Фролов Олександр Миколайович

Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю

Завантаження...

Номер патенту: 102197

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Боскін Олег Осипович, Фролов Олександр Миколайович, Шевченко Віктор Васильович, Деменський Олексій Миколайович, Філіпщук Олександр Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/31, H01L 29/93, H01L 21/329 ...

Мітки: високовольтних, спосіб, виготовлення, змінною, ємністю, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури за допомогою травлення кремнію, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за...

Спосіб виготовлення діодів шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Самойлов Микола Олександрович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/329, H01L 21/04 ...

Мітки: виготовлення, кільцем, шотткі, спосіб, охоронним, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 60700

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Сєліверстов Ігор Анатолійович, Сєліверстова Світлана Ростиславівна, Фролов Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/329, H01L 21/31 ...

Мітки: виготовлення, спосіб, кільцем, кремнієвих, охоронним, діодів, шотткі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...

Спосіб нанесення антиадгезійного покриття на хлібопекарські форми

Завантаження...

Номер патенту: 93173

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Кривенко Олег Павлович, Китаєв Євген Анатолійович, Бондаренко Дмитро Олександрович, Кашуба Роман Олександрович

МПК: C08K 7/00, A21B 3/00, A21D 8/00 ...

Мітки: антиадгезійного, покриття, форми, нанесення, спосіб, хлібопекарські

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення антиадгезійного покриття на хлібопекарські форми, що включає механічну обробку металевих хлібопекарських форм, обдування форм сухим повітрям, нанесення на форми полімерного антиадгезійного покриття, термічну обробку форм з нанесеним полімерним антиадгезійним покриттям, який відрізняється тим, що механічну обробку форм ведуть методом піскоструминної обробки за допомогою абразивоструминної установки з діаметром внутрішнього...

Спосіб виготовлення високочастотних біполярних n-p-n транзисторів

Завантаження...

Номер патенту: 33442

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Курак Владислав Володимирович, Фролов Олександр Миколайович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: H01L 21/34

Мітки: біполярних, спосіб, виготовлення, n-p-n, транзисторів, високочастотних

Текст:

...отримання не різкого, а плавного або лінійного переходу колектор-база і невисока концентрація бора в базі та на еміторному переході, а також збільшена товщина бази транзистора. Використання плавного р-n переходу колектор-база дозволяє збільшити пробивну напругу UKEO та UKEO за лавинним механізмом пробою. Зменшена концентрація NES ДОЗВОЛЯЄ ПІДВИЩИТИ пробивну напругу UEBO, а збільшена товщина бази транзистора зменшує кількість "проколів"...