C30B 9/00 — Вирощування монокристалів з розплавів з використанням розплавлених розчинників

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 13/04, C30B 13/00, C30B 9/00 ...

Мітки: твердих, кристалізації, вирощування, методом, розчинів, cu1-xagx)7ges5i, складу, спрямовано, розплаву-розчину, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: методом, спрямовано, спосіб, розплаву-розчину, cu7ges5i, вирощування, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину

Завантаження...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 13/04, C30B 13/00, C30B 9/00 ...

Мітки: розчину, вирощування, спосіб, спрямовано, ag7ges5i, розплаву, методом, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб отримання монокристалів cssrcl3:eu2+ високої чистоти

Завантаження...

Номер патенту: 114453

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Реброва Тетяна Павлівна, Пономаренко Тамара Володимирівна, Тарасов Володимир Олексійович, Чергінець Віктор Леонідович, Гриппа Олександр Юрійович, Реброва Надія Василівна

МПК: C09K 11/77, C30B 9/00

Мітки: монокристалів, cssrcl3:eu2+, спосіб, високої, чистоти, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування активованих монокристалів CsSrCl3:Eu2+, який включає синтез вихідної сировини, плавлення та очищення отриманого розплаву парою чотирихлористого вуглецю в потоці аргону, вакуумування та вирощування монокристалу, який відрізняється тим, що під час синтезу вихідну сировину активують.

Спосіб вирощування монокристалів fexga1-xbo3 із заданою концентрацією іонів fe і ga

Завантаження...

Номер патенту: 73171

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Ягупов Сергій Володимирович, Стругацький Марк Борисович, Постивей Наталя Сергіївна

МПК: C30B 9/00

Мітки: fexga1-xbo3, іонів, концентрацією, вирощування, монокристалів, спосіб, заданою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів FexGa1-xBO3 із заданою концентрацією іонів Fe і Ga, що включає нагрівання шихти, що містить, Fe2O3, Ga2O3, В2О3, PBO, РbРr при постійному перемішуванні, витримку розчин-розплаву і його перемішування і охолоджування розчин-розплаву, який відрізняється тим, що компоненти беруть в співвідношенні, мас. %: (Fe2O3+Ga2O3) - 18,6; В2О3 - 42,4; PBO - 27,3; PbF2 - 11,7, нагрівають до 900-950 °C з...

Процес отримання монокристалічних злитків fese, fete та твердих розчинів fesexte1-x

Завантаження...

Номер патенту: 67792

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Савчук Андрій Йосипович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 31/20, H01L 29/00, C30B 29/26, C30B 9/00 ...

Мітки: fese, твердих, fesexte1-x, злитків, розчинів, монокристалічних, отримання, процес

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...

Процес отримання полікристалічних злитків fese, fete та твердих розчинів fesexte1-x

Завантаження...

Номер патенту: 57163

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 29/46, H01L 29/00, C30B 31/20, C30B 9/00 ...

Мітки: злитків, твердих, fese, отримання, процес, розчинів, полікристалічних, fesexte1-x

Формула / Реферат:

Процес створення полікристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, розміщення її у технологічній печі і проведення синтезу, який відрізняється тим, що на етапі синтезу розплав піддають дії зовнішнього магнітного поля, яке обертається навколо осі наважки.

Об’ємний монокристал нітриду галію (варіанти) і основа для епітаксії

Завантаження...

Номер патенту: 82180

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Сешпутовскі Лешек П., Канбара Ясуо, Гаршінскі Єжі, Дорадзінскі Роман, Двілінскі Роберт

МПК: C30B 9/00, C30B 25/18, C30B 29/38 ...

Мітки: монокристал, галію, об'ємний, основа, варіанти, нітриду, епітаксії

Формула / Реферат:

1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...

Спосіб одержання монокристалів сполук талію(і)сульфотетрахлориду tl6scl4 і талію(і)сульфотетраброміду tl6sbr4

Завантаження...

Номер патенту: 70133

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Габорець Наталія Йосипівна, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Черешня Володимир Михайлович, Переш Євгеній Юлійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: C30B 9/00, C01G 15/00, C30B 11/00 ...

Мітки: сполук, одержання, tl6scl4, монокристалів, талію(і)сульфотетрахлориду, tl6sbr4, спосіб, талію(і)сульфотетраброміду

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу сполуки талію(І)сульфотетрахлориду Tl6SCl4, який включає вирощування монокристалу із розчину за методом Бріджмена, який відрізняється тим, що беруть вихідну шихту наступного складу (мол.%):Tl2S -29,00TlCl-71,00,при цьому для процесу вирощування монокристалу Tl6SCl4 встановлюють задану швидкість переміщення фронту кристалізації 0,1 - 0,3 мм/годину, температурний градієнт у зоні...

Процес та апарат для одержання об’ємного монокристала нітриду, що містить галій

Завантаження...

Номер патенту: 78705

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сєжпутовскі Лєшек Пьотр, Двілінскі Роберт Томаш, Канбара Ясуо, Дорадзінскі Роман Марек, Гарчінскі Єжи

МПК: C30B 7/00, C30B 9/00, C30B 29/40 ...

Мітки: нітриду, об`ємного, монокристала, галій, містить, апарат, одержання, процес

Формула / Реферат:

1. Процес одержання кристала галієвмісного нітриду, який включає наступні стадії:1) подають галієвмісний вихідний матеріал, компонент, що містить лужний метал, принаймні один зародок кристалізації та азотовмісний розчинник у щонайменше один контейнер;2) переводять азотовмісний розчинник у надкритичний стан;3) принаймні частково розчиняють галієвмісний вихідний матеріал при першій температурі і при першому тиску...

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті

Завантаження...

Номер патенту: 71914

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Матвіїв Мирон Васильович, Луців Роман Васильович

МПК: C30B 9/00, C30B 30/00, C30B 28/00 ...

Мітки: кристалів, спосіб, основі, напівпровідникових, халькогенідів, ртуті, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті методом твердотільної рекристалізації, який містить відпал в кварцевій ампулі полікристалічної матриці, який відрізняється тим, що відпал проводять у присутності порошку матеріалу матриці і активованого вугілля, що заповнює весь вільний простір ампули.

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 61318

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 9/00

Мітки: одержання, спосіб, кристала, тіогалату, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, розплавлення шихти тіогалату кадмію та її направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1.105-3.105 Па.

Розчинник вуглецю для синтезу алмазів

Завантаження...

Номер патенту: 10920

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Боримський Олександр Іванович, Нагорний Петро Арсенійович

МПК: C22C 38/02, B01J 3/06, C01B 31/06 ...

Мітки: розчинник, алмазів, синтезу, вуглецю

Формула / Реферат:

1. Растворитель углерода для синтеза алмазов, включающий железо и марганец, отличающийся тем, что он дополнительно содержит кремний при следующих соотношениях компонентов, маc. %:железо                        30,0-80,0марганец                    15,0-65,0кремний                     0,5-8,5.2. Растворитель углерода по п. 1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит, по крайней мере, один легирующий элемент,...