C30B 9/00 — Вирощування монокристалів з розплавів з використанням розплавлених розчинників

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 13/04, C30B 9/00, C30B 13/00 ...

Мітки: вирощування, твердих, складу, розплаву-розчину, кристалізації, методом, розчинів, спрямовано, спосіб, cu1-xagx)7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: спрямовано, кристалізації, cu7ges5i, спосіб, методом, розплаву-розчину, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину

Завантаження...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00, C30B 13/04 ...

Мітки: методом, спрямовано, розчину, вирощування, спосіб, розплаву, ag7ges5i, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб отримання монокристалів cssrcl3:eu2+ високої чистоти

Завантаження...

Номер патенту: 114453

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Тарасов Володимир Олексійович, Чергінець Віктор Леонідович, Реброва Надія Василівна, Реброва Тетяна Павлівна, Гриппа Олександр Юрійович, Пономаренко Тамара Володимирівна

МПК: C09K 11/77, C30B 9/00

Мітки: монокристалів, високої, спосіб, cssrcl3:eu2+, отримання, чистоти

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування активованих монокристалів CsSrCl3:Eu2+, який включає синтез вихідної сировини, плавлення та очищення отриманого розплаву парою чотирихлористого вуглецю в потоці аргону, вакуумування та вирощування монокристалу, який відрізняється тим, що під час синтезу вихідну сировину активують.

Спосіб вирощування монокристалів fexga1-xbo3 із заданою концентрацією іонів fe і ga

Завантаження...

Номер патенту: 73171

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Ягупов Сергій Володимирович, Постивей Наталя Сергіївна, Стругацький Марк Борисович

МПК: C30B 9/00

Мітки: заданою, концентрацією, монокристалів, спосіб, fexga1-xbo3, іонів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів FexGa1-xBO3 із заданою концентрацією іонів Fe і Ga, що включає нагрівання шихти, що містить, Fe2O3, Ga2O3, В2О3, PBO, РbРr при постійному перемішуванні, витримку розчин-розплаву і його перемішування і охолоджування розчин-розплаву, який відрізняється тим, що компоненти беруть в співвідношенні, мас. %: (Fe2O3+Ga2O3) - 18,6; В2О3 - 42,4; PBO - 27,3; PbF2 - 11,7, нагрівають до 900-950 °C з...

Процес отримання монокристалічних злитків fese, fete та твердих розчинів fesexte1-x

Завантаження...

Номер патенту: 67792

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Савчук Андрій Йосипович, Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 29/00, C30B 31/20, C30B 29/26, C30B 9/00 ...

Мітки: розчинів, процес, монокристалічних, отримання, fesexte1-x, fese, твердих, злитків

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...

Процес отримання полікристалічних злитків fese, fete та твердих розчинів fesexte1-x

Завантаження...

Номер патенту: 57163

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 31/20, C30B 29/46, C30B 9/00, H01L 29/00 ...

Мітки: полікристалічних, твердих, процес, злитків, fese, fesexte1-x, розчинів, отримання

Формула / Реферат:

Процес створення полікристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, розміщення її у технологічній печі і проведення синтезу, який відрізняється тим, що на етапі синтезу розплав піддають дії зовнішнього магнітного поля, яке обертається навколо осі наважки.

Об’ємний монокристал нітриду галію (варіанти) і основа для епітаксії

Завантаження...

Номер патенту: 82180

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Канбара Ясуо, Дорадзінскі Роман, Гаршінскі Єжі, Двілінскі Роберт, Сешпутовскі Лешек П.

МПК: C30B 29/38, C30B 25/18, C30B 9/00 ...

Мітки: галію, монокристал, епітаксії, варіанти, об'ємний, основа, нітриду

Формула / Реферат:

1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...

Спосіб одержання монокристалів сполук талію(і)сульфотетрахлориду tl6scl4 і талію(і)сульфотетраброміду tl6sbr4

Завантаження...

Номер патенту: 70133

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євгеній Юлійович, Черешня Володимир Михайлович, Цигика Володимир Васильович, Габорець Наталія Йосипівна, Галаговець Іван Васильович

МПК: C01G 15/00, C30B 11/00, C30B 9/00 ...

Мітки: одержання, монокристалів, спосіб, tl6scl4, талію(і)сульфотетраброміду, сполук, талію(і)сульфотетрахлориду, tl6sbr4

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу сполуки талію(І)сульфотетрахлориду Tl6SCl4, який включає вирощування монокристалу із розчину за методом Бріджмена, який відрізняється тим, що беруть вихідну шихту наступного складу (мол.%):Tl2S -29,00TlCl-71,00,при цьому для процесу вирощування монокристалу Tl6SCl4 встановлюють задану швидкість переміщення фронту кристалізації 0,1 - 0,3 мм/годину, температурний градієнт у зоні...

Процес та апарат для одержання об’ємного монокристала нітриду, що містить галій

Завантаження...

Номер патенту: 78705

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Гарчінскі Єжи, Сєжпутовскі Лєшек Пьотр, Канбара Ясуо, Двілінскі Роберт Томаш, Дорадзінскі Роман Марек

МПК: C30B 7/00, C30B 29/40, C30B 9/00 ...

Мітки: процес, одержання, монокристала, об`ємного, галій, нітриду, апарат, містить

Формула / Реферат:

1. Процес одержання кристала галієвмісного нітриду, який включає наступні стадії:1) подають галієвмісний вихідний матеріал, компонент, що містить лужний метал, принаймні один зародок кристалізації та азотовмісний розчинник у щонайменше один контейнер;2) переводять азотовмісний розчинник у надкритичний стан;3) принаймні частково розчиняють галієвмісний вихідний матеріал при першій температурі і при першому тиску...

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті

Завантаження...

Номер патенту: 71914

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Матвіїв Мирон Васильович, Морозов Леонід Михайлович, Луців Роман Васильович

МПК: C30B 28/00, C30B 30/00, C30B 9/00 ...

Мітки: ртуті, халькогенідів, отримання, основі, напівпровідникових, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті методом твердотільної рекристалізації, який містить відпал в кварцевій ампулі полікристалічної матриці, який відрізняється тим, що відпал проводять у присутності порошку матеріалу матриці і активованого вугілля, що заповнює весь вільний простір ампули.

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 61318

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич

МПК: C30B 9/00

Мітки: спосіб, одержання, тіогалату, кристала, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, розплавлення шихти тіогалату кадмію та її направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1.105-3.105 Па.

Розчинник вуглецю для синтезу алмазів

Завантаження...

Номер патенту: 10920

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Нагорний Петро Арсенійович, Боримський Олександр Іванович

МПК: C22C 38/02, C01B 31/06, B01J 3/06 ...

Мітки: алмазів, вуглецю, розчинник, синтезу

Формула / Реферат:

1. Растворитель углерода для синтеза алмазов, включающий железо и марганец, отличающийся тем, что он дополнительно содержит кремний при следующих соотношениях компонентов, маc. %:железо                        30,0-80,0марганец                    15,0-65,0кремний                     0,5-8,5.2. Растворитель углерода по п. 1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит, по крайней мере, один легирующий элемент,...