Галкін Сергій Миколайович

Спосіб отримання шихти селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Рибалка Ірина Анатоліївна, Звєрєва Віра Сергіївна, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/46 ...

Мітки: цинку, селеніду, отримання, шихти, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Комбінований детектор іонізуючого випромінювання, зокрема гамма-нейтронного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 109524

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Сідлецький Олег Цезарович, Сідельнікова Лідія Юріївна, Онищенко Геннадій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Літічевський Владислав Олександрович, Рижиков Володимир Діомидович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Півень Леонід Олексійович

МПК: G01T 1/10, G01T 1/20, G01T 1/202 ...

Мітки: зокрема, комбінований, іонізуючого, випромінювання, детектор, гамма-нейтронного

Формула / Реферат:

1. Комбінований детектор іонізуючих випромінювань, зокрема гамма-нейтронного випромінювання, що містить сцинтиляційні елементи, що чергуються зі світловодами з полімерного матеріалу; сцинтиляційні елементи та світловоди встановлені боковими сторонами до фотоприймача, при цьому всі елементи оптично з'єднані між собою та фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційні елементи являють собою попарно з'єднані з відбивачем посередині...

Спосіб виготовлення сцинтиляційного елемента для реєстрації альфа-випромінення

Завантаження...

Номер патенту: 103711

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Тарасов Володимир Олексійович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Літічевський Владислав Олександрович

МПК: G01T 1/202

Мітки: виготовлення, альфа-випромінення, спосіб, елемента, реєстрації, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сцинтиляційного елемента для реєстрації альфа-часток, що включає змішування частинок сцинтиляційного матеріалу ZnSe встановленого розміру з імерсійним середовищем, який відрізняється тим, що попередньо подрібнюють і фракціонують частинки сцинтиляційного матеріалу в інертному неполярному розчиннику, отримані таким чином частинки порошку змішують з імерсійним середовищем з концентрацією порошку сцинтилятора в суміші 80-90...

Сцинтиляційна панель та спосіб її виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 101724

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Літічевський Владислав Олександрович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: G01T 1/202

Мітки: виготовлення, сцинтиляційна, спосіб, панель

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційна панель, що містить кристалічні частки сцинтиляційного матеріалу ZnSe в імерсійному середовищі, яка відрізняється тим, що імерсійним середовищем є клейка речовина для оптичного поєднання часток сцинтиляційного матеріалу з фотоприймачем, в якій вказані частки розташовані пошарово від більшого розміру часток, з боку фотоприймача, до меншого - з протилежної сторони від фотоприймача, при цьому концентрація зазначених часток...

Спосіб порізки пластин на елементи

Завантаження...

Номер патенту: 78015

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Галич Юрій Михайлович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Сосницька Ольга Олександрівна

МПК: B28D 1/04, B28D 1/24

Мітки: порізки, пластин, елементи, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб порізки пластин на елементи, що включає використання матеріалу-стабілізатора та подачу змащувально-охолоджувальної рідини в зону різання, який відрізняється тим, що як матеріал-стабілізатор використовують скло, пластини якого на клеючому складі поміщують між пластинами розрізуваного матеріалу та на крайні пластини, які утворюють пакет заготівки, а порізку здійснюють дисками з внутрішньою ріжучою кромкою.

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок

Завантаження...

Номер патенту: 101234

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Сосницька Ольга Олександрівна, Бреславський Ігор Анатолійович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/202, B29D 11/00

Мітки: спосіб, сцинтиляційних, виготовлення, багатоелементних, збірок

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду

Завантаження...

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Кравцова Анна Сергіївна, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Стратійчук Ірина Борисівна, Сосницька Ольга Олександрівна, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Калитчук Сергій Михайлович, Томашик Василь Миколайович

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: формування, полірованої, селеніду, поверхні, цинк, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Білецький Микола Іванович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06

Мітки: бар'єром, шотткі, уф-фотодіод

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Бреславський Ігор Анатолійович

МПК: G01T 1/202, C30B 29/46, C30B 29/10 ...

Мітки: селеніду, сцинтиляційний, цинку, одержання, спосіб, основі, напівпровідниковий, активованого, матеріал

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євген Федорович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0216, H01L 31/0264 ...

Мітки: чутливий, бар'єром, фотодіод, спектра, шотткі, діапазоні, ультрафіолетовому

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/46 ...

Мітки: кристалів, активованих, спосіб, селеніду, цинку, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Спосіб вирощування монокристалів сполук а2в6

Завантаження...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Мітки: монокристалів, вирощування, а2в6, сполук, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Пристрій для вирощування монокристалів групи аiiвvi

Завантаження...

Номер патенту: 87944

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Стрельніков Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, пристрій, групи, аiiвvi, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євген Федорович, Добровольський Юрій Георгійович, Шабашкевич Борис Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264, H01L 31/0216 ...

Мітки: фотодіод, діапазоні, спектра, чутливий, шотткі, бар'єром, ультрафіолетовому

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Полірувальна суміш

Завантаження...

Номер патенту: 80070

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Квітницька Валентина Захарівна, Ополонін Олександр Дмитрович, Воронкін Євгеній Федорович, Козин Дмитро Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C09G 1/00, G01T 1/202

Мітки: полірувальна, суміш

Формула / Реферат:

Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3 мас %.

Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі lіf та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 79947

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Воронкін Євген Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Черніков Вячеслав Васильович, Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Малко Юрій Борисович, Кольнер Володимир Борисович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: G01T 1/20, G01V 5/00, C04B 35/553 ...

Мітки: керамічний, детектор, сцинтиляційний, основі, матеріал

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі LiF, який відрізняється тим, що, він додатково містить силікати рідкісноземельних елементів та/або тикор при співвідношенні основи до інших компонентів  10:(1-4), при цьому частинки силікатів рідкісноземельних елементів та/або тикору розміром 0,1-0,3 мм рівномірно розподілені в дисперсному середовищі частинок LiF того ж розміру.2. Детектор нейтронного випромінювання, який містить елементи...

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Воронкін Євгеній Федорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 33/02

Мітки: легованого, основі, цинку, домішкою, спосіб, селеніду, кристала, термообробки, матеріалу, ізовалентною, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Сілін Віталій Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 35/00

Мітки: термообробки, кристалів, контейнер, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Тигель для вирощування кристалів аiibvi

Завантаження...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тигель, аiibvi, вирощування, кристалів

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 862

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євген Федорович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалізації, очищення, матеріалів, синтезу, установка

Формула / Реферат:

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів, яка містить основу зі стійкою, вузол кріплення контейнера, який з'єднаний зі стійкою та складається   з передньої та задньої підпор, що з'єднані напрямними, контейнер, закріплений між підпорами з можливістю обер­тання у вертикальній площині, власна вісь обертання якого спрямована уздовж напрямних, та який з'єднаний з електрорушієм обертання навколо згаданої осі і огорнутий...

Спосіб термообробки сировини для одержання кристалів селеніду цинку, що активований телуром

Завантаження...

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Лисецька Олена Костянтинівна, Носачов Борис Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: кристалів, одержання, телуром, цинку, спосіб, активованій, селеніду, сировини, термообробки

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Контейнер для термообробки летких напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Гурін Вячеслав Анатолійович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Март'янов Генадій Сергійович

МПК: C30B 35/00

Мітки: термообробки, кристалів, летких, контейнер, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Спосіб переробки відходів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 11008

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Долгих Тамара Миколаївна, Галкін Сергій Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Дідаш Інеса Микитівна, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C01G 29/00, C01G 17/00

Мітки: вісмуту, германату, переробки, спосіб, відходів

Формула / Реферат:

1. Способ переработки отходов германата висмута, включающий их кислотную обработку и последующее выделение соединений металлов, от­личающийся тем, что проводят обработку отходов германата висмута смесью соляной и фосфорной кислот в соотношении 2:1 при температуре 60-80°С и соотношении твердого к жидкому 1:4.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что исполь­зуют соляную и фосфорную кислоты с концентра­цией 20% и 50% соответственно.