C30B 33/02 — термообробка

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора

Завантаження...

Номер патенту: 118459

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Зімич Андрій Іванович, Хвищун Микола В'ячеславович, Луньов Сергій Валентинович, Маслюк Володимир Трохимович

МПК: C30B 33/04, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: спосіб, мікросенсора, магніточутливого, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора, що включає одержання напівпровідникового домішкового монокристалу, піддавання його ізотермічному відпалу та з'єднання після охолодження до кімнатної температури з двома парами контактів, який відрізняється тим, що домішковий монокристал виготовляють з речовини n-типу провідності, та додатково опромінюють його потоком високоенергетичних електронів, а ізотермічний відпал здійснюють після...

Комплекс для високотемпературного відпалу рубінів і синіх сапфірів

Завантаження...

Номер патенту: 104018

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Ємельянов Ігор Олександрович, Бєлєвцев Олександр Рудольфович, Грущинська Олена Володимирівна, Лисенко Олексій Юрійович, Манохін Олексій Георгійович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Мітки: комплекс, синіх, рубінів, високотемпературного, відпалу, сапфірів

Формула / Реферат:

1. Комплекс для високотемпературного відпалу рубінів і синіх сапфірів, що включає модуль печі для відпалу, модуль контролю температури і модуль управління газовим режимом, кожний з яких інтегрований з керуючим модулем, та модуль живлення, який відрізняється тим, що додатково містить модуль дефектоскопії, що включає рентгенофлуоресцентний аналізатор, гемологічний мікроскоп та блок бази даних характеристик рубінів і синіх сапфірів,...

Спосіб термообробки сцинтиляційних кристалів сульфіду цинку, активованих селеном

Завантаження...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Жуков Олександр Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Зеня Ігор Михайлович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/48

Мітки: спосіб, активованих, термообробки, кристалів, сцинтиляційних, селеном, цинку, сульфіду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки і пристрій-натікач для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 100736

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Бабич Вілик Максимович, Піскун Наталія Василівна, Баранський Петро Іванович, Асніс Юхим Аркадійович, Статкевич Ігор Іванович

МПК: C30B 29/06, C30B 13/12, C30B 13/22 ...

Мітки: спосіб, кремнію, безтигельної, зонної, плавки, методом, монокристалів, легованих, одержання, здійснення, пристрій-натікач, електронно-променевої

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки, який полягає в тому, що розплавляють зону вихідного стрижня дисковим електронним променем і подають легуючу домішку у плавильну камеру, яка вакуумується, при цьому газ легуючої домішки подають безпосередньо в плавильну камеру за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу...

Спосіб очищення оборотів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 94312

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Гринь Григорій Васильович, Гаврилюк Олег Якович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/06, C30B 15/00 ...

Мітки: очищення, кремнію, оборотів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає плавлення оборотів кремнію електронним променем в плавильній ємності у вакуумі, витримку розплаву, зливання розплаву в тигель, який відрізняється тим, що плавлення і витримку розплаву ведуть в потоці інертного чи реакційного газу над поверхнею розплаву при глибині розплаву не більше ніж 5 см та максимальній потужності електронного променя, яка не призводить до кипіння розплаву.

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 29/46, C01G 9/00, C01B 19/00 ...

Мітки: термообробки, активованих, спосіб, кристалів, селеніду, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: спосіб, цинку, селеніду, активованих, кристалів, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 86104

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Тупіцина Ірина Аркадіївна, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: сцинтиляційних, термообробки, монокристалів, кадмію, спосіб, вольфрамату

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію, що включає нагрівання і витримку монокристалів з наступним їх охолодженням, який відрізняється тим, що монокристали нагрівають в відновній атмосфері при температурі 550-800 °С .

Оптичний германій

Завантаження...

Номер патенту: 81729

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Пекар Григорій Соломонович, Сингаївський Олександр Федорович

МПК: C30B 29/08, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: германій, оптичний

Формула / Реферат:

Кристали оптичного германію, що містять електрично-активні атоми донорної домішки у концентрації 1·1013-5·1014см-3, які відрізняються тим, що як донорну домішку використовують натрій.

Спосіб обробки алмазів

Завантаження...

Номер патенту: 25246

Опубліковано: 25.07.2007

Автор: Бондаренко Сергій Вікторович

МПК: C01B 31/06, C30B 29/04, C30B 33/02, C30B 33/04 ...

Мітки: алмазів, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки алмазів, що включає дію електронного пучка з інтегральним потоком в інтервалі 5.10-5-5.1018 електрон/см2 і відпалу в інтервалі температур 300-1900 °С, який відрізняється тим, що дії електронного пучка з одночасно діючим електричним полем напруженістю понад 10 В/см піддають принаймні одну локальну ділянку кристала для надання цій ділянці певного колірного відтінку.

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/02

Мітки: селеніду, домішкою, спосіб, термообробки, основі, легованого, ізовалентною, цинку, сцинтиляційного, кристала, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорійович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бабійчук Інна Петрівна, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/10

Мітки: свинцю, вольфрамату, термічної, спосіб, монокристалів, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Спосіб термообробки виробів з монокристалів сапфіра з титаном (тикору)

Завантаження...

Номер патенту: 53469

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євген Володимирович, Буй Алєксандр Алєксандровіч

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Мітки: спосіб, термообробки, монокристалів, сапфіра, виробів, тикору, титаном

Формула / Реферат:

1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.

Ультразвуковий спосіб орієнтування металевих монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 65682

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Кабанов Анатолій Єгорович, Клочко Аркадій Вікторович, Тіманюк Володимир Олександрович

МПК: C30B 33/04, C30B 33/02, C30B 33/00 ...

Мітки: ультразвуковий, спосіб, монокристалів, орієнтування, металевих

Формула / Реферат:

Ультразвуковий спосіб орієнтування металевих монокристалів, що включає пропускання ультразвуку крізь охолоджений до температури рідкого гелію зразок у напрямку відкритої поверхні Фермі, уміщення зразка в магнітне поле 5-15 кВ, яке спрямоване перпендикулярно розповсюдженню ультразвуку, реєстрацію піків поглинання при зміщенні кута між напрямком розповсюдження ультразвуку і магнітним полем, який відрізняється тим, що вказаний кут змінюють в...

Спосіб отримання монокристалів cdte:cl p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 65336

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Писклинець Уляна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 33/02, C30B 31/00

Мітки: монокристалів, спосіб, провідності, отримання, p-типу, cdte:cl

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 57145

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорійович, Коневський Віктор Семенович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/34

Мітки: монокристалів, відпалу, гадолінію, ортосилікату, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію шляхом нагрівання монокристалів до температури відпалу по нелінійному закону, наступної ізотермічної витримки при цій температурі і зниженням температури також по нелінійному закону, який відрізняється тим, що відпал монокристалів відтворюють у тепловому полі з осьовим градієнтом температури від 0,3 до 0,75 град/см, підвищують температуру до 600 - 750°С зі швидкістю 28 - 33 град/г, потім до...

Спосіб термообробки виробів з монокристалів сапфіра з титаном (тикора)

Завантаження...

Номер патенту: 53469

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Буй Алєксандр Алєксандровіч, Кривоносов Євген Володимирович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/20

Мітки: монокристалів, спосіб, титаном, виробів, тикора, сапфіра, термообробки

Формула / Реферат:

1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.

Спосіб отримання термоелектричних сплавів свинець телур – германій телур

Завантаження...

Номер патенту: 43991

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Михайльонка Руслан Ярославович, Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 33/02, C30B 11/02

Мітки: германій, отримання, свинець, сплавів, спосіб, телур, термоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів PbTe-GeTe, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Спосіб виготовлення великогабаритних полікристалічних пластин із оптичних та сцинтиляційних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 25044

Опубліковано: 25.12.1998

Автори: Чернишов Олександр Антонович, Осадчий Федір Антонович, Ілюха Олександр Іванович, Онопрієнко Петро Миколайович, Семиноженко Володимир Петрович, Гордієнко Людмила Сергійовна

МПК: C30B 29/00, C30B 33/02

Мітки: сцинтиляційних, оптичних, великогабаритних, пластин, спосіб, матеріалів, виготовлення, полікристалічних

Формула / Реферат:

Способ изготовления крупногабаритных поликристаллических пластин из оптических и сцинтилляционных материалов, включающий нагрев кристаллической заготовки до температуры 0,5Tпл < T < Tпл, где Tпл - температура плавления исходного материала, термомеханическое деформирование одноосным сжатием и последующее охлаждение, до комнатной температуры, отличающийся тем, что термомеханическое деформирование одноосным сжатием осуществляют с помощью...

Спосіб одержання оптичних деталей з лужно-галоїдних кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 24066

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Трохименко Володимир Васильович, Давиденко Микола Іванович, Бугай Олена Абрамівна

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00, C30B 33/02 ...

Мітки: деталей, лужно-галоїдних, спосіб, кристалів, одержання, оптичних

Формула / Реферат:

1. Способ получения оптических деталей из щелочно-галоидных кристаллов, включающий резку цилиндрического кристалла на заготовки, их нагрев и выдержку при температуре 460~600°С с последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что резку осуществляют аксиально боковой поверхности кристалла до толщины заготовок h и длины не более 3,14 R, где R - радиус заготовки, нагрев ведут со скоростью 30-50°С/ч, выдержку осуществляют в...

Спосіб термообробки монокристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 16664

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Вострецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Овечкін Андрій Євгенійович

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: монокристалів, вольфрамату, термообробки, спосіб, кадмію

Формула / Реферат:

Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий нагрев, выдер­жку и охлаждение в кислородсодержащей атмос­фере, отличающийся тем. что, с целью увеличе­ния выхода годных и повышения светового выхода кристаллов, предварительно нагрев ведут со скоро­стью 50-100 град/ч при непрерывной откачке до 380-450°С с последующей выдержкой в течение 2-5 ч, затем откачку прекращают, вводят кисло­родсодержащую атмосферу, продолжают нагрев...

Спосіб обробки кристалічних елементів на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Бороденко Юрій Афанасійович, Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/48

Мітки: обробки, цинку, спосіб, основі, селеніду, кристалічних, елементів

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...

Спосіб термообробки оптичних елементів із селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Файнер Михайло Шайович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Мітки: термообробки, оптичних, спосіб, селеніду, цинку, елементів

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.

Спосіб термообробки кристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 9942

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Рижиков Володимир Діамидович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: кристалів, вісмуту, германату, термообробки, спосіб

Текст:

...что нагрев, выдержку и охлаждение кристаллов BGO в кислородсодержащей атмосфере с цепью улучшения сцинтилляционных параметров и увеличения выхода годных кристаллов осуществляют в следующих режимах; нагрев со скоростью 75-200 град/час до температуры 990 + 40°С, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2 часов с пропусканием через кристалл постоянного электрического тока 2 плотностью 0,05-0.25 мА/см , охлаждение со скоростью 50-100 град/час...

Спосіб відновлення тиглів з коштовних металів для вирошування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 6395

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кривошеін Вадим Іванович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бондар Валерій Григорович, Мартинов Валерій Павлович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/02

Мітки: вирошування, відновлення, монокристалів, коштовних, металів, тиглів, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ восстановления тиглей из драгоценных металлов для выращивания монокристаллов, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что перед прокаткой тигель отжигают при 1200-1400°С и давлении 101-10-3 торр в течение 0,5-5,0 часов.

Спосіб термообробки кристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 5190

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: кристалів, спосіб, вісмуту, германату, термообробки

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов гepманата висмута, включающий нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/час, выдержку и последующее охлаждение в кислородсодержащей атмосфере сначала со скоростью 50-100 град/час до температуры 900-960°С, а затем со скоростью 100-200 град/час, отличающийся тем, что кислородсодержащую атмосферу создают путем ведения процесса в замкнутом объеме в присутствии пятиокиси сурьмы в количестве 0,2-2,0 г/м3, а...