Герасименко Андрій Спартакович

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому

Завантаження...

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович, Капустник Олексій Костянтинович

МПК: C30B 11/00

Мітки: матеріал, хрому, легованого, монокристалічний, селеніду, основі, кадмію, іонами

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 78882

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Олійник Сергій Володимирович, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Герасименко Андрій Спартакович, Полубояров Олексій Олександрович, Чугай Олег Миколайович, Абашин Сергій Леонідович, Новохатська Тетяна Миколаївна

МПК: G01N 13/00

Мітки: визначення, центрів, матеріалах, кристалічних, фотоактивних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання прирощення ефективних значень діелектричної проникності  та коефіцієнта діелектричних втрат  в залежності від довжини хвилі монохроматичного світла  з...

Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte

Завантаження...

Номер патенту: 71652

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: H01L 21/302

Мітки: основі, спектрометричного, отримання, детектора, сполуки, cdznte, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі сполуки CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, промивання, просушування, видалення порушеного приповерхневого шару шляхом опромінення поверхні зразків послідовністю лазерних імпульсів з довжиною хвилі випромінювання менше 790 нм, тривалістю імпульсів не більше 1,0 мкс, середньою щільністю потужності імпульсів 10...70 МВт/см2, дозою опромінення 0,25...3,0 Дж/см2, нанесення...

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Христьян Володимир Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 11/00

Мітки: матеріал, діапазону, частоти, кристалічний, елементів, лазерів, перестроюванням, активних, середнього, цинку, основі, селеніду

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза

Завантаження...

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46, C30B 29/10 ...

Мітки: активних, заліза, іонами, матеріал, середнього, кристалічний, основі, лазерів, легованого, селеніду, елементів, цинку, перестроюванням, частоти, діапазону

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом

Завантаження...

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10, C30B 29/46 ...

Мітки: діапазону, елементів, селеніду, цинку, перестроюванням, легованого, хромом, матеріал, кристалічний, лазерів, активних, основі, частоти, середнього

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чугай Олег Миколайович, Олійник Сергій Володимирович, Герасименко Андрій Спартакович, Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Морозов Дмитро Сергійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: G01R 31/26

Мітки: спосіб, розчинів, електроопору, напівпровідників, високоомних, вимірювання, питомого, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte

Завантаження...

Номер патенту: 40036

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Федоренко Ольга Олександрівна, Сулима Сергій Віталійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: основі, спосіб, спектрометричного, cdznte, детектора, отримання, сполуки

Формула / Реферат:

Спосіб отримання детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, отримання захисного шару на поверхні, нанесення електричних контактів на протилежні поверхні кристала, який відрізняється тим, що спочатку наносять електричні контакти на вказані поверхні, після чого отримують захисний шар шляхом опромінювання УФ випромінюванням у...