C30B 15/00 — Вирощування монокристалів витягуванням з розплаву, наприклад за методом Чохральського

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Галенін Евгеній Петрович, Сідлецький Олег Цезаревич, Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Архіпов Павло Васильович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: вирощування, сировиною, тиглів, монокристалів, спосіб, наплавлення

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Номер патенту: 118459

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Луньов Сергій Валентинович, Хвищун Микола В'ячеславович, Зімич Андрій Іванович, Маслюк Володимир Трохимович

МПК: C30B 33/04, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: отримання, магніточутливого, спосіб, мікросенсора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора, що включає одержання напівпровідникового домішкового монокристалу, піддавання його ізотермічному відпалу та з'єднання після охолодження до кімнатної температури з двома парами контактів, який відрізняється тим, що домішковий монокристал виготовляють з речовини n-типу провідності, та додатково опромінюють його потоком високоенергетичних електронів, а ізотермічний відпал здійснюють після...

Номер патенту: 103465

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Коневський Павло Вячеславович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/20, C30B 15/00 ...

Мітки: росту, монокристалів, параметрів, методом, кіропулоса, оптимізації, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом Кіропулоса, який відрізняється тим, що для кожного кристалу, який вирощено на конкретній установці, яку оснащено системою автоматичного регулювання потужності на нагріванні та реєстрації набору ваги кристала, що росте, по геометричній формі кристала і динаміці набору його ваги створюють віртуальний образ (комп'ютерну модель) процесу кристалізації, припускаючи форму...

Номер патенту: 110209

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Поздєєв Володимир Григорович, Поздєєв Іван Володимирович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 29/22, C30B 15/00, C30B 29/30 ...

Мітки: спосіб, монокристалів, bіv0,92nb0,08o4, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08O4, який включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту додають 8 мол. % пентаоксиду ніобію, а кристали вирощують зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год., та...

Номер патенту: 108932

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Сідлецький Олег Цезарович, Курцев Даніїл Олександрович, Волошина Олеся Василівна, Кононець Валерій Вадимович, Архипов Павел Васильович, Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Євген Петрович, Бондар Валерій Григорович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: шихтою, наплавлення, вирощування, зокрема, оксидів, високотемпературних, тигля, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб наплавлення тигля шихтою, зокрема, для вирощування оксидних монокристалів, який включає завантаження шихти в бункер, який встановлюють співвісно над тиглем, здійснюють їх нагрівання у пічці з певною швидкістю, знижують швидкість нагрівання для перебігу твердофазового синтезу, продовжують нагрівання до отримання розплаву, після повного перетікання розплаву до тигля та витримки в тиглі, останній охолоджують до кімнатної температури,...

Номер патенту: 99224

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Назаренко Борис Петрович, Космина Мирон Богданович, Шеховцов Олексій Миколайович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 15/00

Мітки: основі, отримання, активованого, лантату, рідкісноземельного, спосіб, кальцію, кристалічного, матеріалу, неодимом, ортованадату

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного матеріалу на основі кристала рідкісноземельного ортованадату кальцію та лантану Ca9La(VO4)7, активованого неодимом, що включає отримання шихти, завантаження в тигель, вирощування кристала методом Чохральського, який відрізняється тим, що попередньо синтезують сполуки Ca9La(VO4)7 та Ca9Nd(VO4)7, перемішують у співвідношенні, щоб концентрація неодиму складала 0,5-5 мас.%, отриману шихту завантажують у...

Номер патенту: 108337

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Явецький Роман Павлович, Кравченко Валерій Борисович, Толмачов Олександр Володимирович, Дорошенко Андрій григорович, Пархоменко Сергій Володимирович, Косьянов Денис Юрійович, Копилов Юрій Леонідович

МПК: B28B 1/00, C30B 15/00, C30B 29/28 ...

Мітки: отримання, алюмоітрієвого, спосіб, іонами, гранату, активованого, лазерної, неодиму, кераміки

Формула / Реферат:

Спосіб отримання лазерної кераміки алюмоітрієвого гранату, активованого іонами неодиму реакційним спіканням в вакуумі керамічних порошків оксидів Y2O3, Nd2О3 та Аl2О3, що включає гомогенізацію та помел, сушіння, компактування порошків та спікання компакту, який відрізняється тим, що після синтезу проводять помел нанопорошків оксидів ітрію Y2O3 та неодиму Nd2О3 до отримання слабоагрегованих частинок з розмірами 50-100 нм та субмікронних...

Номер патенту: 107167

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Онищенко Олександр Веніамінович, Алєксєєнко Олександр Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 15/00, C01B 33/02, C30B 29/06 ...

Мітки: одержання, зливках, спосіб, кремнію, полікристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, очищення та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом витягування зливка полікристалічного кремнію із розплаву на затравку з вуглецевого матеріалу при швидкості обертання тигля не менше 15 об./хв, при цьому над поверхнею розплаву створюють горизонтальний...

Номер патенту: 93505

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Гаврилов Валерій Олександрович, Пекар Ярослав Михайлович, Пекар Володимир Ярославович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вертикальною, вирощування, сапфіра, напрямленою, спосіб, розплаву, монокристалів, a-al2o3, кристалізацією

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (а-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що включає введення в контакт із розплавом вихідної сировини затравкового кристала з подальшою кристалізацією всієї маси розплаву, який відрізняється тим, що першопочатково кристалізацію здійснюють з обертанням затравкового кристала із заданою швидкістю відносно його вертикальної осі, причому таким чином кристалізують одну третю маси...

Номер патенту: 105337

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Космина Мирон Богданович, Назаренко Борис Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Шеховцов Олексій Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Мітки: кристалічний, матеріал, ближнього, активованого, активних, неодимом, основі, елементів, ортованадату, діапазону, кальцію, перестроюванням, частоти, дискретним, лазерів

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів ближнього ІЧ діапазону з дискретним перестроюванням частоти на основі кристалу ортованадату кальцію, активованого неодимом, який відрізняється тим, що додатково містить в своєму складі домішку літію і створює твердий розчин заміщення Ca3-x/2Lix(VO4)2:Nd при 0,3£х£1, а вміст неодиму складає 0,5-5 мас. %.

Номер патенту: 105335

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Дубовік Олександр Михайлович, Якубовська Ганна Георгіївна

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00, C30B 29/10 ...

Мітки: цинку, вольфрамату, сцинтиляційний, основі, монокристал

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний монокристал на основі вольфрамату цинку, який відрізняється тим, що він додатково легований магнієм, що створює твердий розчин заміщення ZnxMg1-xWO4 при 0,05£х£0,95, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підґратці.

Номер патенту: 84343

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Слободяник Микола Семенович, Затовський Ігор Вікторович, Іваненко Володимир Ігорович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/04, C01G 23/00 ...

Мітки: спосіб, цирконій, розплавного, гафнійвмісних, кристалів, kтіоро4, синтезу

Формула / Реферат:

1. Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів КТiОРО4 шляхом взаємодії порошку фторидів цирконію (гафнію) з розплавом фосфатів калію та оксиду титану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок внесення МIV F4 (МIV-Zr чи Hf) у розчин-розплав.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок...

Номер патенту: 83344

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 29/30, C30B 15/00, C30B 29/22 ...

Мітки: вирощування, спосіб, bіv0,92nb0,08o4, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08О4, що включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту добавляють 8 мол. % п'ятиокису ніобію, кристали вирощуються зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год. та обертання...

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Крузіна Тетяна Володимирівна, Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович, Бочкова Тетяна Михайлівна

МПК: C30B 29/22, C30B 29/30, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, binbo4, кристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.

Номер патенту: 60165

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Педаш Вячеслав Юрійович, Реброва Тетяна Павлівна, Дацько Юрій Миколайович, Гончаренко Віктор Федорович, Чергінець Віктор Леонідович

МПК: C30B 15/00, C30B 13/08

Мітки: йодиду, монокристалів, спосіб, цезію, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів йодиду цезію, який включає завантаження вихідної сировини, що містить катіонну добавку, нагрівання, плавлення під вакуумом і наступне вирощування кристала, який відрізняється тим, що як катіонну добавку використовують хлорид магнію MgCl2, яку вводять в кількості 5·10-4-1·10-2 моль·кг-1.

Номер патенту: 59794

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Дешко Валерій Іванович, Ленькин Олександр Володимирович, Коржик Михайло Володимирович, Лохманець Юрій Володимирович, Карвацький Антон Янович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кристалізатор

Формула / Реферат:

Кристалізатор, що містить тигель з розташованою на дні затравкою, простір над якою заповнено розплавом, при цьому в розплав занурено нагрівач, тигель закріплено на рухомому штоці, а всю конструкцію оточує циліндричний корпус з фоновими нагрівачами, який відрізняється тим, що в дні тигля виконано отвір, а рухомий шток має наскрізний внутрішній канал, в якому розташовано пересувну діафрагму.

Номер патенту: 94312

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Гаврилюк Олег Якович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 15/00, C30B 33/02, C30B 29/06 ...

Мітки: очищення, кремнію, оборотів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає плавлення оборотів кремнію електронним променем в плавильній ємності у вакуумі, витримку розплаву, зливання розплаву в тигель, який відрізняється тим, що плавлення і витримку розплаву ведуть в потоці інертного чи реакційного газу над поверхнею розплаву при глибині розплаву не більше ніж 5 см та максимальній потужності електронного променя, яка не призводить до кипіння розплаву.

Номер патенту: 56549

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Черненков Данило Віталійович, Нетак Борислав Борисович, Макарова Ірина Олегівна, Канібор Юрій Олександрович, Біляков Віктор Миколайович, Макаров Олег Дмитрович

МПК: C30B 15/00

Мітки: пристрій, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів, що включає циліндричну камеру росту з коаксіально розташованими нагрівником і подвійним концентричним тиглем із зовнішньою і внутрішньою частинами, механізм обертання тигля, затравкоутримувач, встановлений над тиглем і закріплений на штоку з можливістю обертання та вертикального переміщення, систему підживлення розплаву у вигляді бункера з трубкою, який відрізняється тим, що камера росту оснащена...

Номер патенту: 92990

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Гринь Григорій Васильович, Ушанкін Юрій Володимирович, Онищенко Олександр Веніамінович

МПК: C30B 33/08, C01B 33/02, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, кремнію, відходів, очищення

Формула / Реферат:

Спосіб очищення відходів кремнію, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що процес ведуть в атмосфері аргону під тиском не менше 6000 Па та швидкості обертання тигля 0,4-2,0 об/хв., перед кристалізацією в розплав опускають затравку з вуглецевого матеріалу, збирають на неї чужорідні включення і витягують її з розплаву, а кристалізацію розплаву здійснюють зі...

Номер патенту: 91885

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 15/00, C30B 33/00

Мітки: спосіб, кремнію, відходів, виробництва, переробки

Формула / Реферат:

Спосіб переробки відходів виробництва кремнію, що включає плавлення відходів виробництва кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, витягування зливка із розплаву на затравку, який відрізняється тим, що процес здійснюють з відкритим екрануванням кварцового тигля з розплавом в атмосфері аргону під тиском не більше 200 Па та при величині його потоку не менше 1500 л/год., витримку розплаву здійснюють протягом 6-8 годин, витягування зливка...

Номер патенту: 51927

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Шаповалов Віктор Олександрович, Колєсніченко Володимир Іванович, Карускевич Ольга Віталіївна, Гніздило Олександр Миколайович

МПК: F27B 14/00, C30B 29/00, C30B 15/00 ...

Мітки: методом, вирощування, пристрій, чохральського, тугоплавких, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральського, що включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристала та тигель, виконаний з тугоплавкого матеріалу (метал, сплав, хімічна сполука і т.д.), який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який...

Номер патенту: 90642

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Дубовік Олександр Михайлович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Даневич Федір Анатолійович, Гриньов Борис Вікторович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Вострецов Юрій Якович

МПК: C30B 15/00, G01T 1/15

Мітки: одержання, зокрема, магнію, сцинтиляційного, детектор, вольфрамату, монокристала, спосіб, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристала вольфрамату магнію, зокрема сцинтиляційного, що включає приготування розчину-розплаву шляхом змішування еквімолярної кількості порошків Na2WO4, WO3 і MgO, розплавлення суміші при температурі 1100-1350 °С з подальшим охолоджуванням, який відрізняється тим, що охолоджування проводять до температури 950-1050 °С, після чого здійснюють витягування монокристала на затравку, що обертається, із швидкістю 0,05-1...

Номер патенту: 90632

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Волошина Олеся Василівна, Ткаченко Сергій Анатолійович, Бондар Валерій Григорійович, Зеленська Ольга Віталіївна, Гриньов Борис Вікторович, Сідлецький Олег Цезарович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C09K 11/77, C30B 15/00

Мітки: елементів, активованих, спосіб, монокристалів, піросилікатів, рідкісноземельних, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання активованих монокристалів піросилікатів рідкісноземельних елементів, що включає приготування шихти шляхом змішування вихідних оксидів, їх прожарювання при температурі 1500±10 °С в атмосфері аргону, з наступним плавленням одержаної шихти й вирощування монокристалів методом Чохральского, який відрізняється тим, що використовують склад шихти, що відповідає співвідношенню (32,8-31,8) мол. % (Re2O3+A2O3) : (67,2-68,2) мол. %...

Номер патенту: 89883

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Андрєєв Євгеній Петрович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: пристрій, профільованих, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування профільованих кристалів, що містить тигель з кришкою, капілярну систему, яка виконана у вигляді пучка капілярних трубок і розташована симетрично щодо осі тигля, формоутворювач, отвір для завантаження тигля сировиною і механізм для витягування, який відрізняється тим, що кришкою є торцева пластина, у яку уведено не менше одного пучка капілярних трубок урівень з її поверхнею, на якій виконані радіальні капілярні...

Номер патенту: 89334

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Кудін Костянтин Олександрович, Софронов Дмитро Семенович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євген Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович, Нагорняк Володимир Теодорович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00, C30B 29/32 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, германату, середовище, вісмуту, структурою, евлітину

Формула / Реферат:

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину на основі інертних газів з вмістом кисню, яке відрізняється тим, що містить 2,5-3 об. % кисню і 97-97,5 об. % суміші інертних газів аргону та гелію, причому аргон і гелій беруть у співвідношенні 13:1.

Номер патенту: 46765

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Реброва Тетяна Павлівна, Пономаренко Тамара Володимирівна, Чергінець Віктор Леонідович

МПК: G01N 31/16, C30B 15/00

Мітки: іонних, концентрації, визначення, кисневмісних, спосіб, домішок, галогенідів, розплавах, загальної

Формула / Реферат:

Спосіб визначення загальної концентрації кисневмісних домішок у розплавах іонних галогенідів, що включає плавлення іонного галогеніду в інертній газовій атмосфері і витримку розплаву при температурі, що перевищує температуру плавлення галогеніду на 30-50 °С, протягом 1,5-2 годин, вимірювання електрорушійної сили (ЕРС) електрохімічної комірки після кожного додавання наважки титранту, побудову залежності "ЕРС - концентрація...

Номер патенту: 88591

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Галенін Євген Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: сировиною, монокристалів, вирощування, тиглів, наплавлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тигля сировиною для вирощування монокристалів, який полягає в тому, що сировину завантажують в тигель, розміщують тигель в ростовій камері, нагрівають й одержують розплав, довантажують сировину, який відрізняється тим, що довантаження здійснюють сплавленням до затравки попередньо вирощеного монокристала з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, й закріпленого в затравкоутримувачі безпосередньо після...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Нагорняк Володимир Теодорович, Бондар Валерій Григорійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євгеній Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 15/00, C30B 35/00

Мітки: чохральського, вирощування, розплаву, спосіб, здійснення, пристрій, монокристалів, методом

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Номер патенту: 88507

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 29/22, C30B 15/00

Мітки: шихти, варіанти, складних, монокристалів, спосіб, оксидів, наплавлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб наплавлення шихти монокристалів складних оксидів, що включає завантаження шихти в бункер печі, розміщення його над тиглем співвісно останньому, з подальшим нагрівом, переміщення одержаного розплаву в тигель шляхом перетікання через отвір в дні бункера, витримку розплаву, після чого тигель охолоджують, починаючи з його нижньої частини, який відрізняється тим, що як піч використовують піч з індукційним нагрівачем, розміщену у...

Номер патенту: 88312

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Шишкін Олег Валерійович, Семиноженко Володимир Петрович, Кудін Констянтин Олександрович, Кудін Олександр Михайлович, Софронов Дмитро Семенович, Волошко Олександр Юрійович

МПК: C01D 3/00, C30B 29/12, C30B 15/00, C30B 11/02 ...

Мітки: монокристалів, натрію, сировини, вихідної, цезію, спосіб, вирощування, йодиду, підготовки, основі

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки вихідної сировини на основі йодиду натрію або цезію для вирощування монокристалів на їх основі, що включає завантаження вихідної солі в ампулу, її вакуумування, потім нагрівання солі при постійному вакуумуванні до температури 420-450 °С, введення в ампулу з вихідною сіллю сухого повітря з наступним витримуванням, вакуумування ампули, повторне напускання сухого повітря, витримування при температурі 420-450 °С і повторне...

Номер патенту: 87792

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Заславський Борис Григорович, Васецький Сергій Іванович, Мітічкін Анатолій Іванович, Колесніков Олександр Володимирович, Кудін Олександр Михайлович, Овчаренко Наталія Володимирівна

МПК: C30B 15/02, C30B 29/10, C30B 15/00 ...

Мітки: йодиду, спосіб, талію, цезію, основі, йодидом, одержання, активованій, сцинтиляційний, матеріал

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, що містить додаткові легуючі домішки, який відрізняється тим, що додатковими легуючими домішками є нітрит і оксид цезію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: йодид талію 0,08-0,16 нітрит цезію 0,0007-0,0028 оксид цезію 0,001-0,0032 йодид...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Кравченко Віктор Леонович, Куліковський Станіслав Володимирович, Єлісєєв Валерій Андрійович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/00, C01B 33/00 ...

Мітки: кремнію, одержання, протікання, пристрій, індикацією, сигналізації, розплаву

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Мірошников Юрій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Данько Олександр Якович, Адонкін Георгій Тимофійович, Гринь Леонід Олексійович

МПК: C30B 15/00, C30B 13/00, C30B 15/14, C30B 11/00 ...

Мітки: монокристалів, оксиду, спосіб, вирощування, алюмінію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Номер патенту: 41486

Опубліковано: 25.05.2009

Автор: Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 29/00, C30B 15/00

Мітки: спосіб, розчинів, твердих, кристалів, вирощування, галій-індій-сурма

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма (GaxIn1-xSb), який полягає в тому, що витягування кристала із розплаву здійснюють шляхом використання затравочного монокристала заданого складу, який відрізняється тим, що застосовують затравочний монокристал GaxIn1-xSb зі складом, котрий може відрізнятись від складу вирощуваного кристала менше або більше на х=0,01.

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Детлофф Крістіан, Фр'єстад Кеннет

МПК: C30B 13/00, C01B 33/00, C01B 33/02 ...

Мітки: направленої, виготовлення, чохральського, шляхом, методом, одержуваного, зонної, еремнію, полікристалічного, кристалізації, зливка, плавки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Задніпрянний Денис Львович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/10, C30B 15/00, C30B 15/20 ...

Мітки: кристалу, спосіб, вирощування, розплаву, тиглі, утриманням

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Номер патенту: 85648

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 27/00, C30B 15/00, C30B 15/20 ...

Мітки: ліщука, монокристалів, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем електричного контакту ділянки кола кристал-розплав, який відрізняється тим, що у процесі зростання монокристала визначають часову залежність електричних параметрів згаданої ділянки кола, а про порушення монокристалічного зростання кристала судять по характерному відхиленню від аналогічної еталонної залежності.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що порушення...

Номер патенту: 35367

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Головко Юрій Вікторович, Швець Євген Якович, Воляр Роман Миколайович, Пожуєв Володимир Іванович, Єгоров Сергій Геннадійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, кремнію, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала, відрив монокристала від розплаву, охолодження монокристала, який відрізняється тим, що товщину розплаву під фронтом кристалізації монокристала підтримують рівною 0,3...0,5 радіусу...

Номер патенту: 35242

Опубліковано: 10.09.2008

Автор: Логунов Олександр Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: автоматизованої, маркування, спосіб, ідентифікації, виробів, систем

Формула / Реферат:

1. Спосіб маркування виробів, що включає пробивку матриці наскрізних отворів у матеріалі виробу, який відрізняється тим, що у склад маркера вводять базовий та орієнтувальні ряди отворів, а для кодування кожного десяткового розряду індивідуального номера виробу використовують один інформаційній ряд із двох отворів за допомогою коду "2 із 5", причому отвори базового ряду пробивають у першу чергу, а отвори орієнтувального ряду...

Номер патенту: 34160

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Швець Євген Якович, Пожуєв Володимир Іванович, Воляр Роман Миколайович, Єгоров Сергій Геннадійович, Головко Юрій Вікторович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кремнію, спосіб, розплаву, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського в середовищі інертного газу, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, щознаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра і вирощування циліндрової частини монокристала, який відрізняється тим, що при довжині...