C30B 29/06 — кремній

Спосіб отримання композитного фотокаталізатора

Завантаження...

Номер патенту: 122252

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Турко Борис Ігорович, Парандій Петро Петрович, Серкіз Роман Ярославович, Топоровська Лілія Романівна

МПК: B82B 3/00, C01B 33/00, C30B 29/06 ...

Мітки: отримання, фотокаталізатора, спосіб, композитного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання композитного фотокаталізатора, за яким з розчину реагентів вирощують наноструктури ZnO з n-типом електропровідності на шарі зародків ZnO з n-типом електропровідності, що міститься на поруватому кремнії з р-типом електропровідності, який відрізняється тим, що як наноструктури використовують наноквіти ZnO з розвиненою поверхнею.

Спосіб отримання сонячних елементів на монокристалічному кремнії з використанням нанорозмірного поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна

МПК: C30B 29/06, H01L 31/00, H01L 21/00 ...

Мітки: монокристалічному, елементів, спосіб, кремнію, використанням, кремнії, нанорозмірного, поруватого, сонячних, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Кристалізатор та спосіб для виробництва монокристалічної напівпровідникової заготовки

Завантаження...

Номер патенту: 112879

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 29/06 ...

Мітки: виробництва, кристалізатор, напівпровідникової, спосіб, монокристалічної, заготовки

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за 1400 °C, вищезгаданий верхній шар здатен до...

Кристалізатор для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Мартен Крістіан, Дюбуа Лоран, Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 28/06, C30B 11/00, C30B 11/14 ...

Мітки: кристалізатор, спосіб, виготовлення, напівпровідникових, виробництва, заготовок, кристалічних

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 107555

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Форвальд Карл, Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тимур Вікторович, Берінгов Сергій Борисович, Хенриксен Бьорн Руне, Черпак Юрій Володимирович

МПК: C01B 33/037, C30B 29/06

Мітки: виробництва, фотогальванічних, полікристалічного, виготовлення, сонячних, придатного, елементів, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів, що включає плавлення металургійного кремнію, попередньо обробленого шляхом шлакування силікатом кальцію з наступними кристалізацією кремнію після шлакування та вилуговуванням кремнію розчином кислотного вилуговування для видалення домішок, кристалізацію розплаву попередньо обробленого металургійного кремнію з одержанням зливка...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках

Завантаження...

Номер патенту: 107167

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Гринь Григорій Васильович, Алєксєєнко Олександр Володимирович, Онищенко Олександр Веніамінович

МПК: C01B 33/02, C30B 33/00, C30B 15/00, C30B 29/06 ...

Мітки: одержання, спосіб, полікристалічного, кремнію, зливках

Формула / Реферат:

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, очищення та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом витягування зливка полікристалічного кремнію із розплаву на затравку з вуглецевого матеріалу при швидкості обертання тигля не менше 15 об./хв, при цьому над поверхнею розплаву створюють горизонтальний...

Спосіб одержання придатного для виготовлення сонячних елементів зливка мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 107030

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/02, C01B 33/00, C30B 29/06, H01L 31/048 ...

Мітки: придатного, сонячних, виготовлення, елементів, зливка, мультикристалічного, кремнію, спосіб, одержання, індукційним, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання придатного для виготовлення сонячних елементів зливка мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає:попереднє задання діапазону питомого опору і типу електропровідності зливка, що одержують,вибір принаймні одного додаткового легуючого елемента,визначення розрахункового розподілу питомого опору зливка, що мають одержати, з урахуванням легуючого елемента або легуючих елементів, що є у...

Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді і установка для одержання зливків кремнію, що його містить

Завантаження...

Номер патенту: 107029

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00, C30B 15/08, C30B 29/06 ...

Мітки: плавильній, матеріалу, розплавленому, містить, завантажувального, одержання, зливків, вигляді, подачі, вузол, кремнію, установка

Формула / Реферат:

1. Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді, що включає тигель плавильного вузла, оточений ізоляцією та індукційним нагрівачем, і бункер подачі кускової шихти, де тигель плавильного вузла має отвір, причому, плавильний вузол виконаний з можливістю розташування над тиглем для одержання зливків кремнію, який відрізняється тим, що отвір тигля плавильного вузла розташований в верхнійчастині його стінки і...

Спосіб очищення кремнію методом електронно-променевої плавки

Завантаження...

Номер патенту: 106916

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Пікулін Олександр Миколайович, Березос Володимир Олександрович, Северин Андрій Юрійович, Ахонін Сергій Володимирович

МПК: C30B 13/00, C01B 33/037, C22B 9/22 ...

Мітки: плавки, електронно-променевої, спосіб, методом, очищення, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб вакуумного очищення кремнію, що включає завантаження кремнію, що очищається, в тигель, розплавлення його з використанням електронно-променевого нагріву у вакуумі, витримку розплаву в тиглі для випару домішок і його кристалізацію з отриманням очищеного кремнію, який відрізняється тим, що процес очищення проводиться в чотири стадії: на першій стадії очищення кремнію проводять шляхом розплавлення в кварцовій проміжній ємності з...

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом та холодний тигель, використаний в ньому

Завантаження...

Номер патенту: 104640

Опубліковано: 25.02.2014

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, B22D 11/041, B22D 11/01 ...

Мітки: зливків, методом, індукційним, холодний, тигель, ньому, використаний, одержання, мультикристалічного, пристрій, кремнію

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, які утворюють плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/10, C30B 29/06, C23C 4/04 ...

Мітки: злитка, чохральського, підготовки, вирощування, великого, методом, спосіб, діаметра, монокристалічного, тигля

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Спосіб завершення росту монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 101298

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/14

Мітки: росту, спосіб, монокристалів, завершення

Формула / Реферат:

1. Спосіб завершення росту монокристалів, переважно кремнію, при вирощуванні їх за методом Чохральського з відокремленням кристала від розплаву та його охолодженням, який відрізняється тим, що перед відокремленням тигель та кристал переміщують у зону нагрівання.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що швидкість переміщення кристала поступово збільшують до швидкості переміщення тигля.

Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки і пристрій-натікач для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 100736

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Бабич Вілик Максимович, Асніс Юхим Аркадійович, Баранський Петро Іванович, Піскун Наталія Василівна, Статкевич Ігор Іванович

МПК: C30B 13/12, C30B 33/02, C30B 29/06, C30B 13/22 ...

Мітки: монокристалів, безтигельної, плавки, здійснення, одержання, спосіб, методом, пристрій-натікач, зонної, легованих, кремнію, електронно-променевої

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки, який полягає в тому, що розплавляють зону вихідного стрижня дисковим електронним променем і подають легуючу домішку у плавильну камеру, яка вакуумується, при цьому газ легуючої домішки подають безпосередньо в плавильну камеру за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу...

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків

Завантаження...

Номер патенту: 72174

Опубліковано: 10.08.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/02, C30B 29/06 ...

Мітки: вирощування, злитків, спосіб, мультикристалічних, кремнієвих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який відрізняється тим, що додаткову кремнієву сировину переміщують за допомогою пристрою для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків з його бункера до камери печі вирощування на тверду кремнієву пробку, що утворюється на поверхні розплаву.

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків

Завантаження...

Номер патенту: 67692

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 29/06

Мітки: пристрій, печі, вирощування, злитків, завантаження, мультикристалічних, кремнієвих

Формула / Реферат:

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який характеризується тим, що складається з накопичувального бункера, вібратора, подавальної труби та пристрою, контролюючого введення додаткової маси кремнієвої сировини.

Спосіб очищення кремнієвмісного матеріалу низької чистоти, застосування барабанної печі у ньому, розплав кремнієвмісного матеріалу, відхідні гази та твердий полікристалічний кремній, одержані цим способом

Завантаження...

Номер патенту: 97488

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Буасвер Рене, Леблан Домінік

МПК: F27B 7/06, C30B 29/06, C01B 33/037, C01B 33/02 ...

Мітки: чистоти, полікристалічний, цим, газі, способом, одержані, низької, кремнієвмісного, розплав, відхідні, спосіб, застосування, печі, барабанної, очищення, твердий, ньому, кремній, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення кремнієвмісного матеріалу низької чистоти, який включає етапи, на яких:(a) забезпечують плавильний пристрій, обладнаний кисневим пальником, і(b) в цьому плавильному пристрої плавлять кремнієвмісний матеріал низької чистоти з одержанням розплаву кремнієвмісного матеріалу більш високої чистоти.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що плавильний пристрій з етапу (а) включає в себе барабанну...

Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 67361

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Власенко Тимур Вікторович, Берінгов Сергій Борисович, Яцюк Сергій Анатолійович, Лясковський Олександр Анатолійович, Андрієнко Віктор Богданович, Бучовська Ірина Богданівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/06

Мітки: придатного, зливків, кремнію, установка, методом, кристалізації, сонячних, вирощування, елементів, виготовлення, направленої

Формула / Реферат:

1. Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації, що включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з...

Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 96558

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тимур Вікторович, Власюк Марина Сергіївна

МПК: C30B 29/06, C30B 15/02, C01B 33/00, H01L 31/048 ...

Мітки: одержання, злитка, придатного, сонячних, кремнію, спосіб, елементів, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, що включає вибір щонайменше одного легуючого елемента, одержання розплаву з вихідної сировини та вирощування злитка, який відрізняється тим, що попередньо задають діапазон питомого опору та тип електропровідності злитка, що мають одержати, додатково визначають тип електропровідності гаданого злитка з вихідної сировини, вибір легуючого елемента здійснюють з...

Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 95326

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Шифрук Олександр Сергійович, Кравченко Олександр Володимирович, Тьощин Володимир Вікторович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: B05D 5/08, C30B 29/06, B05D 3/02 ...

Мітки: тигля, підготовки, спосіб, формування, зливка, кремнію, розплаву, кварцового, твердого

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву, що включає приготування водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози для нанесення антиадгезійного покриття, формування антиадгезійного покриття на внутрішній поверхні нагрітого кварцового тигля шляхом нанесення в дві стадії водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози та наступне випалювання кварцового тигля з сформованим антиадгезійним...

Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 95131

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Шевчук Андрій Леонідович, Онищенко Володимир Євгенович, Марченко Степан Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович, Позігун Сергій Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович, Шкульков Анатолій Васільєвич

МПК: B22D 11/16, B22D 11/041, C30B 21/00 ...

Мітки: одержання, методом, зливків, спосіб, кремнію, індукційним, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, який включає подачу шихти кремнію у плавильний простір охолоджуваного тигля, оточеного індуктором, формування дзеркала розплаву, плавлення при контролі вихідних параметрів джерела живлення індуктора і витягування зливка мультикристалічного кремнію при контрольованому його охолодженні, який відрізняється тим, що при плавленні встановлюють масову швидкість подачі...

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 94784

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Чепурний Богдан Васильович, Онищенко Володимир Євгенович, Позігун Сергій Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович, Марченко Степан Анатолійович

МПК: C30B 29/06, B22D 11/01

Мітки: мультикристалічного, кремнію, методом, пристрій, індукційним, одержання, зливків

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що містить камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхвачений індуктором охолоджуваний тигель з рухомим дном та чотирма стінками, котрі складені з секцій, що розділені вертикальними щілинами, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване нижче охолоджуваного тигля, відділення контрольованого охолодження, причому внутрішньою...

Спосіб очищення оборотів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 94312

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Гаврилюк Олег Якович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: кремнію, очищення, оборотів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає плавлення оборотів кремнію електронним променем в плавильній ємності у вакуумі, витримку розплаву, зливання розплаву в тигель, який відрізняється тим, що плавлення і витримку розплаву ведуть в потоці інертного чи реакційного газу над поверхнею розплаву при глибині розплаву не більше ніж 5 см та максимальній потужності електронного променя, яка не призводить до кипіння розплаву.

Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Онищенко Володимир Євгенович, Берінгов Сергій Борисович, Шевчук Андрій Леонідович, Черпак Юрій Володимирович, Марченко Степан Анатолійович, Шкульков Анатолій Васілієвіч, Позігун Сергій Анатолійович

МПК: B22D 11/00, B22D 11/08, C30B 11/00 ...

Мітки: зливків, індукційним, здійснення, методом, одержання, пристрій, полікристалічного, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 44908

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/06

Мітки: кремнію, спосіб, кремнієвих, виготовлення, пластин, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію, що включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини, який відрізняється тим, що додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані 0,1-10 мм.

Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин

Завантаження...

Номер патенту: 43896

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/06

Мітки: монокристалічних, пластин, виготовлення, кремнієвих, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск...

Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву та пристрій сигналізації протікання розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Кравченко Віктор Леонович, Єлісєєв Валерій Андрійович, Куліковський Станіслав Володимирович

МПК: C30B 35/00, C01B 33/00, C30B 15/00, C30B 29/06 ...

Мітки: розплаву, протікання, пристрій, одержання, кремнію, сигналізації, індикацією

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка еремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом чохральського, методом зонної плавки

Завантаження...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Детлофф Крістіан, Фр'єстад Кеннет

МПК: C01B 33/00, C30B 13/00, C01B 33/02 ...

Мітки: методом, шляхом, зонної, одержуваного, кристалізації, чохральського, еремнію, полікристалічного, виготовлення, зливка, плавки, спосіб, направленої

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Спосіб і пристрій для рафінування розплавленого матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 86168

Опубліковано: 25.03.2009

Автор: Фр'єстад Кеннет

МПК: C30B 35/00, C30B 15/10, C30B 29/06 ...

Мітки: рафінування, спосіб, розплавленого, матеріалу, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб рафінування матеріалу, який включає стадії: утворення розплаву матеріалу в ємності; приведення температурно-контрольованої контактної поверхні у контакт з поверхнею розплаву, при цьому вказана температурно-контрольована контактна поверхня не контактує зі стінками ємності і забезпечує кристалізацію розплавленого матеріалу та його утримування; і поступової кристалізації розплавленого матеріалу зверху вниз з утворенням твердого зливка...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Шифрук Олександр Сергійович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович, Коломоєць Сергій Дмитрович

МПК: C30B 15/10, C30B 29/06

Мітки: методом, тигля, спосіб, підготовки, вирощування, монокристалічного, чохральського, злитка

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Спосіб очищення силіцію

Завантаження...

Номер патенту: 12665

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Соловйов Олег Володимирович

МПК: C01B 33/021, C30B 29/06

Мітки: силіцію, спосіб, очищення

Формула / Реферат:

Спосіб очищення силіцію, що включає введення силіцію в розплав металу-розчинника, нагрівання розплаву, створення температурного градієнта уздовж тигля й кристалізацію силіцію на кристалі-запалі, зануреному в розплав, який відрізняється тим, що введення силіцію в розплав галію (металу-розчинника) здійснюють шляхом закріплення силіцію на дні тигля при нагріванні розплаву до 800-1000°С, створення температурного градієнту 4-8°С/см й кристалізації...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Святелик Володимир Федосійович, Скобаро Андрій Олексійович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/06, H01L 21/02 ...

Мітки: елементів, пластин, одержання, кремнію, сонячних, мультикристалічного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович, Скобаро Андрій Олексійович

МПК: H01L 21/304, C30B 29/06, C30B 29/00 ...

Мітки: елементів, сонячних, пластин, кремнію, одержання, спосіб, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 39567

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Мокеєв Юрій Генадійович, Немчин Олександр Федорович

МПК: C30B 15/20, C30B 29/06

Мітки: кремнію, монокристалічного, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію, що включає розплавлення вихідного матеріалу, обертання розплаву i витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що визначають відстань від початкового рівня розплаву до верхнього краю тигля, процес ведуть із зміною зазначеної відстані при початковій частоті обертання тигля, меншій за таку для кристала, з поступовим збільшенням частоти обертання тигля відносно кристала i відповідною...

Кремній монокристалічний

Завантаження...

Номер патенту: 41605

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Мокеєв Юрій Генадійович, Немчин Олександр Федорович

МПК: C30B 29/06

Мітки: монокристалічний, кремній

Формула / Реферат:

1. Кремній монокристалічний, що містить мікродомішки кисню, вуглецю та легуючу добавку, який відрізняється тим, що він додатково містить мікродомішки заліза, міді та золота при такому їх співвідношенні, ат/см3: кисень 7·1017 - 1,1·1018 вуглець 5·1016 - 3·1017 легуюча добавка 2,3·1013 – 1,2·1017 залізо 5·1015 -...

Спосіб вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів для струнних резонаторів

Завантаження...

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Красножонов Євген Павлович, Байцар Роман Іванович, Островська Анастасія Степанівна, Островський Петро Іванович

МПК: C30B 29/06, C30B 29/00

Мітки: напівпровідникових, вирощування, кристалів, спосіб, резонаторів, струнних, ниткоподібних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...