H01L 21/00 — Способи і пристрої, спеціально призначені для виготовлення або обробки напівпровідникових приладів або приладів на твердому тілі або їх частин

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: напівпровідникового, діода, перегріву, кристала, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Спосіб виготовлення світловипромінювального композита нанокремнію

Завантаження...

Номер патенту: 115733

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Скришевський Валерій Антонович, Манілов Антон Ігорович, Карлаш Ганна Юріївна

МПК: H01L 33/34, H01L 21/00

Мітки: спосіб, світловипромінювального, виготовлення, композита, нанокремнію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінювального композита нанокремнію, що включає виготовлення люмінесцентних наночастинок кремнію, синтез аерогелю кремнезему методом надкритичного висушування силікатного гелю та інкорпорацію наночастинок у аерогель, який відрізняється тим що силікатний гель виготовляють на основі тетраетилортосилікату; наночастинки кремнію створюють анодним або хімічним травленням кристалічного Si; виготовлення суміші...

Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю

Завантаження...

Номер патенту: 120347

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Шевченко Віктор Васильович, Деменський Олексій Миколайович, Самойлов Микола Олександрович, Фролов Олександр Миколайович, Філіпщук Олександр Миколайович, Глухова Валентина Іванівна

МПК: H01L 21/761, H01L 21/00

Мітки: змінною, виготовлення, спосіб, діодів, ємністю

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури шляхом анодного окислювання кремнію в киплячому розчині борної кислоти в режимах отримання пористого окислу кремнію, термічне окислювання, селективне видалення...

Спосіб отримання фотодетекторів на znmgse

Завантаження...

Номер патенту: 119736

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Сльотов Михайло Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: отримання, фотодетекторів, спосіб, znmgse

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотодетекторів включає відпал кристалів ZnMgSe не гірше 10-4 Торр., який відрізняється тим, що кристали твердого розчину ZnMgSe відпалюють у парі магнію при температурі 800-950 °C.

Спосіб виготовлення структур імпульсного діода

Завантаження...

Номер патенту: 118793

Опубліковано: 28.08.2017

Автор: Литвиненко Віктор Миколайович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/00, H01L 21/761 ...

Мітки: діода, спосіб, виготовлення, структур, імпульсного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур імпульсного діода, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, дифузію бору в дві стадії з твердого джерела В2О3 для одержання р-n-переходу, витримку пластини у розчині на основі золотохлористоводневої кислоти, дифузію золота, термообробку діодних структур, який відрізняється тим, що перед термічним окисленням...

Спосіб отримання прозорої плівки zno, легованої алюмінієм

Завантаження...

Номер патенту: 118645

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Дяденчук Альона Федорівна, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: легованої, спосіб, отримання, прозорої, плівки, алюмінієм

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки ZnO, легованої алюмінієм, який відрізняється тим, що дана плівка отримується за допомогою методу спрей-піролізу: для утворення плівок ZnO використовується розчин 0,15 М ацетату цинку Zn(CH3CO2)2 з сумішшю ізопропілового спирту та дистильованої води.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що отримання структури ZnO:Al здійснюється рівномірним нанесенням шарів на кремнієві підкладки при температурі...

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі

МПК: C30B 11/00, H01L 21/00

Мітки: наносекундними, групи, напівпровідників, ударними, лазера, легування, твердофазного, середовищі, спосіб, елементами, імпульсами, рідкому, шару, генерованими, деформаційними, хвилями, а2в6, поверхневого

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Спосіб отримання сонячних елементів на монокристалічному кремнії з використанням нанорозмірного поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Дяденчук Альона Федорівна, Хрипко Сергій Леонідович, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 21/00, C30B 29/06, H01L 31/00 ...

Мітки: кремнії, кремнію, спосіб, поруватого, використанням, монокристалічному, елементів, сонячних, отримання, нанорозмірного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Спосіб виготовлення структур варикапу зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі

Завантаження...

Номер патенту: 113351

Опубліковано: 25.01.2017

Автор: Литвиненко Віктор Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: виготовлення, спосіб, градієнтом, базі, структур, варикапу, зворотним, концентрації, домішки

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур варикапу зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, хімічне окислення пластин, іонне легування фосфором, термообробку пластин, розгонку фосфору для формування зворотного градієнта концентрації, фотолітографію по шару фосфоросилікатного скла, дифузію бору для...

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: визначення, перегріву, напівпровідникового, кристала, робочого, діода, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 109648

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович

МПК: C23C 14/50, C23C 14/54, H01L 21/00 ...

Мітки: контактів, кремнієвий, отримання, спосіб, підкладці

Формула / Реферат:

Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці, за яким на кремнієву підкладку напилюють у вакуумі спочатку алюмінієву плівку, а через 5-10 хвилин - шар міді товщиною 500-3000 Å, після чого формують контактний майданчик, до якого термокомпресійно приварюють один кінець золотого мікродроту, який відрізняється тим, що попередньо фіксують другий кінець золотого мікродроту, а місце приварювання покривають епоксидною смолою.

Поділ модульного пристрою для нанесення покриття

Завантаження...

Номер патенту: 112300

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Лекомт Бенуа, Йонемічі Томохіро, Віам Хью

МПК: C23C 16/54, C03C 17/00, C23C 14/56 ...

Мітки: нанесення, модульного, поділ, покриття, пристрою

Формула / Реферат:

1. Спосіб осадження багатошарової покриваючої стопи шарів на плоску скляну підкладку, що включає осадження методом катодного розпилення під вакуумом принаймні першого шару в першій зоні осадження, яка має перший тип атмосфери, і принаймні другого шару в другій зоні осадження, яка має другий тип атмосфери, що відділений від першого типу атмосфери розділовою зоною, де плоску скляну підкладку переміщують від першої зони осадження до другої зони...

Спосіб комплексного лікування вугрів звичайних (акне)

Завантаження...

Номер патенту: 108563

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Каденюк Тетяна Ярославівна, Анатичук Лук'ян Іванович, Кобилянський Роман Романович, Денисенко Ольга Іванівна

МПК: H01L 21/00, A61K 31/00, A61P 17/00 ...

Мітки: вугрів, лікування, спосіб, звичайних, комплексного, акне

Формула / Реферат:

1. Спосіб комплексного лікування вугрів звичайних (акне), що включає проведення терапевтичних маніпуляцій охолодженим робочим інструментом на поверхні шкіри людини, який відрізняється тим, що перед проведенням терапевтичних маніпуляцій охолодженим робочим інструментом пацієнт приймає комплекс лікарських засобів для розширення шкірних судин та покращення метаболічних процесів у шкірі.2. Спосіб комплексного лікування вугрів звичайних...

Спосіб виготовлення гетерошарів cdte гексагональної модифікації

Завантаження...

Номер патенту: 108145

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: спосіб, модифікації, гетерошарів, виготовлення, гексагональної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів CdTe гексагональної модифікації, що включає підготовку базової підкладинки та її відпал у парі ізовалентної домішки, який відрізняється тим, що підкладинкою слугує пластинка a-CdSe, відпал якої проводиться у парі Те при температурі 600-900 °C.

Спосіб комплексного лікування рожевих вугрів (розацеа)

Завантаження...

Номер патенту: 107922

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Денисенко Ольга Іванівна, Кобилянський Роман Романович, Каденюк Тетяна Ярославівна

МПК: A61P 17/00, A61F 7/00, A61K 31/00 ...

Мітки: спосіб, рожевих, розацеа, вугрів, комплексного, лікування

Формула / Реферат:

1. Спосіб комплексного лікування рожевих вугрів (розацеа), що включає проведення терапевтичних маніпуляцій охолодженим робочим інструментом на поверхні шкіри людини, який відрізняється тим, що перед проведенням терапевтичних маніпуляцій охолодженим робочим інструментом пацієнт приймає комплекс лікарських засобів для розширення шкірних судин та покращення метаболічних процесів у шкірі.2. Спосіб комплексного лікування рожевих вугрів...

Спосіб отримання шарів cdte з дірковою провідністю

Завантаження...

Номер патенту: 107086

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч, Герман Іванна Іванівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: провідністю, дірковою, отримання, спосіб, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів CdTe з дірковою провідністю, що включає механічне та хімічне полірування підкладинок n-CdTe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у киплячій водній суспензії солі Ва(NО3)2 не менше 10 хв.

Спосіб отримання нанокристалів zno:mn, що мають феромагнітні властивості

Завантаження...

Номер патенту: 106725

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Воровський Валерій Юрійович, Коваленко Олександр Володимирович

МПК: C30B 33/12, H01L 21/00, C30B 29/26 ...

Мітки: zno:mn, отримання, спосіб, нанокристалів, властивості, феромагнітні, мають

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалів ZnO:Mn, які мають феромагнітні властивості, що включає підготовку розчинів вихідних компонентів, роздрібнення розчину на аерозоль, транспортування аерозолю до термічної зони, термічний розклад сольових компонентів, збір синтезованого продукту на фільтруючому пристрої, який відрізняється тим, що як розчини застосовують водні розчини нітрату цинку 0,1 ¸ 0,3 М та нітрату марганцю 0,01 ¸ 0,06 М,...

Спосіб виготовлення фотоелектричних конверторів з фулеренвмісним фотоперетворюючим шаром

Завантаження...

Номер патенту: 105848

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Нелюба Павло Леонідович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Колядіна Олена Юріївна, Венгер Євген Федорович, Виноградов Анатолій Олегович, Матвєєва Людмила Олександрівна, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, виготовлення, фулеренвмісним, фотоперетворюючим, фотоелектричних, шаром, конверторів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоелектричних конверторів з фулеренвмісним фотоперетворюючим шаром, який включає в себе створення нижнього контактоутворюючого шару, фулеренвмісного фотоперетворюючого шару з наступним нанесенням верхнього контактоутворюючого шару, який відрізняється тим, що після нанесення верхнього контактоутворюючого шару додатково проводять мікрохвильовий відпал тривалістю від 0,1 с до 10 годин, емітансом 10-2¸104 Вт/см2 та...

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах

Завантаження...

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: діодах, нерівноважних, визначення, життя, напівпровідникових, заряду, носіїв, спосіб, часу

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Спосіб зниження внутрішніх механічних напружень в епітаксійній структурі gan/al2o3

Завантаження...

Номер патенту: 103985

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Швалагін Віталій Васильович, Конакова Раїса Василівна, Мілєнін Віктор Володимирович, Редько Світлана Миколаївна, Мілєнін Григорій Володимирович, Редько Роман Анатолійович

МПК: G01R 13/00, H01L 21/00

Мітки: зниження, напружень, спосіб, епітаксійній, механічних, структури, внутрішніх

Формула / Реферат:

Спосіб зниження внутрішніх механічних напружень в епітаксійній структурі GaN/Аl2О3, що здійснюють зовнішньою обробкою, який відрізняється тим, що контрольовані структури піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 60-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 5-15 Гц і тривалістю дії на структури 7-9 хв.

Лазерна установка з аналізатором пучка лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 103932

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Кишко Олексій Анатолійович, Котляров Валерій Павлович

МПК: B23K 26/00, H01S 3/00, H01L 21/00 ...

Мітки: випромінювання, установка, аналізатором, лазерного, пучка, лазерна

Формула / Реферат:

Лазерна установка з аналізатором пучка лазерного випромінювання, яка містить лазер та встановлений за лазером на шляху променя пристрій для аналізу розподілу інтенсивності лазерного випромінювання по перерізу променя з елементами для відбору проб лазерної потужності з окремих точок попереку, яка відрізняється тим, що пристрій для аналізу розподілу інтенсивності складається із втулки з закріпленими на ній по периметру зондами для відведення...

Спосіб покращення електрофізичних характеристик сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 110584

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Подолян Артем Олександрович, Тодосійчук Тамара Тимофіївна, Стебленко Людмила Петрівна, Кобзар Юлія Леонідівна, Ященко Лариса Миколаївна, Курилюк Алла Миколаївна, Коротченков Олег Олександрович, Воронцова Любов Олексіївна, Калініченко Дмитро Володимирович, Кріт Олексій Миколайович, Науменко Світлана Миколаївна

МПК: H01L 31/049, H01L 21/00

Мітки: спосіб, елементів, покращення, характеристик, сонячних, електрофізичних

Формула / Реферат:

Спосіб покращення електрофізичних характеристик сонячних елементів, який полягає в нанесенні на поверхню кремнію сонячної якості полімерної епоксиуретанової плівки та витримці сформованої структури в стаціонарному магнітному полі при кімнатній температурі, який відрізняється тим, що до складу полімерної епоксиуретанової плівки включають кремнієвмісний наповнювач з концентрацією С=0,001-1 мас. % і час витримки в стаціонарному магнітному...

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: кристала, діода, величини, визначення, напівпровідникового, спосіб, перегріву

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Спосіб отримання кремнієвого мдн-транзистора

Завантаження...

Номер патенту: 108773

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Коман Богдан Петрович, Монастирський Любомир Степанович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/00, H01J 37/30, H01L 21/26 ...

Мітки: отримання, кремнієвого, мдн-транзистора, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують пари n+ областей провідності з електродами стоку і витоку, підзатворний діелектрик на основі SiО2 і на ньому затворний електрод, проводять пасивацію транзистора, який відрізняється тим, що перед формуванням елементів МДН-транзистора кремнієву структуру Si-SiО2 попередньо опромінюють рентгенівськими променями зі сторони SiО2 з дозою...

Газовий сенсор на основі наноструктурованого оксиду вольфраму

Завантаження...

Номер патенту: 96833

Опубліковано: 25.02.2015

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Горбанюк Тетяна Іванівна, Солнцев В'ячеслав Сергійович

МПК: B82Y 30/00, H01L 21/00, H01L 29/417 ...

Мітки: вольфраму, сенсор, основі, газовий, наноструктурованого, оксиду

Формула / Реферат:

Газовий сенсор на основі наноструктурованого оксиду вольфраму, що містить газочутливу плівку оксиду вольфраму, нанесену на підкладку, та електроди, який відрізняється тим, що використано нанорозмірну та наноструктуровану плівку оксиду вольфраму товщиною 20-100 нм і з середнім розміром зерен 30-150 нм, при цьому газовий сенсор працює при кімнатних температурах, а відгук сенсора на дію газу реєструють по вимірюванню поперечного...

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розинів pb1-xsnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95348

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Маланич Галина Петрівна, Копил Олександр Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Литвин Петро Мар'янович, Томашик Василь Миколайович, Стратійчук Ірина Борисівна, Литвин Оксана Степанівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: полірованої, спосіб, твердих, телуриду, pb1-xsnxte, поверхні, формування, кристалів, плюмбум, розинів

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...

Пристрій з аксіальними плазмовими резонаторами

Завантаження...

Номер патенту: 93531

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/34

Мітки: плазмовими, аксіальними, пристрій, резонаторами

Формула / Реферат:

1. Плазмовий технологічний пристрій, що містить вакуумну камеру з системою напуску та контролю газів, в верхній частині якої вісесиметрично розташоване діелектричне вікно з антеною, яка з'єднана з ВЧ генератором через пристрій узгодження, в нижній частині камери розташований тримач з підкладкою, з можливістю підключення до джерела живлення, ззовні камера охоплена магнітною системою з двох соленоїдальних елементів, який відрізняється тим, що в...

Спосіб виготовлення омічного контакту до n-si

Завантаження...

Номер патенту: 91936

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Саченко Анатолій Васильович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Шеремет Володимир Миколайович, Коростинська Тамара Василівна, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Бєляєв Олександр Євгенович, Аніщик Віктар Міхайлавіч

МПК: H01L 21/268, H01L 21/00

Мітки: спосіб, виготовлення, контакту, омічного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...

Плазмовий технологічний пристрій з перестрійним резонатором

Завантаження...

Номер патенту: 91107

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Семенюк Валерій Федорович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/34

Мітки: плазмовий, пристрій, резонатором, перестрійним, технологічний

Формула / Реферат:

1. Плазмовий технологічний пристрій з перестрійним резонатором, що містить вакуумну камеру з системою напуску та контролю газів, в верхній частині якої вісесиметрично розташоване діелектричне вікно з антеною, яка з'єднана з ВЧ генератором через пристрій узгодження, в нижній частині камери розташований тримач з підкладинкою, що може бути підключений до джерела живлення, ззовні камера охоплена магнітною системою з соленоїдальних елементів,...

Спосіб вимірювання температури і величини теплового потоку в ґрунті

Завантаження...

Номер патенту: 90786

Опубліковано: 10.06.2014

Автор: Микитюк Павло Дмитрович

МПК: H01L 21/00, H01L 35/34, G01K 7/00 ...

Мітки: спосіб, потоку, температури, ґрунті, величини, вимірювання, теплового

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання температури і величини питомого теплового потоку в ґрунті, який включає в себе розміщення на заданій глибині ґрунту та на його поверхні датчиків температури, фіксацію показів датчиків за допомогою вимірювальних приладів, обробку та візуалізацію даних вимірювання за допомогою електронного блока, який відрізняється тим, що вимірювання температури та питомого теплового потоку на заданій глибині ґрунту здійснюється прямим...

Єднальний провідник молекулярного рівня

Завантаження...

Номер патенту: 104750

Опубліковано: 11.03.2014

Автор: Настасенко Валентин Олексійович

МПК: H01B 1/02, B82B 3/00, B82B 1/00 ...

Мітки: молекулярного, рівня, єднальний, провідник

Формула / Реферат:

1. Єднальний провідник молекулярного рівня, який відрізняється тим, що виконаний у формі продовжного пакета з трьох або з більшої кількості стрижнів або волокон з діелектричного матеріалу, які мають контакт між собою вздовж зовнішніх поверхонь і по колу в їх перерізі, й утворену всередині між ними щілину, в яку введені щільно одна за одною молекули будь-якого металу або іншого електропровідного матеріалу, для чого переріз щілини виконаний...

Плазмовий реактор з магнітною системою

Завантаження...

Номер патенту: 87745

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Сологуб Вадім Алєксандровіч, Руденко Едуард Михайлович, Павлов Гєоргій Яковлєвіч, Одіноков Вадім Васільєвіч, Короташ Ігор Васильович, Семенюк Валерій Федорович

МПК: H05H 1/100, H01L 21/00

Мітки: магнітною, реактор, системою, плазмовий

Формула / Реферат:

1. Плазмовий реактор, що містить в собі вакуумну камеру з засобами відкачування, системою подавання та дозування технологічних газів, радіально симетрично закріпленими зовні зверху електродами для збудження розрядів індукційним або ємнісним засобами і які електрично з'єднані з ВЧ генераторами, столик з підкладинкою, який розміщений вісесиметрично всередині камери і протилежно до зазначених вище електродів і також з'єднаний з окремим ВЧ...

Спосіб виготовлення фотодіода gaas/gap

Завантаження...

Номер патенту: 87410

Опубліковано: 10.02.2014

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: спосіб, виготовлення, фотодіодa

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода GaAs/GaP, що включає створення гетерошару на напівпровідниковій підкладинці шляхом відпалу у вакуумованій ампулі в присутності шихти, який відрізняється тим, що відпал підкладинок n-GaP проводять в ізотермічних умовах у присутності шихти GaAs при температурі 850±50 °C.

Спосіб виготовлення фотоелемента з гетеропереходом cdte/cds

Завантаження...

Номер патенту: 85098

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Махній Віктор Петрович, Барасюк Ярослав Миколайович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: спосіб, гетеропереходом, виготовлення, фотоелемента

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотоелемента з гетеропереходом CdTe/CdS, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок n-CdS та їх відпал у парі Те при температурі 800-1000 К, який відрізняється тим, що відпал проводять у відкачаній до 10-4 Торр кварцовій ампулі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал проводиться у присутності шихти складу Те:СdТе:Li2СО3=3:1:0,1, при температурі 820±20 К.

Спосіб отримання плівок аморфно-кристалічного нанокомпозиту на основі кремнію для сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 85049

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Носенко Віктор Костянтинович, Кабалдін Олександр Миколайович, Новіков Євген Іванович, Неймаш Володимир Борисович, Ларкін Сергій Юрійович, Порошин Володимир Миколайович

МПК: C23C 16/00, H01L 21/00, H01L 31/00 ...

Мітки: спосіб, нанокомпозиту, елементів, аморфно-кристалічного, сонячних, основі, кремнію, плівок, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок аморфно-кристалічного нанокомпозиту на основі кремнію для сонячних елементів, що включає осадження кремнію із газової фази на гнучкі не тугоплавкі підкладки, який відрізняється тим, що плівки кремнію легують високочистими домішками олова та вуглецю у певних вагових пропорціях при виготовленні порошкової суміші, яку переводять у газову фазу термічним випаровуванням у вакуумі.

Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м’якої поверхні приладів

Завантаження...

Номер патенту: 81588

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Огурцов Микола Олександрович, Пуд Олександр Аркадієвич, Смертенко Петро Семенович, Дімітрієв Олег Петрович

МПК: H01C 1/00, H01L 21/28, H01L 21/00 ...

Мітки: виготовлення, притискного, омічного, м'якої, контакту, приладів, поверхні, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м'якої поверхні приладів, виконаного з водної суспензії електропровідного полімеру, який відрізняється тим, що водну суспензію полімеру наносять на підкладку поруватого діелектрика, просочують її, а потім випаровують залишкову вологу природним шляхом на повітрі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як електропровідний полімер використовують...

Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 101707

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Журавльов Олександр Юрійович, Широков Борис Михайлович, Шиян Олександр Васильович, Шеремет Володимир Іванович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/00

Мітки: напівпровідникових, осадження, структур, кремнію, основі, атомів, вакуумного, джерело

Формула / Реферат:

1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...

Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-pbte:sb

Завантаження...

Номер патенту: 78466

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Криницький Олександр Степанович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: термоелектричного, матеріалу, ефективного, n-pbte:sb, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який...

Пристрій для отримання двошарових структур

Завантаження...

Номер патенту: 77224

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Потяк Володимир Юрійович, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: H01L 21/00

Мітки: пристрій, двошарових, структур, отримання

Формула / Реферат:

Пристрій для отримання двошарових структур, що містить мікропічки, підкладки, випарники із наважками, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що використовують систему поворотних мікропічок з підкладками на радіальних кронштейнах, рухому заслінку із асиметричним нецентральним отвором та два окремі випарники із наважками різних речовин.

Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних нвч – великих інтегральних схем

Завантаження...

Номер патенту: 77223

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Мельник Любомир Васильович, Кіндрат Тарас Петрович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: субмікронних, гетероепітаксійних, структур, інтегральних, великих, схем, нвч, формування, спосіб, арсенідгалієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...