Гнатюк Володимир Анастасійович

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович

МПК: C30B 11/00, H01L 31/00

Мітки: основі, багатократним, переходом, спосіб, виготовлення, характеристик, лазера, рентгенівського, середовищі, детекторів, підвищення, гамма-випромінювання, рідкому, імпульсами, опроміненням, cdznte

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі

МПК: H01L 21/00, C30B 11/00

Мітки: лазера, деформаційними, ударними, твердофазного, групи, легування, генерованими, поверхневого, а2в6, елементами, наносекундними, хвилями, рідкому, напівпровідників, середовищі, імпульсами, спосіб, шару

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Спосіб виготовлення детекторів x- і g-випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 41216

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: C30B 11/00, H01L 21/04

Мітки: спосіб, виготовлення, g-випромінювання, детекторів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання, що включає напилення на поліровану поверхню монокристалічної пластини високоомного CdTe р-типу плівки In, легування поверхневого шару пластини CdTe індієм шляхом опромінення плівки індію імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії 90-100 мДж/см2, напилення на протилежну поверхню пластини CdTe золотого електрода, який відрізняється...

Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею

Завантаження...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: H01L 21/04

Мітки: аiii, напівпровідникових, пружною, сполук, бар'єрних, легування, аiiвvi, елементами, структур, хвилею, створенні, групи, приповерхневого, спосіб, електричних

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...