Дідик Роман Іванович

Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 109648

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/54, C23C 14/50 ...

Мітки: підкладці, кремнієвий, спосіб, контактів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці, за яким на кремнієву підкладку напилюють у вакуумі спочатку алюмінієву плівку, а через 5-10 хвилин - шар міді товщиною 500-3000 Å, після чого формують контактний майданчик, до якого термокомпресійно приварюють один кінець золотого мікродроту, який відрізняється тим, що попередньо фіксують другий кінець золотого мікродроту, а місце приварювання покривають епоксидною смолою.

Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури

Завантаження...

Номер патенту: 107956

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: H01L 21/428, H01L 31/115

Мітки: транзисторних, обробки, спосіб, температури, сенсорів, радіаційної

Формула / Реферат:

Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури, за яким їх опромінюють, а потім термовідпалюють, який відрізняється тим, що сенсори опромінюють Х-променями дозою 4000÷4250 Гр, а температурний відпал проводять при температурі 130÷135 °C упродовж 120±5 хв.

Спосіб контактного точкового мікрозварення

Завантаження...

Номер патенту: 103703

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: B23K 11/30, B81C 3/00, B23K 11/10 ...

Мітки: контактного, спосіб, мікрозварення, точкового

Формула / Реферат:

Спосіб контактного точкового мікрозварення, за яким деталі, які необхідно зварити, розміщують між електродами, прикладають зусилля притискання та пропускають імпульс струму, який відрізняється тим, що робочі поверхні електродів попередньо покривають матеріалом, який не має гарячої адгезії до матеріалу, з якого виготовлені деталі, які зварюють.

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 102378

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: H01L 21/02

Мітки: спосіб, матеріалів, напівпровідникових, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.

Лоток сублімаційної сушарки

Завантаження...

Номер патенту: 94662

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Сухоребрий Сергій Петрович, Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович, Гривняк Василь Степанович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: F26B 25/18, F26B 5/06

Мітки: сублімаційної, сушарки, лоток

Формула / Реферат:

Лоток сублімаційної сушарки з вертикальними ребрами з матеріалу з хорошою теплопровідністю, який відрізняється тим, що додатково містить каркас по формі лотка, з розміщеними вертикальними ребрами, виготовленими з плетеної сітки з комірками 0,3¸0,5 розміру гранул матеріалу, що піддають сублімації.

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 86829

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович

МПК: H01L 21/322, G01N 3/08

Мітки: деформації, пристрій, матеріалів, пластичної, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.

Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик

Завантаження...

Номер патенту: 86709

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: H01L 21/322, G01N 3/18, H01L 21/324 ...

Мітки: електрофізичних, пристрій, деформацій, одновісних, дослідження, характеристик, тіл, твердих, створення

Формула / Реферат:

Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик, що містить кріостат, робочий об'єм якого підключений до повітряної помпи для створення вакууму, розміщені в ньому засоби кріплення і засоби дослідження електрофізичних властивостей дослідного зразка, навантажувач, опорну трубу з динамометром, який відрізняється тим, що навантажувач розміщений під кутом 90° до осі навантаження на...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах

Завантаження...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: G01R 1/00

Мітки: пристрій, різних, характеристик, напівпровідникових, зондовий, структур, температурах, електрофізичних, вимірювання

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: характеристик, структур, вимірювання, зондовий, напівпровідникових, електрофізичних, пристрій

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Цвєткова Ольга Валентинівна

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: зондовий, пристрій, напівпровідникових, структур, характеристик, вимірювання, електрофізичних

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Пристрій для нанесення покриттів у вакуумі

Завантаження...

Номер патенту: 58771

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович

МПК: C23C 14/50, C23C 14/54, H01L 21/02 ...

Мітки: покриттів, пристрій, нанесення, вакуумі

Формула / Реферат:

1. Пристрій для нанесення покриттів у вакуумі, що містить корпус, два випарники, кожний з яких жорстко закріплений до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з індивідуальним джерелом напруги, рухомі захисні заслони, розміщені між випарниками та нагрівником прямокутної Г-подібної форми, прикріпленим до штанги, з'єднаної з корпусом через керамічну пластину, виконаним з нержавіючої сталі з вифрезерованою з одного боку площиною,...

Пристрій для двостороннього нанесення покриттів у вакуумі

Завантаження...

Номер патенту: 47597

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: C23C 14/50, H01L 21/02, C23C 14/54 ...

Мітки: вакуумі, покриттів, нанесення, двостороннього, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для двостороннього нанесення покриттів у вакуумі, що містить випарник, закріплений жорстко до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з джерелом напруги, нагрівник зразка з нагрівним елементом та термопарою, жорстко закріплений до штанги, з'єднаної з корпусом, рухому захисну заслінку, розміщену між випарником та нагрівником, який відрізняється тим, що додатково введені випарник та заслінка, розміщені з протилежної...

Спосіб просвітлення та захисту елементів інфрачервоної оптики на основі йодиду цезію

Завантаження...

Номер патенту: 49434

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Дідик Роман Іванович, Гудь Ірина Зиновіївна

МПК: G02B 1/10, G03C 1/015, G01D 3/02 ...

Мітки: йодиду, спосіб, інфрачервоної, оптики, основі, просвітлення, захисту, цезію, елементів

Формула / Реферат:

Спосіб просвітлення та захисту елементів інфрачервоної оптики на основі йодиду цезію, що включає нанесення у вакуумі плівки фториду металу термічним напиленням на нагріту поверхню елементу, який відрізняється тим, що на нагріту до 180-200°С поверхню з швидкістю 0,20-0,25 мкм/хв наносять плівку фтористого натрію.

Спосіб одержання монокристалів галогенідів лужних металів та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 28250

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Дідик Роман Іванович, Антонів Іван Петрович, Гарапин Ірина Володимирівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/12

Мітки: галогенідів, пристрій, монокристалів, одержання, спосіб, реалізації, лужних, металів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів галогенідів лужних металів, який включає їх плавлення у вакуумі в присутності вуглецевого сорбенту в реакційній ампулі, розділення продуктів реакції та розплавленої солі в процесі транспортування розплаву з реакційної ампули а ростову та наступну направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що розділення продуктів реакції та солі проводять шляхом випаровування солі з реакційної ампули з наступною...

Вимірювач потужності випромінювання лазера

Завантаження...

Номер патенту: 14701

Опубліковано: 04.02.1997

Автори: Антонів Іван Петрович, Дідик Роман Іванович, Гарапин Ірина Володимирівна

МПК: H01S 3/00

Мітки: потужності, лазера, випромінювання, вимірювач

Формула / Реферат:

1. Вимірювач потужності випромінювання лазера, що містить світлопоглинаючий елемент з термопарами і мілівольтметр, який відрізняється тим, що світлопоглинаючий елемент виконаний у вигляді шайби з отвором для виділення робочої частини лазерного променя, причому від відбитих та розсіяних лазерних променів шайба закрита світловідбиваючим екраном з аналогічним отвором.2. Вимірювач по п.1, який відрізняється тим, що світлопоглинаючий...