Демич Микола Васильович

Номер патенту: 40056

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Махній Віктор Петрович, Скрипник Микола Володимирович, Демич Микола Васильович

МПК: H01L 31/00

Мітки: основі, контакту, спосіб, виготовлення, метал-n-cdte, фотодіодa

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-n-CdTe, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічних та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямляючого контакту підкладинки з омічними контактами відпалюють на повітрі при температурі 520±5 °С протягом 10±2 хв.

Номер патенту: 65010

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: H01L 21/477

Мітки: спосіб, кристалів, поверхні, cd1-xznxte, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів Cd1-хZnxTe з , що включає механічне та хімічне полірування напівпровідникових підкладинок, який відрізняється тим, що підкладинку додатково відпалюють на повітрі при температурі 520±50°С протягом 10±2хв.

Номер патенту: 62650

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович

МПК: C30B 31/00

Мітки: провідності, спосіб, компенсації, cd1-xznxte, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб компенсації провідності кристалів Cd1-xZnxTe з 0 £ x £ 0,1, що включає легування з парової фази, який відрізняється тим, що кристал легують оловом з парової фази при температурі 850±50 °C.