G01R 31/305 — з використанням електронних пучків
Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал-діелектрик-напівпровідник
Номер патенту: 94947
Опубліковано: 25.06.2011
Автори: Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович, Шустов Юрій Михайлович, Попов Володимир Михайлович
МПК: G01N 13/00, G01R 31/265, G01N 27/00 ...
Мітки: активних, локальних, дефектів, спосіб, метал-діелектрик-напівпровідник, напівпровідника, виявлення, електричної, структурах, поверхні
Формула / Реферат:
Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал - діелектрик - напівпровідник (МДН), за яким по структурі, до якої прикладена напруга інвертуючої полярності, сканують електронним або фотонним променем з енергією, достатньою для генерації носіїв заряду на поверхні напівпровідника, а реєстрацію електрично активних дефектів проводять по зміні струму, наведеного електронним або фотонним...