C30B 29/06 — кремній

Кристалізатор та спосіб для виробництва монокристалічної напівпровідникової заготовки

Завантаження...

Номер патенту: 112879

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 29/06 ...

Мітки: напівпровідникової, монокристалічної, спосіб, виробництва, заготовки, кристалізатор

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за 1400 °C, вищезгаданий верхній шар здатен до...

Кристалізатор для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Ранкулі Гілберт, Мартен Крістіан, Дюбуа Лоран

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 28/06 ...

Мітки: кристалізатор, спосіб, виготовлення, напівпровідникових, виробництва, кристалічних, заготовок

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Винаходи категорії «кремній» в СРСР.

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 107555

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Черпак Юрій Володимирович, Форвальд Карл, Бучовська Ірина Богданівна, Берінгов Сергій Борисович, Хенриксен Бьорн Руне, Власенко Тимур Вікторович

МПК: C01B 33/037, C30B 29/06

Мітки: спосіб, кремнію, фотогальванічних, придатного, виробництва, полікристалічного, сонячних, елементів, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів, що включає плавлення металургійного кремнію, попередньо обробленого шляхом шлакування силікатом кальцію з наступними кристалізацією кремнію після шлакування та вилуговуванням кремнію розчином кислотного вилуговування для видалення домішок, кристалізацію розплаву попередньо обробленого металургійного кремнію з одержанням зливка...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках

Завантаження...

Номер патенту: 107167

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Гринь Григорій Васильович, Онищенко Олександр Веніамінович, Алєксєєнко Олександр Володимирович

МПК: C01B 33/02, C30B 29/06, C30B 33/00, C30B 15/00 ...

Мітки: одержання, зливках, спосіб, полікристалічного, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, очищення та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом витягування зливка полікристалічного кремнію із розплаву на затравку з вуглецевого матеріалу при швидкості обертання тигля не менше 15 об./хв, при цьому над поверхнею розплаву створюють горизонтальний...

Спосіб одержання придатного для виготовлення сонячних елементів зливка мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 107030

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/02, C01B 33/00, H01L 31/048, C30B 29/06 ...

Мітки: індукційним, мультикристалічного, придатного, зливка, сонячних, виготовлення, спосіб, методом, одержання, елементів, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання придатного для виготовлення сонячних елементів зливка мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає:попереднє задання діапазону питомого опору і типу електропровідності зливка, що одержують,вибір принаймні одного додаткового легуючого елемента,визначення розрахункового розподілу питомого опору зливка, що мають одержати, з урахуванням легуючого елемента або легуючих елементів, що є у...

Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді і установка для одержання зливків кремнію, що його містить

Завантаження...

Номер патенту: 107029

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/08, C30B 15/02, C30B 35/00, C30B 29/06 ...

Мітки: кремнію, одержання, подачі, розплавленому, вигляді, завантажувального, установка, матеріалу, вузол, зливків, містить, плавильній

Формула / Реферат:

1. Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді, що включає тигель плавильного вузла, оточений ізоляцією та індукційним нагрівачем, і бункер подачі кускової шихти, де тигель плавильного вузла має отвір, причому, плавильний вузол виконаний з можливістю розташування над тиглем для одержання зливків кремнію, який відрізняється тим, що отвір тигля плавильного вузла розташований в верхнійчастині його стінки і...

Спосіб очищення кремнію методом електронно-променевої плавки

Завантаження...

Номер патенту: 106916

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Березос Володимир Олександрович, Ахонін Сергій Володимирович, Пікулін Олександр Миколайович, Северин Андрій Юрійович

МПК: C22B 9/22, C01B 33/037, C30B 13/00 ...

Мітки: очищення, електронно-променевої, спосіб, плавки, методом, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб вакуумного очищення кремнію, що включає завантаження кремнію, що очищається, в тигель, розплавлення його з використанням електронно-променевого нагріву у вакуумі, витримку розплаву в тиглі для випару домішок і його кристалізацію з отриманням очищеного кремнію, який відрізняється тим, що процес очищення проводиться в чотири стадії: на першій стадії очищення кремнію проводять шляхом розплавлення в кварцовій проміжній ємності з...

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом та холодний тигель, використаний в ньому

Завантаження...

Номер патенту: 104640

Опубліковано: 25.02.2014

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, B22D 11/01, B22D 11/041 ...

Мітки: ньому, одержання, використаний, зливків, холодний, методом, кремнію, індукційним, тигель, пристрій, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, які утворюють плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C23C 4/04, C30B 15/10, C30B 29/06 ...

Мітки: монокристалічного, діаметра, підготовки, тигля, методом, злитка, вирощування, спосіб, чохральського, великого

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Спосіб завершення росту монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 101298

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/14

Мітки: росту, спосіб, завершення, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб завершення росту монокристалів, переважно кремнію, при вирощуванні їх за методом Чохральського з відокремленням кристала від розплаву та його охолодженням, який відрізняється тим, що перед відокремленням тигель та кристал переміщують у зону нагрівання.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що швидкість переміщення кристала поступово збільшують до швидкості переміщення тигля.

Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки і пристрій-натікач для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 100736

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Бабич Вілик Максимович, Баранський Петро Іванович, Асніс Юхим Аркадійович, Піскун Наталія Василівна, Статкевич Ігор Іванович

МПК: C30B 29/06, C30B 13/22, C30B 33/02, C30B 13/12 ...

Мітки: здійснення, пристрій-натікач, одержання, плавки, легованих, безтигельної, зонної, методом, кремнію, монокристалів, електронно-променевої, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки, який полягає в тому, що розплавляють зону вихідного стрижня дисковим електронним променем і подають легуючу домішку у плавильну камеру, яка вакуумується, при цьому газ легуючої домішки подають безпосередньо в плавильну камеру за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу...

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків

Завантаження...

Номер патенту: 72174

Опубліковано: 10.08.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/02, C30B 35/00 ...

Мітки: спосіб, злитків, кремнієвих, вирощування, мультикристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який відрізняється тим, що додаткову кремнієву сировину переміщують за допомогою пристрою для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків з його бункера до камери печі вирощування на тверду кремнієву пробку, що утворюється на поверхні розплаву.

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків

Завантаження...

Номер патенту: 67692

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 29/06

Мітки: печі, кремнієвих, вирощування, мультикристалічних, злитків, пристрій, завантаження

Формула / Реферат:

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який характеризується тим, що складається з накопичувального бункера, вібратора, подавальної труби та пристрою, контролюючого введення додаткової маси кремнієвої сировини.

Спосіб очищення кремнієвмісного матеріалу низької чистоти, застосування барабанної печі у ньому, розплав кремнієвмісного матеріалу, відхідні гази та твердий полікристалічний кремній, одержані цим способом

Завантаження...

Номер патенту: 97488

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Буасвер Рене, Леблан Домінік

МПК: C30B 29/06, C01B 33/037, F27B 7/06, C01B 33/02 ...

Мітки: твердий, спосіб, низької, полікристалічний, відхідні, барабанної, очищення, печі, чистоти, ньому, цим, способом, одержані, розплав, матеріалу, газі, кремнієвмісного, кремній, застосування

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення кремнієвмісного матеріалу низької чистоти, який включає етапи, на яких:(a) забезпечують плавильний пристрій, обладнаний кисневим пальником, і(b) в цьому плавильному пристрої плавлять кремнієвмісний матеріал низької чистоти з одержанням розплаву кремнієвмісного матеріалу більш високої чистоти.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що плавильний пристрій з етапу (а) включає в себе барабанну...

Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 67361

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Андрієнко Віктор Богданович, Берінгов Сергій Борисович, Яцюк Сергій Анатолійович, Лясковський Олександр Анатолійович, Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тимур Вікторович

МПК: C30B 29/06, C30B 11/00

Мітки: методом, кремнію, установка, вирощування, придатного, елементів, сонячних, направленої, зливків, виготовлення, кристалізації

Формула / Реферат:

1. Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації, що включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з...

Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 96558

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Власенко Тимур Вікторович, Власюк Марина Сергіївна, Берінгов Сергій Борисович, Бучовська Ірина Богданівна

МПК: C30B 29/06, H01L 31/048, C30B 15/02, C01B 33/00 ...

Мітки: сонячних, елементів, злитка, виготовлення, кремнію, одержання, придатного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, що включає вибір щонайменше одного легуючого елемента, одержання розплаву з вихідної сировини та вирощування злитка, який відрізняється тим, що попередньо задають діапазон питомого опору та тип електропровідності злитка, що мають одержати, додатково визначають тип електропровідності гаданого злитка з вихідної сировини, вибір легуючого елемента здійснюють з...

Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 95326

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Тьощин Володимир Вікторович, Берінгов Сергій Борисович, Кравченко Олександр Володимирович, Шифрук Олександр Сергійович

МПК: B05D 5/08, C30B 29/06, B05D 3/02 ...

Мітки: спосіб, розплаву, формування, твердого, тигля, підготовки, кремнію, зливка, кварцового

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву, що включає приготування водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози для нанесення антиадгезійного покриття, формування антиадгезійного покриття на внутрішній поверхні нагрітого кварцового тигля шляхом нанесення в дві стадії водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози та наступне випалювання кварцового тигля з сформованим антиадгезійним...

Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 95131

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Черпак Юрій Володимирович, Шевчук Андрій Леонідович, Позігун Сергій Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович, Онищенко Володимир Євгенович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Марченко Степан Анатолійович

МПК: B22D 11/16, C30B 21/00, B22D 11/041 ...

Мітки: одержання, методом, зливків, спосіб, кремнію, мультикристалічного, індукційним

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, який включає подачу шихти кремнію у плавильний простір охолоджуваного тигля, оточеного індуктором, формування дзеркала розплаву, плавлення при контролі вихідних параметрів джерела живлення індуктора і витягування зливка мультикристалічного кремнію при контрольованому його охолодженні, який відрізняється тим, що при плавленні встановлюють масову швидкість подачі...

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 94784

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Чепурний Богдан Васильович, Черпак Юрій Володимирович, Марченко Степан Анатолійович, Онищенко Володимир Євгенович, Берінгов Сергій Борисович, Позігун Сергій Анатолійович, Шкульков Анатолій Васільєвич

МПК: B22D 11/01, C30B 29/06

Мітки: кремнію, зливків, пристрій, методом, індукційним, мультикристалічного, одержання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що містить камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхвачений індуктором охолоджуваний тигель з рухомим дном та чотирма стінками, котрі складені з секцій, що розділені вертикальними щілинами, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване нижче охолоджуваного тигля, відділення контрольованого охолодження, причому внутрішньою...

Спосіб очищення оборотів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 94312

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Гаврилюк Олег Якович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: очищення, оборотів, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає плавлення оборотів кремнію електронним променем в плавильній ємності у вакуумі, витримку розплаву, зливання розплаву в тигель, який відрізняється тим, що плавлення і витримку розплаву ведуть в потоці інертного чи реакційного газу над поверхнею розплаву при глибині розплаву не більше ніж 5 см та максимальній потужності електронного променя, яка не призводить до кипіння розплаву.

Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Шкульков Анатолій Васілієвіч, Позігун Сергій Анатолійович, Марченко Степан Анатолійович, Онищенко Володимир Євгенович, Черпак Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шевчук Андрій Леонідович

МПК: B22D 11/08, B22D 11/00, C30B 11/00 ...

Мітки: зливків, одержання, здійснення, індукційним, полікристалічного, спосіб, методом, пристрій, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 44908

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/06

Мітки: спосіб, виготовлення, пластин, мультикристалічного, кремнієвих, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію, що включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини, який відрізняється тим, що додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані 0,1-10 мм.

Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин

Завантаження...

Номер патенту: 43896

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/06

Мітки: кремнієвих, спосіб, монокристалічних, пластин, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск...

Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву та пристрій сигналізації протікання розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Кравченко Віктор Леонович, Єлісєєв Валерій Андрійович, Берінгов Сергій Борисович, Куліковський Станіслав Володимирович

МПК: C01B 33/00, C30B 29/06, C30B 15/00, C30B 35/00 ...

Мітки: індикацією, протікання, розплаву, кремнію, пристрій, сигналізації, одержання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка еремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом чохральського, методом зонної плавки

Завантаження...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Детлофф Крістіан, Фр'єстад Кеннет

МПК: C30B 13/00, C01B 33/00, C01B 33/02 ...

Мітки: зливка, полікристалічного, кристалізації, методом, зонної, направленої, виготовлення, спосіб, шляхом, одержуваного, плавки, чохральського, еремнію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Спосіб і пристрій для рафінування розплавленого матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 86168

Опубліковано: 25.03.2009

Автор: Фр'єстад Кеннет

МПК: C30B 15/10, C30B 35/00, C30B 29/06 ...

Мітки: пристрій, матеріалу, спосіб, рафінування, розплавленого

Формула / Реферат:

1. Спосіб рафінування матеріалу, який включає стадії: утворення розплаву матеріалу в ємності; приведення температурно-контрольованої контактної поверхні у контакт з поверхнею розплаву, при цьому вказана температурно-контрольована контактна поверхня не контактує зі стінками ємності і забезпечує кристалізацію розплавленого матеріалу та його утримування; і поступової кристалізації розплавленого матеріалу зверху вниз з утворенням твердого зливка...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Коломоєць Сергій Дмитрович, Куликовський Едуард Володимирович, Шифрук Олександр Сергійович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10

Мітки: методом, підготовки, тигля, спосіб, вирощування, монокристалічного, чохральського, злитка

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Спосіб очищення силіцію

Завантаження...

Номер патенту: 12665

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Хлопенова Ірина Анатоліївна, Соловйов Олег Володимирович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/021

Мітки: силіцію, очищення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення силіцію, що включає введення силіцію в розплав металу-розчинника, нагрівання розплаву, створення температурного градієнта уздовж тигля й кристалізацію силіцію на кристалі-запалі, зануреному в розплав, який відрізняється тим, що введення силіцію в розплав галію (металу-розчинника) здійснюють шляхом закріплення силіцію на дні тигля при нагріванні розплаву до 800-1000°С, створення температурного градієнту 4-8°С/см й кристалізації...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Святелик Володимир Федосійович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Скобаро Андрій Олексійович

МПК: C30B 29/06, H01L 31/18, H01L 21/02 ...

Мітки: елементів, мультикристалічного, кремнію, сонячних, спосіб, пластин, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович, Скобаро Андрій Олексійович

МПК: C30B 29/06, C30B 29/00, H01L 21/304 ...

Мітки: сонячних, пластин, мультикристалічного, спосіб, елементів, одержання, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 39567

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Мокеєв Юрій Генадійович, Немчин Олександр Федорович

МПК: C30B 15/20, C30B 29/06

Мітки: монокристалічного, виготовлення, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію, що включає розплавлення вихідного матеріалу, обертання розплаву i витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що визначають відстань від початкового рівня розплаву до верхнього краю тигля, процес ведуть із зміною зазначеної відстані при початковій частоті обертання тигля, меншій за таку для кристала, з поступовим збільшенням частоти обертання тигля відносно кристала i відповідною...

Кремній монокристалічний

Завантаження...

Номер патенту: 41605

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Немчин Олександр Федорович, Мокеєв Юрій Генадійович

МПК: C30B 29/06

Мітки: монокристалічний, кремній

Формула / Реферат:

1. Кремній монокристалічний, що містить мікродомішки кисню, вуглецю та легуючу добавку, який відрізняється тим, що він додатково містить мікродомішки заліза, міді та золота при такому їх співвідношенні, ат/см3: кисень 7·1017 - 1,1·1018 вуглець 5·1016 - 3·1017 легуюча добавка 2,3·1013 – 1,2·1017 залізо 5·1015 -...

Спосіб вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів для струнних резонаторів

Завантаження...

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Островський Петро Іванович, Байцар Роман Іванович, Красножонов Євген Павлович, Островська Анастасія Степанівна

МПК: C30B 29/06, C30B 29/00

Мітки: вирощування, напівпровідникових, струнних, кристалів, спосіб, резонаторів, ниткоподібних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...