Фочук Петро Михайлович

Склад для хіміко-механічного полірування поверхні кристалів аiiibiicvii (tl4hgi6, tl4pbi6, tl4cdi6)

Завантаження...

Номер патенту: 117363

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Дремлюженко Сергій Григорович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C09G 1/02, H01L 21/302

Мітки: tl4pbi6, tl4cdi6, поверхні, кристалів, полірування, склад, аiiibiicvii, хіміко-механічного, tl4hgi6

Формула / Реферат:

Склад для хіміко-механічного полірування кристалів AIIIBIICVII (Tl4HgI6, Tl4PbI6, Tl4CdI6), що містить аеросил (марок А-175, A-300), луг, окисник, гліцерин, воду, який відрізняється тим, що заявлений склад додатково містить моноетаноламін, а як окисник застосовують гексаціаноферат (III) калію (K3[Fe(CN)6]), при наступному співвідношенні компонентів: аеросил (марок А-175, А-300) 0,17 моль/л, ...

Спосіб отримання монокристалів tlhgcl3

Завантаження...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, tlhgcl3, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbі5

Завантаження...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tl3pbі5, отримання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Спосіб отримання монокристалів тl3рbвr5

Завантаження...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тl3рbвr5, отримання, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Спосіб отримання монокристалів тlpbi3

Завантаження...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, тlpbi3, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Спосіб отримання монокристалів tlhgbr3

Завантаження...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, tlhgbr3, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Спосіб отримання монокристалів tl10hg3cl16

Завантаження...

Номер патенту: 115226

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, tl10hg3cl16, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що шихту складають із сполук,...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbbr2,5i2,5

Завантаження...

Номер патенту: 115210

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, tl3pbbr2,5i2,5, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl3PbBr2,5I2,5, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зоннимплавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та...

Спосіб отримання монокристалів tl4hgbr6 з розчину-розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 115209

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: розчину-розплаву, отримання, спосіб, монокристалів, tl4hgbr6

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням...

Спосіб отримання монокристалів рbвr1,2і0,8

Завантаження...

Номер патенту: 115208

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: рbвr1,2і0,8, монокристалів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів РbВr1,2І0,8, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу...

Спосіб отримання монокристалів tlpb2bri4

Завантаження...

Номер патенту: 115207

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, tlpb2bri4

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів ТlРb2ВrІ4, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з...

Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte

Завантаження...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Вахняк Надія Дмитрівна, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Захарук Зінаїда Іванівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Колісник Михайло Георгійович, Раренко Іларій Михайлович, Фочук Петро Михайлович, Мисевич Ігор Захарович, Демчина Любомир Андрійович, Дремлюженко Сергій Григорович

МПК: C30B 13/02, C30B 13/10, C30B 1/00 ...

Мітки: твердих, cdxmn1-xte, cdxzn1-xte, спосіб, розчинів, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Спосіб хімічної обробки поверхні кадмію телуриду та твердих розчинів на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 110400

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Копач Олег Вадимович, Маланич Галина Петрівна, Томашик Василь Миколайович, Іваніцька Валентина Григорівна, Фочук Петро Михайлович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/465

Мітки: спосіб, твердих, кадмію, телуриду, основі, розчинів, обробки, поверхні, хімічної

Формула / Реферат:

Спосіб хімічної обробки поверхні кадмій телуриду та твердих розчинів на його основі, що включає механічне полірування поверхні кристалів, та їх хімічне полірування рідкофазним травником, який відрізняється тим, що кристали хімічно полірують у дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 2-3 хвилин хіміко-механічне полірування травником, виготовленим на основі 4 % -го за масою розчину йоду у метанолі (базовий розчин Б1) та етиленгліколю...

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 108977

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: випромінювання, спосіб, виготовлення, іонізуючого, детектора

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання з випрямляючим контактом, який створює в напівізолюючих напівпровідниках CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe збіднену область, яка при відсутності зворотної напруги рівна "W(0)", товщину якої можна розрахувати по відомих методиках, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виготовляють товщиною "d", яка рівна або менша

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 108960

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Фочук Петро Михайлович, Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: отримання, арсеніду, спосіб, поруватих, галію, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію, що включає механічне полірування підкладинки та її хімічне травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розплаві KОН:NaNO3 (y масовому співвідношенні 1:25, відповідно) при температурі 500-700 °C протягом 20-40 хвилин.

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Завантаження...

Номер патенту: 99181

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Фочук Петро Михайлович, Захарук Зінаїда Іванівна, Копач Олег Вадимович, Раренко Іларій Михайлович, Колісник Михайло Григорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: фазі, системі, основі, періодичної, іі-v, телуридів, усунення, злитків, спосіб, другої, включень, підгрупи

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи, що включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано...

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на напівізолюючих матеріалах cdte та cd1-xznxte (cd1-xmnxte)

Завантаження...

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: іонізуючого, матеріалах, спосіб, cd1-xznxte, виготовлення, детектора, випромінювання, cd1-xmnxte, напівізолюючих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі cdte та його твердих розчинів

Завантаження...

Номер патенту: 87411

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/12, C30B 11/04 ...

Мітки: заряду, переносу, визначення, основі, матеріалах, спосіб, параметрів, розчинів, твердих, напівізолюючих

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Панчук Олег Ельпідефорович, Фочук Петро Михайлович, Копач Олег Вадимович, Вержак Євгенія Васлівна, Наконечний Ігор Йосипович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: фазі, кристалів, спосіб, другої, включень, основі, усунення

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Спосіб визначення динамічного тиску на окістя в процесі дентальної імплантації кісткової пластики

Завантаження...

Номер патенту: 75649

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Фочук Петро Михайлович, Касіянчук Михайло Васильович

МПК: A61C 13/30, A61C 8/00

Мітки: тиску, імплантації, динамічного, кісткової, спосіб, визначення, процесі, дентальної, пластики, окістя

Формула / Реферат:

Спосіб визначення динамічного тиску на окістя, що включає визначення динамічного тиску на кісткові структури в процесі дентальної імплантації, який відрізняється тим, що визначення динамічного тиску на кісткову тканину здійснюють диференційовано, додатково застосовують тензорезистор, виготовлений на основі монокристала кремнію, мембраною є титанова пластина, виконана у формі конусної шайби, яку розміщують на прилеглій поверхні платформи...

Тензометр для визначення динамічного тиску на окістя при оперативних втручаннях на кістковій тканині

Завантаження...

Номер патенту: 75268

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Касіянчук Михайло Васильович, Фочук Петро Михайлович, Касіянчук Юрій Михайлович, Пшенічка Пауль Францович

МПК: G01N 27/00, G01B 7/00

Мітки: визначення, кістковий, тканини, динамічного, тиску, тензометр, оперативних, втручаннях, окістя

Формула / Реферат:

Тензометр для визначення динамічного тиску на окістя при оперативних втручаннях на кістковій тканині шляхом вимірювання опору поверхні імплантата, який відрізняється тим, що тензорезистор, виготовлений на основі монокристалу кремнію, містить титанову мембрану у формі конусної шайби, що дозволяє визначати динамічний тиск локально в цільовій зоні.

Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 66476

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Феш Роман Миколайович, Копач Олег Вадимович, Гешл Павел, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: леткого, спосіб, ампулі, тиску, компоненту, ростовій, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій скляній ампулі при вирощуванні монокристалів методом Бріджмена, що включає завантаження ампули наважкою, розміщення ампули в ростовій печі та вирощування, який відрізняється тим, що ампулу поміщають під ковпак-компенсатор в ростову піч в область високотемпературного плато печі, нагрівають її до температури на 20-50 К вище температури плавлення сполуки, після цього змінюють ступінчасто...

Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії

Завантаження...

Номер патенту: 65585

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Копач Олег Вадимович, Феш Роман Миколайович, Гешл Павел, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 13/14, H01L 21/18

Мітки: вирощування, контрольованим, відхиленням, монокристалів, стехіометрії, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії, що включає двозонну ростову піч опору з розміщеною в ній запаяною скляною ампулою росту з наважками компонентів, який відрізняється тим, що пристрій містить герметичний автоклав з можливістю регулювання тиску газу, в якому розміщено піч, в нижній частині якої знаходиться п'єдестал з розміщеною на ньому ампулою росту та компенсаційний ковпак, нижньою...