C30B 15/00 — Вирощування монокристалів витягуванням з розплаву, наприклад за методом Чохральського

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Архіпов Павло Васильович, Галенін Евгеній Петрович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: монокристалів, спосіб, тиглів, наплавлення, сировиною, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Номер патенту: 118459

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Хвищун Микола В'ячеславович, Луньов Сергій Валентинович, Маслюк Володимир Трохимович, Зімич Андрій Іванович

МПК: C30B 33/04, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: мікросенсора, отримання, магніточутливого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора, що включає одержання напівпровідникового домішкового монокристалу, піддавання його ізотермічному відпалу та з'єднання після охолодження до кімнатної температури з двома парами контактів, який відрізняється тим, що домішковий монокристал виготовляють з речовини n-типу провідності, та додатково опромінюють його потоком високоенергетичних електронів, а ізотермічний відпал здійснюють після...

Номер патенту: 103465

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євген Володимирович, Коневський Павло Вячеславович

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20, C30B 17/00 ...

Мітки: оптимізації, спосіб, параметрів, вирощування, монокристалів, росту, кіропулоса, методом

Формула / Реферат:

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом Кіропулоса, який відрізняється тим, що для кожного кристалу, який вирощено на конкретній установці, яку оснащено системою автоматичного регулювання потужності на нагріванні та реєстрації набору ваги кристала, що росте, по геометричній формі кристала і динаміці набору його ваги створюють віртуальний образ (комп'ютерну модель) процесу кристалізації, припускаючи форму...

Номер патенту: 110209

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Мітки: спосіб, монокристалів, bіv0,92nb0,08o4, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08O4, який включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту додають 8 мол. % пентаоксиду ніобію, а кристали вирощують зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год., та...

Номер патенту: 108932

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кононець Валерій Вадимович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Бондар Валерій Григорович, Архипов Павел Васильович, Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Євген Петрович, Курцев Даніїл Олександрович, Сідлецький Олег Цезарович, Волошина Олеся Василівна

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, тигля, зокрема, шихтою, високотемпературних, спосіб, наплавлення, оксидів

Формула / Реферат:

1. Спосіб наплавлення тигля шихтою, зокрема, для вирощування оксидних монокристалів, який включає завантаження шихти в бункер, який встановлюють співвісно над тиглем, здійснюють їх нагрівання у пічці з певною швидкістю, знижують швидкість нагрівання для перебігу твердофазового синтезу, продовжують нагрівання до отримання розплаву, після повного перетікання розплаву до тигля та витримки в тиглі, останній охолоджують до кімнатної температури,...

Номер патенту: 99224

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Назаренко Борис Петрович, Шеховцов Олексій Миколайович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Космина Мирон Богданович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кристалічного, активованого, кальцію, основі, ортованадату, неодимом, лантату, спосіб, отримання, рідкісноземельного, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного матеріалу на основі кристала рідкісноземельного ортованадату кальцію та лантану Ca9La(VO4)7, активованого неодимом, що включає отримання шихти, завантаження в тигель, вирощування кристала методом Чохральського, який відрізняється тим, що попередньо синтезують сполуки Ca9La(VO4)7 та Ca9Nd(VO4)7, перемішують у співвідношенні, щоб концентрація неодиму складала 0,5-5 мас.%, отриману шихту завантажують у...

Номер патенту: 108337

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Дорошенко Андрій григорович, Пархоменко Сергій Володимирович, Косьянов Денис Юрійович, Явецький Роман Павлович, Кравченко Валерій Борисович, Толмачов Олександр Володимирович, Копилов Юрій Леонідович

МПК: C30B 29/28, C30B 15/00, B28B 1/00 ...

Мітки: отримання, іонами, лазерної, алюмоітрієвого, спосіб, активованого, кераміки, гранату, неодиму

Формула / Реферат:

Спосіб отримання лазерної кераміки алюмоітрієвого гранату, активованого іонами неодиму реакційним спіканням в вакуумі керамічних порошків оксидів Y2O3, Nd2О3 та Аl2О3, що включає гомогенізацію та помел, сушіння, компактування порошків та спікання компакту, який відрізняється тим, що після синтезу проводять помел нанопорошків оксидів ітрію Y2O3 та неодиму Nd2О3 до отримання слабоагрегованих частинок з розмірами 50-100 нм та субмікронних...

Номер патенту: 107167

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Онищенко Олександр Веніамінович, Алєксєєнко Олександр Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/02, C30B 15/00 ...

Мітки: кремнію, спосіб, зливках, полікристалічного, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, очищення та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом витягування зливка полікристалічного кремнію із розплаву на затравку з вуглецевого матеріалу при швидкості обертання тигля не менше 15 об./хв, при цьому над поверхнею розплаву створюють горизонтальний...

Номер патенту: 93505

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Пекар Володимир Ярославович, Гаврилов Валерій Олександрович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вертикальною, a-al2o3, розплаву, напрямленою, спосіб, монокристалів, кристалізацією, сапфіра, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (а-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що включає введення в контакт із розплавом вихідної сировини затравкового кристала з подальшою кристалізацією всієї маси розплаву, який відрізняється тим, що першопочатково кристалізацію здійснюють з обертанням затравкового кристала із заданою швидкістю відносно його вертикальної осі, причому таким чином кристалізують одну третю маси...

Номер патенту: 105337

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Шеховцов Олексій Миколайович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Назаренко Борис Петрович, Космина Мирон Богданович

МПК: C30B 29/30, C30B 15/00

Мітки: активованого, ближнього, активних, основі, кальцію, елементів, перестроюванням, частоти, матеріал, дискретним, неодимом, ортованадату, кристалічний, лазерів, діапазону

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів ближнього ІЧ діапазону з дискретним перестроюванням частоти на основі кристалу ортованадату кальцію, активованого неодимом, який відрізняється тим, що додатково містить в своєму складі домішку літію і створює твердий розчин заміщення Ca3-x/2Lix(VO4)2:Nd при 0,3£х£1, а вміст неодиму складає 0,5-5 мас. %.

Номер патенту: 105335

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Якубовська Ганна Георгіївна, Дубовік Олександр Михайлович, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: C30B 29/32, C30B 29/10, C30B 15/00 ...

Мітки: сцинтиляційний, основі, монокристал, цинку, вольфрамату

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний монокристал на основі вольфрамату цинку, який відрізняється тим, що він додатково легований магнієм, що створює твердий розчин заміщення ZnxMg1-xWO4 при 0,05£х£0,95, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підґратці.

Номер патенту: 84343

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Слободяник Микола Семенович, Іваненко Володимир Ігорович, Затовський Ігор Вікторович

МПК: C01G 23/00, C30B 13/00, C30B 11/04 ...

Мітки: кристалів, спосіб, синтезу, цирконій, розплавного, kтіоро4, гафнійвмісних

Формула / Реферат:

1. Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів КТiОРО4 шляхом взаємодії порошку фторидів цирконію (гафнію) з розплавом фосфатів калію та оксиду титану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок внесення МIV F4 (МIV-Zr чи Hf) у розчин-розплав.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок...

Номер патенту: 83344

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович

МПК: C30B 29/22, C30B 29/30, C30B 15/00 ...

Мітки: bіv0,92nb0,08o4, монокристалів, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08О4, що включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту добавляють 8 мол. % п'ятиокису ніобію, кристали вирощуються зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год. та обертання...

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Бочкова Тетяна Михайлівна, Крузіна Тетяна Володимирівна

МПК: C30B 15/00, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Мітки: спосіб, вирощування, binbo4, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.

Номер патенту: 60165

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Гончаренко Віктор Федорович, Чергінець Віктор Леонідович, Педаш Вячеслав Юрійович, Дацько Юрій Миколайович, Реброва Тетяна Павлівна

МПК: C30B 13/08, C30B 15/00

Мітки: спосіб, монокристалів, одержання, йодиду, цезію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів йодиду цезію, який включає завантаження вихідної сировини, що містить катіонну добавку, нагрівання, плавлення під вакуумом і наступне вирощування кристала, який відрізняється тим, що як катіонну добавку використовують хлорид магнію MgCl2, яку вводять в кількості 5·10-4-1·10-2 моль·кг-1.

Номер патенту: 59794

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Ленькин Олександр Володимирович, Карвацький Антон Янович, Коржик Михайло Володимирович, Дешко Валерій Іванович, Лохманець Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кристалізатор

Формула / Реферат:

Кристалізатор, що містить тигель з розташованою на дні затравкою, простір над якою заповнено розплавом, при цьому в розплав занурено нагрівач, тигель закріплено на рухомому штоці, а всю конструкцію оточує циліндричний корпус з фоновими нагрівачами, який відрізняється тим, що в дні тигля виконано отвір, а рухомий шток має наскрізний внутрішній канал, в якому розташовано пересувну діафрагму.

Номер патенту: 94312

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Гринь Григорій Васильович, Гаврилюк Олег Якович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/06, C30B 15/00 ...

Мітки: кремнію, очищення, спосіб, оборотів

Формула / Реферат:

Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає плавлення оборотів кремнію електронним променем в плавильній ємності у вакуумі, витримку розплаву, зливання розплаву в тигель, який відрізняється тим, що плавлення і витримку розплаву ведуть в потоці інертного чи реакційного газу над поверхнею розплаву при глибині розплаву не більше ніж 5 см та максимальній потужності електронного променя, яка не призводить до кипіння розплаву.

Номер патенту: 56549

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Черненков Данило Віталійович, Макарова Ірина Олегівна, Канібор Юрій Олександрович, Макаров Олег Дмитрович, Біляков Віктор Миколайович, Нетак Борислав Борисович

МПК: C30B 15/00

Мітки: пристрій, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів, що включає циліндричну камеру росту з коаксіально розташованими нагрівником і подвійним концентричним тиглем із зовнішньою і внутрішньою частинами, механізм обертання тигля, затравкоутримувач, встановлений над тиглем і закріплений на штоку з можливістю обертання та вертикального переміщення, систему підживлення розплаву у вигляді бункера з трубкою, який відрізняється тим, що камера росту оснащена...

Номер патенту: 92990

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Онищенко Олександр Веніамінович, Гринь Григорій Васильович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 33/08, C01B 33/02 ...

Мітки: кремнію, відходів, очищення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення відходів кремнію, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що процес ведуть в атмосфері аргону під тиском не менше 6000 Па та швидкості обертання тигля 0,4-2,0 об/хв., перед кристалізацією в розплав опускають затравку з вуглецевого матеріалу, збирають на неї чужорідні включення і витягують її з розплаву, а кристалізацію розплаву здійснюють зі...

Номер патенту: 91885

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Гринь Григорій Васильович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 33/00

Мітки: спосіб, виробництва, переробки, кремнію, відходів

Формула / Реферат:

Спосіб переробки відходів виробництва кремнію, що включає плавлення відходів виробництва кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, витягування зливка із розплаву на затравку, який відрізняється тим, що процес здійснюють з відкритим екрануванням кварцового тигля з розплавом в атмосфері аргону під тиском не більше 200 Па та при величині його потоку не менше 1500 л/год., витримку розплаву здійснюють протягом 6-8 годин, витягування зливка...

Номер патенту: 51927

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна, Шаповалов Віктор Олександрович, Колєсніченко Володимир Іванович, Гніздило Олександр Миколайович

МПК: C30B 29/00, F27B 14/00, C30B 15/00 ...

Мітки: методом, монокристалів, тугоплавких, пристрій, вирощування, чохральського

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральського, що включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристала та тигель, виконаний з тугоплавкого матеріалу (метал, сплав, хімічна сполука і т.д.), який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який...

Номер патенту: 90642

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Дубовік Олександр Михайлович, Вострецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Даневич Федір Анатолійович

МПК: C30B 15/00, G01T 1/15

Мітки: магнію, основі, детектор, зокрема, спосіб, монокристала, сцинтиляційного, вольфрамату, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристала вольфрамату магнію, зокрема сцинтиляційного, що включає приготування розчину-розплаву шляхом змішування еквімолярної кількості порошків Na2WO4, WO3 і MgO, розплавлення суміші при температурі 1100-1350 °С з подальшим охолоджуванням, який відрізняється тим, що охолоджування проводять до температури 950-1050 °С, після чого здійснюють витягування монокристала на затравку, що обертається, із швидкістю 0,05-1...

Номер патенту: 90632

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Сідлецький Олег Цезарович, Бондар Валерій Григорійович, Зеленська Ольга Віталіївна, Гриньов Борис Вікторович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Волошина Олеся Василівна, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 15/00, C09K 11/77

Мітки: спосіб, одержання, монокристалів, піросилікатів, активованих, елементів, рідкісноземельних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання активованих монокристалів піросилікатів рідкісноземельних елементів, що включає приготування шихти шляхом змішування вихідних оксидів, їх прожарювання при температурі 1500±10 °С в атмосфері аргону, з наступним плавленням одержаної шихти й вирощування монокристалів методом Чохральского, який відрізняється тим, що використовують склад шихти, що відповідає співвідношенню (32,8-31,8) мол. % (Re2O3+A2O3) : (67,2-68,2) мол. %...

Номер патенту: 89883

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Євгеній Петрович

МПК: C30B 15/00

Мітки: профільованих, пристрій, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування профільованих кристалів, що містить тигель з кришкою, капілярну систему, яка виконана у вигляді пучка капілярних трубок і розташована симетрично щодо осі тигля, формоутворювач, отвір для завантаження тигля сировиною і механізм для витягування, який відрізняється тим, що кришкою є торцева пластина, у яку уведено не менше одного пучка капілярних трубок урівень з її поверхнею, на якій виконані радіальні капілярні...

Номер патенту: 89334

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Євген Петрович, Кудін Костянтин Олександрович, Софронов Дмитро Семенович, Нагорняк Володимир Теодорович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 29/32, C30B 11/00, C30B 15/00 ...

Мітки: середовище, монокристалів, евлітину, структурою, вирощування, германату, вісмуту

Формула / Реферат:

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину на основі інертних газів з вмістом кисню, яке відрізняється тим, що містить 2,5-3 об. % кисню і 97-97,5 об. % суміші інертних газів аргону та гелію, причому аргон і гелій беруть у співвідношенні 13:1.

Номер патенту: 46765

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Чергінець Віктор Леонідович, Пономаренко Тамара Володимирівна, Реброва Тетяна Павлівна

МПК: C30B 15/00, G01N 31/16

Мітки: іонних, розплавах, кисневмісних, загальної, галогенідів, визначення, концентрації, домішок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення загальної концентрації кисневмісних домішок у розплавах іонних галогенідів, що включає плавлення іонного галогеніду в інертній газовій атмосфері і витримку розплаву при температурі, що перевищує температуру плавлення галогеніду на 30-50 °С, протягом 1,5-2 годин, вимірювання електрорушійної сили (ЕРС) електрохімічної комірки після кожного додавання наважки титранту, побудову залежності "ЕРС - концентрація...

Номер патенту: 88591

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Євген Петрович, Нагорняк Володимир Теодорович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: вирощування, наплавлення, монокристалів, сировиною, тиглів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тигля сировиною для вирощування монокристалів, який полягає в тому, що сировину завантажують в тигель, розміщують тигель в ростовій камері, нагрівають й одержують розплав, довантажують сировину, який відрізняється тим, що довантаження здійснюють сплавленням до затравки попередньо вирощеного монокристала з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, й закріпленого в затравкоутримувачі безпосередньо після...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Нагорняк Володимир Теодорович, Галенін Євгеній Петрович, Бондар Валерій Григорійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 15/00, C30B 35/00

Мітки: методом, вирощування, спосіб, пристрій, монокристалів, чохральського, здійснення, розплаву

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Номер патенту: 88507

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 29/22, C30B 15/00

Мітки: складних, шихти, монокристалів, варіанти, наплавлення, спосіб, оксидів

Формула / Реферат:

1. Спосіб наплавлення шихти монокристалів складних оксидів, що включає завантаження шихти в бункер печі, розміщення його над тиглем співвісно останньому, з подальшим нагрівом, переміщення одержаного розплаву в тигель шляхом перетікання через отвір в дні бункера, витримку розплаву, після чого тигель охолоджують, починаючи з його нижньої частини, який відрізняється тим, що як піч використовують піч з індукційним нагрівачем, розміщену у...

Номер патенту: 88312

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Шишкін Олег Валерійович, Кудін Олександр Михайлович, Семиноженко Володимир Петрович, Кудін Констянтин Олександрович, Волошко Олександр Юрійович, Софронов Дмитро Семенович

МПК: C01D 3/00, C30B 15/00, C30B 11/02, C30B 29/12 ...

Мітки: підготовки, спосіб, йодиду, монокристалів, сировини, цезію, вирощування, натрію, вихідної, основі

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки вихідної сировини на основі йодиду натрію або цезію для вирощування монокристалів на їх основі, що включає завантаження вихідної солі в ампулу, її вакуумування, потім нагрівання солі при постійному вакуумуванні до температури 420-450 °С, введення в ампулу з вихідною сіллю сухого повітря з наступним витримуванням, вакуумування ампули, повторне напускання сухого повітря, витримування при температурі 420-450 °С і повторне...

Номер патенту: 87792

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Кудін Олександр Михайлович, Мітічкін Анатолій Іванович, Заславський Борис Григорович, Овчаренко Наталія Володимирівна, Гриньов Борис Вікторович, Колесніков Олександр Володимирович, Васецький Сергій Іванович

МПК: C30B 15/02, C30B 15/00, C30B 29/10 ...

Мітки: матеріал, активованій, основі, йодиду, одержання, йодидом, цезію, спосіб, сцинтиляційний, талію

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, що містить додаткові легуючі домішки, який відрізняється тим, що додатковими легуючими домішками є нітрит і оксид цезію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: йодид талію 0,08-0,16 нітрит цезію 0,0007-0,0028 оксид цезію 0,001-0,0032 йодид...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Кравченко Віктор Леонович, Куліковський Станіслав Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Єлісєєв Валерій Андрійович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/00, C30B 15/00 ...

Мітки: індикацією, одержання, кремнію, сигналізації, пристрій, протікання, розплаву

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Мірошников Юрій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Данько Олександр Якович, Адонкін Георгій Тимофійович, Гринь Леонід Олексійович, Ніжанковський Сергій Вікторович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/14, C30B 15/00, C30B 13/00 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, алюмінію, спосіб, оксиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Номер патенту: 41486

Опубліковано: 25.05.2009

Автор: Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/00

Мітки: галій-індій-сурма, вирощування, спосіб, розчинів, кристалів, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма (GaxIn1-xSb), який полягає в тому, що витягування кристала із розплаву здійснюють шляхом використання затравочного монокристала заданого складу, який відрізняється тим, що застосовують затравочний монокристал GaxIn1-xSb зі складом, котрий може відрізнятись від складу вирощуваного кристала менше або більше на х=0,01.

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фр'єстад Кеннет, Детлофф Крістіан

МПК: C01B 33/02, C30B 13/00, C01B 33/00 ...

Мітки: полікристалічного, зонної, зливка, чохральського, плавки, направленої, одержуваного, методом, еремнію, виготовлення, шляхом, кристалізації, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Задніпрянний Денис Львович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20, C30B 15/10 ...

Мітки: спосіб, утриманням, вирощування, тиглі, кристалу, розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Номер патенту: 85648

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/00, C30B 27/00 ...

Мітки: спосіб, вирощування, монокристалів, ліщука

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем електричного контакту ділянки кола кристал-розплав, який відрізняється тим, що у процесі зростання монокристала визначають часову залежність електричних параметрів згаданої ділянки кола, а про порушення монокристалічного зростання кристала судять по характерному відхиленню від аналогічної еталонної залежності.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що порушення...

Номер патенту: 35367

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Швець Євген Якович, Пожуєв Володимир Іванович, Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович, Головко Юрій Вікторович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кремнію, спосіб, розплаву, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала, відрив монокристала від розплаву, охолодження монокристала, який відрізняється тим, що товщину розплаву під фронтом кристалізації монокристала підтримують рівною 0,3...0,5 радіусу...

Номер патенту: 35242

Опубліковано: 10.09.2008

Автор: Логунов Олександр Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: автоматизованої, ідентифікації, виробів, спосіб, систем, маркування

Формула / Реферат:

1. Спосіб маркування виробів, що включає пробивку матриці наскрізних отворів у матеріалі виробу, який відрізняється тим, що у склад маркера вводять базовий та орієнтувальні ряди отворів, а для кодування кожного десяткового розряду індивідуального номера виробу використовують один інформаційній ряд із двох отворів за допомогою коду "2 із 5", причому отвори базового ряду пробивають у першу чергу, а отвори орієнтувального ряду...

Номер патенту: 34160

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Швець Євген Якович, Єгоров Сергій Геннадійович, Пожуєв Володимир Іванович, Воляр Роман Миколайович, Головко Юрій Вікторович

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, монокристалів, кремнію, вирощування, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського в середовищі інертного газу, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, щознаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра і вирощування циліндрової частини монокристала, який відрізняється тим, що при довжині...