Галян Володимир Володимирович

Спосіб одержання монокристалу ga5,94ln3,96er0,1se15

Завантаження...

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, ga5,94ln3,96er0,1se15, монокристалу, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Спосіб одержання монокристалу ga5,46ln4,47er0,07s15

Завантаження...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: ga5,46ln4,47er0,07s15, спосіб, монокристалу, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Спосіб одержання монокристалів (ga55, in45)2s300

Завантаження...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, ga55, одержання, in45)2s300

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, халькогінідних, напівпровідникових, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...