Демич Микола Васильович
Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-n-cdte
Номер патенту: 40056
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Демич Микола Васильович, Махній Віктор Петрович, Скрипник Микола Володимирович
МПК: H01L 31/00
Мітки: контакту, спосіб, виготовлення, метал-n-cdte, фотодіодa, основі
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-n-CdTe, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічних та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямляючого контакту підкладинки з омічними контактами відпалюють на повітрі при температурі 520±5 °С протягом 10±2 хв.
Спосіб обробки поверхні кристалів cd1-xznxte
Номер патенту: 65010
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович
МПК: H01L 21/477
Мітки: кристалів, поверхні, спосіб, cd1-xznxte, обробки
Формула / Реферат:
Спосіб обробки поверхні кристалів Cd1-хZnxTe з , що включає механічне та хімічне полірування напівпровідникових підкладинок, який відрізняється тим, що підкладинку додатково відпалюють на повітрі при температурі 520±50°С протягом 10±2хв.
Спосіб компенсації провідності кристалів cd1-xznxte
Номер патенту: 62650
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович
МПК: C30B 31/00
Мітки: cd1-xznxte, спосіб, компенсації, кристалів, провідності
Формула / Реферат:
Спосіб компенсації провідності кристалів Cd1-xZnxTe з 0 £ x £ 0,1, що включає легування з парової фази, який відрізняється тим, що кристал легують оловом з парової фази при температурі 850±50 °C.