Галаговець Іван Васильович

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович

МПК: C01G 19/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: евтектичного, tl4snse4-tl9bise6, матеріал, основі, термоелектричний, композиту, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович

МПК: C01G 17/00, C01G 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: спосіб, тетратіостанату, одержання, талію(і, монокристалів, основі, термоелектричного, матеріалу, tl4sns4

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)

Завантаження...

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/14, H01L 35/34, H01L 35/16 ...

Мітки: tepmoeлektpичнoгo, moнokpиctaлib, талію, вигляді, cпociб, розчину, tpиtioctaнatу, матеріалу, твердого, основі, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/00

Мітки: основі, композиту, евтектичного, tl4snse4-tl9bise6, термоелектричний, матеріал, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 15/00, C01G 1/12, C01G 19/00 ...

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 91653

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Глух Олег Станіславович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/00

Мітки: добротності, талій, покращення, tl4sns4, монокристалів, спосіб, тетратіостанату, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 47226

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Глух Олег Станіславович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3

Завантаження...

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: талій, монокристалів, добротності, покращення, термоелектричної, спосіб, тритіостанату, tl2sns3

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Спосіб одержання монокристалів сполук талію(і)сульфотетрахлориду tl6scl4 і талію(і)сульфотетраброміду tl6sbr4

Завантаження...

Номер патенту: 70133

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Переш Євгеній Юлійович, Черешня Володимир Михайлович, Цигика Володимир Васильович, Габорець Наталія Йосипівна, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C30B 9/00, C30B 11/00, C01G 15/00 ...

Мітки: tl6sbr4, талію(і)сульфотетрахлориду, талію(і)сульфотетраброміду, спосіб, монокристалів, сполук, одержання, tl6scl4

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу сполуки талію(І)сульфотетрахлориду Tl6SCl4, який включає вирощування монокристалу із розчину за методом Бріджмена, який відрізняється тим, що беруть вихідну шихту наступного складу (мол.%):Tl2S -29,00TlCl-71,00,при цьому для процесу вирощування монокристалу Tl6SCl4 встановлюють задану швидкість переміщення фронту кристалізації 0,1 - 0,3 мм/годину, температурний градієнт у зоні...

Термоелектричний перетворювач теплової енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 80148

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: перетворювач, теплової, електричну, енергії, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний перетворювач теплової енергії в електричну, який містить циліндричний або прямокутний брусок із напівпровідникового матеріалу та електроди, що притиснуті до протилежних торців бруска, який відрізняється тим, що брусок виготовлено із метатіостаннату талію Tl2SnS3, який розміщений в електроізолюючому корпусі, а між притиснутими до протилежних торців бруска електродами встановлений градієнт температури 20-50 градусів, при цьому...