Гнатюк Володимир Анастасійович

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 31/00, C30B 11/00

Мітки: багатократним, характеристик, детекторів, лазера, імпульсами, переходом, рентгенівського, рідкому, cdznte, середовищі, виготовлення, основі, спосіб, підвищення, опроміненням, гамма-випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі

МПК: C30B 11/00, H01L 21/00

Мітки: спосіб, твердофазного, елементами, легування, імпульсами, групи, наносекундними, деформаційними, генерованими, середовищі, поверхневого, ударними, шару, лазера, хвилями, напівпровідників, а2в6, рідкому

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Спосіб виготовлення детекторів x- і g-випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 41216

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: H01L 21/04, C30B 11/00

Мітки: спосіб, детекторів, виготовлення, g-випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання, що включає напилення на поліровану поверхню монокристалічної пластини високоомного CdTe р-типу плівки In, легування поверхневого шару пластини CdTe індієм шляхом опромінення плівки індію імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії 90-100 мДж/см2, напилення на протилежну поверхню пластини CdTe золотого електрода, який відрізняється...

Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею

Завантаження...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: H01L 21/04

Мітки: приповерхневого, легування, аiii, хвилею, елементами, пружною, напівпровідникових, структур, групи, створенні, електричних, сполук, аiiвvi, спосіб, бар'єрних

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...