Герасименко Андрій Спартакович

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому

Завантаження...

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Коваленко Назар Олегович, Капустник Олексій Костянтинович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалічний, хрому, матеріал, легованого, селеніду, іонами, основі, кадмію

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 78882

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Полубояров Олексій Олександрович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Сулима Сергій Віталійович, Абашин Сергій Леонідович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01N 13/00

Мітки: кристалічних, фотоактивних, матеріалах, центрів, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання прирощення ефективних значень діелектричної проникності  та коефіцієнта діелектричних втрат  в залежності від довжини хвилі монохроматичного світла  з...

Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte

Завантаження...

Номер патенту: 71652

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: H01L 21/302

Мітки: cdznte, основі, спосіб, детектора, сполуки, отримання, спектрометричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі сполуки CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, промивання, просушування, видалення порушеного приповерхневого шару шляхом опромінення поверхні зразків послідовністю лазерних імпульсів з довжиною хвилі випромінювання менше 790 нм, тривалістю імпульсів не більше 1,0 мкс, середньою щільністю потужності імпульсів 10...70 МВт/см2, дозою опромінення 0,25...3,0 Дж/см2, нанесення...

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: частоти, лазерів, середнього, діапазону, елементів, цинку, перестроюванням, кристалічний, матеріал, активних, основі, селеніду

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза

Завантаження...

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46, C30B 29/10 ...

Мітки: цинку, частоти, елементів, середнього, матеріал, перестроюванням, селеніду, кристалічний, активних, лазерів, основі, легованого, заліза, діапазону, іонами

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом

Завантаження...

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: C30B 29/46, C30B 29/10, C30B 11/00 ...

Мітки: цинку, матеріал, хромом, діапазону, перестроюванням, легованого, середнього, основі, частоти, селеніду, елементів, активних, лазерів, кристалічний

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Морозов Дмитро Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколайович

МПК: G01R 31/26

Мітки: питомого, високоомних, напівпровідників, спосіб, твердих, електроопору, розчинів, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte

Завантаження...

Номер патенту: 40036

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Федоренко Ольга Олександрівна, Христьян Володимир Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: отримання, спектрометричного, детектора, cdznte, сполуки, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, отримання захисного шару на поверхні, нанесення електричних контактів на протилежні поверхні кристала, який відрізняється тим, що спочатку наносять електричні контакти на вказані поверхні, після чого отримують захисний шар шляхом опромінювання УФ випромінюванням у...