Герасименко Андрій Спартакович

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому

Завантаження...

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Коваленко Назар Олегович, Капустник Олексій Костянтинович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалічний, іонами, селеніду, основі, легованого, матеріал, хрому, кадмію

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 78882

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Сулима Сергій Віталійович, Абашин Сергій Леонідович, Олійник Сергій Володимирович, Полубояров Олексій Олександрович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: G01N 13/00

Мітки: визначення, кристалічних, центрів, матеріалах, спосіб, фотоактивних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання прирощення ефективних значень діелектричної проникності  та коефіцієнта діелектричних втрат  в залежності від довжини хвилі монохроматичного світла  з...

Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte

Завантаження...

Номер патенту: 71652

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: спосіб, cdznte, спектрометричного, детектора, основі, сполуки, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі сполуки CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, промивання, просушування, видалення порушеного приповерхневого шару шляхом опромінення поверхні зразків послідовністю лазерних імпульсів з довжиною хвилі випромінювання менше 790 нм, тривалістю імпульсів не більше 1,0 мкс, середньою щільністю потужності імпульсів 10...70 МВт/см2, дозою опромінення 0,25...3,0 Дж/см2, нанесення...

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 11/00

Мітки: матеріал, кристалічний, основі, лазерів, частоти, елементів, перестроюванням, діапазону, активних, цинку, середнього, селеніду

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза

Завантаження...

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: C30B 29/46, C30B 11/00, C30B 29/10 ...

Мітки: селеніду, заліза, кристалічний, діапазону, лазерів, перестроюванням, цинку, основі, елементів, іонами, частоти, матеріал, легованого, активних, середнього

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом

Завантаження...

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Федоренко Ольга Олександрівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/10, C30B 11/00 ...

Мітки: діапазону, частоти, основі, легованого, кристалічний, активних, цинку, середнього, лазерів, елементів, перестроюванням, селеніду, хромом, матеріал

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Морозов Дмитро Сергійович, Олійник Сергій Володимирович, Абашин Сергій Леонідович, Герасименко Андрій Спартакович, Комарь Віталій Корнійович, Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович

МПК: G01R 31/26

Мітки: розчинів, спосіб, напівпровідників, питомого, високоомних, твердих, вимірювання, електроопору

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte

Завантаження...

Номер патенту: 40036

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Христьян Володимир Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович, Сулима Сергій Віталійович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: H01L 21/302

Мітки: сполуки, спектрометричного, детектора, спосіб, основі, cdznte, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, отримання захисного шару на поверхні, нанесення електричних контактів на протилежні поверхні кристала, який відрізняється тим, що спочатку наносять електричні контакти на вказані поверхні, після чого отримують захисний шар шляхом опромінювання УФ випромінюванням у...