C30B 11/14 — відрізняється затравочним кристалом, наприклад його кристалографічної орієнтацією

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Танько Аліна Вікторівна, Романенко Андрій Олександрович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Гринь Леонід Олексійович, Баранов В'ячеслав Валерійович

МПК: C30B 11/14, C30B 29/20, C30B 11/02 ...

Мітки: пристрій, горизонтально, монокристалів, кристалізації, оксидів, тугоплавких, вирощування, спрямовано, методом

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Танько Аліна Вікторівна, Баранов В'ячеслав Валерійович, Гринь Леонід Олексійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 11/02, C30B 11/14, C30B 29/20 ...

Мітки: тугоплавких, кристалізації, методом, монокристалів, оксидів, спосіб, вирощування, спрямовано, горизонтально

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...

Номер патенту: 112879

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ранкулі Гілберт, Мартен Крістіан

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 29/06 ...

Мітки: напівпровідникової, кристалізатор, заготовки, монокристалічної, виробництва, спосіб

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за 1400 °C, вищезгаданий верхній шар здатен до...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт, Дюбуа Лоран

МПК: C30B 11/14, C30B 28/06, C30B 11/00 ...

Мітки: кристалічних, напівпровідникових, заготовок, виробництва, кристалізатор, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Кайла Маріанна Іванівна

МПК: C30B 11/14

Мітки: допомогою, монокристалів, cu6(pxas1-x)s5i, твердих, пентатіофосфату-арсенату, транспортних, розчинів, спосіб, йодиду, вирощування, хімічних, купрум, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: розчинів, cu6ps5(ci0,5i0,5, допомогою, спосіб, монокристалів, реакцій, хлорид-йодиду, транспортних, пентатіофосфату, купрум, вирощування, хімічних, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: спосіб, хлориду-броміду, хімічних, твердих, транспортних, розчинів, реакцій, пентатіофосфату, cu6ps5cl0,5br0,5, допомогою, вирощування, монокристалів, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 70707

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Кайла Маріанна Іванівна, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: купрум, твердих, розчинів, реакцій, допомогою, транспортних, хімічних, пентатіофосфату-арсенату, спосіб, монокристалів, вирощування, pxas1-x)s5i, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 70628

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: розчинів, йодиду, cu6ps5(cl1-xix, пентатіофосфату, допомогою, транспортних, реакцій, спосіб, хімічних, купрум-хлорид, монокристалів, вирощування, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 98263

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: пентатіофосфату, розчинів, реакцій, купрум, спосіб, броміду-йодиду, cu6ps5(br0,5i0,5, вирощування, твердих, транспортних, допомогою, хімічних, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 64603

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: cu6ps5(br1-xix, купрум, монокристалів, розчинів, твердих, хімічних, пентатіофосфату, броміду-йодиду, допомогою, вирощування, транспортних, реакцій, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 95541

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Шаповалов Віктор Олександрович, Колєсніченко Володимир Іванович, Гніздило Олександр Миколайович, Карускевич Ольга Віталіївна

МПК: C30B 15/10, C30B 11/14, B32B 1/00, B32B 7/04 ...

Мітки: виробів, труб, матеріалів, профільованих, посудин, тугоплавких, певною, структурою, спосіб, виготовлення, полікристалічною, монокристалічною, тиглів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів тугоплавких металів та сплавів пошаровим наплавленням з використанням плазмового джерела енергії, що дозволяє створити локальну розплавлену зону матеріалу, а при організації її руху у горизонтальному просторі, з підживленням рідким металом, отримують шар матеріалу, який відрізняється тим, що тиглі, посудини, труби та профільовані вироби з тугоплавких матеріалів виготовляють з використанням різновидів...

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 29/10 ...

Мітки: допомогою, транспортних, cu6ass5i, спосіб, реакцій, вирощування, хімічних, купрум, йодиду-пентатіоарсенату, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 54730

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: cu6ass5i, купрум, допомогою, спосіб, йодиду-пентатіоарсенату, вирощування, транспортних, монокристалів, хімічних, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 26253

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Пехньо Василь Іванович, Романюк Ярослав Євгенович, Волков Сергій Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Янко Олег Георгійович, Харькова Людмила Борисівна, Піскач Людмила Василівна, Уваров Віктор Миколайович, Шпак Анатолій Петрович, Парасюк Олег Васильович, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: cu2cdges4, спосіб, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2CdGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів, попереднє проведення синтезу сплаву протягом 10-15 хв., обертання ампули зі сплавом та його витримування при температурі розплаву для примусової гомогенізації, охолодження до кімнатної температури, подрібнення сплаву до порошкоподібного стану, перевантаження шихти в ростову ампулу, отримання з неї гомогенного розплаву, нарощування...