Гнатюк Володимир Анастасійович

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович

МПК: C30B 11/00, H01L 31/00

Мітки: імпульсами, детекторів, лазера, опроміненням, гамма-випромінювання, спосіб, рідкому, cdznte, рентгенівського, середовищі, переходом, багатократним, характеристик, виготовлення, підвищення, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі

МПК: C30B 11/00, H01L 21/00

Мітки: імпульсами, хвилями, наносекундними, легування, генерованими, шару, рідкому, напівпровідників, групи, твердофазного, середовищі, а2в6, елементами, лазера, спосіб, деформаційними, ударними, поверхневого

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Спосіб виготовлення детекторів x- і g-випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 41216

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: H01L 21/04, C30B 11/00

Мітки: виготовлення, детекторів, спосіб, g-випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання, що включає напилення на поліровану поверхню монокристалічної пластини високоомного CdTe р-типу плівки In, легування поверхневого шару пластини CdTe індієм шляхом опромінення плівки індію імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії 90-100 мДж/см2, напилення на протилежну поверхню пластини CdTe золотого електрода, який відрізняється...

Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею

Завантаження...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: H01L 21/04

Мітки: приповерхневого, спосіб, легування, структур, пружною, сполук, створенні, хвилею, бар'єрних, групи, напівпровідникових, аiii, елементами, аiiвvi, електричних

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...