Фролов Олександр Миколайович

Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю

Завантаження...

Номер патенту: 102197

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Фролов Олександр Миколайович, Шевченко Віктор Васильович, Боскін Олег Осипович, Філіпщук Олександр Миколайович

МПК: H01L 29/93, H01L 21/31, H01L 21/329 ...

Мітки: високовольтних, ємністю, спосіб, виготовлення, діодів, змінною

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури за допомогою травлення кремнію, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за...

Спосіб виготовлення діодів шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Фролов Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Самойлов Микола Олександрович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/31, H01L 21/329 ...

Мітки: шотткі, спосіб, кільцем, виготовлення, охоронним, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 60700

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Сєліверстова Світлана Ростиславівна, Сєліверстов Ігор Анатолійович

МПК: H01L 21/329, H01L 21/31, H01L 21/04 ...

Мітки: кільцем, діодів, кремнієвих, спосіб, шотткі, охоронним, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...

Спосіб нанесення антиадгезійного покриття на хлібопекарські форми

Завантаження...

Номер патенту: 93173

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Кривенко Олег Павлович, Китаєв Євген Анатолійович, Кашуба Роман Олександрович, Бондаренко Дмитро Олександрович

МПК: A21B 3/00, A21D 8/00, C08K 7/00 ...

Мітки: антиадгезійного, спосіб, форми, нанесення, хлібопекарські, покриття

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення антиадгезійного покриття на хлібопекарські форми, що включає механічну обробку металевих хлібопекарських форм, обдування форм сухим повітрям, нанесення на форми полімерного антиадгезійного покриття, термічну обробку форм з нанесеним полімерним антиадгезійним покриттям, який відрізняється тим, що механічну обробку форм ведуть методом піскоструминної обробки за допомогою абразивоструминної установки з діаметром внутрішнього...

Спосіб виготовлення високочастотних біполярних n-p-n транзисторів

Завантаження...

Номер патенту: 33442

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Курак Владислав Володимирович, Марончук Ігор Євгенович, Фролов Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/34

Мітки: спосіб, виготовлення, n-p-n, біполярних, високочастотних, транзисторів

Текст:

...отримання не різкого, а плавного або лінійного переходу колектор-база і невисока концентрація бора в базі та на еміторному переході, а також збільшена товщина бази транзистора. Використання плавного р-n переходу колектор-база дозволяє збільшити пробивну напругу UKEO та UKEO за лавинним механізмом пробою. Зменшена концентрація NES ДОЗВОЛЯЄ ПІДВИЩИТИ пробивну напругу UEBO, а збільшена товщина бази транзистора зменшує кількість "проколів"...