Галкін Сергій Миколайович

Комбінований детектор іонізуючого випромінювання, зокрема гамма-нейтронного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 109524

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Півень Леонід Олексійович, Галкін Сергій Миколайович, Сідлецький Олег Цезарович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Літічевський Владислав Олександрович, Онищенко Геннадій Михайлович, Лалаянц Олександр Іванович, Сідельнікова Лідія Юріївна, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/10, G01T 1/202, G01T 1/20 ...

Мітки: зокрема, випромінювання, іонізуючого, детектор, гамма-нейтронного, комбінований

Формула / Реферат:

1. Комбінований детектор іонізуючих випромінювань, зокрема гамма-нейтронного випромінювання, що містить сцинтиляційні елементи, що чергуються зі світловодами з полімерного матеріалу; сцинтиляційні елементи та світловоди встановлені боковими сторонами до фотоприймача, при цьому всі елементи оптично з'єднані між собою та фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційні елементи являють собою попарно з'єднані з відбивачем посередині...

Спосіб виготовлення сцинтиляційного елемента для реєстрації альфа-випромінення

Завантаження...

Номер патенту: 103711

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Тарасов Володимир Олексійович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Літічевський Владислав Олександрович

МПК: G01T 1/202

Мітки: реєстрації, виготовлення, спосіб, сцинтиляційного, елемента, альфа-випромінення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сцинтиляційного елемента для реєстрації альфа-часток, що включає змішування частинок сцинтиляційного матеріалу ZnSe встановленого розміру з імерсійним середовищем, який відрізняється тим, що попередньо подрібнюють і фракціонують частинки сцинтиляційного матеріалу в інертному неполярному розчиннику, отримані таким чином частинки порошку змішують з імерсійним середовищем з концентрацією порошку сцинтилятора в суміші 80-90...

Сцинтиляційна панель та спосіб її виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 101724

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Літічевський Владислав Олександрович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: G01T 1/202

Мітки: виготовлення, спосіб, панель, сцинтиляційна

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційна панель, що містить кристалічні частки сцинтиляційного матеріалу ZnSe в імерсійному середовищі, яка відрізняється тим, що імерсійним середовищем є клейка речовина для оптичного поєднання часток сцинтиляційного матеріалу з фотоприймачем, в якій вказані частки розташовані пошарово від більшого розміру часток, з боку фотоприймача, до меншого - з протилежної сторони від фотоприймача, при цьому концентрація зазначених часток...

Спосіб порізки пластин на елементи

Завантаження...

Номер патенту: 78015

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Сосницька Ольга Олександрівна, Галич Юрій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: B28D 1/04, B28D 1/24

Мітки: порізки, пластин, елементи, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб порізки пластин на елементи, що включає використання матеріалу-стабілізатора та подачу змащувально-охолоджувальної рідини в зону різання, який відрізняється тим, що як матеріал-стабілізатор використовують скло, пластини якого на клеючому складі поміщують між пластинами розрізуваного матеріалу та на крайні пластини, які утворюють пакет заготівки, а порізку здійснюють дисками з внутрішньою ріжучою кромкою.

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок

Завантаження...

Номер патенту: 101234

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Бреславський Ігор Анатолійович, Сосницька Ольга Олександрівна, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: G01T 1/202, B29D 11/00

Мітки: багатоелементних, спосіб, сцинтиляційних, виготовлення, збірок

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду

Завантаження...

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Калитчук Сергій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Кравцова Анна Сергіївна, Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Сосницька Ольга Олександрівна, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Василь Миколайович, Стратійчук Ірина Борисівна

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: цинк, полірованої, поверхні, формування, селеніду, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Онищенко Геннадій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Білецький Микола Іванович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06

Мітки: шотткі, бар'єром, уф-фотодіод

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Бреславський Ігор Анатолійович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 29/10, G01T 1/202, C30B 29/46 ...

Мітки: одержання, активованого, сцинтиляційний, спосіб, матеріал, основі, цинку, напівпровідниковий, селеніду

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Шабашкевич Борис Григорович, Добровольський Юрій Георгійович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євген Федорович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06, H01L 31/0216 ...

Мітки: спектра, фотодіод, чутливий, бар'єром, діапазоні, ультрафіолетовому, шотткі

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/46 ...

Мітки: термообробки, цинку, кристалів, спосіб, селеніду, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Спосіб вирощування монокристалів сполук а2в6

Завантаження...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 29/48, C30B 13/00

Мітки: а2в6, сполук, вирощування, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Пристрій для вирощування монокристалів групи аiiвvi

Завантаження...

Номер патенту: 87944

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Стрельніков Сергій Миколайович, Суздаль Віктор Семенович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, групи, монокристалів, пристрій, аiiвvi

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Шабашкевич Борис Григорович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Воронкін Євген Федорович, Добровольський Юрій Георгійович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264, H01L 31/0216 ...

Мітки: бар'єром, шотткі, фотодіод, ультрафіолетовому, чутливий, спектра, діапазоні

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Полірувальна суміш

Завантаження...

Номер патенту: 80070

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Козин Дмитро Миколайович, Ополонін Олександр Дмитрович, Рижиков Володимир Діомидович, Квітницька Валентина Захарівна

МПК: C09G 1/00, G01T 1/202

Мітки: суміш, полірувальна

Формула / Реферат:

Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3 мас %.

Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі lіf та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 79947

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Черніков Вячеслав Васильович, Кольнер Володимир Борисович, Литвинов Леонід Аркадійович, Галкін Сергій Миколайович, Малко Юрій Борисович, Рижиков Володимир Діомидович, Кривоносов Євген Володимирович, Воронкін Євген Федорович

МПК: C04B 35/553, G01V 5/00, G01T 1/20 ...

Мітки: основі, керамічний, сцинтиляційний, матеріал, детектор

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі LiF, який відрізняється тим, що, він додатково містить силікати рідкісноземельних елементів та/або тикор при співвідношенні основи до інших компонентів  10:(1-4), при цьому частинки силікатів рідкісноземельних елементів та/або тикору розміром 0,1-0,3 мм рівномірно розподілені в дисперсному середовищі частинок LiF того ж розміру.2. Детектор нейтронного випромінювання, який містить елементи...

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 33/02

Мітки: ізовалентною, сцинтиляційного, цинку, термообробки, кристала, домішкою, спосіб, селеніду, основі, матеріалу, легованого

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Сілін Віталій Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалів, напівпровідникових, термообробки, контейнер

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Тигель для вирощування кристалів аiibvi

Завантаження...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Сілін Віталій Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, тигель, кристалів, аiibvi

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 862

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович

МПК: C30B 35/00

Мітки: установка, матеріалів, кристалізації, синтезу, очищення

Формула / Реферат:

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів, яка містить основу зі стійкою, вузол кріплення контейнера, який з'єднаний зі стійкою та складається   з передньої та задньої підпор, що з'єднані напрямними, контейнер, закріплений між підпорами з можливістю обер­тання у вертикальній площині, власна вісь обертання якого спрямована уздовж напрямних, та який з'єднаний з електрорушієм обертання навколо згаданої осі і огорнутий...

Спосіб термообробки сировини для одержання кристалів селеніду цинку, що активований телуром

Завантаження...

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Носачов Борис Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Лисецька Олена Костянтинівна, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/00

Мітки: спосіб, одержання, селеніду, сировини, кристалів, цинку, термообробки, телуром, активованій

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Контейнер для термообробки летких напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гурін Вячеслав Анатолійович, Март'янов Генадій Сергійович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 35/00

Мітки: контейнер, термообробки, летких, кристалів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Спосіб переробки відходів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 11008

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Долгих Тамара Миколаївна, Дідаш Інеса Микитівна, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C01G 17/00, C01G 29/00

Мітки: переробки, вісмуту, відходів, спосіб, германату

Формула / Реферат:

1. Способ переработки отходов германата висмута, включающий их кислотную обработку и последующее выделение соединений металлов, от­личающийся тем, что проводят обработку отходов германата висмута смесью соляной и фосфорной кислот в соотношении 2:1 при температуре 60-80°С и соотношении твердого к жидкому 1:4.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что исполь­зуют соляную и фосфорную кислоты с концентра­цией 20% и 50% соответственно.