C30B 11/00 — Вирощування монокристалів звичайним заморожуванням або заморожуванням при температурному градієнті, наприклад за методом Бріджмена-Стокбаргера

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович

МПК: C30B 11/00, H01L 31/00

Мітки: лазера, середовищі, опроміненням, рідкому, багатократним, переходом, підвищення, імпульсами, спосіб, детекторів, гамма-випромінювання, основі, рентгенівського, виготовлення, характеристик, cdznte

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі

МПК: C30B 11/00, H01L 21/00

Мітки: елементами, а2в6, спосіб, деформаційними, імпульсами, рідкому, шару, групи, напівпровідників, поверхневого, середовищі, ударними, генерованими, хвилями, легування, лазера, твердофазного, наносекундними

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович, Махновець Ганна Володимирівна, Мирончук Галина Леонідівна, Коровицький Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: фоторезисторів, спосіб, основі, кристалів, tlinse2, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Горгут Галина Петрівна, Влох Ростислав Орестович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: 0,200, 0,167, спосіб, отримання, монокристалів, x=0,333, 0,250, agxgaxge1-xse2

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, спосіб, tlhgcl3

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, отримання, tl3pbі5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, тl3рbвr5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, спосіб, тlpbi3

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115794

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Коваленко Назар Олегович, Капустник Олексій Костянтинович, Терзін Ігор Сергійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: твердого, розчину, легованого, основі, елементів, ізовалентною, матеріал, іч-лазерів, заліза, кадмію-марганцю, телуриду, активних, монокристалічний, домішкою

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза, Cd1-xMnxTe:Fe2+, який відрізняється тим, що концентрація марганцю у твердому розчині складає 0,45<х<0,77.

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgbr3, монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Номер патенту: 115226

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tl10hg3cl16, отримання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що шихту складають із сполук,...

Номер патенту: 115210

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, tl3pbbr2,5i2,5

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl3PbBr2,5I2,5, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зоннимплавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та...

Номер патенту: 115209

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, розчину-розплаву, спосіб, tl4hgbr6, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням...

Номер патенту: 115208

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, рbвr1,2і0,8, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів РbВr1,2І0,8, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу...

Номер патенту: 115207

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, tlpb2bri4, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів ТlРb2ВrІ4, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з...

Номер патенту: 111911

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Когут Юрій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: ag0,5pb1,75ges4, отримання, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag0,5Pb1,75GeS4 з розплаву, який включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах:температура...

Номер патенту: 111910

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Марушко Лариса Петрівна, Піскач Людмила Василівна, Парасюк Олег Васильович, Лавренюк Зоряна Володимирівна, Романюк Ярослав Євгенійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: взаємній, спосіб, розчинів, четверній, утворюються, системі, одержання, гамма-твердих, cuin, монокристалів, cuga

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі CuIn, CuGa, Cd || S, Se, який включає компонування шихти з простих речовин (міді, кадмію, галію, індію, сірки та селену), синтез, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанта методу Бріджмена, який відрізняється тим, що одержання монокристалів проводять у два етапи, при...

Номер патенту: 112879

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ранкулі Гілберт, Мартен Крістіан

МПК: C30B 29/06, C30B 11/00, C30B 11/14 ...

Мітки: монокристалічної, кристалізатор, спосіб, заготовки, виробництва, напівпровідникової

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за 1400 °C, вищезгаданий верхній шар здатен до...

Номер патенту: 108977

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/12, C30B 11/04 ...

Мітки: випромінювання, детектора, виготовлення, іонізуючого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання з випрямляючим контактом, який створює в напівізолюючих напівпровідниках CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe збіднену область, яка при відсутності зворотної напруги рівна "W(0)", товщину якої можна розрахувати по відомих методиках, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виготовляють товщиною "d", яка рівна або менша

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Галенін Євгеній Петрович, Архіпов Павло Васильович, Романчук Вікторія Володимирівна

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: розплаву, пристрій, ампулі, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт, Дюбуа Лоран

МПК: C30B 28/06, C30B 11/14, C30B 11/00 ...

Мітки: виробництва, виготовлення, кристалічних, напівпровідникових, заготовок, спосіб, кристалізатор

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Капустник Олексій Костянтинович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: основі, матеріал, іонами, монокристалічний, хрому, легованого, кадмію, селеніду

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Номер патенту: 109196

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Ляхов Віктор Васильович, Таранюк Володимир Іванович, Сулаєв Михайло Іванович, Гектін Олександр Вульфович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: площі, пристрій, великої, спосіб, полікристалічних, реалізації, пластин, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: спрямовано, методом, купрум(і)пентатіофосфату(v, вирощування, йодиду, розплаву, кристалізації, cu6ps5i, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: купрум(і)пентатіофосфату(v, cu6ps5br, кристалізації, розплаву, методом, спосіб, монокристалів, вирощування, спрямовано, броміду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Таранюк Володимир Іванович, Гектін Олександр Вульфович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: кристалічних, площі, одержання, кристалів, пластин, зокрема, великої, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Номер патенту: 99181

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Колісник Михайло Григорович, Фочук Петро Михайлович, Копач Олег Вадимович, Раренко Іларій Михайлович, Захарук Зінаїда Іванівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: періодичної, усунення, спосіб, підгрупи, включень, іі-v, злитків, основі, системі, фазі, другої, телуридів

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи, що включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано...

Номер патенту: 107662

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Найденкова Марія Володимирівна, Сушко Борис Іванович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C30B 35/00, C30B 11/00, C30B 7/00 ...

Мітки: спосіб, вирощування, об'ємних, кристалічних, злитків, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування об'ємних кристалічних злитків з розчинів в розплавах легкоплавких металів, що здійснюють в вакуумованій камері, що містить нагрівальну піч, тигель, в якому швидкість вирощування злитків визначається переміщенням розчину-розплаву, обумовлена природною конвенцією з області насичення в область кристалізації злитка на затравці, що охолоджують з подальшим переміщенням збідненого розчину в область його насичення, відокремленої...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: ga55, одержання, спосіб, монокристалів, in45)2s300

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, напівпровідникових, одержання, халькогінідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Номер патенту: 95215

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Романюк Ярослав Євгенійович, Піскач Людмила Василівна, Парасюк Олег Васильович, Марушко Лариса Петрівна, Лавринюк Зоряна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, монокристалів, розчинів, утворюються, спосіб, системі, cugase2-cuinse2-2cdse, гамма-твердих

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe, включає вирощування монокристалів з розплаву, який відрізняється тим, що синтез проводять горизонтальним варіантом методу Бріджмена у два етапи, при цьому на першому етапі проводять попередній синтез у полум'ї киснево-газового пальника для зв'язування компонентів та гомогенізацію розплаву при 1450-1500 К, обертаючи контейнери протягом...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C01G 35/00, C01G 5/00, C30B 11/00, C30B 29/12 ...

Мітки: спосіб, ag6tas5i, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: матеріалах, напівізолюючих, детектора, іонізуючого, cd1-xmnxte, спосіб, випромінювання, cd1-xznxte, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р&sup3;107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Номер патенту: 87411

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...

Мітки: переносу, розчинів, твердих, параметрів, основі, заряду, визначення, напівізолюючих, матеріалах, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Чобанюк Володимир Михайлович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Лисюк Юрій Володимирович, Юрчишин Ігор Костянтинович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/02, H01L 21/20 ...

Мітки: спосіб, термоелектричного, отримання, квантово-розмірного, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, методом, cu6ps5i, пентатіофосфату(v, купрум(і, йодиду, спосіб, монокристалів, спрямовано, розплаву, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, гексатіофосфату, купрум(і, cu7ps6, розплаву, спосіб, вирощування, монокристалів, спрямовано, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Панчук Олег Ельпідефорович, Наконечний Ігор Йосипович, Фочук Петро Михайлович, Копач Олег Вадимович, Вержак Євгенія Васлівна

МПК: C30B 11/04, C30B 11/00, C30B 11/12 ...

Мітки: спосіб, другої, кристалів, основі, включень, фазі, усунення

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Люба тетяна Сергіївна, Горічок Ігор Володимирович, Криськов Цезарій Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Рачковський Олег Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: області, градієнтом, вирощування, кристалізації, змінним, розплаву, температури, пристрій, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Заслонкін Андрій Володимирович, Ковалюк Захар Дмитрович, Катеринчук Валерій Миколайович, Дуплавий Василь Йосипович, Товарницький Мірча Васильович

МПК: C30B 1/00, C30B 11/00, C30B 29/46 ...

Мітки: колінеарної, спосіб, кристалографічній, грані, кристалах, одержання, осі, шаруватих

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.