C30B 11/00 — Вирощування монокристалів звичайним заморожуванням або заморожуванням при температурному градієнті, наприклад за методом Бріджмена-Стокбаргера

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі

МПК: H01L 31/00, C30B 11/00

Мітки: рентгенівського, гамма-випромінювання, переходом, підвищення, основі, середовищі, характеристик, рідкому, детекторів, опроміненням, імпульсами, лазера, спосіб, багатократним, cdznte, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/00, C30B 11/00

Мітки: легування, імпульсами, ударними, лазера, групи, напівпровідників, поверхневого, елементами, деформаційними, наносекундними, твердофазного, середовищі, а2в6, шару, рідкому, генерованими, хвилями, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Спосіб отримання фоторезисторів на основі кристалів tlinse2

Завантаження...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Кітик Іван Васильович, Замуруєва Оксана Валеріївна, Махновець Ганна Володимирівна, Мирончук Галина Леонідівна, Коровицький Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlinse2, спосіб, отримання, основі, кристалів, фоторезисторів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Спосіб отримання монокристалів agxgaxge1-xse2 (x=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)

Завантаження...

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Горгут Галина Петрівна, Влох Ростислав Орестович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: 0,250, agxgaxge1-xse2, x=0,333, отримання, спосіб, монокристалів, 0,167, 0,200

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Спосіб отримання монокристалів tlhgcl3

Завантаження...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, tlhgcl3

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbі5

Завантаження...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, tl3pbі5, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Спосіб отримання монокристалів тl3рbвr5

Завантаження...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, тl3рbвr5, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Спосіб отримання монокристалів тlpbi3

Завантаження...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, тlpbi3, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Монокристалічний матеріал для активних елементів іч-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза

Завантаження...

Номер патенту: 115794

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Терзін Ігор Сергійович, Капустник Олексій Костянтинович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: основі, домішкою, монокристалічний, елементів, іч-лазерів, матеріал, телуриду, активних, розчину, легованого, ізовалентною, твердого, кадмію-марганцю, заліза

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза, Cd1-xMnxTe:Fe2+, який відрізняється тим, що концентрація марганцю у твердому розчині складає 0,45<х<0,77.

Спосіб отримання монокристалів tlhgbr3

Завантаження...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, tlhgbr3, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Спосіб отримання монокристалів tl10hg3cl16

Завантаження...

Номер патенту: 115226

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tl10hg3cl16, отримання, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що шихту складають із сполук,...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbbr2,5i2,5

Завантаження...

Номер патенту: 115210

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, tl3pbbr2,5i2,5

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl3PbBr2,5I2,5, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зоннимплавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та...

Спосіб отримання монокристалів tl4hgbr6 з розчину-розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 115209

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, розчину-розплаву, tl4hgbr6, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням...

Спосіб отримання монокристалів рbвr1,2і0,8

Завантаження...

Номер патенту: 115208

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, рbвr1,2і0,8, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів РbВr1,2І0,8, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу...

Спосіб отримання монокристалів tlpb2bri4

Завантаження...

Номер патенту: 115207

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, tlpb2bri4, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів ТlРb2ВrІ4, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з...

Спосіб отримання монокристалів ag0,5pb1,75ges4

Завантаження...

Номер патенту: 111911

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Когут Юрій Миколайович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, ag0,5pb1,75ges4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag0,5Pb1,75GeS4 з розплаву, який включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах:температура...

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі cuin, cuga, cd ii s, se

Завантаження...

Номер патенту: 111910

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Лавренюк Зоряна Володимирівна, Парасюк Олег Васильович, Марушко Лариса Петрівна, Піскач Людмила Василівна, Романюк Ярослав Євгенійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: четверній, cuga, спосіб, монокристалів, утворюються, взаємній, одержання, cuin, розчинів, гамма-твердих, системі

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі CuIn, CuGa, Cd || S, Se, який включає компонування шихти з простих речовин (міді, кадмію, галію, індію, сірки та селену), синтез, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанта методу Бріджмена, який відрізняється тим, що одержання монокристалів проводять у два етапи, при...

Кристалізатор та спосіб для виробництва монокристалічної напівпровідникової заготовки

Завантаження...

Номер патенту: 112879

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 11/14, C30B 29/06, C30B 11/00 ...

Мітки: кристалізатор, монокристалічної, напівпровідникової, спосіб, виробництва, заготовки

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за 1400 °C, вищезгаданий верхній шар здатен до...

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 108977

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...

Мітки: випромінювання, спосіб, детектора, виготовлення, іонізуючого

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання з випрямляючим контактом, який створює в напівізолюючих напівпровідниках CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe збіднену область, яка при відсутності зворотної напруги рівна "W(0)", товщину якої можна розрахувати по відомих методиках, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виготовляють товщиною "d", яка рівна або менша

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Романчук Вікторія Володимирівна, Архіпов Павло Васильович, Галенін Євгеній Петрович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: вирощування, монокристалів, розплаву, пристрій, ампулі

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Кристалізатор для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Ранкулі Гілберт, Дюбуа Лоран, Мартен Крістіан

МПК: C30B 28/06, C30B 11/14, C30B 11/00 ...

Мітки: напівпровідникових, кристалічних, заготовок, виробництва, кристалізатор, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому

Завантаження...

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Капустник Олексій Костянтинович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: хрому, монокристалічний, основі, кадмію, матеріал, легованого, іонами, селеніду

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 109196

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Таранюк Володимир Іванович, Сулаєв Михайло Іванович, Гектін Олександр Вульфович, Колесніков Олександр Володимирович, Ляхов Віктор Васильович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: площі, полікристалічних, отримання, пристрій, великої, пластин, реалізації, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: вирощування, кристалізації, cu6ps5i, спосіб, йодиду, купрум(і)пентатіофосфату(v, спрямовано, монокристалів, розплаву, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: монокристалів, cu6ps5br, кристалізації, спрямовано, броміду, спосіб, розплаву, купрум(і)пентатіофосфату(v, методом, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Таранюк Володимир Іванович, Колесніков Олександр Володимирович, Гектін Олександр Вульфович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: спосіб, площі, пластин, одержання, великої, зокрема, кристалів, кристалічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Завантаження...

Номер патенту: 99181

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Захарук Зінаїда Іванівна, Копач Олег Вадимович, Раренко Іларій Михайлович, Колісник Михайло Григорович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: основі, телуридів, другої, системі, злитків, спосіб, фазі, підгрупи, включень, періодичної, іі-v, усунення

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи, що включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано...

Спосіб вирощування об’ємних кристалічних злитків з розчинів

Завантаження...

Номер патенту: 107662

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Найденкова Марія Володимирівна, Сушко Борис Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 35/00, C30B 7/00 ...

Мітки: розчинів, спосіб, злитків, кристалічних, вирощування, об'ємних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування об'ємних кристалічних злитків з розчинів в розплавах легкоплавких металів, що здійснюють в вакуумованій камері, що містить нагрівальну піч, тигель, в якому швидкість вирощування злитків визначається переміщенням розчину-розплаву, обумовлена природною конвенцією з області насичення в область кристалізації злитка на затравці, що охолоджують з подальшим переміщенням збідненого розчину в область його насичення, відокремленої...

Спосіб одержання монокристалів (ga55, in45)2s300

Завантаження...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: ga55, in45)2s300, одержання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Іващенко Інна Алімівна, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: напівпровідникових, спосіб, халькогінідних, монокристалів, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі cugase2-cuinse2-2cdse

Завантаження...

Номер патенту: 95215

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Марушко Лариса Петрівна, Парасюк Олег Васильович, Піскач Людмила Василівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Лавринюк Зоряна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: гамма-твердих, системі, спосіб, розчинів, одержання, монокристалів, cugase2-cuinse2-2cdse, утворюються

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe, включає вирощування монокристалів з розплаву, який відрізняється тим, що синтез проводять горизонтальним варіантом методу Бріджмена у два етапи, при цьому на першому етапі проводять попередній синтез у полум'ї киснево-газового пальника для зв'язування компонентів та гомогенізацію розплаву при 1450-1500 К, обертаючи контейнери протягом...

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C01G 35/00, C01G 5/00, C30B 11/00, C30B 29/12 ...

Мітки: аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, спосіб, одержання, ag6tas5i

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на напівізолюючих матеріалах cdte та cd1-xznxte (cd1-xmnxte)

Завантаження...

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/04, C30B 11/00, C30B 11/12 ...

Мітки: спосіб, детектора, cd1-xmnxte, іонізуючого, матеріалах, напівізолюючих, виготовлення, cd1-xznxte, випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р&sup3;107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі cdte та його твердих розчинів

Завантаження...

Номер патенту: 87411

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/04, C30B 11/12, C30B 11/00 ...

Мітки: напівізолюючих, визначення, твердих, переносу, спосіб, параметрів, розчинів, основі, матеріалах, заряду

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Юрчишин Ігор Костянтинович, Фреїк Дмитро Михайлович, Чобанюк Володимир Михайлович, Лисюк Юрій Володимирович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02, C30B 11/00, H01L 21/20 ...

Мітки: квантово-розмірного, спосіб, отримання, матеріалу, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, купрум(і, йодиду, спрямовано, монокристалів, вирощування, пентатіофосфату(v, розплаву, спосіб, методом, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, гексатіофосфату, розплаву, спрямовано, методом, cu7ps6, купрум(і, спосіб, монокристалів, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Фочук Петро Михайлович, Наконечний Ігор Йосипович, Вержак Євгенія Васлівна, Копач Олег Вадимович, Панчук Олег Ельпідефорович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: усунення, другої, включень, кристалів, спосіб, фазі, основі

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Люба тетяна Сергіївна, Рачковський Олег Михайлович, Криськов Цезарій Андрійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пристрій, розплаву, області, градієнтом, кристалізації, змінним, температури, кристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах inse і gase

Завантаження...

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Катеринчук Валерій Миколайович, Товарницький Мірча Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Заслонкін Андрій Володимирович, Дуплавий Василь Йосипович

МПК: C30B 29/46, C30B 11/00, C30B 1/00 ...

Мітки: грані, кристалах, осі, шаруватих, кристалографічній, колінеарної, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.