Дружинін Анатолій Олександрович

Чутливий елемент мікроелектронного сенсора для вимірювання магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 120820

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Яцухненко Сергій Юрійович

МПК: H01L 29/82

Мітки: поля, чутливий, мікроелектронного, магнітного, елемент, сенсора, вимірювання

Формула / Реферат:

Чутливий елемент мікроелектронного сенсора для вимірювання магнітного поля, що містить монокристал кремнію, на поверхні якого розташована напівмагнітна плівка з омічними контактами, який відрізняється тим, що монокристал кремнію виконаний ниткоподібним, а напівмагнітна плівка виконана нанопористою.

Багатофункційний датчик для кріогенних температур

Завантаження...

Номер патенту: 119016

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Кутраков Олексій Петрович, Островський Ігор Петрович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 43/00, G01K 7/22, G01B 7/16 ...

Мітки: датчик, багатофункційний, кріогенних, температур

Формула / Реферат:

Багатофункційний датчик для кріогенних температур, який містить два тензорезистори на основі ниткоподібних кристалів із кристалографічною орієнтацією [111], один з яких ниткоподібний кристал германію р-типу провідності, закріплені на підкладці з немагнітного матеріалу, паралельно один одному та перпендикулярно до терморезистора з кремнію р-типу провідності, який відрізняється тим, що другий тензорезистор виконаний з антимоніду індію n-типу...

Сейсмічний датчик вібрацій

Завантаження...

Номер патенту: 111724

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Кутраков Олексій Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Корецький Роман Миколайович

МПК: G01V 1/52, G01V 1/16

Мітки: вібрацій, сейсмічний, датчик

Формула / Реферат:

Сейсмічний датчик вібрацій, який складається з корпусу, в якому інерційна маса закріплена на пружині та з'єднана з пружним елементом, на якому розміщені тензорезистори, сполучені у вимірювальну схему, який відрізняється тим, що тензорезистори виконані на основі ниткоподібних кристалів кремнію з кристалографічною орієнтацією.

Датчик теплового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 107892

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Кутраков Олексій Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01K 7/02, H01L 35/34

Мітки: датчик, випромінювання, теплового

Формула / Реферат:

Датчик теплового випромінювання, який містить термопари, з'єднані послідовно, гарячі кінці яких розташовані на шарі пористого кремнію, а холодні - на монокристалічній кремнієвій підкладці, що розділені шарами діелектриків SiO2 та Si3N4, який відрізняється тим, що термопари виконані на основі контакту епітаксійного шару кремнію р-типу провідності з шаром платини.

Багатофункційний датчик

Завантаження...

Номер патенту: 106175

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Кутраков Олексій Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 43/00, G01K 7/22

Мітки: багатофункційний, датчик

Формула / Реферат:

Багатофункційний датчик, який містить терморезистор на основі ниткоподібного кристала з кристалографічною орієнтацією [111], який відрізняється тим, що додатково містить два тензорезистори з германію n-типу і р-типу провідності, закріплені на підкладці з немагнітного матеріалу паралельно один одному та перпендикулярно до терморезистора з кремнію р-типу провідності.

Спосіб компенсації температурної залежності тензочутливості

Завантаження...

Номер патенту: 95398

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Кутраков Олексій Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01K 7/22

Мітки: спосіб, температурної, залежності, компенсації, тензочутливості

Формула / Реферат:

Спосіб компенсації температурної залежності тензочутливості шляхом використання тензорезисторів і компенсатора у вимірювальній схемі, який відрізняється тим, що як компенсатор використовують два компенсуючі тензорезистори, які попередньо деформують, вмикають у відокремлене від тензорезисторів вимірювальне коло, з подальшим розділенням вихідних сигналів і нормуванням вихідної величини.

Сенсор тиску та температури

Завантаження...

Номер патенту: 91062

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Кутраков Олексій Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Вуйцик Андрій Михайлович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: G01B 7/16

Мітки: температури, сенсор, тиску

Формула / Реферат:

Сенсор тиску та температури, що містить чотири тензорезистори, з'єднані у мостову схему зі схемою вторинної обробки сигналу, який відрізняється тим, що тензорезистори вибрані з концентрацією бору, яка становить (1-3)´1019 см-3 при кімнатній температурі.

Напівпровідниковий індуктивний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 87528

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Корецький Роман Миколайович, Ховерко Юрій Миколайович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 23/14

Мітки: напівпровідниковий, елемент, індуктивний

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий індуктивний елемент, що містить монокристал кремнію, на поверхні якого розташована провідна ділянка у вигляді шару з омічними контактами, який відрізняється тим, що монокристал кремнію виконаний ниткоподібним, а шар провідної ділянки виконаний нанопористим.

Газовий термометр для кріогенних температур

Завантаження...

Номер патенту: 86792

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович

МПК: G01L 9/06, G01K 7/22

Мітки: кріогенних, газовий, термометр, температур

Формула / Реферат:

Газовий термометр для кріогенних температур, що містить тензорезистор на основі НК кремнію р-типу, легованого бором, який закріплений на мембрані, якою оснащений заповнений газоподібним гелієм резервуар, що електрично з'єднаний з блоком обробки і виводу сигналу, який відрізняється тим, що додатково встановлено тензорезистори, один на мембрані та два на внутрішній стороні корпусу резервуара, причому тензорезистори на мембрані та внутрішній...

Газовий термометр

Завантаження...

Номер патенту: 79101

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Кутраков Олексій Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна

МПК: G01L 9/04, G01K 7/22, G01B 7/16 ...

Мітки: термометр, газовий

Формула / Реферат:

Газовий термометр, що містить вимірювальний елемент, з'єднаний із резервуаром, заповненим газоподібним гелієм, який відрізняється тим, що вимірювальний елемент, виконаний у вигляді чутливого елемента сенсора механічних величин на основі HК кремнію, легованого бором, з питомим опором 0,01-0,013 Ом×см, який закріплений на мембрані, якою оснащений резервуар, що електрично з'єднаний з блоком обробки і виводу сигналу.

Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури

Завантаження...

Номер патенту: 66137

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Єрохов Валерій Юрійович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Нічкало Степан Ігорович

МПК: H01L 31/05

Мітки: функціонально, одержання, нанотекстури, спосіб, поверхневої

Формула / Реферат:

Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури, при якому пластину кремнію горизонтально поміщають у розчин ізотропного кислотного травника при кімнатній температурі, після промивки створену поверхневу текстуру заповнюють пористим органічним кремнієм, яку піддають ультразвуковій обробці, який відрізняється тим, що додатково на поверхневу текстуру газотранспортною реакцією наносять кремнієві ниткоподібні нанокристали.

Спосіб виготовлення нестандартних “кремній-на-ізоляторі”-структур

Завантаження...

Номер патенту: 65226

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Довгий Віктор Володимирович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: C30B 31/00

Мітки: виготовлення, спосіб, нестандартних, кремній-на-ізоляторі"-структур

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення нестандартних "кремній-на-ізоляторі"-структур, що включає маскування поверхні кремнієвої пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, витравлення в пластині в незамаскованих місцях вертикальних щілин заданої глибини, їх покриття нітридом кремнію та його селективне витравлювання на дні щілин, поглиблення щілин та формування бокових порожнин-тунелів витравлюванням кремнію під поверхнею...

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 63926

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Нічкало Степан Ігорович

МПК: C30B 29/00, H01L 21/00

Мітки: масивів, нанокристалів, одержання, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію, який включає осадження на напівпровідникову кремнієву підкладку р-типу провідності шару плівки золота, вирощування за механізмом пара-рідина-кристал нанокристалів кремнію, який відрізняється тим, що перед вирощуванням нанокристалів кремнію додатково здійснюють термічний відпал напівпровідникової кремнієвої підкладки.

Комірка базового матричного кристала

Завантаження...

Номер патенту: 62994

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Вуйцик Андрій Михайлович, Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Довгий Віктор Володимирович

МПК: G01B 7/16, G01L 9/04

Мітки: кристала, базового, комірка, матричного

Формула / Реферат:

Комірка базового матричного кристала, що містить вісім нескомутованих р- і n-канальних польових транзисторів, виготовлених на смугах n- і р-областей і розташованих вздовж шин живлення, при цьому два з них р- та n-транзистори призначені для міжелектродної комутації, яка відрізняється тим, що 3р- і 3n-канальні польові транзистори та 1n- і 1р-канальний польові транзистори попарно розташовані, послідовно з'єднані та діелектрично ізольовані між...

Автоемісійний чутливий елемент акселерометра

Завантаження...

Номер патенту: 62951

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Голота Віктор Іванович, Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/00

Мітки: автоемісійний, чутливий, акселерометра, елемент

Формула / Реферат:

Автоемісійний чутливий елемент акселерометра, який складається із напівпровідникової підкладки, що являє собою перший електрод, на яку послідовно нанесені діелектрична плівка з витравленою ділянкою, електропровідна плівка, що являє собою другий електрод, який відрізняється тим, що перший електрод, другий електрод, основою якого є структура "кремній-на-ізоляторі", виготовлені у формі загострених вістер, які розмішені один навпроти...

Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури

Завантаження...

Номер патенту: 92962

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Єрохов Валерій Юрійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 31/05

Мітки: функціонально, нанотекстури, спосіб, поверхневої, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури, який полягає в тому, що пластину кремнію горизонтально поміщають у розчин ізотропного кислотного травника при кімнатній температурі, після промивки створену поверхневу текстуру заповнюють пористим органічним кремнієм, який відрізняється тим, що додатково поверхневу текстуру із пористим органічним кремнієм піддають ультразвуковій обробці.

Тривимірний мон-транзистор зі структурою “кремній-на-ізоляторі”

Завантаження...

Номер патенту: 49691

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: H01L 27/00

Мітки: кремній-на-ізоляторі, мон-транзистор, тривимірний, структурою

Формула / Реферат:

Тривимірний МОН-транзистор зі структурою "кремній-на-ізоляторі", який складається із кремнієвої підкладки р-типу провідності, на якій послідовно сформовані шар ізолятора, підканальна область у вигляді монокристалічної плівки кремнію р- або n-типу провідності, шар підзатворного діелектрика, затвор і прилеглі до затвора стік-витокові області, леговані електрично активною домішкою n- або р-типу провідності відповідно, який...

Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур “кремній-на-ізоляторі”

Завантаження...

Номер патенту: 36463

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Сапон Сергій Васильович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: C30B 31/00

Мітки: локальних, спосіб, виготовлення, структур, тривимірних, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур "кремній-на-ізоляторі", який включає маскування поверхні пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, створення в пластині проміжків, як між ділянками маскуючого покриття, так і на заданій глибині під поверхнею пластини для формування в цих місцях анодуванням пористого кремнію та його проокислення з формуванням ізолюючого окислу кремнію, який відрізняється тим, в...

Спосіб формування локальних мікроструктур типу “кремній-на-ізоляторі”

Завантаження...

Номер патенту: 34277

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Сапон Сергій Васильович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: C04B 41/00

Мітки: спосіб, мікроструктур, кремній-на-ізоляторі, типу, локальних, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування локальних мікроструктур типу "кремній-на-ізоляторі", який включає послідовне формування на кремнієвій пластині шару ізолятора, відкриття в ньому вікон для контактів-зародків полікремнію із пластиною, нанесення шару полікремнію, який відрізняється тим, що на поверхні кремнієвої пластини формують локально розташовані ділянки ізолятора із окислу або оксинітриду кремнію товщиною 0,3-1,0 мікрометра, топологія яких є...

Спосіб виготовлення двоелектродних автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів

Завантаження...

Номер патенту: 34271

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович

МПК: H05K 3/00

Мітки: автоемісійних, розмірів, субмікронних, виготовлення, катодів, спосіб, кремнієвих, двоелектродних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення двоелектродних автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів, який включає формування вістер катодів шляхом термічного окислення поверхні кремнію, фотолітографії, ізотропного сухого травлення, загострення вістер окисленням та мокрим травленням, селективного покриття катодів захисною плівкою, який відрізняється тим, що по одній технології отримують одношпильові, багатошпильові або лезоподібні катоди з...

Контакт в інтегральних пристроях зі структурами “кремній-на-ізоляторі”

Завантаження...

Номер патенту: 29701

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 29/66

Мітки: структурами, кремній-на-ізоляторі, пристроях, інтегральних, контакт

Формула / Реферат:

1. Контакт в інтегральних пристроях зі структурами "кремній-на-ізоляторі" між шаром металу через контактне вікно у міжшаровому діелектрику до полікремнієвого затвора або стокової чи витокової області МОН-транзистора, сформованого на основі структур "кремній-на-ізоляторі", який відрізняється тим, що розміри контактного вікна в зоні контактування металу і шини із кремнієвої "плівки-на-ізоляторі" є більшими, ніж...

Ключовий елемент на діодах шотткі зі структурами “кремній-на-ізоляторі”

Завантаження...

Номер патенту: 29698

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: H01L 29/66

Мітки: діодах, кремній-на-ізоляторі, шотткі, структурами, ключовий, елемент

Формула / Реферат:

Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами "кремній-на-ізоляторі", який складається із підкладки р-типу провідності, на якій послідовно розміщують шари ізолятора та смужку із монокристалічної плівки кремнію n-типу провідності, який відрізняється тим, що в смужці із плівки кремнію витравлюють 5 вузьких канавок на всю товщину рекристалізованої плівки кремнію, причому 3 сусідні канавки заповнюють алюмінієм для утворення бар'єрів...

Сенсор температури

Завантаження...

Номер патенту: 27570

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Островський Ігор Петрович, Когут Юрій Романович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01K 7/16

Мітки: температури, сенсор

Формула / Реферат:

Сенсор температури, який містить чутливий елемент у вигляді напівпровідникового ниткоподібного кристала Si-Ge з чотирма точковими контактами, одна пара контактів розташована на кінцях кристала біля основи та вістря, інша пара контактів - в середній частині кристала, зміщена до вістря, причому частина кристала між контактом зі сторони вістря та одним контактом з середньої частини кристала утворюють терморезистор, а частина кристала між...

Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях

Завантаження...

Номер патенту: 22368

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович, Мар'ямова Інна Йосифівна

МПК: G01K 7/00

Мітки: сенсора, терморезистивного, кріогенних, елемент, магнітних, температур, мікроелектронного, чутливий, полях, сильних, вимірювання

Формула / Реферат:

Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях, що містить шар полікремнію, легованого бором, який відрізняється тим, що полікремній рекристалізований лазером з концентрацією носіїв заряду (4-5)x1017 cм-3 при кімнатній температурі.

Спосіб формування топологічних зображень мікроелектронних пристроїв

Завантаження...

Номер патенту: 18536

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H05K 3/02

Мітки: зображень, мікроелектронних, формування, спосіб, пристроїв, топологічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування топологічних зображень мікроелектронних пристроїв методом подвійної фотолітографії, який включає нанесення на напівпровідникову пластину плівки матеріалу, в якій формуватимуть топологію елементів IC або МСТ, нанесення фоторезисту, експозицію і операції травлення фоторезисту та плівки у немаскованих фоторезистом місцях з наступним зняттям фоторезисту, що складають першу фотолітографію, який відрізняється тим, що введено...

Чутливий елемент сенсора механічних величин для роботи при температурі рідкого гелію в сильних магнітних полях

Завантаження...

Номер патенту: 11353

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Мар'ямова Інна Йосифівна, Павловський Ігор Володимирович

МПК: G01B 7/16, B64G 9/00, G01L 9/04 ...

Мітки: гелію, механічних, роботи, сильних, температури, елемент, магнітних, рідкого, величин, сенсора, чутливий, полях

Формула / Реферат:

Чутливий елемент сенсора механічних величин для роботи при температурі рідкого гелію в сильних магнітних полях, який містить ниткоподібний кристал кремнію р-типу з кристалографічною орієнтацією <111>, легований бором, який відрізняється тим, що концентрація бору становить (1-3) х 1019 см-3 при кімнатній температурі.

Сенсор тиску та температури

Завантаження...

Номер патенту: 10360

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович, Матвієнко Сергій Миколайович

МПК: G01B 7/16

Мітки: тиску, сенсор, температури

Формула / Реферат:

Сенсор тиску та температури, що міститьперший і другий тензорезистори, перше і друге джерела струму, чотири масштабуючі підсилювачі, перший і другий суматори, перший диференційний підсилювач, який відрізняється тим, що додатково містить третій і четвертий тензорезистори, другий диференційний підсилювач, причому перший вивід першого тензорезистора з'єднаний з землею і першим виводом другого тензорезистора, другий вивід першого тензорезистора...

Інвертор на основі структур кремній-на-ізоляторі

Завантаження...

Номер патенту: 7677

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович, Павлиш Володимир Андрійович

МПК: H03K 19/0948, H01L 27/12

Мітки: інвертор, структур, кремній-на-ізоляторі, основі

Формула / Реферат:

1. Інвертор на основі структур кремній-на-ізоляторі, що складається з монокристалічної кремнієвої підкладки з послідовно розміщеними на ній шарами ізолюючого окислу, рекристалізованого полікремнію з активними областями каналів навантажувального та ключового транзисторів протилежних типів провідності, що включають області стоків та витоків, підзатворного діелектрика й електродів затворів із полікремнію, які з'єднані між собою і є входом...

Чутливий елемент сенсора механічних величин для температури рідкого гелію

Завантаження...

Номер патенту: 5217

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Мар'ямова Інна Йосифівна, Павловський Ігор Володимирович, Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович

МПК: G01B 7/16, G01L 9/04

Мітки: рідкого, величин, гелію, елемент, чутливий, сенсора, механічних, температури

Формула / Реферат:

Чутливий елемент сенсора механічних величин для температури рідкого гелію, який містить ниткоподібний кристал кремнію р-типу з орієнтацією [111], легований бором, який відрізняється тим, що концентрація бору в ниткоподібному кристалі кремнію р-типу відповідає фазовому переходу метал-діелектрик в кремнії р-типу як з металевої, так і з діелектричної сторони з питомим опором при кімнатній температурі 0,010-0,013 Омхсм.

Сенсор температури

Завантаження...

Номер патенту: 4531

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович, Лях Наталія Степанівна, Матвієнко Сергій Миколайович

МПК: G01K 7/01

Мітки: температури, сенсор

Формула / Реферат:

Сенсор температури, що містить чутливий елемент у вигляді напівпровідникового ниткоподібного кристала з чотирма точковими контактами, прикріпленого на підкладці, одна пара контактів розташована на кінцях кристала біля основи та вістря, інша пара контактів - в середній частині кристала, причому частина кристала між контактом зі сторони вістря та одним контактом з середньої частини кристала утворюють терморезистор, який відрізняється тим, що...

Спосіб визначення коефіцієнта термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3531

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Матвієнко Сергій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Лях Наталія Степанівна, Островський Ігор Петрович

МПК: G01N 25/00

Мітки: кристалів, визначення, коефіцієнта, ниткоподібних, спосіб, термо-е.р.с

Формула / Реферат:

Спосіб визначення коефіцієнта термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів, що включає виготовлення чотирьох точкових контактів до ниткоподібного кристала, створення градієнта температури між двома контактами пропусканням стабілізованого струму розігріву, вимірювання термо-е.р.с., визначення температури гарячого і холодного кінців ниткоподібного кристала та визначення коефіцієнта термо-е.р.с. як відношення термо-е.р.с. до градієнта температури, який...

Перетворювач змінного струму

Завантаження...

Номер патенту: 42999

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович, Варшава Славомир Степанович

МПК: H02M 7/00

Мітки: змінного, перетворювач, струму

Формула / Реферат:

Перетворювач змінного струму, який містить структуру, що включає резистивну область, ізоляційний шар, термоелектричну область, який відрізняється тим, що вся структура виконана з одного напівпровідникового ниткоподібного елемента p-Si у формі хрестоподібного зростка з двох кристалів - поздовжнього і поперечного, причому поздовжній кристал є резистивною областю, поперечний - термоелектричною, а вузол зростка - ізоляційним шаром.

Низькочастотний генератор

Завантаження...

Номер патенту: 42998

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Островський Ігор Петрович, Варшава Славомир Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H03B 7/00

Мітки: низькочастотний, генератор

Формула / Реферат:

Низькочастотний генератор, що містить з'єднані між собою резистори, джерело струму, який відрізняється тим, що резистори виконані у формі «Х»- подібного зростка двох ниткоподібних кристалів Si n-типу з питомим пором » 1,0 Ом×см, а джерело під'єднане до одного з резисторів.

Тензодатчик динамічної деформації

Завантаження...

Номер патенту: 43094

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Панков Юрій Михайлович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01B 7/16, G01B 7/00, G01B 5/30 ...

Мітки: динамічної, деформації, тензодатчик

Формула / Реферат:

Тензодатчик динамічної деформації, що містить чутливий елемент з ниткоподібного напівпровідникового монокристала з точковими контактами на кінцях монокристала і струмовиводами, а також із проміжним точковим контактом, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використано напівпровідник кремній р - типу провідності, легований В та Аu, із питомим опором 0,02 Ом см, а проміжний точковий контакт встановлений зі зміщенням до одного з кінців...

Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 40269

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Буджак Ярослав Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01N 25/18

Мітки: термоелектричних, параметрів, ниткоподібних, визначення, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

 Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів, що включає створення точкових контактів до ниткоподібного кристала, пропускання стабілізованого струму розігріву, вимірювання різниці потенціалів між контактами і визначення коефіцієнта термо-е.р.с., який відрізняється тим, що ниткоподібному кристалу надають форму хрестоподібного зростка з двох кристалів, до кінців якого і до середини зростка створюють контакти, а струм...

Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових ниткоподібних кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 40268

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович

МПК: G01R 31/00

Мітки: типу, спосіб, провідності, визначення, ниткоподібних, напівпровідникових, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...

Спосіб отримання термоелектричних сплавів pb1-xinxte:i

Завантаження...

Номер патенту: 35208

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, отримання, термоелектричних, сплавів, pb1-xinxte:i

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів Pb1-xlnxTe:l, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцевій вакуумованій ампулі і поміщають в двозонну піч, температура першої зони є вищою температури точки плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижча від температури точки плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до...

Спосіб виготовлення структур кремній-на-ізоляторі

Завантаження...

Номер патенту: 34721

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: H01L 27/12

Мітки: спосіб, структур, кремній-на-ізоляторі, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур кремній на ізоляторі, який включає послідовне нанесення на монокремнієву підкладку шару ізолюючого окису, формування контактних областей з монокремнієвою підкладкою, нанесення полікремнієвого шару, капсулюючого та просвітляючого покрить і рекристалізацію полікремнієвого шару лазерним опроміненням, який відрізняється тим, що перед нанесенням полікремнієвого шару в контактних областях з монокремнієвою підкладкою...

Спосіб виготовлення “кремній на ізоляторі”-структур

Завантаження...

Номер патенту: 32784

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/12

Мітки: ізоляторі"-структур, спосіб, виготовлення, кремній

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення "кремній на ізоляторі"-структур, згідно якого на вихідній кремнієвій пластині послідовно формують шар ізолюючого окису кремнію, шар полікремнію, допоміжні капсулююче та антивідбиваюче покриття, проводять лазерну рекристалізацію шару полікремнію, методом травлення знімають допоміжні покриття, який відрізняється тим, що після зняття допоміжних покрить проводять термічне окислення рекристалізованого полікремнію і...

П’єзорезистивний датчик

Завантаження...

Номер патенту: 23103

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Панков Юрій Михайлович, Мар'ямова Інна Йосипівна, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01L 9/06, H01L 21/28

Мітки: п'єзорезистивний, датчик

Формула / Реферат:

П’єзорезистивнии датчик, який містить кремнієву підкладку з шаром діелектрика, здатним відбивати лазерне випромінювання, поверх якого розташовані рекристалізовані лазерним випромінюванням полікремнієві тензорезистори, покриті діелектричним капсулюючим шаром, здатним поглинати лазерне випромінювання, який відрізняється тим, що на капсулюючому шарі розміщений поглинаючий шар у вигляді паралельних смужок, довжина яких не менша довжини...