C30B 25/00 — Вирощування монокристалів шляхом хімічних реакцій реакційноздатних газів, наприклад хімічним осадженням з парової фази

Спосіб легування кристалів znse<te> рідкісноземельними елементами

Завантаження...

Номер патенту: 107292

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Сенко Ілля Михайлович, Кінзерська Оксана Володимирівна

МПК: C30B 25/00, C30B 31/00

Мітки: спосіб, рідкісноземельними, елементами, кристалів, znse<te&#62, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів ZnSe<Te> рідкісноземельними елементами, що включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 К, який відрізняється тим, що відпал пластин ZnSe<Te> товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу ta, який розраховується за формулою ta³4.106.d2, с, де d...

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації

Завантаження...

Номер патенту: 111560

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Локшин Михайло Маркович, Сингаївський Олександр Федорович, Пекар Григорій Соломонович

МПК: C30B 35/00, C30B 25/00, C30B 23/00 ...

Мітки: пристрій, сублімації, вирощування, методом, кристалів, вільного

Формула / Реферат:

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації, який відрізняється тим, що з метою його багаторазового використання при температурах до 1800 - 2000 °С пристрій є розбірним і включає сапфіровий ростовий тигель у формі відкритої з обох сторін труби, нижній торець якої виконаний шорсткуватим і встановлений на сапфіровій пластині, на поверхні пластини всередині ростового тигля розташована кругла зародкова пластина з вирощуваного...

Тигель зі склоподібного кремнезему з багатокутним отвором і спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 110346

Опубліковано: 25.12.2015

Автор: Молен Лоран

МПК: C30B 15/10, C30B 25/00, C03B 19/09 ...

Мітки: спосіб, багатокутним, тигель, склоподібного, виготовлення, кремнезему, отвором

Формула / Реферат:

1. Тигель з отвором в формі багатокутника з кремнезему, розплавленого електричною дугою, причому об'ємна маса тигля становить щонайменше 2,15 на глибині щонайменше 1,5 мм всередині тигля, при цьому тигель містить пористий шар кремнезему на зовнішній стороні товщиною від 1 до 20 мм.2. Тигель за п. 1, який відрізняється тим, що багатокутник має чотири сторони.3. Тигель за будь-яким з пп. 1-2, який відрізняється тим, що площа його...

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно стійких сенсорів магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 82990

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Макідо Олена Юріївна, Ворошило Галина Іванівна, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: індію, поля, стійких, антимоніду, отримання, мікрокристалів, радіаційної, магнітного, сенсорів, спосіб, легованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно-стійких сенсорів магнітного поля, згідно з яким кварцову ампулу, в якій послідовно розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)×10-4 Па, запаюють та розмішують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів...

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 74253

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Штабалюк Агата Петрівна, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: плівок, магнітного, сенсорів, антимоніду, виготовлення, спосіб, поля, індію, тонких, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію, згідно з яким на готовій плівці створюють геометричну конфігурацію магнітного сенсора та наносять електроди хімічним або електрохімічним способом, до яких припаюють мідний провід, який відрізняється тим, що плівку з припаяним мідним проводом розміщують у вакуумну камеру, вакуумують до тиску в камері 1·10-6-1·10-5 Па, нагрівають до температури 200-250 °С,...

Кріпильний конус для кремнієвих осаджувальних стержнів

Завантаження...

Номер патенту: 99570

Опубліковано: 27.08.2012

Автор: Корнмайер Торстен

МПК: C01B 33/035, C30B 25/00

Мітки: стержнів, осаджувальних, кріпильний, конус, кремнієвих

Формула / Реферат:

1. Кріпильний конус для кремнієвих осаджувальних стержнів в реакторах для осаджування полікремнію, виготовлений з графіту, який відрізняється тим, що кріпильний конус включає вісесиметричну основну частину корпусу (2), в центрі верхньої поверхні якої містить цільний кріпильний елемент (3), виконаний з можливістю кріплення кремнієвих осаджувальних стержнів (1), при цьому основна частина корпусу (2) має отвір у формі кришки горщика, виконаний...

Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах

Завантаження...

Номер патенту: 99369

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Писаревський Володимир Костянтинович, Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/02, C30B 19/00, C30B 25/00 ...

Мітки: концентрації, власнодефектних, спосіб, кристалах, акцепторів, зниження

Формула / Реферат:

Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах, за яким кристали вирощують вертикальним способом Бріджмена або способом твердотільної рекристалізації, який відрізняється тим, що з вирощеного кристала вирізають середню частину, отримані злитки розрізають на зразки у формі паралелепіпедів з розмірами  мм, які механічно шліфують і хімічно полірують у...

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 99078

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Штабалюк Агата Петрівна, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 29/40, C30B 25/00

Мітки: індію, підвищення, мікрокристалів, антимоніду, спосіб, параметрів, стабільності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9-1,1)∙10-4 Па, запаюють та розміщують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури Т=700±5 °С та нагрівом зони...

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину inхga1-хas

Завантаження...

Номер патенту: 62990

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Стецко Роман Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: отримання, inхga1-хas, спосіб, мікрокристалів, розчину, твердого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InxGa1-xAs, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують НСl, а як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, в яку завантажують підкладку з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною (0,01¸0,05) мкм,...

Спосіб отримання легованих мікрокристалів арсеніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 60473

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: отримання, легованих, індію, спосіб, мікрокристалів, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують арсенід індію та підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)·10-2 Па, заповнюють транспортним газом - хлористим воднем до тиску (3¸4)·104 Па, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури...

Спосіб отримання нановіскерів германію

Завантаження...

Номер патенту: 60472

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович, Швець Олександр Вікторович

МПК: C30B 25/00

Мітки: нановіскерів, отримання, спосіб, германію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів германію, згідно з яким кварцову ампулу, яку попередньо завантажують германієм у твердому стані та бромом у рідкому стані, вакуумують до тиску в ампулі 9·10-4-1,1·10-3 Па та розташовують у печі опору з градієнтом температур з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури 400-450 °С, а зони кристалізації до температури 350-400 °С, ампулу у такому градієнті температур витримують протягом 10-11 хвилин...

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю

Завантаження...

Номер патенту: 56872

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Скрипник Микола Володимирович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 25/00, C30B 31/00, H01L 21/00 ...

Мітки: електронною, провідністю, цинку, спосіб, шарів, отримання, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnTe та їх легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок у насиченій парі олова при температурі 950±50 °С.

Спосіб отримання нановіскерів арсеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 54765

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00

Мітки: нановіскерів, спосіб, арсеніду, галію, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів арсеніду галію, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, на яку попередньо наносять мікрочастинки золота, джерела арсену та галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, яка завантажена арсенідом галію у твердому стані з розташованою...

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 90834

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 29/40, C30B 29/10, C30B 25/00 ...

Мітки: мікрокристалів, антимоніду, спосіб, індію, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію, за яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором золотом, та джерело антимоніду індію, вакуумують, запаюють та нагрівають, який відрізняється тим, що одночасно з підкладкою та джерелом антимоніду індію в кварцовій ампулі розташовують йод, вакуумування проводять до тиску в ампулі не більше (0,9-4,1)·10-4 Па, після вакуумування...

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 48871

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00

Мітки: спосіб, індію, мікрокристалів, отримання, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота та арсенід індію, вакуумують, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури Т=930±2 К, у такому режимі ампулу витримують до отримання мікрокристалів InAs, який відрізняється тим, що вакуумування проводять до тиску в ампулі не...

Cпociб otpиmaння mikpokpиctaлib tbepдoгo poзчину inas1-хsbх

Завантаження...

Номер патенту: 48820

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: tbepдoгo, cпociб, mikpokpиctaлib, poзчину, otpиmaння, inas1-хsbх

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InAs1-xSbx, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, стибію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, в яку завантажують підкладку, з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною...

Спосіб одержання кристалічної плівки нітриду алюмінію

Завантаження...

Номер патенту: 90239

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Ром Михайло Аронович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Сидельникова Наталя Степанівна, Калтаєв Халіл Шамсаддин-огли, Данько Олександр Яковлевич

МПК: C01B 21/072, C01F 7/00, C30B 29/38, C30B 25/00 ...

Мітки: одержання, плівки, кристалічної, спосіб, алюмінію, нітриду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалічної плівки нітриду алюмінію шляхом нітридизації сапфіра, що включає відпал в присутності вуглецю сапфірової підкладки орієнтацією (11-20) в середовищі, що містить азот і СО, загальним тиском 1 атм в графітовій печі, який відрізняється тим, що відпал проводять у вказаній атмосфері зі вмістом СО 0,001-0,1 об. % при температурі 1300-1450 °С протягом 2-10 годин.

Спосіб отримання нановіскерів германію

Завантаження...

Номер патенту: 45468

Опубліковано: 10.11.2009

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Фендик Андрій Васильович, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00

Мітки: отримання, германію, нановіскерів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів германію, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують джерело германію разом з транспортуючим реагентом та золотом як металом-каталізатором та нагрівають, який відрізняється тим, що як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, яку попередньо завантажують германієм та золотом у твердому стані та бромом у рідкому стані, вакуумують до тиску в ампулі 9·10-4 Па - 1,1·10-3 Па та...

Спосіб виготовлення нановолокон карбіду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 81534

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Силенко Петро Митрофанович, Шлапак Анатолій Миколайович, Рагуля Андрій Володимирович

МПК: C30B 25/00, C30B 29/36, C01B 31/36 ...

Мітки: кремнію, нановолокон, карбіду, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення нановолокон карбіду кремнію, який включає газофазне хімічне осадження карбіду кремнію з метилтрихлорсилану на розігріту підкладку з застосуванням каталізатора, який відрізняється тим, що як підкладку та каталізатор використовують стальну пластину, а синтез здійснюють в температурному діапазоні 1150-1250 °С протягом 2-20 хв.

Пристрій для вирощування плоских хвилеводів на основі сполук a2b6

Завантаження...

Номер патенту: 18649

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Конопальцева Людмила Іванівна, Непорожній Вадим Вадимович, Шевчук Олеся Сергіївна, Іщенко Ельвіна Дмитрівна, Шевчук Юрій Васильович

МПК: C30B 29/50, C30B 25/00

Мітки: пристрій, сполук, вирощування, основі, хвилеводів, плоских

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания плоских волноводов на основе соединений A2B6 методом паровой эпитаксии, содержащее горизонтальную трубчатую кварцевую камеру, снабженную штуцерами для подачи и отвода инертного газа, внутри которой соосно расположены трубы, закрепленные на противоположных торцах камеры и имеющие раструбы в ее средней части, испарители исходных компонентов, размещенные внутри труб, и наружные нагреватели, образующие три зоны нагрева,...