C30B 17/00 — Вирощування монокристалів на початковий кристал, що залишається в розплаві в процесі вирощування, наприклад за методом Накена-Кіропулоса

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Евгеній Петрович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Архіпов Павло Васильович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: тиглів, монокристалів, вирощування, сировиною, спосіб, наплавлення

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом кіропулоса

Завантаження...

Номер патенту: 103465

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Коневський Павло Вячеславович, Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00, C30B 15/20 ...

Мітки: методом, монокристалів, росту, оптимізації, параметрів, вирощування, спосіб, кіропулоса

Формула / Реферат:

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом Кіропулоса, який відрізняється тим, що для кожного кристалу, який вирощено на конкретній установці, яку оснащено системою автоматичного регулювання потужності на нагріванні та реєстрації набору ваги кристала, що росте, по геометричній формі кристала і динаміці набору його ваги створюють віртуальний образ (комп'ютерну модель) процесу кристалізації, припускаючи форму...

Спосіб отримання керамічних полікристалічних матеріалів на основі карбіду бору методом електророзрядного спікання

Завантаження...

Номер патенту: 87076

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Богомол Юрій Іванович, Марич Мирослав Васильович, Лобода Петро Іванович

МПК: C01B 35/00, C04B 37/00, C04B 35/64 ...

Мітки: бору, методом, спікання, основі, матеріалів, керамічних, полікристалічних, спосіб, карбіду, отримання, електророзрядного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання керамічних полікристалічних матеріалів на основі карбіду бору методом електророзрядного спікання, що включає отримання кристалів евтектичного сплаву В4С-ТіВ2, їх подрібнення та спікання при температурі 1800-1900 °С, який відрізняється тим що, після подрібнення і магнітної сепарації отриманий порошок окислюють на повітрі, промивають у спирті, сушать і змішують з порошком карбіду бору (В4С), а потім піддають електророзрядному...

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-al2o3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 100811

Опубліковано: 25.01.2013

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 29/20, C30B 17/00, C30B 15/10 ...

Мітки: вертикальною, підставка, напрямленою, вирощування, тигля, кристалізацією, розплаву, a-al2o3, сапфіру, монокристалів

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-Аl2O3) напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з глибиною більше або рівною половині його висоти, порожнини...

Спосіб отримання керамічних евтектичних полікристалічних матеріалів методом електророзрядного спікання

Завантаження...

Номер патенту: 74036

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Загородня Еліна Валеріївна, Богомол Юрій Іванович, Лобода Петро Іванович

МПК: C04B 37/00, C04B 35/64, C01B 35/00 ...

Мітки: евтектичних, спікання, полікристалічних, спосіб, методом, матеріалів, електророзрядного, керамічних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання керамічних евтектичних полікристалічних матеріалів методом електророзрядного спікання, який включає комбіновану дію на керамічний порошковий матеріал короткочасних електричних розрядів і механічного тиску, який відрізняється тим, що вихідний керамічний сплав отримують методом безтигельної зонної плавки, після чого отриманий керамічний евтектичний полікристалічний матеріал подрібнюють і засипають у пресформу, а потім піддають...

Спосіб очищення металургійного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 67188

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Стовбун Юрій Петрович, Лобода Петро Іванович

МПК: C01B 33/02, C30B 17/00

Мітки: кремнію, очищення, металургійного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає з'єднання металургійного кремнію з розплавом металу-розчинника, нагрівання розплаву металу-розчинника, створення температурного градієнту в розплаві металу-розчинника, кристалізації кремнію на кристалічній затравці, який відрізняється тим, що метал-розчинник та металургійний кремній формують у вигляді порошкової заготовки, для кристалізації кремнію використовують кремнієву затравку,...

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 88591

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Галенін Євген Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: наплавлення, спосіб, тиглів, монокристалів, сировиною, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тигля сировиною для вирощування монокристалів, який полягає в тому, що сировину завантажують в тигель, розміщують тигель в ростовій камері, нагрівають й одержують розплав, довантажують сировину, який відрізняється тим, що довантаження здійснюють сплавленням до затравки попередньо вирощеного монокристала з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, й закріпленого в затравкоутримувачі безпосередньо після...

Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-al2o3 заданої форми напрямленою кристалізацією розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 87738

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 21/00, C30B 29/20, C30B 17/00 ...

Мітки: вирощування, розплаву, спосіб, напрямленою, монокристалів, кристалізацією, сапфіра, форми, заданої, a-al2o3

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-Аl2О3 заданої форми, який включає розміщення в порожнині тигля формоутворювача, заповнення порожнини тигля вихідною сировиною, плавлення та напрямлену кристалізацію на відповідно орієнтований затравочний кристал, який відрізняється тим, що формоутворювач розміщують в порожнині тигля, поперечний переріз якого має форму квадрата, таким чином, що відстань між формоутворювачем та стінками тигля по всій...

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму prb3о6 та неодиму ndb3o6

Завантаження...

Номер патенту: 22299

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Кудрявцев Дмитро Петрович, Світанько Микола Вікторович, Просвірнін Андрій Леонідович, Оселедчик Юрій Семенович

МПК: C30B 17/00

Мітки: боратів, кристалів, празеодиму, ndb3o6, вирощування, неодиму, prb3о6, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму РrВ3О6 та неодиму NdB3O6, що включає приготування шихти з SrO, В2О3 і Рr6O11, чи Nd2O3, здійснення попереднього твердофазного синтезу, розплавлення отриманих сполук з наступним охолодженням і вирощуванням монокристалів на платиновому стрижні, який відрізняється тим, що склад шихти відповідає області діаграми кристалізації борату празеодиму РrВ3О6 або борату неодиму NdB3O6 в потрійних фазових...

Пристрій для одержання монокристалічних відливків

Завантаження...

Номер патенту: 63621

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Ажажа Володимир Михайлович, Жеманюк Павло Дмитрович, Свердлов Василь Якович, Коломойцев Олександр Георгійович, Клочихін Володимир Валерійович

МПК: B22D 27/15, B22D 27/04, C30B 17/00 ...

Мітки: пристрій, одержання, відливків, монокристалічних

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання монокристалічних відливків, який містить вакуумну камеру, у якій розміщені нагрівач, установлений під нагрівачем кристалізатор, керамічна форма із затравкою, яка розміщена у стаканоподібному елементі на водоохолоджуваній циліндричній камері з можливістю переміщення від нагрівача до кристалізатора, що має додатковий рідкометалевий охолоджувач з легкого сплаву, який відрізняється тим, що у стаканоподібному елементі...

Пристрій для одержання монокристалічних відливків

Завантаження...

Номер патенту: 62317

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Ажажа Володимир Михайлович, Жеманюк Павло Дмитрович, Малихін Дмитро Георгійович, Свердлов Василь Якович, Коломойцев Олександр Георгійович, Щербань Олексій Петрович, Клочихін Володимир Валерійович, Ладигін Олексій Миколайович

МПК: C30B 17/00, B22D 27/15, B22D 27/04 ...

Мітки: пристрій, монокристалічних, відливків, одержання

Формула / Реферат:

Пристрій для одержання монокристалічних відливків, який містить вакуумну камеру, у якій розміщені нагрівач, встановлений під нагрівачем кристалізатор, керамічна форма із затравкою, розташовані усередині нагрівача з можливістю пересування у напрямку до кристалізатора з зануренням її у рідкометалевий охолоджувач з легкого сплаву, який відрізняється тим, що затравка виконана у вигляді плоского елемента, відношення поперечного розміру якого до...

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму prbo3 та неодиму ndbo3

Завантаження...

Номер патенту: 18022

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Оселедчик Юрій Семенович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Просвірнін Андрій Леонідович, Світанько Микола Вікторович

МПК: C30B 17/00

Мітки: prbo3, кристалів, вирощування, ndbo3, неодиму, боратів, спосіб, празеодиму

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму РrВО3 та неодиму ΝdΒΟ3, що включає приготування шихти з SrO, В2O3 і Рr6O11 чи Nd2O3, здійснення попереднього твердофазного синтезу, розплавлення отриманих сполук з наступним охолодженням і вирощуванням монокристалів на платиновому стрижні, який відрізняється тим, що склад шихти відповідає області діаграми кристалізації борату празеодиму РrВО3 чи борату неодиму NdBO3 в потрійних...

Тепловий екран

Завантаження...

Номер патенту: 54149

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: екран, тепловий

Формула / Реферат:

Электропневматическое устройство экстренного торможения железнодорожного транспортного средства. Электропневматическое устройство экстренного торможения железнодорожного транспортного средства относится к области железнодорожного транспорта, оборудованного системами автоматического дистанционного управления торможением, и предназначено для автоматической разрядки тормозной магистрали заданным темпом в случае проезда сигналов, требующих...

Кристалізаційний вузол для вирощування монокристалів корунду a-al2o3 заданої форми

Завантаження...

Номер патенту: 67356

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 29/20, C30B 17/00

Мітки: корунду, вузол, форми, вирощування, кристалізаційний, заданої, монокристалів, a-al2o3

Формула / Реферат:

Кристалізаційний вузол для вирощування монокристалів корунду α - Al2O3 заданої форми, який включає вакуумну камеру, нагрівник, тигель із розташованим в його порожнині формоутворювачем, систему вертикально та горизонтально розташованих екранів, один з яких знаходиться безпосередньо на тиглі, який відрізняється тим, що горизонтальний екран, який знаходиться на тиглі, містить п'ять теплових вікон, при цьому середнє з яких має форму...

Спосіб вирощування кристалів борату стронцію sr4b14o25

Завантаження...

Номер патенту: 61223

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Оселедчик Юрій Семенович, Просвірнін Андрій Леонідович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Світанько Микола Вікторович

МПК: C30B 17/00

Мітки: борату, вирощування, стронцію, спосіб, кристалів, sr4b14o25

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів борату стронцію Sr4B14O25, який включає приготування шихти з SrO і В2O3, розплавлення її з наступним охолодженням і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять В2О3 у кількості 64 - 65 mol%.

Спосіб вирощування кристалу борату стронцію sr4b14 o25 ,легованого лантаноїдами

Завантаження...

Номер патенту: 49341

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Кудрявцев Дмитро Петрович, Оселедчик Юрій Семенович, Світанько Микола Вікторович, Просвірнін Андрій Леонідович

МПК: C30B 17/00

Мітки: борату, вирощування, кристалу, стронцію, легованого, sr4b14, спосіб, лантаноїдами

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалу борату стронцію Sr4B14O25, легованого лантаноїдами, який включає приготування шихти стехіометричного складу з SrO і В2О3, узятих в молярному відношенні 1:2, розплавлення її, наступне охолодження і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять легуючі домішки у вигляді окислу лантаноїду RЕ2О3 в кількості

Спосіб вимірювання тривалості ультракоротких імпульсів лазерного випромінювання ультрафіолетового спектрального діапазону

Завантаження...

Номер патенту: 46236

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Оселедчик Юрій Семенович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Просвірнін Андрій Леонідович, Швець Евген Якович, Світанько Микола Вікторович

МПК: C30B 17/00

Мітки: ультрафіолетового, випромінювання, імпульсів, діапазону, спосіб, спектрального, лазерного, ультракоротких, вимірювання, тривалості

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання тривалості ультракоротких імпульсів лазерного випромінювання ультрафіолетового спектрального діапазону, який включає вимірювання тривалості кореляційної функції інтенсивності генерації другої гармоніки імпульсів лазерного випромінювання в нелінійному кристалі, який відрізняється тим, що як нелінійний кристал використовують кристал тетраборату стронцію.

Керамічний сцинтиляційний матеріал на основі фториду літію

Завантаження...

Номер патенту: 24259

Опубліковано: 07.07.1998

Автори: Зверев Микола Данилович, Гриньов Борис Вікторович, Кудін Олександр Михайлович, Віноград Едуард Львович, Перунина Людмила Михайловна

МПК: C30B 17/00, C09K 11/06, C30B 29/12 ...

Мітки: матеріал, літію, сцинтиляційний, основі, фториду, керамічний

Формула / Реферат:

Керамический сцинтилляционный материал на основе фторида лития, содержащий активирующие допанты - анионы кислорода и катионы, отличающийся тем, что он содержит в качестве активирующих катионов ионы урана и азота в количестве 0,01 - 0,05мас.% в пересчете на безводный нитрат урана.

Спосіб вирощування активованих лужногалоідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 16684

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Радкевич Олексій Вікторович, Проценко Володимир Григорович, Неменов Віктор Олександрович, Ейдельман Лев Георгійович, Любинський Вадим Рувинович

МПК: C30B 29/12, C30B 17/00

Мітки: монокристалів, спосіб, вирощування, лужногалоідних, активованих

Формула / Реферат:

Способ выращивания активированных ще­лочно-галоидных монокристаллов из расплава, включающий разращивание монокристалла до за­данного диаметра и вытягивание его цилиндриче­ской части при поддержании постоянным уровня расплава путем подпитки расплава шихтой с до­бавкой активатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов за счет улучшения равномерности распределения ак­тиватора по высоте монокристалла, добавку...