C30B 29/00 — Монокристали або гомогенний полікристалічний матеріал з певною структурою, що відрізняються матеріалом або формою

Спосіб виготовлення кремнієвих пластин

Завантаження...

Номер патенту: 115688

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Тіщенко Ігор Юрійович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/04

Мітки: пластин, виготовлення, спосіб, кремнієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин, що включає розрізання з припуском квадратованого чи псевдоквадратованого зливка монокристалічного чи мультикристалічного кремнію на пластини з припуском та видалення припуску з торцевих поверхонь пластини шляхом обробки за допомогою високоенергетичного вузьконаправленого газового потоку, який відрізняється тим, що при видаленні припуску одночасно на торцевій поверхні формують фаску, при цьому...

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань

Завантаження...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Федоров Олександр Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Возняк Тарас Іванович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Горбенко Віталій Іванович, Зоренко Юрій Володимирович, Герасимов Ярослав Віталійович, Архіпов Павло Васильович

МПК: C30B 29/00, G01T 1/20, C09K 11/00 ...

Мітки: реєстрації, іонізуючих, комбінований, випромінювань, сцинтилятор

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Спосіб кріплення пластинчатих кристалічних заготовок, зокрема корунду

Завантаження...

Номер патенту: 114902

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Кривоногов Сергій Іванович, Вовк Олена Олександрівна, Будніков Олександр Тимофійович, Каніщев Василь Миколайович, Гринь Леонід Олексійович

МПК: C30B 29/00, B65H 9/00

Мітки: заготовок, кріплення, кристалічних, пластинчатих, корунду, спосіб, зокрема

Формула / Реферат:

Спосіб кріплення пластинчастих кристалічних заготовок, зокрема корунду, що включає підготовку пластинчастої кристалічної заготовки механічною обробкою поверхні, закріплення заготовки обробленою поверхнею на металевій планшайбі приклеюванням смоляною композицією, який відрізняється тим, що між кристалічною заготовкою і планшайбою додатково розміщують буферну пластину у формі планшайби, виконану з матеріалу, ідентичного матеріалу заготовки,...

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Архіпов Павло Васильович, Галенін Євгеній Петрович, Романчук Вікторія Володимирівна, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: вирощування, пристрій, монокристалів, ампулі, розплаву

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Пристрій і спосіб одержання кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 110017

Опубліковано: 10.11.2015

Автор: Мізрахі Йозеф

МПК: B01D 9/00, C30B 29/00

Мітки: кристалів, одержання, спосіб, пристрій

Формула / Реферат:

1. Реакційно-кристалізаційний пристрій для проведення реакції і (або) екстрагування розчинником і (або) кристалізації розчинних солей, при цьому пристрій включає:• верхню секцію, яка має верхню частину і декантор, при цьому декантор включає:§  вертикальну ємність, оснащену горизонтальним зливом у верхній частині верхньої секції;§  випускний отвір у верхній частині верхньої секції для відведення легкої фази у...

Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 109196

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Ляхов Віктор Васильович, Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович, Сулаєв Михайло Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: площі, спосіб, великої, пластин, реалізації, отримання, полікристалічних, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: спосіб, одержання, площі, кристалічних, кристалів, зокрема, великої, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 63926

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Нічкало Степан Ігорович, Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Островський Ігор Петрович

МПК: H01L 21/00, C30B 29/00

Мітки: кремнію, нанокристалів, спосіб, масивів, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію, який включає осадження на напівпровідникову кремнієву підкладку р-типу провідності шару плівки золота, вирощування за механізмом пара-рідина-кристал нанокристалів кремнію, який відрізняється тим, що перед вирощуванням нанокристалів кремнію додатково здійснюють термічний відпал напівпровідникової кремнієвої підкладки.

Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок

Завантаження...

Номер патенту: 94699

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Марончук Ігор Ігорович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович

МПК: H01L 21/20, C30B 19/00, C30B 29/00 ...

Мітки: епітаксійних, масивами, вирощування, точок, квантових, спосіб, наногетероструктур

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температури  монокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру

Спосіб виготовлення мікро- та нановолокон тів2

Завантаження...

Номер патенту: 94671

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Шлапак Анатолій Миколайович, Рагуля Андрій Володимирович, Силенко Петро Митрофанович, Солонін Юрій Михайлович

МПК: C01B 35/00, C30B 29/00

Мітки: спосіб, нановолокон, тів2, виготовлення, мікро

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення мікро- та нановолокон ТіВ2 методом хімічного газофазного осадження із трихлориду бору та тетрахлориду титану в середовищі водню та аргону з застосуванням металевого каталізатора, який відрізняється тим, що як каталізатор використовують пластинку із Ст.3, а реакцію утворення мікро- та нановолокон ТіВ2 проводять в температурному діапазоні 1000-1300 °С протягом 30-60 хвилин в проточному реакторі, де трихлорид бору утворюють...

Процес отримання оптичного матеріалу на основі znsb

Завантаження...

Номер патенту: 56653

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: матеріалу, отримання, основі, процес, оптичного

Формула / Реферат:

Процес отримання оптичного матеріалу на основі ZnSb, який включає етапи завантаження наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву зони підтримують на рівні Т1=820±0,5 К, а відпал закристалізованого злитка проводять при температурі Т2=810±0,5 К протягом двох годин.

Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Позігун Сергій Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович, Шкульков Анатолій Васілієвіч, Онищенко Володимир Євгенович, Черпак Юрій Володимирович, Шевчук Андрій Леонідович, Марченко Степан Анатолійович

МПК: B22D 11/00, B22D 11/08, C30B 11/00 ...

Мітки: здійснення, методом, спосіб, кремнію, полікристалічного, індукційним, пристрій, одержання, зливків

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 51927

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Колєсніченко Володимир Іванович, Гніздило Олександр Миколайович, Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна, Шаповалов Віктор Олександрович

МПК: C30B 29/00, C30B 15/00, F27B 14/00 ...

Мітки: чохральського, методом, пристрій, тугоплавких, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральського, що включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристала та тигель, виконаний з тугоплавкого матеріалу (метал, сплав, хімічна сполука і т.д.), який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 90542

Опубліковано: 11.05.2010

Автор: Кисіль Іван Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00, C01G 25/00 ...

Мітки: кристалічних, спосіб, одержання, великої, зокрема, кристалів, площі, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, її плавлення з утворенням розплаву в гарнісажі, подальшу направлену кристалізацію розплаву і охолоджування одержаного кристала, який відрізняється тим, що контейнер з сировиною розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини здійснюють омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером...

Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 48261

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Ілащук Марія Іванівна, Ульяницький Костянтин Сергійович, Парфенюк Орест Архипович

МПК: C30B 29/00

Мітки: отримання, фотоперетворювачів, спосіб, матеріалу, кристалічного, напівпровідникового, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі CdTe, що включає підготовку вихідних компонентів Cd і Те, їх синтез та вирощування матеріалу методом кристалізації із розплаву, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів Cd і Те до них додають компоненту Mg у кількості, необхідній для утворення під час синтезу твердого розчину Cd1-xMgxТе.2. Спосіб за п. 1, який...

Кремнієва пластина для сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 44907

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/00

Мітки: сонячних, кремнієва, пластина, елементів

Формула / Реферат:

1. Кремнієва пластина для сонячних елементів, що має планарні та торцеву поверхні, яка відрізняється тим, що має товщину 160 мкм і нижче, а торцева поверхня за периметром утворена лазерним різанням.2. Кремнієва пластина за п. 1, яка відрізняється тим, що отримана зі зливка монокристалічного кремнію псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі, що має припуск перед різанням на пластини.3. Кремнієва пластина за п. 1, яка...

Монокристалічний матеріал на основі твердого розчину zn1-xmgxse

Завантаження...

Номер патенту: 88517

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00, G02F 1/35 ...

Мітки: основі, розчину, матеріал, zn1-xmgxse, твердого, монокристалічний

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі твердого розчину Zn1-xMgxSe для нелінійних перетворювачів випромінювання середнього ІЧ діапазону, який відрізняється тим, що вміст магнію в ньому складає 0,13<х<0,6.

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 29/00, C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 33/02 ...

Мітки: спосіб, селеніду, цинку, активованих, кристалів, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма

Завантаження...

Номер патенту: 41486

Опубліковано: 25.05.2009

Автор: Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 29/00, C30B 15/00

Мітки: спосіб, твердих, розчинів, галій-індій-сурма, кристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма (GaxIn1-xSb), який полягає в тому, що витягування кристала із розплаву здійснюють шляхом використання затравочного монокристала заданого складу, який відрізняється тим, що застосовують затравочний монокристал GaxIn1-xSb зі складом, котрий може відрізнятись від складу вирощуваного кристала менше або більше на х=0,01.

Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі

Завантаження...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович, Задніпрянний Денис Львович

МПК: C30B 15/10, C30B 15/20, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, розплаву, тиглі, кристалу, утриманням, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук

Завантаження...

Номер патенту: 38628

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович, Саріков Андрій Вікторович

МПК: C30B 29/00, H01L 21/02, C30B 19/00 ...

Мітки: сполук, гетероепітаксійного, шарів, вирощування, напівпровідникових, багатокомпонентних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук, що включає первісну хімічну підготовку підкладки, нанесення на планарну поверхню захисного маскуючого шару Si3N4 або SiO2, формування за допомогою фотолітографії і хімічного або плазмохімічного травлення вікон у захисному маскуючому шарі, який відрізняється тим, що після формування вікон у захисному шарі проводять формування поруватого шару у вікнах за...

Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук

Завантаження...

Номер патенту: 38627

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Буряченко Володимир Іванович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Стогній Дмитро Васильович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/02, C30B 29/00 ...

Мітки: гетероепітаксійних, спосіб, шарів, сполук, напівпровідникових, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук, що включає формування мезаструктур на підкладці фотолітографією, травленням та гетероепітаксійне вирощування, який відрізняється тим, що мезаструктурам надають призматичної або пірамідальної форми, а гетероепітаксійне вирощування шару з відмінним значенням постійної ґратки виконують в один етап.

Спосіб одержання монокристалів благородного металу або його солі нано- і/або мікророзмірів

Завантаження...

Номер патенту: 80781

Опубліковано: 25.10.2007

Автори: Естрела-Льопис Вікторіо Рафаелійович, Бородінова Тетяна Іванівна, Юркова Ірина Миколаївна

МПК: C30B 7/00, C30B 29/00

Мітки: благородного, металу, мікророзмірів, одержання, солі, нано, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів благородного металу або його солі нано- і/або мікророзмірів хімічним відновленням іонів цього металу із водного розчину сполуки металу, який відрізняється тим, що як відновник використовують аніонний поліелектроліт і процес проводять при концентрації іонів металу 0,1-5 мг-іон/дм3 і концентрації поліелектроліту 5-350 мг/дм3. 2. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що процес проводять при температурі...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Скобаро Андрій Олексійович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/00, H01L 21/304, C30B 29/06 ...

Мітки: мультикристалічного, пластин, кремнію, одержання, елементів, спосіб, сонячних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію

Завантаження...

Номер патенту: 43963

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Прокопів Володимир Васильович, Іванишин Ірина Мирославівна, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C22B 4/00, C30B 29/00, C22C 1/02 ...

Мітки: термоелектричних, основі, германію, свинцю, спосіб, отримання, сплавів, телуриду, олова

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини (~1250К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву...

Спосіб виготовлення великогабаритних полікристалічних пластин із оптичних та сцинтиляційних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 25044

Опубліковано: 25.12.1998

Автори: Чернишов Олександр Антонович, Осадчий Федір Антонович, Семиноженко Володимир Петрович, Ілюха Олександр Іванович, Гордієнко Людмила Сергійовна, Онопрієнко Петро Миколайович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/00

Мітки: пластин, виготовлення, оптичних, спосіб, матеріалів, великогабаритних, сцинтиляційних, полікристалічних

Формула / Реферат:

Способ изготовления крупногабаритных поликристаллических пластин из оптических и сцинтилляционных материалов, включающий нагрев кристаллической заготовки до температуры 0,5Tпл < T < Tпл, где Tпл - температура плавления исходного материала, термомеханическое деформирование одноосным сжатием и последующее охлаждение, до комнатной температуры, отличающийся тем, что термомеханическое деформирование одноосным сжатием осуществляют с помощью...

Сцинтилятор

Завантаження...

Номер патенту: 21082

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Лискович Олексій Борисович, Новосад Степан Степанович, Волошиновський Анатолій Степанович, Родний Пьотр Алєксандровіч

МПК: G01T 1/202, C30B 29/00

Мітки: сцинтилятор

Формула / Реферат:

Применение монокристалла йодистого свинца в качестве сцинтиллятора.

Спосіб вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів для струнних резонаторів

Завантаження...

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Островська Анастасія Степанівна, Красножонов Євген Павлович, Байцар Роман Іванович, Островський Петро Іванович

МПК: C30B 29/00, C30B 29/06

Мітки: вирощування, резонаторів, спосіб, кристалів, напівпровідникових, струнних, ниткоподібних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...