G01R 31/26 — випробування окремих напівпровідникових приладів

Номер патенту: 110811

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Биковський Юрій Михайлович, Левченко Віталій Вікторович

МПК: G01R 31/26, G05B 19/048, G01R 19/32 ...

Мітки: стану, діагностування, цифрового, спосіб, датчика, інтелектуального

Формула / Реферат:

Спосіб діагностування стану цифрового інтелектуального датчика при дії на нього зовнішнього тиску, який полягає в тому, що на цифровий датчик подають імпульс ініціалізації, отримують первинний відгук датчика у вигляді вольт-амперної характеристики, який відрізняється тим, що заданий імпульс ініціалізації формують за допомогою комп′ютера у вигляді провалу напруги, вимірюють тривалість первинного відгуку датчика на кожний заданий імпульс...

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Сологуб Владислав Вікторович, Малютенко Володимир Костянтинович, Кирюша Олексій Іванович, Тесленко Галина Іванівна

МПК: H01L 33/00, G01R 31/26

Мітки: електричної, світлодіода, ефективності, вимірювання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання електричної ефективності світлодіода , який включає прикладання до світлодіода електричної напруги  в прямому напрямку, вимірювання вольт-амперної характеристики, який відрізняється тим, що напругу прикладають в імпульсному режимі, тривалість і частоту імпульсу підбирають шляхом їх...

Номер патенту: 101022

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Виноградов Анатолій Олегович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Басанець Володимир Васильович, Конакова Раїса Василівна

МПК: G01R 19/28, G01R 31/26, G01R 27/04 ...

Мітки: потенційно, діодів, імпульсних, відбраковування, ненадійних, лавинно-пролітних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...

Номер патенту: 100436

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Червак Оксана Петрівна, Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: опору, частотним, напівпровідникового, мікроелектронний, двокаскадний, шестизондовий, пристрій, виходом, вимірювання

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку - тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому в перший каскад введено чотири зонди, друге джерело живлення, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, причому третій та...

Номер патенту: 100080

Опубліковано: 10.07.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01Q 10/00, G01N 13/00, G01N 27/406 ...

Мітки: параметрів, напівпровідникового, електрофізичних, матеріалу, вимірів, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить вимірювальні зонди, вимірювальну головку, важіль, пружину, механізми підйому і опускання зондів, переміщення вимірюваного зразка, переміщення вимірювальної головки щодо зразка, блоків управління і вимірювання, який відрізняється тим, що зонди жорстко кріпляться на вимірювальної головці, виконаній у вигляді плоскої металевої пластини, яка...

Номер патенту: 98569

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Червак Оксана Петрівна, Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: опору, мікроелектронний, двокаскадний, напівпровідникового, вимірювання, частотним, пристрій, виходом, чотирьохзондовий

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку-тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому перший каскад містить два зонди, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, третій та четвертий зонди з'єднані з першим та...

Номер патенту: 97781

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Сокол Євген Іванович, Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович, Нікітін Віктор Олексійович, Хрипунов Геннадій Семенович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: випромінювання, сегментний, концентратор

Формула / Реферат:

Сегментний концентратор випромінювання, який включає основу концентратора та світловідбиваючі сегменти, який відрізняється тим, що основу концентратора виконано у вигляді кругового масиву профільованих ребер, котрі задають профіль вигину світловідбиваючих сегментів за параболо-циліндричною формою, та світловідбиваючі сегменти виконано у вигляді трапецієподібних сегментів параболічного циліндра з довгою фокусною відстанню та багатошаровим...

Номер патенту: 96676

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Качур Наталія Володимирівна, Пахалюк Руслан Ігорович, Божко Костянтин Михайлович, Порєв Володимир Андрійович, Маслов Володимир Петрович

МПК: G01R 31/26, H02J 7/36

Мітки: телевізійний, спосіб, дефектів, сонячних, контролю, батареях

Формула / Реферат:

Телевізійний спосіб контролю дефектів у сонячних батареях, при якому на неосвітлену сонячну батарею подають зворотний темновий струм потужністю 0,4-2 кВт/м2, а дефекти визначають за світловим зображенням як локальні джерела випромінювання, який відрізняється тим, що фотоелементи сонячної батареї після подачі на неї зворотного темнового струму сканують паралельно площині фотоелементів телевізійною системою знімання зображення, яке транслюють...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Швець Євген Якович, Юдачов Андрій Валерійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: напівпровідникових, контролю, температури, приладів, кристала, силових, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Номер патенту: 94622

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович, Лук'янов Євген Олександрович, Хрипунов Геннадій Семенович, Копач Володимир Романович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: світлодіодно-галогеновий, освітлювач

Формула / Реферат:

Світлодіодно-галогеновий освітлювач, що має у своєму складі випромінюючий елемент у формі сегмента сфери, на внутрішній поверхні якого розміщено світлодіоди різного кольору та галогенові лампи, блок роздільного автоматичного керування потужністю випромінення світлодіодів кожного кольору та стабілізоване джерело постійного струму, який відрізняється тим, що надяскраві світлодіоди кількістю до 100 одиниць згруповано у світловипромінюючі...

Номер патенту: 106862

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Курилюк Алла Миколаївна, Тодосійчук Тамара Тимофіївна, Подолян Артем Олександрович, Ященко Лариса Миколаївна, Стебленко Людмила Петрівна, Макара Володимир Арсенійович, Калініченко Дмитро Володимирович, Кобзар Юлія Леонідівна

МПК: H01L 27/30, H01L 21/66, G01R 31/26 ...

Мітки: спосіб, сонячних, корисної, дії, коефіцієнта, елементів, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії сонячних елементів, виготовлених на основі кристалів кремнію сонячної якості, що використовуються для потреб сонячної енергетики, який відрізняється тим, що спочатку на поверхню кремнію сонячної якості наносять полімерну епоксіуретанову плівку товщиною 15-25 мкм, а потім витримують сформовані структури в стаціонарному магнітному полі з індукцією В = 0,15-0,19 Тл протягом 180-220 діб або в...

Номер патенту: 92797

Опубліковано: 10.09.2014

Автор: Божко Костянтин Михайлович

МПК: G01R 31/26, H02J 7/36

Мітки: сонячних, дефектів, спосіб, батареях, контролю

Формула / Реферат:

Спосіб контролю дефектів в сонячних батареях, що включає вимірювання параметрів електричного струму, який відрізняється тим, що на неосвітлену сонячну батарею подають зворотний темновий струм напругою в 500-1000 В, потім струм вимикають, а дефекти визначають за тепловим зображенням як локальні джерела випромінювання при охолодженні.

Номер патенту: 89047

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Власенко Зоя Костянтинівна, Велещук Віталій Петрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: дефектів, експресного, контролю, основі, структурах, критичних, спосіб, світлодіодних

Формула / Реферат:

Спосіб експресного контролю критичних дефектів світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають максимально можливу неруйнуючу постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікроплазм, який відрізняється тим, що вимірюють кількість точок свічення мікроплазм NМП при даній напрузі, і по значенню NМП контролюють критичні дефекти у світлодіодних GaN структурах та оцінюють їх надійність.

Номер патенту: 88447

Опубліковано: 11.03.2014

Автори: Божко Костянтин Михайлович, Порєв Володимир Андрійович, Мотрич Іван Сергійович, Качур Наталія Володимирівна, Маслов Володимир Петрович

МПК: H02J 7/36, G01R 31/26

Мітки: батареях, контролю, сонячних, спосіб, дефектів

Формула / Реферат:

Спосіб контролю дефектів у сонячних батареях при вимірюванні параметрів електричного струму, який відрізняється тим, що на неосвітлену сонячну батарею подається зворотний темновий струм потужністю 0,4-2,0 кВт/м2, а дефекти визначаються за тепловим або світловим зображенням як локальні джерела випромінювання.

Номер патенту: 87430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Довганюк Геннадій Віталійович, Птащенко Олександр Олександрович, Птащенко Федір Олександрович, Гільмутдінова Валерія Рафаелівна

МПК: G01R 31/26

Мітки: виявлення, переході, пробою, поверхневого, метод

Формула / Реферат:

Метод виявлення поверхневого пробою в р-n переході, який полягає в тому, що проводяться вимірювання вольт-амперної характеристики зворотного струму р-n переходу і по даній характеристиці визначається напруга пробою, який відрізняється тим, що вказані вимірювання проводяться два рази: при першому вимірюванні досліджуваний р-n перехід поміщується в сухе повітря, а при другому вимірюванні він поміщується в контейнер з повітрям і вологими парами...

Номер патенту: 85050

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Власенко Зоя Костянтинівна, Велещук Віталій Петрович, Борщ Володимир Васильович, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Босий Віталій Ісаєвич, Ляшенко Олег Всеволодович

МПК: G01R 31/26

Мітки: світлодіодних, спосіб, діагностики, характеризації, структур, мікроплазм, електролюмінесценції

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики та характеризації світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікоплазм, який відрізняється тим, що величину зворотної напруги збільшують до максимально можливого неруйнівного значення і вимірюють спектр електролюмінесценції всіх мікоплазм, і за величиною інтенсивності електролюмінесценції та величиною відношення інтенсивностей максимумів синьої...

Номер патенту: 77670

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Поляков Володимир Іванович, Копач Володимир Романович, Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович, Стребков Дмитро Семенович, Хрипунов Геннадій Семенович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: спосіб, діодними, ккд, комірками, підвищення, перетворювача, вертикальними, фотоелектричного, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД багатоперехідного кремнієвого фотоелектричного перетворювача з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками i сонячного модуля з таких приладів, котрий включає їх обробку у стаціонарному магнітному полі з індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що працюючий багатоперехідний кремнієвий фотоелектричний перетворювач з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками і сонячний модуль з таких...

Номер патенту: 77613

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Копач Володимир Романович, Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович, Хрипунов Геннадій Семенович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: світловипромінююча, комірка

Формула / Реферат:

Світловипромінююча комірка, яка складається зі світлодіодів з безперервним спектром випромінювання в діапазоні довжин хвиль 0,38-1,10 мкм, розміщених по концентричній окружності на рівних відстанях один від одного у порядку чергування, яка відрізняється тим, що матричні світлодіоди розміщено на компактній системі охолодження, інтегровану систему керування спектральним складом їх випромінювання розміщено безпосередньо у світловипромінюючій...

Номер патенту: 76641

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Ляшенко Олег Всеволодович, Велещук Віталій Петрович, Бойко Микола Іванович

МПК: G01R 31/26

Мітки: основі, спосіб, структурах, контролю, світлодіодних, дефектів, критичних, технологічних

Формула / Реферат:

Спосіб контролю критичних технологічних дефектів у світлодіодних структурах на основі GaN, в якому до світлодіодної структури прикладають напругу, який відрізняється тим, що прикладають постійну зворотну напругу і її величину збільшують до моменту свічення першої мікроплазми та фіксують величину напруги, струму та її місцезнаходження і відповідно до цього визначають критичні етапи технології, що призводять до утворення структурних дефектів,...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: опору, чотиризондовий, напівпровідникого, вимірювання, мікроелектронний, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, причому другий та третій з'єднані з біполярним транзистором, перший та четвертий з'єднані з першим джерелом живлення, друге джерело живлення з'єднано з другою ємністю та третім резистором, перший і другий резистори з'єднанні з...

Номер патенту: 76300

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Шматко Олександр Олександрович, Олійник Сергій Володимирович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Полубояров Олексій Олександрович, Терзін Ігор Сергійович

МПК: G01R 31/26

Мітки: спосіб, розчинів, напівпровідників, високоомних, питомого, вимірювання, електроопору, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання в низькочастотній області тангенса кута діелектричних втрат  та електроємності  вимірювального конденсатора, який утворено за допомогою плоских електродів, діелектричних шарів та досліджуваного зразка;...

Номер патенту: 74631

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: опору, шестизондовий, пристрій, вимірювання, напівпровідникового, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення,...

Номер патенту: 68937

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: вимірювання, шестизондовий, пристрій, напівпровідникового, мікроелектронний, опору

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, друге та третє джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені третій та четвертий зонди, крім того...

Номер патенту: 66947

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: чотиризондовий, опору, пристрій, напівпровідникового, вимірювання, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені другий та третій зонди, крім того ємність...

Номер патенту: 96998

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Бондаренко Олександр Федорович, Єрмоленко Євген Олександрович

МПК: G01R 19/32, G01R 31/26

Мітки: напівпровідникових, автоматизованого, спосіб, вимірювання, вольт-амперних, характеристик, приладів

Формула / Реферат:

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів, який полягає в тому, що на досліджуваний напівпровідниковий прилад подають послідовність прямокутних електричних імпульсів зі змінною амплітудою, реєструють відповідні значення відгуків на послідовність електричних імпульсів, який відрізняється тим, що перед подачею послідовності прямокутних електричних імпульсів реєструють початковий тепловий стан...

Номер патенту: 61927

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Зайцев Роман Валентинович, Копач Володимир Романович, Лісачук Георгій Вікторович, Хрипунов Геннадій Семенович, Дейнеко Наталя Вікторівна, Кіріченко Михайло Валерійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: спосіб, сонячних, елементів, деградації, зазнали, плівкових, відновлювання

Формула / Реферат:

Спосіб відновлювання плівкових СЕ, що зазнали деградацію, та виготовлені на основі сульфіду і телуриду кадмію, заснований на інтенсифікації процесів транспорту атомів міді, перебудові комплексів точкових дефектів, що містять мідь, фазовому перетворенні частки СuТе у Сu1,4Tе, зменшенні опору шару CdS та електродифузії у абсорбер аніонів сірки і міжвузловинних катіонів CuCd-, який відрізняється тим, що затемнений СЕ витримують протягом не...

Номер патенту: 60406

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович, Копач Володимир Романович, Лісачук Георгій Вікторович, Кіріченко Михайло Валерійович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: монокристалічного, фотоелектричного, кремнієвого, підвищення, спосіб, перетворювача, ккд

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.

Номер патенту: 53585

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Хандожко Олександр Григорович, Ластівка Галина Іванівна, Верига Андрій Дмитрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: реєстрації, спосіб, напівпровідникових, резонансу, геліконового, матеріалах

Формула / Реферат:

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах, що включає сканування магнітного поля в області умов геліконового резонансу, збудження в досліджуваній пластинці геліконових хвиль та реєстрацію частоти генерованих коливань, який відрізняється тим, що пластину геліконового резонатора розміщують в коливальному контурі автодинного давача, який одночасно є індукуючим та збуджуючим пристроєм, вимірюють зміну частоти...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Терзін Ігор Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Комарь Віталій Корнійович, Чуйко Олексій Сергійович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: носіїв, життя, нерівноважних, спосіб, вимірювання, напівпровідниках, часу, струму

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколайович, Олійник Сергій Володимирович, Морозов Дмитро Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01R 31/26

Мітки: розчинів, спосіб, високоомних, питомого, електроопору, твердих, вимірювання, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Номер патенту: 89911

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Тимофєєв Володимир Іванович, Семеновська Олена Володимирівна

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: опору, спосіб, теплового, субмікронного, транзистора, кристала, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристалу під кутами α і β, вимірювання величини приросту площ перерізу фігури теплового еквівалента за висотою кристала, який відрізняється тим, що вимірюють висоту злому бокової поверхні теплового еквівалента та на цій висоті вимірюють...

Номер патенту: 47386

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шинкаренко Володимир Вікторович

МПК: G01R 27/04, G01R 19/28, G01R 31/26 ...

Мітки: діагностики, діодів, імпульсних, надійності, напівпровідникових, надпотужних, лпд, лавинопрольотних, апаратура

Формула / Реферат:

Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...

Номер патенту: 87695

Опубліковано: 10.08.2009

Автор: Угрин Юрій Орестович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: основних, спосіб, концентрації, неосновних, заряду, параметрів, носіїв, тілах, твердих, рухливості, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення основних параметрів, а саме концентрації і рухливості неосновних носіїв заряду в твердих тілах, що включає внесення зразка твердого тіла в магнітне поле, що перпендикулярне прикладеній напрузі, вимірюванні питомого опору у відсутності магнітного поля, точки перегину поперечного магнетоопору і його величини в цій точці, який відрізняється тим, що вимірюють питомий опір насичення, тобто максимальний питомий опір, а...

Номер патенту: 86167

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Сліпченко Микола Іванович, Фролов Андрій Віталійович, Письменецький Віктор Олександрович, Кирилюк Артур Андрійович, Яновська Наталія Миколаївна

МПК: G01J 1/44, G01R 31/26

Мітки: фотоелектричних, перетворювачів, пристрій, параметрів, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю параметрів фотоелектричних перетворювачів, що містить блок підключення та підсилювач потужності - повторювач напруги, з'єднаний із входом блока підключення, що приєднаний до досліджуваного фотоелектричного перетворювача та до входу вимірювача струму на операційному підсилювачі, який відрізняється тим, що в нього додатково введені персональний комп'ютер із програмним забезпеченням, мікроконтролер, регулятор підсилення...

Номер патенту: 33676

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Лісачук Георгій Вікторович, Копач Володимир Романович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: світлодіодний, освітлювач

Формула / Реферат:

Світлодіодний освітлювач, що має у своєму складі випромінюючий елемент у формі сегмента сфери, на внутрішній поверхні якого розміщені кольорові напівпровідникові світлодіоди, блок роздільного автоматичного керування потужністю випромінення світлодіодів кожного кольору та стабілізоване джерело постійного струму, який відрізняється тим, що світлодіоди у кількості 250-300 одиниць розміщені у випромінюючому елементі по спіралі Архімеда, котра...

Номер патенту: 10410

Опубліковано: 15.11.2005

Автор: Голощапов Сергій Степанович

МПК: G01R 27/26, G01R 31/26

Мітки: пристрій, контролю, варікапів, параметрів

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю параметрів варикапів, що містить генератор високої частоти, схему з керованим коефіцієнтом передачі, ємність, перший вивід якої з'єднаний із першим виводом першого резистора і з першим виводом ємності подільника, другий вивід якого через другий резистор з'єднаний із джерелом зсуву і з першою клемою для підключення випробовуваного варикапа, друга клема якого спільно з другим виводом першого резистора з'єднана з загальною...

Номер патенту: 57427

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Бабиченко Сергій Васильович, Гордієнко Юрій Омелянович, Бородін Борис Григорович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: швидкості, часу, вимірювання, заряду, носіїв, життя, напівпровідниках, спосіб, рекомбінації, об`ємного, поверхневої

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного напівпровідникового зразка в НВЧ резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його гармонійно модульованим монохроматичним світлом, виділенні на виході вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності, який відрізняється тим, що здійснюють вимірювання спектрального...

Номер патенту: 55796

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Аппазов Едуард Сейярович, Лубяний Віктор Захарович, Марончук Олександр Ігорович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: G01R 31/26

Мітки: перетворювачів, характеристик, визначення, фотовольтаїчних, експлуатаційних, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вивчення експлуатаційних характеристик фотовольтаїчних перетворювачів, що містить охолоджувач, джерело гріючого струму, блок вимірювання температури, блок індикації, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді вакуумної камери з оптичним вікном, в якій розташований мідний підкладкоутримувач, що нагрівається, який зворотним боком з'єднаний з охолоджувачем, виконаним у вигляді труби.

Номер патенту: 49699

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Лубяний Віктор Захарович, Голощапов Сергій Степанович

МПК: G01R 31/26, G01R 27/26

Мітки: пристрій, виміру, ємності

Формула / Реферат:

Пристрій для виміру ємності, що містить генератор високої частоти, вихід якого через конденсатор з’єднаний з першим виводом роздільного конденсатора і через послідовно з'єднані підсилювач і детектор - з аналоговим входом цифро-аналогового перетворювача, цифровий вхід якого з'єднаний із виходом першого лічильника імпульсів, а вихід - із першим входом першого блока порівняння, другий вхід якого сполучений з першою клемою опорної напруги, а...

Номер патенту: 47032

Опубліковано: 17.06.2002

Автори: Плющай Олександр Іванович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Кордюк Олександр Анатолійович, Пріхна Тетяна Олексійовна

МПК: G01R 33/035, G01R 31/26

Мітки: критичної, надпровідниках, густини, визначення, спосіб, струму

Формула / Реферат:

Спосіб визначення критичної густини струму у надпровідниках полягає у тому, що індукують змінним магнітним полем струм у надпровіднику за рахунок зміни взаємного розташування надпровідника та постійного магніту, магнітний момент якого зорієнтовано вздовж лінії переміщення, який відрізняється тим, що реєструють силу взаємодії магніту з надпровідними частинами, з кожною окремо, що будуть зварюватись, та визначають середнє з цих сил, вимірюють...