Гальчинецький Леонід Павлович

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 29/46, C01G 9/00, C01B 19/00 ...

Мітки: цинку, селеніду, термообробки, кристалів, спосіб, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 29/00, C01B 19/00, C01G 9/00 ...

Мітки: термообробки, кристалів, активованих, цинку, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 35326

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Бендеберя Генадій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гордієнко Юрій Омелянович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович

МПК: G01J 1/42, G02B 5/02

Мітки: активного, вимірювання, біологічно, ультрафіолетового, випромінювання, персональний, пристрій

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить розсіювальний елемент і розміщений за ним приймач ультрафіолетового випромінювання, який складається із світлофільтра, виконаного з набору елементів, кожний з яких виділяє один із діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-хTex, де 0,002

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку

Завантаження...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48

Мітки: цинку, халькогенідів, одержання, напівпровідникового, спосіб, матеріалу, основі, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/02

Мітки: основі, сцинтиляційного, термообробки, цинку, матеріалу, ізовалентною, кристала, домішкою, легованого, селеніду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 5630

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01J 1/42, G02B 5/02

Мітки: ультрафіолетового, персональний, біологічно, активного, вимірювання, пристрій, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається зі світлофільтра, який виділяє кожний з діапазону біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-xTex, де , а також...

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 35/00

Мітки: контейнер, напівпровідникових, кристалів, термообробки

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Тигель для вирощування кристалів аiibvi

Завантаження...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тигель, аiibvi, кристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 55388

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Даншин Євген Олександрович, Верін Віталій Євгенович, Поповський Юрій Віталійович, Авдеєнко Анатолій Антонович, Махній Віктор Петрович

МПК: G01J 1/42, G01J 1/00

Мітки: пристрій, активного, біологічно, персональний, випромінювання, ультрафіолетового, вимірювання

Формула / Реферат:

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається із світлофільтра та фотодетектора, у якому використаний селенід металу, та вимірювально-індикаторний блок, який відрізняється тим, що світлофільтр виконаний у вигляді набору елементів, кожний з яких виділяє один з діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, а...

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n-типу на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: одержання, матеріалу, цинку, напівпровідникового, n-типу, селеніду, спосіб, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром

Завантаження...

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: спосіб, одержання, сцинтилятора, основі, активованого, телуром, цинку, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Детектор іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 46134

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Даншин Євгеній Олександрович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гаврилюк Володимир Петрович, Квітницька Валентина Захарівна, Гриньов Борис Вікторович, Волков Володимир Генадієвич

МПК: G01T 1/202

Мітки: детектор, іонізуючого, випромінювання

Формула / Реферат:

1.       Детектор іонізуючого випромінювання, виконаний у вигляді моношару кристалічних частинок, нанесеного на оптичний елемент, який відрізняється тим, що оптичний елемент по формі являє собою п'ятигранник із квадратною основою, двома більшими трапецієподібними гранями і двома меншими трикутними гранями із співвідношенням сторін:<  ...

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 44547

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Козин Дмитро Миколайович, Старжинський Микола Григорович, Свищ Володимир Митрофанович, Рижиков Володимир Діомидович, Байбіков Вадим Володимирович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: G01T 1/202

Мітки: рентгенівської, детектувальна, інтроскопії, система

Формула / Реферат:

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії, що містить послідовно розташовані низькоенергетичний та високоенергетичний сцинтиляційні детектори, а також фільтр, яка відрізняється тим, що сцинтилятор низькоенергетичного детектора та фільтр з'єднані у єдиний елемент, виконаний з кристала ZnSe(Te).

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 862

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Воронкін Євген Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 35/00

Мітки: синтезу, матеріалів, кристалізації, установка, очищення

Формула / Реферат:

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів, яка містить основу зі стійкою, вузол кріплення контейнера, який з'єднаний зі стійкою та складається   з передньої та задньої підпор, що з'єднані напрямними, контейнер, закріплений між підпорами з можливістю обер­тання у вертикальній площині, власна вісь обертання якого спрямована уздовж напрямних, та який з'єднаний з електрорушієм обертання навколо згаданої осі і огорнутий...

Спосіб термообробки сировини для одержання кристалів селеніду цинку, що активований телуром

Завантаження...

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Носачов Борис Григорович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: термообробки, активованій, цинку, телуром, кристалів, сировини, селеніду, спосіб, одержання

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Контейнер для термообробки летких напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Март'янов Генадій Сергійович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гурін Вячеслав Анатолійович, Сілін Віталій Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 35/00

Мітки: термообробки, кристалів, контейнер, летких, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Спосіб термообробки оптичних елементів із селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Файнер Михайло Шайович

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Мітки: спосіб, оптичних, цинку, елементів, термообробки, селеніду

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.