Дзундза Богдан Степанович

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102229

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Яворський Ростислав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C01B 19/00, B82B 3/00, C01G 30/00 ...

Мітки: спосіб, наноструктур, високою, термо-е.р.с, слюди, отримання, snte:sb

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 101359

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Костюк Оксана Богданівна, Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричною, спосіб, слюди, питомою, отримання, потужністю, високою, snte:sb, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...

Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур snte:bi p-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Никируй Любомир Іванович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: тонкоплівкових, термоелектричною, провідності, отримання, snte:bi, напівпровідникових, покращеною, спосіб, структур, потужністю, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Спосіб отримання напівпровідникових структур p-snte:bi на ситалових підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: ситалових, спосіб, структур, отримання, напівпровідникових, підкладках, p-snte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок p-типу провідності на основі легованого бісмутом snte

Завантаження...

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Ткачук Андрій Іванович, Матківський Остап Миколайович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: легованого, основі, спосіб, термоелектричних, покращення, тонких, p-типу, провідності, властивостей, плівок, бісмутом

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-snte:bi на підкладках слюди

Завантаження...

Номер патенту: 97315

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Арсенюк Інна Олександрівна, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: тонкоплівкового, слюди, матеріалу, p-snte:bi, спосіб, термоелектричного, отримання, основі, підкладках

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при температурі випаровування  і температурі осадження

Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду р-типу

Завантаження...

Номер патенту: 93185

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Дзундза Богдан Степанович, Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: покращення, спосіб, станум, термоелектричних, наноструктурованого, р-типу, властивостей, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду p-типу, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки випаровують при температурі ТВ, осаджують пару на підкладку із свіжих сколів (0001) слюди-мусковіт при температурі ТП, до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що температура випарника складає ТВ=(870±10)К, температура підкладки -...

Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 93184

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Чав'як Іван Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, телуриду, ситалових, спосіб, термоелектричного, підкладках, станум, наноструктурованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки SnTe випаровують при температурі Тв, осаджують пару на підкладку при температурі Тп до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що як підкладку використовують ситал, температура випарника складає Тв=(870±10) К, температура...

Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-рbте:ві на ситалових підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 87031

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00

Мітки: конденсату, спосіб, термоелектричного, ситалових, n-рbте:ві, отримання, підкладках

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) K, на підкладку ситалу, який відрізняється тим, що температура підкладки при осадженні становить (520±10) K.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина наноструктур...

Спосіб отримання легованих термоелектричних структур на основі n-pbte:bi

Завантаження...

Номер патенту: 84495

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Яворський Ярослав Святославович, Криницький Олександр Степанович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, структур, основі, термоелектричних, отримання, легованих, n-pbte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих термоелектричних структур на основі n-РbТе:Ві, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) К на підкладки ситалу при температурі Тп=(470±10) К, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві із вмістом легуючої домішки...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-pbte:bi на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Дзундза Богдан Степанович, Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, n-pbte:bi, підкладках, покращеними, ситалових, властивостями, отримання, напівпровідникових, термоелектричними, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду

Завантаження...

Номер патенту: 62087

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Харун Лідія Тарасівна, Юрчишин Ігор Костянтинович

МПК: B82B 3/00

Мітки: станум, наноструктурованого, телуриду, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки SnTe при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (0001) слюди при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп= (420-520) К.2. Спосіб за п. 1, який...

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Соколов Олександр Леонідович, Яворський Ярослав Святославович, Потяк Володимир Юрійович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, напівпровідникових, спосіб, отримання, багатошарових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Спосіб отримання наноструктурованого pbte на поліаміді

Завантаження...

Номер патенту: 54834

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Бачук Василь Васильович, Никируй Ростислав Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктурованого, отримання, спосіб, поліаміді

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого РbТе на поліаміді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв = (700±10) °С, температура підкладки - Тп = (120-160) °С, час осадження t =...

Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках ксі

Завантаження...

Номер патенту: 54832

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Харун Лідія Тарасівна

МПК: C23C 14/24

Мітки: телуриду, підкладках, отримання, свинцю, спосіб, ксі, наноструктурованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.2....

Спосіб отримання нанокристалів aivbvi на скляних підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 39127

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Борик Віктор Васильович, Никируй Ростислав Іванович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: скляних, aivbvi, отримання, спосіб, підкладках, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалів AIVBVI на скляних підкладках методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують скляні підкладки, які розміщують у верхній частині камери при певній температурі.

Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 39122

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Никируй Ростислав Іванович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, матеріалів, наноструктурних, отримання, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері з температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник з наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують аморфну підкладку, на якій формуються розорієнтовані нанокристалічні структури.

Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів а iv b vi на слюді

Завантаження...

Номер патенту: 18236

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Матеїк Галина Дмитрівна

МПК: C30B 25/18

Мітки: нанокристалів, отримання, орієнтованих, слюди, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів АIV ВIV на слюді методом газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок, який відрізняється тим, що як підкладки використовують сколи (0001) слюди-мусковіту, на яких ростуть орієнтовані площинами {111} нанокристалічні тетраедри.