C30B 17/00 — Вирощування монокристалів на початковий кристал, що залишається в розплаві в процесі вирощування, наприклад за методом Накена-Кіропулоса

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Архіпов Павло Васильович, Галенін Евгеній Петрович, Сідлецький Олег Цезаревич, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: сировиною, тиглів, монокристалів, наплавлення, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом кіропулоса

Завантаження...

Номер патенту: 103465

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Кривоносов Євген Володимирович, Коневський Павло Вячеславович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/20, C30B 15/00 ...

Мітки: оптимізації, методом, спосіб, параметрів, монокристалів, кіропулоса, вирощування, росту

Формула / Реферат:

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом Кіропулоса, який відрізняється тим, що для кожного кристалу, який вирощено на конкретній установці, яку оснащено системою автоматичного регулювання потужності на нагріванні та реєстрації набору ваги кристала, що росте, по геометричній формі кристала і динаміці набору його ваги створюють віртуальний образ (комп'ютерну модель) процесу кристалізації, припускаючи форму...

Спосіб отримання керамічних полікристалічних матеріалів на основі карбіду бору методом електророзрядного спікання

Завантаження...

Номер патенту: 87076

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Богомол Юрій Іванович, Марич Мирослав Васильович, Лобода Петро Іванович

МПК: C01B 35/00, C04B 35/64, C04B 37/00 ...

Мітки: карбіду, бору, керамічних, спікання, основі, методом, матеріалів, спосіб, полікристалічних, електророзрядного, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання керамічних полікристалічних матеріалів на основі карбіду бору методом електророзрядного спікання, що включає отримання кристалів евтектичного сплаву В4С-ТіВ2, їх подрібнення та спікання при температурі 1800-1900 °С, який відрізняється тим що, після подрібнення і магнітної сепарації отриманий порошок окислюють на повітрі, промивають у спирті, сушать і змішують з порошком карбіду бору (В4С), а потім піддають електророзрядному...

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-al2o3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 100811

Опубліковано: 25.01.2013

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/10, C30B 29/20 ...

Мітки: сапфіру, розплаву, a-al2o3, вирощування, монокристалів, вертикальною, напрямленою, підставка, тигля, кристалізацією

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-Аl2O3) напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з глибиною більше або рівною половині його висоти, порожнини...

Спосіб отримання керамічних евтектичних полікристалічних матеріалів методом електророзрядного спікання

Завантаження...

Номер патенту: 74036

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Загородня Еліна Валеріївна, Богомол Юрій Іванович, Лобода Петро Іванович

МПК: C04B 35/64, C04B 37/00, C01B 35/00 ...

Мітки: методом, полікристалічних, керамічних, отримання, електророзрядного, евтектичних, спікання, спосіб, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання керамічних евтектичних полікристалічних матеріалів методом електророзрядного спікання, який включає комбіновану дію на керамічний порошковий матеріал короткочасних електричних розрядів і механічного тиску, який відрізняється тим, що вихідний керамічний сплав отримують методом безтигельної зонної плавки, після чого отриманий керамічний евтектичний полікристалічний матеріал подрібнюють і засипають у пресформу, а потім піддають...

Спосіб очищення металургійного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 67188

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Стовбун Юрій Петрович, Лобода Петро Іванович

МПК: C01B 33/02, C30B 17/00

Мітки: очищення, металургійного, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає з'єднання металургійного кремнію з розплавом металу-розчинника, нагрівання розплаву металу-розчинника, створення температурного градієнту в розплаві металу-розчинника, кристалізації кремнію на кристалічній затравці, який відрізняється тим, що метал-розчинник та металургійний кремній формують у вигляді порошкової заготовки, для кристалізації кремнію використовують кремнієву затравку,...

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 88591

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Галенін Євген Петрович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Нагорняк Володимир Теодорович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: тиглів, наплавлення, монокристалів, сировиною, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тигля сировиною для вирощування монокристалів, який полягає в тому, що сировину завантажують в тигель, розміщують тигель в ростовій камері, нагрівають й одержують розплав, довантажують сировину, який відрізняється тим, що довантаження здійснюють сплавленням до затравки попередньо вирощеного монокристала з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, й закріпленого в затравкоутримувачі безпосередньо після...

Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-al2o3 заданої форми напрямленою кристалізацією розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 87738

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 17/00, C30B 29/20, C30B 21/00 ...

Мітки: спосіб, вирощування, монокристалів, розплаву, напрямленою, форми, сапфіра, кристалізацією, a-al2o3, заданої

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-Аl2О3 заданої форми, який включає розміщення в порожнині тигля формоутворювача, заповнення порожнини тигля вихідною сировиною, плавлення та напрямлену кристалізацію на відповідно орієнтований затравочний кристал, який відрізняється тим, що формоутворювач розміщують в порожнині тигля, поперечний переріз якого має форму квадрата, таким чином, що відстань між формоутворювачем та стінками тигля по всій...

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму prb3о6 та неодиму ndb3o6

Завантаження...

Номер патенту: 22299

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Оселедчик Юрій Семенович, Просвірнін Андрій Леонідович, Світанько Микола Вікторович, Кудрявцев Дмитро Петрович

МПК: C30B 17/00

Мітки: вирощування, кристалів, ndb3o6, неодиму, спосіб, prb3о6, боратів, празеодиму

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму РrВ3О6 та неодиму NdB3O6, що включає приготування шихти з SrO, В2О3 і Рr6O11, чи Nd2O3, здійснення попереднього твердофазного синтезу, розплавлення отриманих сполук з наступним охолодженням і вирощуванням монокристалів на платиновому стрижні, який відрізняється тим, що склад шихти відповідає області діаграми кристалізації борату празеодиму РrВ3О6 або борату неодиму NdB3O6 в потрійних фазових...

Пристрій для одержання монокристалічних відливків

Завантаження...

Номер патенту: 63621

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Жеманюк Павло Дмитрович, Клочихін Володимир Валерійович, Ажажа Володимир Михайлович, Коломойцев Олександр Георгійович, Свердлов Василь Якович

МПК: C30B 17/00, B22D 27/04, B22D 27/15 ...

Мітки: монокристалічних, одержання, пристрій, відливків

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання монокристалічних відливків, який містить вакуумну камеру, у якій розміщені нагрівач, установлений під нагрівачем кристалізатор, керамічна форма із затравкою, яка розміщена у стаканоподібному елементі на водоохолоджуваній циліндричній камері з можливістю переміщення від нагрівача до кристалізатора, що має додатковий рідкометалевий охолоджувач з легкого сплаву, який відрізняється тим, що у стаканоподібному елементі...

Пристрій для одержання монокристалічних відливків

Завантаження...

Номер патенту: 62317

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Жеманюк Павло Дмитрович, Малихін Дмитро Георгійович, Ажажа Володимир Михайлович, Коломойцев Олександр Георгійович, Щербань Олексій Петрович, Свердлов Василь Якович, Ладигін Олексій Миколайович, Клочихін Володимир Валерійович

МПК: C30B 17/00, B22D 27/15, B22D 27/04 ...

Мітки: пристрій, монокристалічних, одержання, відливків

Формула / Реферат:

Пристрій для одержання монокристалічних відливків, який містить вакуумну камеру, у якій розміщені нагрівач, встановлений під нагрівачем кристалізатор, керамічна форма із затравкою, розташовані усередині нагрівача з можливістю пересування у напрямку до кристалізатора з зануренням її у рідкометалевий охолоджувач з легкого сплаву, який відрізняється тим, що затравка виконана у вигляді плоского елемента, відношення поперечного розміру якого до...

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму prbo3 та неодиму ndbo3

Завантаження...

Номер патенту: 18022

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Світанько Микола Вікторович, Оселедчик Юрій Семенович, Просвірнін Андрій Леонідович, Кудрявцев Дмитро Петрович

МПК: C30B 17/00

Мітки: кристалів, prbo3, ndbo3, вирощування, празеодиму, неодиму, боратів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму РrВО3 та неодиму ΝdΒΟ3, що включає приготування шихти з SrO, В2O3 і Рr6O11 чи Nd2O3, здійснення попереднього твердофазного синтезу, розплавлення отриманих сполук з наступним охолодженням і вирощуванням монокристалів на платиновому стрижні, який відрізняється тим, що склад шихти відповідає області діаграми кристалізації борату празеодиму РrВО3 чи борату неодиму NdBO3 в потрійних...

Тепловий екран

Завантаження...

Номер патенту: 54149

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: тепловий, екран

Формула / Реферат:

Электропневматическое устройство экстренного торможения железнодорожного транспортного средства. Электропневматическое устройство экстренного торможения железнодорожного транспортного средства относится к области железнодорожного транспорта, оборудованного системами автоматического дистанционного управления торможением, и предназначено для автоматической разрядки тормозной магистрали заданным темпом в случае проезда сигналов, требующих...

Кристалізаційний вузол для вирощування монокристалів корунду a-al2o3 заданої форми

Завантаження...

Номер патенту: 67356

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 29/20, C30B 17/00

Мітки: корунду, a-al2o3, форми, монокристалів, заданої, вирощування, кристалізаційний, вузол

Формула / Реферат:

Кристалізаційний вузол для вирощування монокристалів корунду α - Al2O3 заданої форми, який включає вакуумну камеру, нагрівник, тигель із розташованим в його порожнині формоутворювачем, систему вертикально та горизонтально розташованих екранів, один з яких знаходиться безпосередньо на тиглі, який відрізняється тим, що горизонтальний екран, який знаходиться на тиглі, містить п'ять теплових вікон, при цьому середнє з яких має форму...

Спосіб вирощування кристалів борату стронцію sr4b14o25

Завантаження...

Номер патенту: 61223

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Оселедчик Юрій Семенович, Просвірнін Андрій Леонідович, Світанько Микола Вікторович, Кудрявцев Дмитро Петрович

МПК: C30B 17/00

Мітки: спосіб, вирощування, sr4b14o25, стронцію, кристалів, борату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів борату стронцію Sr4B14O25, який включає приготування шихти з SrO і В2O3, розплавлення її з наступним охолодженням і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять В2О3 у кількості 64 - 65 mol%.

Спосіб вирощування кристалу борату стронцію sr4b14 o25 ,легованого лантаноїдами

Завантаження...

Номер патенту: 49341

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Світанько Микола Вікторович, Оселедчик Юрій Семенович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Просвірнін Андрій Леонідович

МПК: C30B 17/00

Мітки: легованого, кристалу, вирощування, борату, sr4b14, спосіб, стронцію, лантаноїдами

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалу борату стронцію Sr4B14O25, легованого лантаноїдами, який включає приготування шихти стехіометричного складу з SrO і В2О3, узятих в молярному відношенні 1:2, розплавлення її, наступне охолодження і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять легуючі домішки у вигляді окислу лантаноїду RЕ2О3 в кількості

Спосіб вимірювання тривалості ультракоротких імпульсів лазерного випромінювання ультрафіолетового спектрального діапазону

Завантаження...

Номер патенту: 46236

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Оселедчик Юрій Семенович, Швець Евген Якович, Просвірнін Андрій Леонідович, Світанько Микола Вікторович, Кудрявцев Дмитро Петрович

МПК: C30B 17/00

Мітки: діапазону, тривалості, імпульсів, спосіб, ультрафіолетового, вимірювання, випромінювання, лазерного, ультракоротких, спектрального

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання тривалості ультракоротких імпульсів лазерного випромінювання ультрафіолетового спектрального діапазону, який включає вимірювання тривалості кореляційної функції інтенсивності генерації другої гармоніки імпульсів лазерного випромінювання в нелінійному кристалі, який відрізняється тим, що як нелінійний кристал використовують кристал тетраборату стронцію.

Керамічний сцинтиляційний матеріал на основі фториду літію

Завантаження...

Номер патенту: 24259

Опубліковано: 07.07.1998

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Кудін Олександр Михайлович, Зверев Микола Данилович, Віноград Едуард Львович, Перунина Людмила Михайловна

МПК: C30B 17/00, C09K 11/06, C30B 29/12 ...

Мітки: літію, фториду, матеріал, сцинтиляційний, керамічний, основі

Формула / Реферат:

Керамический сцинтилляционный материал на основе фторида лития, содержащий активирующие допанты - анионы кислорода и катионы, отличающийся тем, что он содержит в качестве активирующих катионов ионы урана и азота в количестве 0,01 - 0,05мас.% в пересчете на безводный нитрат урана.

Спосіб вирощування активованих лужногалоідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 16684

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Ейдельман Лев Георгійович, Проценко Володимир Григорович, Радкевич Олексій Вікторович, Любинський Вадим Рувинович, Неменов Віктор Олександрович

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Мітки: активованих, спосіб, лужногалоідних, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания активированных ще­лочно-галоидных монокристаллов из расплава, включающий разращивание монокристалла до за­данного диаметра и вытягивание его цилиндриче­ской части при поддержании постоянным уровня расплава путем подпитки расплава шихтой с до­бавкой активатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов за счет улучшения равномерности распределения ак­тиватора по высоте монокристалла, добавку...