Герасименко Андрій Спартакович

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому

Завантаження...

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович, Капустник Олексій Костянтинович

МПК: C30B 11/00

Мітки: селеніду, основі, монокристалічний, хрому, матеріал, легованого, іонами, кадмію

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 78882

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Полубояров Олексій Олександрович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: G01N 13/00

Мітки: визначення, матеріалах, спосіб, фотоактивних, кристалічних, центрів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання прирощення ефективних значень діелектричної проникності  та коефіцієнта діелектричних втрат  в залежності від довжини хвилі монохроматичного світла  з...

Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte

Завантаження...

Номер патенту: 71652

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: основі, сполуки, отримання, детектора, спектрометричного, спосіб, cdznte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі сполуки CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, промивання, просушування, видалення порушеного приповерхневого шару шляхом опромінення поверхні зразків послідовністю лазерних імпульсів з довжиною хвилі випромінювання менше 790 нм, тривалістю імпульсів не більше 1,0 мкс, середньою щільністю потужності імпульсів 10...70 МВт/см2, дозою опромінення 0,25...3,0 Дж/см2, нанесення...

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: активних, кристалічний, елементів, частоти, матеріал, цинку, середнього, селеніду, діапазону, лазерів, основі, перестроюванням

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза

Завантаження...

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00, C30B 29/46 ...

Мітки: кристалічний, іонами, цинку, активних, матеріал, заліза, діапазону, перестроюванням, основі, легованого, селеніду, середнього, частоти, лазерів, елементів

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом

Завантаження...

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46, C30B 29/10 ...

Мітки: перестроюванням, активних, селеніду, кристалічний, матеріал, частоти, хромом, цинку, легованого, середнього, елементів, основі, лазерів, діапазону

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Морозов Дмитро Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: G01R 31/26

Мітки: питомого, вимірювання, розчинів, високоомних, спосіб, твердих, напівпровідників, електроопору

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte

Завантаження...

Номер патенту: 40036

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Сулима Сергій Віталійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: спосіб, отримання, сполуки, основі, детектора, спектрометричного, cdznte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, отримання захисного шару на поверхні, нанесення електричних контактів на протилежні поверхні кристала, який відрізняється тим, що спочатку наносять електричні контакти на вказані поверхні, після чого отримують захисний шар шляхом опромінювання УФ випромінюванням у...