / Реферат:

1. Спосіб осадження багатошарової покриваючої стопи шарів на плоску скляну підкладку, що включає осадження методом катодного розпилення під вакуумом принаймні першого шару в першій зоні осадження, яка має перший тип атмосфери, і принаймні другого шару в другій зоні осадження, яка має другий тип атмосфери, що відділений від першого типу атмосфери розділовою зоною, де плоску скляну підкладку переміщують від першої зони осадження до другої зони...

Номер патенту: 108563

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Каденюк Тетяна Ярославівна, Денисенко Ольга Іванівна, Кобилянський Роман Романович

МПК: A61P 17/00, A61K 31/00, H01L 21/00 ...

Мітки: звичайних, акне, спосіб, комплексного, вугрів, лікування

Формула / Реферат:

1. Спосіб комплексного лікування вугрів звичайних (акне), що включає проведення терапевтичних маніпуляцій охолодженим робочим інструментом на поверхні шкіри людини, який відрізняється тим, що перед проведенням терапевтичних маніпуляцій охолодженим робочим інструментом пацієнт приймає комплекс лікарських засобів для розширення шкірних судин та покращення метаболічних процесів у шкірі.2. Спосіб комплексного лікування вугрів звичайних...

Номер патенту: 108145

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: гетерошарів, виготовлення, модифікації, гексагональної, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів CdTe гексагональної модифікації, що включає підготовку базової підкладинки та її відпал у парі ізовалентної домішки, який відрізняється тим, що підкладинкою слугує пластинка a-CdSe, відпал якої проводиться у парі Те при температурі 600-900 °C.

Номер патенту: 107922

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Кобилянський Роман Романович, Каденюк Тетяна Ярославівна, Денисенко Ольга Іванівна, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: A61P 17/00, A61K 31/00, A61F 7/00 ...

Мітки: комплексного, спосіб, рожевих, лікування, вугрів, розацеа

Формула / Реферат:

1. Спосіб комплексного лікування рожевих вугрів (розацеа), що включає проведення терапевтичних маніпуляцій охолодженим робочим інструментом на поверхні шкіри людини, який відрізняється тим, що перед проведенням терапевтичних маніпуляцій охолодженим робочим інструментом пацієнт приймає комплекс лікарських засобів для розширення шкірних судин та покращення метаболічних процесів у шкірі.2. Спосіб комплексного лікування рожевих вугрів...

Номер патенту: 107086

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч, Герман Іванна Іванівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: дірковою, спосіб, отримання, шарів, провідністю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів CdTe з дірковою провідністю, що включає механічне та хімічне полірування підкладинок n-CdTe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у киплячій водній суспензії солі Ва(NО3)2 не менше 10 хв.

Номер патенту: 106725

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Коваленко Олександр Володимирович, Воровський Валерій Юрійович

МПК: H01L 21/00, C30B 33/12, C30B 29/26 ...

Мітки: нанокристалів, мають, феромагнітні, zno:mn, спосіб, властивості, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалів ZnO:Mn, які мають феромагнітні властивості, що включає підготовку розчинів вихідних компонентів, роздрібнення розчину на аерозоль, транспортування аерозолю до термічної зони, термічний розклад сольових компонентів, збір синтезованого продукту на фільтруючому пристрої, який відрізняється тим, що як розчини застосовують водні розчини нітрату цинку 0,1 ¸ 0,3 М та нітрату марганцю 0,01 ¸ 0,06 М,...

Номер патенту: 105848

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Колядіна Олена Юріївна, Венгер Євген Федорович, Нелюба Павло Леонідович, Конакова Раїса Василівна, Шинкаренко Володимир Вікторович, Матвєєва Людмила Олександрівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: фотоперетворюючим, спосіб, фотоелектричних, конверторів, фулеренвмісним, шаром, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоелектричних конверторів з фулеренвмісним фотоперетворюючим шаром, який включає в себе створення нижнього контактоутворюючого шару, фулеренвмісного фотоперетворюючого шару з наступним нанесенням верхнього контактоутворюючого шару, який відрізняється тим, що після нанесення верхнього контактоутворюючого шару додатково проводять мікрохвильовий відпал тривалістю від 0,1 с до 10 годин, емітансом 10-2¸104 Вт/см2 та...

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: діодах, часу, носіїв, напівпровідникових, життя, нерівноважних, спосіб, заряду, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Номер патенту: 103985

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Редько Світлана Миколаївна, Конакова Раїса Василівна, Швалагін Віталій Васильович, Редько Роман Анатолійович, Мілєнін Віктор Володимирович, Мілєнін Григорій Володимирович

МПК: G01R 13/00, H01L 21/00

Мітки: внутрішніх, зниження, механічних, структури, епітаксійній, напружень, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб зниження внутрішніх механічних напружень в епітаксійній структурі GaN/Аl2О3, що здійснюють зовнішньою обробкою, який відрізняється тим, що контрольовані структури піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 60-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 5-15 Гц і тривалістю дії на структури 7-9 хв.

Номер патенту: 103932

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Котляров Валерій Павлович, Кишко Олексій Анатолійович

МПК: B23K 26/00, H01S 3/00, H01L 21/00 ...

Мітки: випромінювання, аналізатором, установка, лазерна, лазерного, пучка

Формула / Реферат:

Лазерна установка з аналізатором пучка лазерного випромінювання, яка містить лазер та встановлений за лазером на шляху променя пристрій для аналізу розподілу інтенсивності лазерного випромінювання по перерізу променя з елементами для відбору проб лазерної потужності з окремих точок попереку, яка відрізняється тим, що пристрій для аналізу розподілу інтенсивності складається із втулки з закріпленими на ній по периметру зондами для відведення...

Номер патенту: 110584

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Ященко Лариса Миколаївна, Кобзар Юлія Леонідівна, Подолян Артем Олександрович, Калініченко Дмитро Володимирович, Тодосійчук Тамара Тимофіївна, Науменко Світлана Миколаївна, Коротченков Олег Олександрович, Стебленко Людмила Петрівна, Курилюк Алла Миколаївна, Воронцова Любов Олексіївна, Кріт Олексій Миколайович

МПК: H01L 31/049, H01L 21/00

Мітки: електрофізичних, покращення, елементів, спосіб, сонячних, характеристик

Формула / Реферат:

Спосіб покращення електрофізичних характеристик сонячних елементів, який полягає в нанесенні на поверхню кремнію сонячної якості полімерної епоксиуретанової плівки та витримці сформованої структури в стаціонарному магнітному полі при кімнатній температурі, який відрізняється тим, що до складу полімерної епоксиуретанової плівки включають кремнієвмісний наповнювач з концентрацією С=0,001-1 мас. % і час витримки в стаціонарному магнітному...

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/00

Мітки: напівпровідникового, кристала, спосіб, перегріву, визначення, діода, величини

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Номер патенту: 108773

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Коман Богдан Петрович, Монастирський Любомир Степанович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01J 37/30, H01L 21/00, H01L 21/26 ...

Мітки: мдн-транзистора, кремнієвого, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують пари n+ областей провідності з електродами стоку і витоку, підзатворний діелектрик на основі SiО2 і на ньому затворний електрод, проводять пасивацію транзистора, який відрізняється тим, що перед формуванням елементів МДН-транзистора кремнієву структуру Si-SiО2 попередньо опромінюють рентгенівськими променями зі сторони SiО2 з дозою...

Номер патенту: 96833

Опубліковано: 25.02.2015

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Горбанюк Тетяна Іванівна, Солнцев В'ячеслав Сергійович

МПК: B82Y 30/00, H01L 21/00, H01L 29/417 ...

Мітки: газовий, наноструктурованого, вольфраму, основі, оксиду, сенсор

Формула / Реферат:

Газовий сенсор на основі наноструктурованого оксиду вольфраму, що містить газочутливу плівку оксиду вольфраму, нанесену на підкладку, та електроди, який відрізняється тим, що використано нанорозмірну та наноструктуровану плівку оксиду вольфраму товщиною 20-100 нм і з середнім розміром зерен 30-150 нм, при цьому газовий сенсор працює при кімнатних температурах, а відгук сенсора на дію газу реєструють по вимірюванню поперечного...

Номер патенту: 95348

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Литвин Оксана Степанівна, Томашик Василь Миколайович, Маланич Галина Петрівна, Копил Олександр Іванович, Стратійчук Ірина Борисівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Литвин Петро Мар'янович

МПК: H01L 21/00

Мітки: формування, плюмбум, твердих, поверхні, телуриду, спосіб, полірованої, кристалів, pb1-xsnxte, розинів

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...

Номер патенту: 93531

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Семенюк Валерій Федорович

МПК: C23C 14/34, H01L 21/00

Мітки: резонаторами, плазмовими, пристрій, аксіальними

Формула / Реферат:

1. Плазмовий технологічний пристрій, що містить вакуумну камеру з системою напуску та контролю газів, в верхній частині якої вісесиметрично розташоване діелектричне вікно з антеною, яка з'єднана з ВЧ генератором через пристрій узгодження, в нижній частині камери розташований тримач з підкладкою, з можливістю підключення до джерела живлення, ззовні камера охоплена магнітною системою з двох соленоїдальних елементів, який відрізняється тим, що в...

Номер патенту: 91936

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Коростинська Тамара Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Саченко Анатолій Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/268

Мітки: спосіб, контакту, виготовлення, омічного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...

Номер патенту: 91107

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: C23C 14/34, H01L 21/00

Мітки: технологічний, пристрій, резонатором, перестрійним, плазмовий

Формула / Реферат:

1. Плазмовий технологічний пристрій з перестрійним резонатором, що містить вакуумну камеру з системою напуску та контролю газів, в верхній частині якої вісесиметрично розташоване діелектричне вікно з антеною, яка з'єднана з ВЧ генератором через пристрій узгодження, в нижній частині камери розташований тримач з підкладинкою, що може бути підключений до джерела живлення, ззовні камера охоплена магнітною системою з соленоїдальних елементів,...

Номер патенту: 90786

Опубліковано: 10.06.2014

Автор: Микитюк Павло Дмитрович

МПК: G01K 7/00, H01L 21/00, H01L 35/34 ...

Мітки: потоку, температури, величини, ґрунті, теплового, вимірювання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання температури і величини питомого теплового потоку в ґрунті, який включає в себе розміщення на заданій глибині ґрунту та на його поверхні датчиків температури, фіксацію показів датчиків за допомогою вимірювальних приладів, обробку та візуалізацію даних вимірювання за допомогою електронного блока, який відрізняється тим, що вимірювання температури та питомого теплового потоку на заданій глибині ґрунту здійснюється прямим...

Номер патенту: 104750

Опубліковано: 11.03.2014

Автор: Настасенко Валентин Олексійович

МПК: B82B 1/00, H01B 1/02, B82B 3/00 ...

Мітки: рівня, молекулярного, провідник, єднальний

Формула / Реферат:

1. Єднальний провідник молекулярного рівня, який відрізняється тим, що виконаний у формі продовжного пакета з трьох або з більшої кількості стрижнів або волокон з діелектричного матеріалу, які мають контакт між собою вздовж зовнішніх поверхонь і по колу в їх перерізі, й утворену всередині між ними щілину, в яку введені щільно одна за одною молекули будь-якого металу або іншого електропровідного матеріалу, для чого переріз щілини виконаний...

Номер патенту: 87745

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Павлов Гєоргій Яковлєвіч, Короташ Ігор Васильович, Семенюк Валерій Федорович, Сологуб Вадім Алєксандровіч, Одіноков Вадім Васільєвіч, Руденко Едуард Михайлович

МПК: H01L 21/00, H05H 1/100

Мітки: магнітною, системою, реактор, плазмовий

Формула / Реферат:

1. Плазмовий реактор, що містить в собі вакуумну камеру з засобами відкачування, системою подавання та дозування технологічних газів, радіально симетрично закріпленими зовні зверху електродами для збудження розрядів індукційним або ємнісним засобами і які електрично з'єднані з ВЧ генераторами, столик з підкладинкою, який розміщений вісесиметрично всередині камери і протилежно до зазначених вище електродів і також з'єднаний з окремим ВЧ...

Номер патенту: 87410

Опубліковано: 10.02.2014

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: виготовлення, спосіб, фотодіодa

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода GaAs/GaP, що включає створення гетерошару на напівпровідниковій підкладинці шляхом відпалу у вакуумованій ампулі в присутності шихти, який відрізняється тим, що відпал підкладинок n-GaP проводять в ізотермічних умовах у присутності шихти GaAs при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 85098

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Махній Віктор Петрович, Барасюк Ярослав Миколайович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: гетеропереходом, спосіб, фотоелемента, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотоелемента з гетеропереходом CdTe/CdS, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок n-CdS та їх відпал у парі Те при температурі 800-1000 К, який відрізняється тим, що відпал проводять у відкачаній до 10-4 Торр кварцовій ампулі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал проводиться у присутності шихти складу Те:СdТе:Li2СО3=3:1:0,1, при температурі 820±20 К.

Номер патенту: 85049

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Носенко Віктор Костянтинович, Неймаш Володимир Борисович, Кабалдін Олександр Миколайович, Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович, Порошин Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00, C23C 16/00 ...

Мітки: кремнію, аморфно-кристалічного, нанокомпозиту, основі, елементів, сонячних, спосіб, плівок, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок аморфно-кристалічного нанокомпозиту на основі кремнію для сонячних елементів, що включає осадження кремнію із газової фази на гнучкі не тугоплавкі підкладки, який відрізняється тим, що плівки кремнію легують високочистими домішками олова та вуглецю у певних вагових пропорціях при виготовленні порошкової суміші, яку переводять у газову фазу термічним випаровуванням у вакуумі.

Номер патенту: 81588

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Дімітрієв Олег Петрович, Пуд Олександр Аркадієвич, Огурцов Микола Олександрович, Смертенко Петро Семенович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/28, H01C 1/00 ...

Мітки: контакту, омічного, виготовлення, спосіб, притискного, м'якої, приладів, поверхні

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м'якої поверхні приладів, виконаного з водної суспензії електропровідного полімеру, який відрізняється тим, що водну суспензію полімеру наносять на підкладку поруватого діелектрика, просочують її, а потім випаровують залишкову вологу природним шляхом на повітрі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як електропровідний полімер використовують...

Номер патенту: 101707

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Шиян Олександр Васильович, Широков Борис Михайлович, Шеремет Володимир Іванович, Журавльов Олександр Юрійович

МПК: C23C 14/00, H01L 21/00

Мітки: осадження, структур, напівпровідникових, вакуумного, атомів, основі, кремнію, джерело

Формула / Реферат:

1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...

Номер патенту: 78466

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Криницький Олександр Степанович, Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: ефективного, n-pbte:sb, термоелектричного, матеріалу, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який...

Номер патенту: 77224

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Потяк Володимир Юрійович, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: H01L 21/00

Мітки: двошарових, отримання, структур, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для отримання двошарових структур, що містить мікропічки, підкладки, випарники із наважками, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що використовують систему поворотних мікропічок з підкладками на радіальних кронштейнах, рухому заслінку із асиметричним нецентральним отвором та два окремі випарники із наважками різних речовин.

Номер патенту: 77223

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Мельник Любомир Васильович, Варварук Василь Миколайович, Кіндрат Тарас Петрович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: схем, арсенідгалієвих, спосіб, нвч, великих, структур, інтегральних, субмікронних, гетероепітаксійних, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...