Фролов Олександр Миколайович

Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю

Завантаження...

Номер патенту: 120347

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Шевченко Віктор Васильович, Самойлов Микола Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Філіпщук Олександр Миколайович, Глухова Валентина Іванівна, Фролов Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/761

Мітки: спосіб, змінною, ємністю, діодів, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури шляхом анодного окислювання кремнію в киплячому розчині борної кислоти в режимах отримання пористого окислу кремнію, термічне окислювання, селективне видалення...

Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю

Завантаження...

Номер патенту: 102197

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Шевченко Віктор Васильович, Шутов Станіслав Вікторович, Фролов Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Боскін Олег Осипович, Філіпщук Олександр Миколайович

МПК: H01L 29/93, H01L 21/329, H01L 21/31 ...

Мітки: змінною, діодів, високовольтних, ємністю, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури за допомогою травлення кремнію, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за...

Спосіб виготовлення діодів шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Самойлов Микола Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Фролов Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/31, H01L 21/329 ...

Мітки: спосіб, кільцем, охоронним, діодів, шотткі, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 60700

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Сєліверстов Ігор Анатолійович, Сєліверстова Світлана Ростиславівна

МПК: H01L 21/329, H01L 21/04, H01L 21/31 ...

Мітки: кремнієвих, кільцем, виготовлення, шотткі, спосіб, охоронним, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...

Спосіб нанесення антиадгезійного покриття на хлібопекарські форми

Завантаження...

Номер патенту: 93173

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Кашуба Роман Олександрович, Бондаренко Дмитро Олександрович, Кривенко Олег Павлович, Фролов Олександр Миколайович, Китаєв Євген Анатолійович

МПК: A21D 8/00, A21B 3/00, C08K 7/00 ...

Мітки: форми, спосіб, антиадгезійного, хлібопекарські, нанесення, покриття

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення антиадгезійного покриття на хлібопекарські форми, що включає механічну обробку металевих хлібопекарських форм, обдування форм сухим повітрям, нанесення на форми полімерного антиадгезійного покриття, термічну обробку форм з нанесеним полімерним антиадгезійним покриттям, який відрізняється тим, що механічну обробку форм ведуть методом піскоструминної обробки за допомогою абразивоструминної установки з діаметром внутрішнього...

Спосіб виготовлення високочастотних біполярних n-p-n транзисторів

Завантаження...

Номер патенту: 33442

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Фролов Олександр Миколайович, Курак Владислав Володимирович

МПК: H01L 21/34

Мітки: біполярних, транзисторів, високочастотних, виготовлення, n-p-n, спосіб

Текст:

...отримання не різкого, а плавного або лінійного переходу колектор-база і невисока концентрація бора в базі та на еміторному переході, а також збільшена товщина бази транзистора. Використання плавного р-n переходу колектор-база дозволяє збільшити пробивну напругу UKEO та UKEO за лавинним механізмом пробою. Зменшена концентрація NES ДОЗВОЛЯЄ ПІДВИЩИТИ пробивну напругу UEBO, а збільшена товщина бази транзистора зменшує кількість "проколів"...