G01R 31/26 — випробування окремих напівпровідникових приладів

Спосіб діагностування стану цифрового інтелектуального датчика

Завантаження...

Номер патенту: 110811

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Левченко Віталій Вікторович, Биковський Юрій Михайлович

МПК: G05B 19/048, G01R 31/26, G01R 19/32 ...

Мітки: датчика, діагностування, стану, інтелектуального, спосіб, цифрового

Формула / Реферат:

Спосіб діагностування стану цифрового інтелектуального датчика при дії на нього зовнішнього тиску, який полягає в тому, що на цифровий датчик подають імпульс ініціалізації, отримують первинний відгук датчика у вигляді вольт-амперної характеристики, який відрізняється тим, що заданий імпульс ініціалізації формують за допомогою комп′ютера у вигляді провалу напруги, вимірюють тривалість первинного відгуку датчика на кожний заданий імпульс...

Спосіб вимірювання електричної ефективності світлодіода

Завантаження...

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Кирюша Олексій Іванович, Тесленко Галина Іванівна, Малютенко Володимир Костянтинович, Сологуб Владислав Вікторович

МПК: G01R 31/26, H01L 33/00

Мітки: вимірювання, спосіб, ефективності, світлодіода, електричної

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання електричної ефективності світлодіода , який включає прикладання до світлодіода електричної напруги  в прямому напрямку, вимірювання вольт-амперної характеристики, який відрізняється тим, що напругу прикладають в імпульсному режимі, тривалість і частоту імпульсу підбирають шляхом їх...

Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів

Завантаження...

Номер патенту: 101022

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Басанець Володимир Васильович, Конакова Раїса Василівна, Шинкаренко Володимир Вікторович, Болтовець Микола Силович

МПК: G01R 19/28, G01R 31/26, G01R 27/04 ...

Мітки: діодів, ненадійних, імпульсних, лавинно-пролітних, потенційно, спосіб, відбраковування

Формула / Реферат:

Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 100436

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Червак Оксана Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: двокаскадний, вимірювання, напівпровідникового, шестизондовий, пристрій, опору, виходом, мікроелектронний, частотним

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку - тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому в перший каскад введено чотири зонди, друге джерело живлення, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, причому третій та...

Пристрій для вимірів електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 100080

Опубліковано: 10.07.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01Q 10/00, G01N 27/406, G01N 13/00 ...

Мітки: електрофізичних, параметрів, вимірів, матеріалу, пристрій, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить вимірювальні зонди, вимірювальну головку, важіль, пружину, механізми підйому і опускання зондів, переміщення вимірюваного зразка, переміщення вимірювальної головки щодо зразка, блоків управління і вимірювання, який відрізняється тим, що зонди жорстко кріпляться на вимірювальної головці, виконаній у вигляді плоскої металевої пластини, яка...

Двокаскадний мікроелектронний чотирьохзондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 98569

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Червак Оксана Петрівна, Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: вимірювання, чотирьохзондовий, частотним, напівпровідникового, виходом, двокаскадний, пристрій, опору, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку-тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому перший каскад містить два зонди, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, третій та четвертий зонди з'єднані з першим та...

Сегментний концентратор випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 97781

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Зайцев Роман Валентинович, Сокол Євген Іванович, Хрипунов Геннадій Семенович, Нікітін Віктор Олексійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: випромінювання, сегментний, концентратор

Формула / Реферат:

Сегментний концентратор випромінювання, який включає основу концентратора та світловідбиваючі сегменти, який відрізняється тим, що основу концентратора виконано у вигляді кругового масиву профільованих ребер, котрі задають профіль вигину світловідбиваючих сегментів за параболо-циліндричною формою, та світловідбиваючі сегменти виконано у вигляді трапецієподібних сегментів параболічного циліндра з довгою фокусною відстанню та багатошаровим...

Телевізійний спосіб контролю дефектів у сонячних батареях

Завантаження...

Номер патенту: 96676

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Божко Костянтин Михайлович, Порєв Володимир Андрійович, Пахалюк Руслан Ігорович, Маслов Володимир Петрович, Качур Наталія Володимирівна

МПК: G01R 31/26, H02J 7/36

Мітки: сонячних, спосіб, дефектів, батареях, телевізійний, контролю

Формула / Реферат:

Телевізійний спосіб контролю дефектів у сонячних батареях, при якому на неосвітлену сонячну батарею подають зворотний темновий струм потужністю 0,4-2 кВт/м2, а дефекти визначають за світловим зображенням як локальні джерела випромінювання, який відрізняється тим, що фотоелементи сонячної батареї після подачі на неї зворотного темнового струму сканують паралельно площині фотоелементів телевізійною системою знімання зображення, яке транслюють...

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Юдачов Андрій Валерійович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: приладів, кристала, температури, напівпровідникових, силових, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Світлодіодно-галогеновий освітлювач

Завантаження...

Номер патенту: 94622

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Зайцев Роман Валентинович, Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович, Лук'янов Євген Олександрович, Кіріченко Михайло Валерійович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: освітлювач, світлодіодно-галогеновий

Формула / Реферат:

Світлодіодно-галогеновий освітлювач, що має у своєму складі випромінюючий елемент у формі сегмента сфери, на внутрішній поверхні якого розміщено світлодіоди різного кольору та галогенові лампи, блок роздільного автоматичного керування потужністю випромінення світлодіодів кожного кольору та стабілізоване джерело постійного струму, який відрізняється тим, що надяскраві світлодіоди кількістю до 100 одиниць згруповано у світловипромінюючі...

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 106862

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Курилюк Алла Миколаївна, Стебленко Людмила Петрівна, Калініченко Дмитро Володимирович, Подолян Артем Олександрович, Макара Володимир Арсенійович, Ященко Лариса Миколаївна, Тодосійчук Тамара Тимофіївна, Кобзар Юлія Леонідівна

МПК: G01R 31/26, H01L 27/30, H01L 21/66 ...

Мітки: підвищення, елементів, сонячних, спосіб, дії, коефіцієнта, корисної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії сонячних елементів, виготовлених на основі кристалів кремнію сонячної якості, що використовуються для потреб сонячної енергетики, який відрізняється тим, що спочатку на поверхню кремнію сонячної якості наносять полімерну епоксіуретанову плівку товщиною 15-25 мкм, а потім витримують сформовані структури в стаціонарному магнітному полі з індукцією В = 0,15-0,19 Тл протягом 180-220 діб або в...

Спосіб контролю дефектів в сонячних батареях

Завантаження...

Номер патенту: 92797

Опубліковано: 10.09.2014

Автор: Божко Костянтин Михайлович

МПК: H02J 7/36, G01R 31/26

Мітки: спосіб, дефектів, сонячних, контролю, батареях

Формула / Реферат:

Спосіб контролю дефектів в сонячних батареях, що включає вимірювання параметрів електричного струму, який відрізняється тим, що на неосвітлену сонячну батарею подають зворотний темновий струм напругою в 500-1000 В, потім струм вимикають, а дефекти визначають за тепловим зображенням як локальні джерела випромінювання при охолодженні.

Спосіб експресного контролю критичних дефектів у світлодіодних структурах на основі gаn

Завантаження...

Номер патенту: 89047

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Велещук Віталій Петрович, Власенко Зоя Костянтинівна, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович

МПК: G01R 31/26

Мітки: світлодіодних, спосіб, контролю, критичних, основі, дефектів, експресного, структурах

Формула / Реферат:

Спосіб експресного контролю критичних дефектів світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають максимально можливу неруйнуючу постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікроплазм, який відрізняється тим, що вимірюють кількість точок свічення мікроплазм NМП при даній напрузі, і по значенню NМП контролюють критичні дефекти у світлодіодних GaN структурах та оцінюють їх надійність.

Спосіб контролю дефектів у сонячних батареях

Завантаження...

Номер патенту: 88447

Опубліковано: 11.03.2014

Автори: Маслов Володимир Петрович, Мотрич Іван Сергійович, Порєв Володимир Андрійович, Качур Наталія Володимирівна, Божко Костянтин Михайлович

МПК: H02J 7/36, G01R 31/26

Мітки: дефектів, контролю, батареях, сонячних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб контролю дефектів у сонячних батареях при вимірюванні параметрів електричного струму, який відрізняється тим, що на неосвітлену сонячну батарею подається зворотний темновий струм потужністю 0,4-2,0 кВт/м2, а дефекти визначаються за тепловим або світловим зображенням як локальні джерела випромінювання.

Метод виявлення поверхневого пробою в p-n переході

Завантаження...

Номер патенту: 87430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Гільмутдінова Валерія Рафаелівна, Птащенко Федір Олександрович, Птащенко Олександр Олександрович, Довганюк Геннадій Віталійович

МПК: G01R 31/26

Мітки: виявлення, переході, поверхневого, метод, пробою

Формула / Реферат:

Метод виявлення поверхневого пробою в р-n переході, який полягає в тому, що проводяться вимірювання вольт-амперної характеристики зворотного струму р-n переходу і по даній характеристиці визначається напруга пробою, який відрізняється тим, що вказані вимірювання проводяться два рази: при першому вимірюванні досліджуваний р-n перехід поміщується в сухе повітря, а при другому вимірюванні він поміщується в контейнер з повітрям і вологими парами...

Спосіб діагностики та характеризації світлодіодних gan структур по електролюмінесценції мікроплазм

Завантаження...

Номер патенту: 85050

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Власенко Олександр Іванович, Босий Віталій Ісаєвич, Борщ Володимир Васильович, Велещук Віталій Петрович, Киселюк Максим Павлович, Ляшенко Олег Всеволодович, Власенко Зоя Костянтинівна

МПК: G01R 31/26

Мітки: світлодіодних, мікроплазм, діагностики, структур, характеризації, спосіб, електролюмінесценції

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики та характеризації світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікоплазм, який відрізняється тим, що величину зворотної напруги збільшують до максимально можливого неруйнівного значення і вимірюють спектр електролюмінесценції всіх мікоплазм, і за величиною інтенсивності електролюмінесценції та величиною відношення інтенсивностей максимумів синьої...

Спосіб підвищення ккд кремнієвого фотоелектричного перетворювача з вертикальними діодними комірками

Завантаження...

Номер патенту: 77670

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Хрипунов Геннадій Семенович, Кіріченко Михайло Валерійович, Поляков Володимир Іванович, Стребков Дмитро Семенович, Копач Володимир Романович, Зайцев Роман Валентинович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: комірками, спосіб, підвищення, кремнієвого, вертикальними, перетворювача, фотоелектричного, діодними, ккд

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД багатоперехідного кремнієвого фотоелектричного перетворювача з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками i сонячного модуля з таких приладів, котрий включає їх обробку у стаціонарному магнітному полі з індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що працюючий багатоперехідний кремнієвий фотоелектричний перетворювач з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками і сонячний модуль з таких...

Світловипромінююча комірка

Завантаження...

Номер патенту: 77613

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Копач Володимир Романович, Зайцев Роман Валентинович, Хрипунов Геннадій Семенович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: комірка, світловипромінююча

Формула / Реферат:

Світловипромінююча комірка, яка складається зі світлодіодів з безперервним спектром випромінювання в діапазоні довжин хвиль 0,38-1,10 мкм, розміщених по концентричній окружності на рівних відстанях один від одного у порядку чергування, яка відрізняється тим, що матричні світлодіоди розміщено на компактній системі охолодження, інтегровану систему керування спектральним складом їх випромінювання розміщено безпосередньо у світловипромінюючій...

Спосіб контролю критичних технологічних дефектів у світлодіодних структурах на основі gan

Завантаження...

Номер патенту: 76641

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Бойко Микола Іванович, Ляшенко Олег Всеволодович, Власенко Олександр Іванович, Велещук Віталій Петрович, Киселюк Максим Павлович

МПК: G01R 31/26

Мітки: контролю, структурах, основі, критичних, спосіб, дефектів, технологічних, світлодіодних

Формула / Реферат:

Спосіб контролю критичних технологічних дефектів у світлодіодних структурах на основі GaN, в якому до світлодіодної структури прикладають напругу, який відрізняється тим, що прикладають постійну зворотну напругу і її величину збільшують до моменту свічення першої мікроплазми та фіксують величину напруги, струму та її місцезнаходження і відповідно до цього визначають критичні етапи технології, що призводять до утворення структурних дефектів,...

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникого опору

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: чотиризондовий, мікроелектронний, пристрій, опору, напівпровідникого, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, причому другий та третій з'єднані з біполярним транзистором, перший та четвертий з'єднані з першим джерелом живлення, друге джерело живлення з'єднано з другою ємністю та третім резистором, перший і другий резистори з'єднанні з...

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 76300

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Шматко Олександр Олександрович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Полубояров Олексій Олександрович, Терзін Ігор Сергійович

МПК: G01R 31/26

Мітки: питомого, розчинів, електроопору, твердих, напівпровідників, спосіб, вимірювання, високоомних

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання в низькочастотній області тангенса кута діелектричних втрат  та електроємності  вимірювального конденсатора, який утворено за допомогою плоских електродів, діелектричних шарів та досліджуваного зразка;...

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 74631

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: напівпровідникового, мікроелектронний, вимірювання, пристрій, опору, шестизондовий

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення,...

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 68937

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: напівпровідникового, мікроелектронний, пристрій, вимірювання, опору, шестизондовий

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, друге та третє джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені третій та четвертий зонди, крім того...

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 66947

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: чотиризондовий, опору, мікроелектронний, вимірювання, пристрій, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені другий та третій зонди, крім того ємність...

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 96998

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Єрмоленко Євген Олександрович, Бондаренко Олександр Федорович

МПК: G01R 19/32, G01R 31/26

Мітки: характеристик, напівпровідникових, вимірювання, автоматизованого, спосіб, приладів, вольт-амперних

Формула / Реферат:

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів, який полягає в тому, що на досліджуваний напівпровідниковий прилад подають послідовність прямокутних електричних імпульсів зі змінною амплітудою, реєструють відповідні значення відгуків на послідовність електричних імпульсів, який відрізняється тим, що перед подачею послідовності прямокутних електричних імпульсів реєструють початковий тепловий стан...

Спосіб відновлювання плівкових сонячних елементів, що зазнали деградації

Завантаження...

Номер патенту: 61927

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Зайцев Роман Валентинович, Копач Володимир Романович, Лісачук Георгій Вікторович, Дейнеко Наталя Вікторівна, Хрипунов Геннадій Семенович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: спосіб, деградації, відновлювання, сонячних, плівкових, зазнали, елементів

Формула / Реферат:

Спосіб відновлювання плівкових СЕ, що зазнали деградацію, та виготовлені на основі сульфіду і телуриду кадмію, заснований на інтенсифікації процесів транспорту атомів міді, перебудові комплексів точкових дефектів, що містять мідь, фазовому перетворенні частки СuТе у Сu1,4Tе, зменшенні опору шару CdS та електродифузії у абсорбер аніонів сірки і міжвузловинних катіонів CuCd-, який відрізняється тим, що затемнений СЕ витримують протягом не...

Спосіб підвищення ккд монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача

Завантаження...

Номер патенту: 60406

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович, Лісачук Георгій Вікторович, Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: перетворювача, ккд, монокристалічного, спосіб, фотоелектричного, кремнієвого, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 53585

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Ластівка Галина Іванівна, Хандожко Олександр Григорович, Верига Андрій Дмитрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: реєстрації, матеріалах, геліконового, резонансу, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах, що включає сканування магнітного поля в області умов геліконового резонансу, збудження в досліджуваній пластинці геліконових хвиль та реєстрацію частоти генерованих коливань, який відрізняється тим, що пластину геліконового резонатора розміщують в коливальному контурі автодинного давача, який одночасно є індукуючим та збуджуючим пристроєм, вимірюють зміну частоти...

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Чуйко Олексій Сергійович, Терзін Ігор Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: нерівноважних, життя, струму, спосіб, часу, носіїв, напівпровідниках, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколайович, Герасименко Андрій Спартакович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Морозов Дмитро Сергійович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01R 31/26

Мітки: твердих, питомого, вимірювання, напівпровідників, високоомних, спосіб, розчинів, електроопору

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора

Завантаження...

Номер патенту: 89911

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Тимофєєв Володимир Іванович, Семеновська Олена Володимирівна

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: транзистора, кристала, субмікронного, теплового, спосіб, опору, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристалу під кутами α і β, вимірювання величини приросту площ перерізу фігури теплового еквівалента за висотою кристала, який відрізняється тим, що вимірюють висоту злому бокової поверхні теплового еквівалента та на цій висоті вимірюють...

Апаратура для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (лпд)

Завантаження...

Номер патенту: 47386

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна

МПК: G01R 31/26, G01R 27/04, G01R 19/28 ...

Мітки: імпульсних, діодів, діагностики, лавинопрольотних, надійності, лпд, надпотужних, апаратура, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...

Спосіб визначення основних параметрів, а саме концентрації і рухливості неосновних носіїв заряду в твердих тілах

Завантаження...

Номер патенту: 87695

Опубліковано: 10.08.2009

Автор: Угрин Юрій Орестович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: заряду, основних, рухливості, визначення, неосновних, тілах, твердих, концентрації, спосіб, носіїв, параметрів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення основних параметрів, а саме концентрації і рухливості неосновних носіїв заряду в твердих тілах, що включає внесення зразка твердого тіла в магнітне поле, що перпендикулярне прикладеній напрузі, вимірюванні питомого опору у відсутності магнітного поля, точки перегину поперечного магнетоопору і його величини в цій точці, який відрізняється тим, що вимірюють питомий опір насичення, тобто максимальний питомий опір, а...

Пристрій для контролю параметрів фотоелектричних перетворювачів

Завантаження...

Номер патенту: 86167

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Яновська Наталія Миколаївна, Кирилюк Артур Андрійович, Сліпченко Микола Іванович, Письменецький Віктор Олександрович, Фролов Андрій Віталійович

МПК: G01J 1/44, G01R 31/26

Мітки: пристрій, параметрів, контролю, перетворювачів, фотоелектричних

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю параметрів фотоелектричних перетворювачів, що містить блок підключення та підсилювач потужності - повторювач напруги, з'єднаний із входом блока підключення, що приєднаний до досліджуваного фотоелектричного перетворювача та до входу вимірювача струму на операційному підсилювачі, який відрізняється тим, що в нього додатково введені персональний комп'ютер із програмним забезпеченням, мікроконтролер, регулятор підсилення...

Світлодіодний освітлювач

Завантаження...

Номер патенту: 33676

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Копач Володимир Романович, Зайцев Роман Валентинович, Хрипунов Геннадій Семенович, Лісачук Георгій Вікторович, Кіріченко Михайло Валерійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: світлодіодний, освітлювач

Формула / Реферат:

Світлодіодний освітлювач, що має у своєму складі випромінюючий елемент у формі сегмента сфери, на внутрішній поверхні якого розміщені кольорові напівпровідникові світлодіоди, блок роздільного автоматичного керування потужністю випромінення світлодіодів кожного кольору та стабілізоване джерело постійного струму, який відрізняється тим, що світлодіоди у кількості 250-300 одиниць розміщені у випромінюючому елементі по спіралі Архімеда, котра...

Пристрій для контролю параметрів варикапів

Завантаження...

Номер патенту: 10410

Опубліковано: 15.11.2005

Автор: Голощапов Сергій Степанович

МПК: G01R 27/26, G01R 31/26

Мітки: параметрів, пристрій, контролю, варікапів

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю параметрів варикапів, що містить генератор високої частоти, схему з керованим коефіцієнтом передачі, ємність, перший вивід якої з'єднаний із першим виводом першого резистора і з першим виводом ємності подільника, другий вивід якого через другий резистор з'єднаний із джерелом зсуву і з першою клемою для підключення випробовуваного варикапа, друга клема якого спільно з другим виводом першого резистора з'єднана з загальною...

Спосіб вимірювання об’ємного часу життя та швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 57427

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Гордієнко Юрій Омелянович, Бородін Борис Григорович, Бабиченко Сергій Васильович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: вимірювання, життя, поверхневої, заряду, спосіб, часу, носіїв, напівпровідниках, об`ємного, рекомбінації, швидкості

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного напівпровідникового зразка в НВЧ резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його гармонійно модульованим монохроматичним світлом, виділенні на виході вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності, який відрізняється тим, що здійснюють вимірювання спектрального...

Пристрій для визначення експлуатаційних характеристик фотовольтаїчних перетворювачів

Завантаження...

Номер патенту: 55796

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Лубяний Віктор Захарович, Аппазов Едуард Сейярович, Марончук Олександр Ігорович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: G01R 31/26

Мітки: визначення, перетворювачів, фотовольтаїчних, характеристик, пристрій, експлуатаційних

Формула / Реферат:

Пристрій для вивчення експлуатаційних характеристик фотовольтаїчних перетворювачів, що містить охолоджувач, джерело гріючого струму, блок вимірювання температури, блок індикації, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді вакуумної камери з оптичним вікном, в якій розташований мідний підкладкоутримувач, що нагрівається, який зворотним боком з'єднаний з охолоджувачем, виконаним у вигляді труби.

Пристрій для виміру ємності

Завантаження...

Номер патенту: 49699

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Лубяний Віктор Захарович, Голощапов Сергій Степанович

МПК: G01R 31/26, G01R 27/26

Мітки: ємності, виміру, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для виміру ємності, що містить генератор високої частоти, вихід якого через конденсатор з’єднаний з першим виводом роздільного конденсатора і через послідовно з'єднані підсилювач і детектор - з аналоговим входом цифро-аналогового перетворювача, цифровий вхід якого з'єднаний із виходом першого лічильника імпульсів, а вихід - із першим входом першого блока порівняння, другий вхід якого сполучений з першою клемою опорної напруги, а...

Спосіб визначення критичної густини струму у надпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 47032

Опубліковано: 17.06.2002

Автори: Плющай Олександр Іванович, Кордюк Олександр Анатолійович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Пріхна Тетяна Олексійовна

МПК: G01R 33/035, G01R 31/26

Мітки: спосіб, надпровідниках, визначення, густини, струму, критичної

Формула / Реферат:

Спосіб визначення критичної густини струму у надпровідниках полягає у тому, що індукують змінним магнітним полем струм у надпровіднику за рахунок зміни взаємного розташування надпровідника та постійного магніту, магнітний момент якого зорієнтовано вздовж лінії переміщення, який відрізняється тим, що реєструють силу взаємодії магніту з надпровідними частинами, з кожною окремо, що будуть зварюватись, та визначають середнє з цих сил, вимірюють...