C30B 15/10 — тиглі або контейнери для підтримування розплаву

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від’ємним температурним коефіцієнтом об’ємного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 119994

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Агарков Костянтин Володимирович, Коптєв Михайло Михайлович

МПК: C30B 15/10

Мітки: тигель, вирощування, кристалів, об`ємного, розширення, коефіцієнтом, речовин, від'ємним, температурним

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від'ємним температурним коефіцієнтом об'ємного розширення, виконаний у вигляді циліндра, пласке дно якого з'єднане з циліндричною боковою поверхнею по сферичній поверхні, який відрізняється тим, що бокова поверхня тигля виконана у вигляді хвилястого профілю.

Тигель зі склоподібного кремнезему з багатокутним отвором і спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 110346

Опубліковано: 25.12.2015

Автор: Молен Лоран

МПК: C03B 19/09, C30B 15/10, C30B 25/00 ...

Мітки: виготовлення, кремнезему, отвором, склоподібного, багатокутним, спосіб, тигель

Формула / Реферат:

1. Тигель з отвором в формі багатокутника з кремнезему, розплавленого електричною дугою, причому об'ємна маса тигля становить щонайменше 2,15 на глибині щонайменше 1,5 мм всередині тигля, при цьому тигель містить пористий шар кремнезему на зовнішній стороні товщиною від 1 до 20 мм.2. Тигель за п. 1, який відрізняється тим, що багатокутник має чотири сторони.3. Тигель за будь-яким з пп. 1-2, який відрізняється тим, що площа його...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C23C 4/04, C30B 15/10, C30B 29/06 ...

Мітки: злитка, спосіб, чохральського, підготовки, методом, монокристалічного, тигля, діаметра, вирощування, великого

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 101807

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Шаповалов Віктор Олександрович, Карускевич Ольга Віталіївна, Колєсніченко Володимир Іванович, Гніздило Олександр Миколайович, Якуша Володимир Вікторович

МПК: C30B 15/10, C30B 15/14, F27B 14/00 ...

Мітки: методом, тугоплавких, пристрій, вирощування, чохральського, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральского, який включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристалу, тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу, який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що тигель виконаний з заготовки...

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-al2o3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 100811

Опубліковано: 25.01.2013

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/10, C30B 29/20 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, напрямленою, підставка, вертикальною, сапфіру, тигля, a-al2o3, розплаву, кристалізацією

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-Аl2O3) напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з глибиною більше або рівною половині його висоти, порожнини...

Спосіб виготовлення тиглів, посудин, труб та профільованих виробів з тугоплавких матеріалів з монокристалічною, полікристалічною та певною структурою

Завантаження...

Номер патенту: 95541

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Карускевич Ольга Віталіївна, Колєсніченко Володимир Іванович, Шаповалов Віктор Олександрович, Гніздило Олександр Миколайович, Якуша Володимир Вікторович

МПК: B32B 7/04, C30B 11/14, B32B 1/00 ...

Мітки: тиглів, тугоплавких, полікристалічною, виробів, виготовлення, структурою, посудин, спосіб, труб, матеріалів, профільованих, монокристалічною, певною

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів тугоплавких металів та сплавів пошаровим наплавленням з використанням плазмового джерела енергії, що дозволяє створити локальну розплавлену зону матеріалу, а при організації її руху у горизонтальному просторі, з підживленням рідким металом, отримують шар матеріалу, який відрізняється тим, що тиглі, посудини, труби та профільовані вироби з тугоплавких матеріалів виготовляють з використанням різновидів...

Тигель для обробки розплавленого кремнію, спосіб його виробництва та застосування

Завантаження...

Номер патенту: 89717

Опубліковано: 25.02.2010

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 11/00, C04B 35/00, C04B 35/565 ...

Мітки: спосіб, виробництва, розплавленого, застосування, обробки, тигель, кремнію

Формула / Реферат:

1. Тигель для обробки розплавленого кремнію, який відрізняється тим, що включає основний корпус з нижньою поверхнею та боковими стінками, які обмежують внутрішній об'єм, основний корпус містить:- принаймні 65 мас. % карбіду кремнію,- від 12 до 30 мас. % складової, вибраної з оксиду або нітриду кремнію, причому основний корпус також включає принаймні одне покриття з оксиду кремнію та/або нітриду кремнію, принаймні на...

Тигель для кристалізації кремнію та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 89284

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: B22D 41/02, C30B 11/00, C04B 35/584 ...

Мітки: виготовлення, кристалізації, спосіб, кремнію, тигель

Формула / Реферат:

1. Тигель (1) для кристалізації кремнію, який включаєa) основний корпус (2), який включає нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які обмежують внутрішній об'єм;b) захисне покриття на основі нітриду кремнію (3), спрямоване до внутрішнього об'єму;причому вищезгадане захисне покриття (3) містить від 80 до 95 мас. % нітриду кремнію, від 5 до 20 мас. % низькотемпературної мінеральної зв'язувальної речовини, загальний...

Тигель для кристалізації кремнію та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 88964

Опубліковано: 10.12.2009

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: B22D 41/02, C04B 35/14, C01B 33/021 ...

Мітки: кремнію, виготовлення, кристалізації, спосіб, тигель

Формула / Реферат:

1. Тигель (1) для кристалізації кремнію, який включаєa) основний корпус (2), який включає нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які обмежують внутрішній об'єм;b) шар підкладки (25), який включає від 80 до 100 мас. % нітриду кремнію на поверхні бокових стінок (22), спрямованій до внутрішнього об'єму;c) проміжний шар (3), який включає від 50 до 100 мас. % кремнезему над шаром підкладки (25); таd) поверхневий шар...

Спосіб отримання високооднорідних халькогенідних напівпровідникових матеріалів аivbvi

Завантаження...

Номер патенту: 43898

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Криськов Цезарій Андрійович, Криськов Анатолій Андрійович, Власенко Олександр Іванович

МПК: C30B 15/10, C30B 13/00

Мітки: напівпровідникових, високооднорідних, спосіб, халькогенідних, отримання, матеріалів, aivbvi

Формула / Реферат:

Спосіб отримання халькогенідних напівпровідникових кристалів AІVBVI, який включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів, які завантажують в кварцову ампулу, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження ампули...

Кристалізатор для кристалізації кремнію та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 87842

Опубліковано: 25.08.2009

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 15/10

Мітки: кремнію, спосіб, кристалізатор, виготовлення, кристалізації

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для кристалізації кремнію, який міститьа) основну частину (2), яка містить нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які визначають внутрішній об'єм,б) проміжний шар (3), який містить від 50 до 100 мас. % кремнезему на поверхні бокових стінок (22), повернутих до внутрішнього об'єму, ів) поверхневий шар (4), який містить від 50 до 100 мас. % нітриду кремнію, до 50 мас. % діоксиду кремнію і до 20 мас....

Спосіб і пристрій для рафінування розплавленого матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 86168

Опубліковано: 25.03.2009

Автор: Фр'єстад Кеннет

МПК: C30B 35/00, C30B 15/10, C30B 29/06 ...

Мітки: матеріалу, рафінування, спосіб, розплавленого, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб рафінування матеріалу, який включає стадії: утворення розплаву матеріалу в ємності; приведення температурно-контрольованої контактної поверхні у контакт з поверхнею розплаву, при цьому вказана температурно-контрольована контактна поверхня не контактує зі стінками ємності і забезпечує кристалізацію розплавленого матеріалу та його утримування; і поступової кристалізації розплавленого матеріалу зверху вниз з утворенням твердого зливка...

Спосіб відновлення тиглів з коштовних металів, зокрема з іридію

Завантаження...

Номер патенту: 86154

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 15/10, C30B 35/00

Мітки: тиглів, спосіб, металів, коштовних, зокрема, іридію, відновлення

Формула / Реферат:

Спосіб відновлення тигля з коштовного металу, зокрема з іридію, що містить його попередній відпал при тиску 10-1 – 10-3 торр з подальшим зварюванням тріщин, який відрізняється тим, що відпал здійснюють при 2000-2200 °С протягом 0,5-1,0 години з подальшим охолодженням зі швидкістю 400-700 град/год.

Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі

Завантаження...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ліщук Віталій Євгенович, Задніпрянний Денис Львович

МПК: C30B 15/00, C30B 15/10, C30B 15/20 ...

Мітки: утриманням, розплаву, тиглі, вирощування, кристалу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Тигель для вирощування монокристалів корунду у вуглецевому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 24129

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович, Вишневський Сергій Дмитрович

МПК: C30B 15/10

Мітки: тигель, вирощування, середовищі, вуглецевому, монокристалів, корунду

Формула / Реферат:

Молібденовий тигель для вирощування монокристалів корунду у вуглецевому середовищі, що виконаний з молібдену у вигляді циліндричного стакана, який відрізняється тим, що додатково містить вольфрамове покриття у вигляді шару на зовнішній поверхні завтовшки 2-5 мм.

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Коломоєць Сергій Дмитрович, Шульга Юрій Григорович, Шифрук Олександр Сергійович, Куликовський Едуард Володимирович

МПК: C30B 15/10, C30B 29/06

Мітки: чохральського, методом, спосіб, тигля, вирощування, злитка, монокристалічного, підготовки

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Тепловий екран

Завантаження...

Номер патенту: 51033

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: C30B 15/10, C30B 15/00

Мітки: тепловий, екран

Формула / Реферат:

Тепловий екран для вирощування монокристалів корунду –Аl2O3, що включає систему коаксіально розміщених один відносно одного циліндрів із молібдену або його сплавів із футеруванням проміжку між першим і другим циліндрами, який відрізняється тим, що футерування проміжку між першим і другим циліндрами виконане у вигляді суцільного циліндра із листового молібдену або його...

Спосіб отримання твердого розчину pbte-snte

Завантаження...

Номер патенту: 31812

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 15/10

Мітки: отримання, розчину, твердого, спосіб, pbte-snte

Текст:

...параметрами. Найбільш близькими до запропонованого винаходу є спосіб отримання твердого розчину PbTe-SnTe, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в графітовому поршні і поміщають в двохзонну піч, температура першої" зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони € нижчою від температури плавлення вихідної речовини, поршень з вихідною речовиною перемішують з першої зони у...

Спосіб отримання твердого розчину sn-in-tе

Завантаження...

Номер патенту: 31811

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 15/10

Мітки: розчину, спосіб, sn-in-tе, твердого, отримання

Текст:

...нижчою від температури плавлення вихідної речовини, поршень з вихідною речовиною переміщують з першої зони у другу з швидкістю біля 25 мм/хв і обертаючи його при цьому із швидкістю І з оо/хв до здійснення кристалізації, іщішиди LUL щм^щіГшшдну речовину Sn-In-Te вибирають з перерізом Встановлено, що при 2,8 ат. % In твердий розчин Бпо^Те-ІфТез має максимальні значення термоефективності а2а> що дає можливість за рахунок певного вмісту In...