C30B 29/48 — з’єднання типу A

Спосіб отримання шихти селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Звєрєва Віра Сергіївна, Галкін Сергій Миколайович, Рибалка Ірина Анатоліївна

МПК: C01G 9/00, C30B 29/46, C01B 19/00 ...

Мітки: селеніду, спосіб, отримання, шихти, цинку

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte

Завантаження...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Колісник Михайло Георгійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Фочук Петро Михайлович, Мисевич Ігор Захарович, Вахняк Надія Дмитрівна, Раренко Іларій Михайлович, Захарук Зінаїда Іванівна, Дремлюженко Сергій Григорович

МПК: C30B 13/02, C30B 1/00, C30B 13/10 ...

Мітки: cdxzn1-xte, монокристалів, твердих, вирощування, cdxmn1-xte, спосіб, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Спосіб термообробки сцинтиляційних кристалів сульфіду цинку, активованих селеном

Завантаження...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Зеня Ігор Михайлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Жуков Олександр Вікторович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційних, сульфіду, кристалів, спосіб, активованих, цинку, термообробки, селеном

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 102784

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Малюкін Юрій Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Жуков Олександр Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Зеня Ігор Михайлович

МПК: C30B 29/48

Мітки: цинку, сульфіду, основі, сцинтиляційний, матеріал

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Старжинський Микола Григорович, Зеня Ігор Михайлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Жуков Олександр Вікторович

МПК: C30B 29/48

Мітки: одержання, селеніду, цинку, основі, активованого, сцинтиляційного, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Спосіб вирощування монокристалів сполук а2в6

Завантаження...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Мітки: вирощування, монокристалів, а2в6, сполук, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук аiiвvi та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/48, H01L 31/0264

Мітки: спосіб, напівпровідниковий, одержання, матеріал, аiiвvi, сполук, основі, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку

Завантаження...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48

Мітки: основі, халькогенідів, сцинтиляційного, одержання, спосіб, матеріалу, напівпровідникового, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n-типу на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: селеніду, одержання, основі, спосіб, матеріалу, напівпровідникового, цинку, n-типу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром

Завантаження...

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: одержання, телуром, основі, спосіб, активованого, сцинтилятора, цинку, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Спосіб термообробки сировини для одержання кристалів селеніду цинку, що активований телуром

Завантаження...

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Носачов Борис Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Лисецька Олена Костянтинівна, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/00

Мітки: селеніду, кристалів, сировини, термообробки, одержання, спосіб, телуром, цинку, активованій

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Спосіб одержання кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16678

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Носачев Борис Григорович, Лисецька Олена Костянтинівна, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: селеніду, цинку, спосіб, одержання, кристалів

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную на­правленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кисло­той, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...

Спосіб одержання оптично прозорих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16736

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: прозорих, одержання, оптично, кристалів, селеніду, спосіб, цинку

Формула / Реферат:

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка, включающий их на­грев в печи, отличающийся тем, что, с целью сни­жения коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона, кристалл последова­тельно перемещают в рабочем объеме печи через зоны трех нагревателей с профилями градиента температур, изменяющимися по синусоиде, при­чем профили градиента температур двух боковых и центрального нагревателей в проекции на...

Спосіб одержання кристалів селениду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16716

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кулик Валерій Миколайович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: цинку, одержання, кристалів, селеніду, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий загрузку в графитовый контейнер исходного материала, плавление его в компрессионной печи и кристаллизацию в услови­ях градиента температуры при избытке давления инертного газа, не превышающего кристаллизаци­онное давление, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 3,2- 10' см' на длине волны 10,6 мкм, предварительно...

Сцинтиляційний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 16730

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Вербицький Олег Петрович, Битеман Віктор Борисович, Сенчишин Віталій Георгійович

МПК: G01T 1/20, C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційний, матеріал

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал для детек­торов ионизирующих излучений, состоящий изкристаллов сцинтиллятора и органической диспер­сионной среды, отличающийся тем, что, с целью расширения вида регистрируемого ионизирующе-го излучения при повышении его радиационной стойкости, он содержит в качестве сцинтиллятора поликристаллы твердого раствора соединений А^В^ с размером 0,01-1,00 мм при следующем соотношении компонентов, об. %:...

Hапівпровідhиковий сциhтиляційhий матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 16669

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Вербицький Олег Петрович, Рижиков Володимир Діомидович, Носачов Борис Григорійович

МПК: C30B 29/48, G01T 1/202

Мітки: hапівпровідhиковий, сциhтиляційhий, матеріал

Формула / Реферат:

Полупроводниковый сцинтилляционный ма­териал на основе соединения А В с активирую­щей добавкой одного из компонентов, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения эффективно­сти и расширения спектрального диапазона люми­несценции, материал дополнительно содержит вторую добавку одного из компонентов, образую­щую с исходным соединением твердый раствор за­мещения, при этом в качестве активатора и замещающей добавки выбраны компоненты, обра­зующие...

Спосіб обробки кристалічних елементів на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Бороденко Юрій Афанасійович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/48

Мітки: елементів, спосіб, кристалічних, обробки, основі, цинку, селеніду

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...

Спосіб одержання кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16677

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович, Кулик Валерій Миколайович

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: спосіб, цинку, одержання, кристалів, селеніду

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий сплавление исходных компонен­тов в графитовом тигле и выращивание кристаллов под давлением инертного газа в градиенте темпе­ратур, отличающийся тем, что, с целью улучше­ния оптических характеристик кристаллов за счет снижения в них содержания примесных элемен­тов, исходный селенид цинка предварительно очи­щают путем кристаллизации из раствора в расплаве хлорида калия и (или) натрия и...

Спосіб одержання кристалів халькогенидів типу a-ii b-vi

Завантаження...

Номер патенту: 11188

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Іванов Микола Петрович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Файнер Михайло Шаєвич

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02, C30B 29/50 ...

Мітки: типу, одержання, кристалів, халькогенідів, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ получения кристаллов халькогенидов типа A||BVI, где A|| - металл, a BVI -халькоген, включающий термообработку исходного соединения в атмосфере дезоксидирующего газа и выращивание кристаллов направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что в качестве дезоксидирующего используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом при 850 - 950°С, а термообработку ведут при...

Спосіб отримання полікристала на основі сульфіду цинка

Завантаження...

Номер патенту: 12086

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Козицький Сергій Васильович, Писарський Віталій Павлович, Поліщук Дмитро Дмитрович, Золотко Андрій Никонович

МПК: C30B 29/48

Мітки: полікристала, основі, спосіб, отримання, цинка, сульфіду

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристалла на осно­ве сульфида цинка путем послойного горения ших­ты, спрессованной из порошков исходных элементов, в замкнутом объеме под давлением инертного газа при инициировании горения в под­жигающем слое шихты того же состава, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения плотности поликристалла и улучшения его структуры, по­рошки исходных элементов берут дисперсностью не более 10 мкм в соотношении, соответствующем...