C30B 29/00 — Монокристали або гомогенний полікристалічний матеріал з певною структурою, що відрізняються матеріалом або формою

Спосіб виготовлення кремнієвих пластин

Завантаження...

Номер патенту: 115688

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Тіщенко Ігор Юрійович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 33/04, C30B 29/00

Мітки: кремнієвих, спосіб, пластин, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин, що включає розрізання з припуском квадратованого чи псевдоквадратованого зливка монокристалічного чи мультикристалічного кремнію на пластини з припуском та видалення припуску з торцевих поверхонь пластини шляхом обробки за допомогою високоенергетичного вузьконаправленого газового потоку, який відрізняється тим, що при видаленні припуску одночасно на торцевій поверхні формують фаску, при цьому...

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань

Завантаження...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Возняк Тарас Іванович, Горбенко Віталій Іванович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Павлик Богдан Васильович, Сідлецький Олег Цезаревич, Зоренко Юрій Володимирович, Архіпов Павло Васильович, Гриньов Борис Вікторович, Федоров Олександр Григорович, Шикоряк Йосип Андрійович, Зоренко Тетяна Євгенівна

МПК: C30B 29/00, C09K 11/00, G01T 1/20 ...

Мітки: комбінований, випромінювань, реєстрації, сцинтилятор, іонізуючих

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Спосіб кріплення пластинчатих кристалічних заготовок, зокрема корунду

Завантаження...

Номер патенту: 114902

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Кривоногов Сергій Іванович, Будніков Олександр Тимофійович, Гринь Леонід Олексійович, Каніщев Василь Миколайович, Вовк Олена Олександрівна

МПК: C30B 29/00, B65H 9/00

Мітки: кріплення, пластинчатих, зокрема, спосіб, кристалічних, корунду, заготовок

Формула / Реферат:

Спосіб кріплення пластинчастих кристалічних заготовок, зокрема корунду, що включає підготовку пластинчастої кристалічної заготовки механічною обробкою поверхні, закріплення заготовки обробленою поверхнею на металевій планшайбі приклеюванням смоляною композицією, який відрізняється тим, що між кристалічною заготовкою і планшайбою додатково розміщують буферну пластину у формі планшайби, виконану з матеріалу, ідентичного матеріалу заготовки,...

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Архіпов Павло Васильович, Романчук Вікторія Володимирівна, Галенін Євгеній Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: монокристалів, вирощування, ампулі, пристрій, розплаву

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Пристрій і спосіб одержання кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 110017

Опубліковано: 10.11.2015

Автор: Мізрахі Йозеф

МПК: B01D 9/00, C30B 29/00

Мітки: одержання, пристрій, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Реакційно-кристалізаційний пристрій для проведення реакції і (або) екстрагування розчинником і (або) кристалізації розчинних солей, при цьому пристрій включає:• верхню секцію, яка має верхню частину і декантор, при цьому декантор включає:§  вертикальну ємність, оснащену горизонтальним зливом у верхній частині верхньої секції;§  випускний отвір у верхній частині верхньої секції для відведення легкої фази у...

Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 109196

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович, Ляхов Віктор Васильович, Сулаєв Михайло Іванович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: пластин, полікристалічних, великої, пристрій, отримання, площі, реалізації, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: зокрема, великої, одержання, пластин, кристалічних, спосіб, кристалів, площі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 63926

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Островський Ігор Петрович, Нічкало Степан Ігорович

МПК: C30B 29/00, H01L 21/00

Мітки: кремнію, нанокристалів, масивів, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію, який включає осадження на напівпровідникову кремнієву підкладку р-типу провідності шару плівки золота, вирощування за механізмом пара-рідина-кристал нанокристалів кремнію, який відрізняється тим, що перед вирощуванням нанокристалів кремнію додатково здійснюють термічний відпал напівпровідникової кремнієвої підкладки.

Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок

Завантаження...

Номер патенту: 94699

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович, Марончук Ігор Ігорович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/20, C30B 29/00 ...

Мітки: квантових, наногетероструктур, вирощування, епітаксійних, спосіб, точок, масивами

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температури  монокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру

Спосіб виготовлення мікро- та нановолокон тів2

Завантаження...

Номер патенту: 94671

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Солонін Юрій Михайлович, Силенко Петро Митрофанович, Шлапак Анатолій Миколайович, Рагуля Андрій Володимирович

МПК: C30B 29/00, C01B 35/00

Мітки: виготовлення, мікро, спосіб, тів2, нановолокон

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення мікро- та нановолокон ТіВ2 методом хімічного газофазного осадження із трихлориду бору та тетрахлориду титану в середовищі водню та аргону з застосуванням металевого каталізатора, який відрізняється тим, що як каталізатор використовують пластинку із Ст.3, а реакцію утворення мікро- та нановолокон ТіВ2 проводять в температурному діапазоні 1000-1300 °С протягом 30-60 хвилин в проточному реакторі, де трихлорид бору утворюють...

Процес отримання оптичного матеріалу на основі znsb

Завантаження...

Номер патенту: 56653

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: процес, оптичного, матеріалу, основі, отримання

Формула / Реферат:

Процес отримання оптичного матеріалу на основі ZnSb, який включає етапи завантаження наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву зони підтримують на рівні Т1=820±0,5 К, а відпал закристалізованого злитка проводять при температурі Т2=810±0,5 К протягом двох годин.

Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Шевчук Андрій Леонідович, Онищенко Володимир Євгенович, Шкульков Анатолій Васілієвіч, Марченко Степан Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович, Черпак Юрій Володимирович, Позігун Сергій Анатолійович

МПК: B22D 11/08, C30B 11/00, B22D 11/00 ...

Мітки: здійснення, пристрій, кремнію, індукційним, зливків, одержання, спосіб, полікристалічного, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 51927

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Шаповалов Віктор Олександрович, Гніздило Олександр Миколайович, Колєсніченко Володимир Іванович, Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна

МПК: C30B 29/00, C30B 15/00, F27B 14/00 ...

Мітки: вирощування, пристрій, монокристалів, чохральського, тугоплавких, методом

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральського, що включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристала та тигель, виконаний з тугоплавкого матеріалу (метал, сплав, хімічна сполука і т.д.), який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 90542

Опубліковано: 11.05.2010

Автор: Кисіль Іван Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00, C01G 25/00 ...

Мітки: площі, зокрема, великої, кристалічних, кристалів, спосіб, одержання, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, її плавлення з утворенням розплаву в гарнісажі, подальшу направлену кристалізацію розплаву і охолоджування одержаного кристала, який відрізняється тим, що контейнер з сировиною розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини здійснюють омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером...

Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 48261

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Парфенюк Орест Архипович, Ілащук Марія Іванівна, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: C30B 29/00

Мітки: напівпровідникового, матеріалу, отримання, основі, спосіб, фотоперетворювачів, кристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі CdTe, що включає підготовку вихідних компонентів Cd і Те, їх синтез та вирощування матеріалу методом кристалізації із розплаву, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів Cd і Те до них додають компоненту Mg у кількості, необхідній для утворення під час синтезу твердого розчину Cd1-xMgxТе.2. Спосіб за п. 1, який...

Кремнієва пластина для сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 44907

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/00

Мітки: пластина, кремнієва, елементів, сонячних

Формула / Реферат:

1. Кремнієва пластина для сонячних елементів, що має планарні та торцеву поверхні, яка відрізняється тим, що має товщину 160 мкм і нижче, а торцева поверхня за периметром утворена лазерним різанням.2. Кремнієва пластина за п. 1, яка відрізняється тим, що отримана зі зливка монокристалічного кремнію псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі, що має припуск перед різанням на пластини.3. Кремнієва пластина за п. 1, яка...

Монокристалічний матеріал на основі твердого розчину zn1-xmgxse

Завантаження...

Номер патенту: 88517

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: G02F 1/35, C30B 11/00, C30B 29/00 ...

Мітки: твердого, розчину, zn1-xmgxse, монокристалічний, матеріал, основі

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі твердого розчину Zn1-xMgxSe для нелінійних перетворювачів випромінювання середнього ІЧ діапазону, який відрізняється тим, що вміст магнію в ньому складає 0,13<х<0,6.

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/00, C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 33/02 ...

Мітки: селеніду, кристалів, спосіб, термообробки, цинку, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма

Завантаження...

Номер патенту: 41486

Опубліковано: 25.05.2009

Автор: Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 29/00, C30B 15/00

Мітки: вирощування, спосіб, кристалів, галій-індій-сурма, розчинів, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма (GaxIn1-xSb), який полягає в тому, що витягування кристала із розплаву здійснюють шляхом використання затравочного монокристала заданого складу, який відрізняється тим, що застосовують затравочний монокристал GaxIn1-xSb зі складом, котрий може відрізнятись від складу вирощуваного кристала менше або більше на х=0,01.

Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі

Завантаження...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Задніпрянний Денис Львович, Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 15/10, C30B 15/20, C30B 15/00 ...

Мітки: розплаву, вирощування, кристалу, тиглі, спосіб, утриманням

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук

Завантаження...

Номер патенту: 38628

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Саріков Андрій Вікторович, Баганов Євген Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 29/00, C30B 19/00, H01L 21/02 ...

Мітки: гетероепітаксійного, спосіб, багатокомпонентних, шарів, напівпровідникових, вирощування, сполук

Формула / Реферат:

Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук, що включає первісну хімічну підготовку підкладки, нанесення на планарну поверхню захисного маскуючого шару Si3N4 або SiO2, формування за допомогою фотолітографії і хімічного або плазмохімічного травлення вікон у захисному маскуючому шарі, який відрізняється тим, що після формування вікон у захисному шарі проводять формування поруватого шару у вікнах за...

Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук

Завантаження...

Номер патенту: 38627

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Стогній Дмитро Васильович, Буряченко Володимир Іванович, Хлопенова Ірина Анатоліївна

МПК: C30B 29/00, C30B 19/00, H01L 21/02 ...

Мітки: отримання, гетероепітаксійних, сполук, напівпровідникових, спосіб, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук, що включає формування мезаструктур на підкладці фотолітографією, травленням та гетероепітаксійне вирощування, який відрізняється тим, що мезаструктурам надають призматичної або пірамідальної форми, а гетероепітаксійне вирощування шару з відмінним значенням постійної ґратки виконують в один етап.

Спосіб одержання монокристалів благородного металу або його солі нано- і/або мікророзмірів

Завантаження...

Номер патенту: 80781

Опубліковано: 25.10.2007

Автори: Естрела-Льопис Вікторіо Рафаелійович, Юркова Ірина Миколаївна, Бородінова Тетяна Іванівна

МПК: C30B 7/00, C30B 29/00

Мітки: металу, одержання, мікророзмірів, благородного, солі, нано, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів благородного металу або його солі нано- і/або мікророзмірів хімічним відновленням іонів цього металу із водного розчину сполуки металу, який відрізняється тим, що як відновник використовують аніонний поліелектроліт і процес проводять при концентрації іонів металу 0,1-5 мг-іон/дм3 і концентрації поліелектроліту 5-350 мг/дм3. 2. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що процес проводять при температурі...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Скобаро Андрій Олексійович, Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/00, H01L 21/304, C30B 29/06 ...

Мітки: одержання, спосіб, мультикристалічного, кремнію, сонячних, елементів, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію

Завантаження...

Номер патенту: 43963

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Запухляк Руслан Ігорович, Іванишин Ірина Мирославівна

МПК: C30B 29/00, C22C 1/02, C22B 4/00 ...

Мітки: германію, свинцю, сплавів, термоелектричних, отримання, основі, телуриду, олова, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини (~1250К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву...

Спосіб виготовлення великогабаритних полікристалічних пластин із оптичних та сцинтиляційних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 25044

Опубліковано: 25.12.1998

Автори: Чернишов Олександр Антонович, Осадчий Федір Антонович, Семиноженко Володимир Петрович, Онопрієнко Петро Миколайович, Ілюха Олександр Іванович, Гордієнко Людмила Сергійовна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/00

Мітки: полікристалічних, виготовлення, великогабаритних, сцинтиляційних, спосіб, оптичних, пластин, матеріалів

Формула / Реферат:

Способ изготовления крупногабаритных поликристаллических пластин из оптических и сцинтилляционных материалов, включающий нагрев кристаллической заготовки до температуры 0,5Tпл < T < Tпл, где Tпл - температура плавления исходного материала, термомеханическое деформирование одноосным сжатием и последующее охлаждение, до комнатной температуры, отличающийся тем, что термомеханическое деформирование одноосным сжатием осуществляют с помощью...

Сцинтилятор

Завантаження...

Номер патенту: 21082

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Волошиновський Анатолій Степанович, Родний Пьотр Алєксандровіч, Лискович Олексій Борисович, Новосад Степан Степанович

МПК: C30B 29/00, G01T 1/202

Мітки: сцинтилятор

Формула / Реферат:

Применение монокристалла йодистого свинца в качестве сцинтиллятора.

Спосіб вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів для струнних резонаторів

Завантаження...

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Островський Петро Іванович, Островська Анастасія Степанівна, Байцар Роман Іванович, Красножонов Євген Павлович

МПК: C30B 29/06, C30B 29/00

Мітки: напівпровідникових, струнних, спосіб, ниткоподібних, вирощування, кристалів, резонаторів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...