Федорчук Анатолій Олександрович

Склад для хіміко-механічного полірування поверхні кристалів аiiibiicvii (tl4hgi6, tl4pbi6, tl4cdi6)

Завантаження...

Номер патенту: 117363

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Дремлюженко Сергій Григорович, Парасюк Олег Васильович

МПК: H01L 21/302, C09G 1/02

Мітки: поверхні, полірування, хіміко-механічного, кристалів, tl4hgi6, склад, аiiibiicvii, tl4cdi6, tl4pbi6

Формула / Реферат:

Склад для хіміко-механічного полірування кристалів AIIIBIICVII (Tl4HgI6, Tl4PbI6, Tl4CdI6), що містить аеросил (марок А-175, A-300), луг, окисник, гліцерин, воду, який відрізняється тим, що заявлений склад додатково містить моноетаноламін, а як окисник застосовують гексаціаноферат (III) калію (K3[Fe(CN)6]), при наступному співвідношенні компонентів: аеросил (марок А-175, А-300) 0,17 моль/л, ...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbі5

Завантаження...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tl3pbі5, отримання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Спосіб отримання монокристалів тl3рbвr5

Завантаження...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, спосіб, тl3рbвr5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Спосіб отримання монокристалів тlpbi3

Завантаження...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тlpbi3, спосіб, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Спосіб отримання монокристалів ag2hgsns4

Завантаження...

Номер патенту: 70719

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, ag2hgsns4, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2HgSnS4 з розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Sn, S та попередньо синтезованого HgS, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що до складу шихти вводиться надлишок HgS, синтез та ріст суміщені в одній ампулі з грушоподібним дном, при цьому попередньо проводять синтез...

Спосіб отримання монокристалів cu2zngese4

Завантаження...

Номер патенту: 70718

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, cu2zngese4, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2ZnGeSe4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cu, Zn, Ge, Se, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Cu2GeSe3-ZnSe, вводячи до складу шихти 75 мол. % Сu2SnSе3 та 25 мол. % ZnSe, а синтез і...

Спосіб отримання монокристалів ag2cdsns4

Завантаження...

Номер патенту: 70717

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, ag2cdsns4, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2CdSnS4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Cd, Sn, S, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанту методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Ag2SnS3-CdS, вводячи до складу шихти 58 мол. % Ag2SnS3...

Резистивний сплав

Завантаження...

Номер патенту: 20108

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Бодак Оксана Іванівна, Січевич Ольга Мхайлівна, Гринь Юрій Миколайович, Федорчук Анатолій Олександрович, Канарейкін Володимир Іванович

МПК: C22C 19/07

Мітки: резистивний, сплав

Формула / Реферат:

Резистивний сплав на основі кобальту, який відрізняється тим, що додатково містить мідь і галій при слідуючому співвідношенні компонентів, мас.%:

Резистивний сплав на основі галію

Завантаження...

Номер патенту: 17714

Опубліковано: 20.05.1997

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Мякуш Оксана Романівна

МПК: C22C 19/07

Мітки: резистивний, сплав, основі, галію

Формула / Реферат:

Резистивний сплав на основі галію, який відрізняється тим, що додатково містить гольмій   І   рутеній   при   слідуючому співвідношенні компонентів, ваг. %:Гольмії                            52,0-47,0Рутеній                             16,0-48,0Галій                                32,0-5,0

Резистивний сплав на основі кобальту

Завантаження...

Номер патенту: 17367

Опубліковано: 15.04.1997

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Гупало Олег Петрович, Січевич Ольга Михайлівна

МПК: C22C 19/07

Мітки: сплав, основі, кобальту, резистивний

Формула / Реферат:

Резистивний сплав на основі кобальту, який відрізняється тим, що додатково містить германій і галій при слідуючому співвідношенні компонентів, ваг.%: