C30B 11/00 — Вирощування монокристалів звичайним заморожуванням або заморожуванням при температурному градієнті, наприклад за методом Бріджмена-Стокбаргера

Спосіб отримання монокристалів ag0,5pb1,75ges4

Завантаження...

Номер патенту: 111911

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Когут Юрій Миколайович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, спосіб, ag0,5pb1,75ges4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag0,5Pb1,75GeS4 з розплаву, який включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах:температура...

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі cuin, cuga, cd ii s, se

Завантаження...

Номер патенту: 111910

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Піскач Людмила Василівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Марушко Лариса Петрівна, Парасюк Олег Васильович, Лавренюк Зоряна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, четверній, розчинів, одержання, гамма-твердих, взаємній, утворюються, cuga, cuin, системі, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі CuIn, CuGa, Cd || S, Se, який включає компонування шихти з простих речовин (міді, кадмію, галію, індію, сірки та селену), синтез, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанта методу Бріджмена, який відрізняється тим, що одержання монокристалів проводять у два етапи, при...

Кристалізатор та спосіб для виробництва монокристалічної напівпровідникової заготовки

Завантаження...

Номер патенту: 112879

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ранкулі Гілберт, Мартен Крістіан

МПК: C30B 11/00, C30B 29/06, C30B 11/14 ...

Мітки: спосіб, кристалізатор, заготовки, виробництва, напівпровідникової, монокристалічної

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за 1400 °C, вищезгаданий верхній шар здатен до...

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 108977

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...

Мітки: спосіб, детектора, випромінювання, іонізуючого, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання з випрямляючим контактом, який створює в напівізолюючих напівпровідниках CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe збіднену область, яка при відсутності зворотної напруги рівна "W(0)", товщину якої можна розрахувати по відомих методиках, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виготовляють товщиною "d", яка рівна або менша

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Архіпов Павло Васильович, Романчук Вікторія Володимирівна, Галенін Євгеній Петрович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: ампулі, вирощування, пристрій, монокристалів, розплаву

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Кристалізатор для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Мартен Крістіан, Дюбуа Лоран, Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 28/06 ...

Мітки: кристалічних, спосіб, кристалізатор, виготовлення, заготовок, виробництва, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому

Завантаження...

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Капустник Олексій Костянтинович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалічний, іонами, хрому, кадмію, матеріал, легованого, основі, селеніду

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 109196

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Таранюк Володимир Іванович, Колесніков Олександр Володимирович, Сулаєв Михайло Іванович, Гектін Олександр Вульфович, Ляхов Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: реалізації, полікристалічних, спосіб, пристрій, отримання, великої, площі, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: кристалізації, cu6ps5i, купрум(і)пентатіофосфату(v, вирощування, йодиду, спосіб, розплаву, методом, спрямовано, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: вирощування, методом, кристалізації, броміду, купрум(і)пентатіофосфату(v, розплаву, монокристалів, спосіб, cu6ps5br, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: пластин, площі, одержання, великої, зокрема, кристалів, спосіб, кристалічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Завантаження...

Номер патенту: 99181

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Захарук Зінаїда Іванівна, Фочук Петро Михайлович, Копач Олег Вадимович, Колісник Михайло Григорович, Раренко Іларій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, системі, періодичної, підгрупи, іі-v, включень, телуридів, основі, другої, фазі, злитків, усунення

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи, що включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано...

Спосіб вирощування об’ємних кристалічних злитків з розчинів

Завантаження...

Номер патенту: 107662

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Найденкова Марія Володимирівна, Сушко Борис Іванович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00, C30B 11/00 ...

Мітки: об'ємних, розчинів, злитків, вирощування, кристалічних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування об'ємних кристалічних злитків з розчинів в розплавах легкоплавких металів, що здійснюють в вакуумованій камері, що містить нагрівальну піч, тигель, в якому швидкість вирощування злитків визначається переміщенням розчину-розплаву, обумовлена природною конвенцією з області насичення в область кристалізації злитка на затравці, що охолоджують з подальшим переміщенням збідненого розчину в область його насичення, відокремленої...

Спосіб одержання монокристалів (ga55, in45)2s300

Завантаження...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Галян Володимир Володимирович, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, in45)2s300, монокристалів, спосіб, ga55

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: халькогінідних, одержання, напівпровідникових, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі cugase2-cuinse2-2cdse

Завантаження...

Номер патенту: 95215

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Лавринюк Зоряна Володимирівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Парасюк Олег Васильович, Піскач Людмила Василівна, Марушко Лариса Петрівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: розчинів, гамма-твердих, монокристалів, системі, одержання, утворюються, спосіб, cugase2-cuinse2-2cdse

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe, включає вирощування монокристалів з розплаву, який відрізняється тим, що синтез проводять горизонтальним варіантом методу Бріджмена у два етапи, при цьому на першому етапі проводять попередній синтез у полум'ї киснево-газового пальника для зв'язування компонентів та гомогенізацію розплаву при 1450-1500 К, обертаючи контейнери протягом...

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/12, C01G 35/00, C01G 5/00, C30B 11/00 ...

Мітки: ag6tas5i, одержання, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на напівізолюючих матеріалах cdte та cd1-xznxte (cd1-xmnxte)

Завантаження...

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...

Мітки: cd1-xznxte, cd1-xmnxte, випромінювання, виготовлення, детектора, напівізолюючих, матеріалах, спосіб, іонізуючого

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі cdte та його твердих розчинів

Завантаження...

Номер патенту: 87411

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...

Мітки: основі, заряду, напівізолюючих, параметрів, розчинів, матеріалах, спосіб, визначення, переносу, твердих

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Лисюк Юрій Володимирович, Чобанюк Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/20, C30B 11/00, C30B 11/02 ...

Мітки: отримання, матеріалу, спосіб, термоелектричного, квантово-розмірного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, спосіб, спрямовано, купрум(і, пентатіофосфату(v, розплаву, монокристалів, йодиду, кристалізації, cu6ps5i, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, cu7ps6, методом, гексатіофосфату, спрямовано, кристалізації, купрум(і, вирощування, розплаву, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Фочук Петро Михайлович, Наконечний Ігор Йосипович, Панчук Олег Ельпідефорович, Вержак Євгенія Васлівна, Копач Олег Вадимович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: другої, фазі, спосіб, кристалів, основі, усунення, включень

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Криськов Цезарій Андрійович, Горічок Ігор Володимирович, Люба тетяна Сергіївна, Рачковський Олег Михайлович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: змінним, області, розплаву, градієнтом, вирощування, температури, пристрій, кристалів, кристалізації

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах inse і gase

Завантаження...

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Товарницький Мірча Васильович, Дуплавий Василь Йосипович, Заслонкін Андрій Володимирович, Ковалюк Захар Дмитрович, Катеринчук Валерій Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 1/00, C30B 29/46 ...

Мітки: одержання, колінеарної, кристалографічній, осі, шаруватих, кристалах, грані, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією

Завантаження...

Номер патенту: 100728

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Кляп Михайло Петрович, Гаврилко Петро Петрович, Ткаченко Віктор Іванович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, кристалізацією, кристалу, пристрій, направленою

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією, який включає вертикально встановлену піч з нагрівачами опору і розміщену в ній ампулу із звуженим нижнім кінцем, який відрізняється тим, що він містить вставку у вигляді циліндра, розміщеного всередині печі з можливістю вертикального переміщення, механізм вертикального переміщення циліндра, ампула розміщена всередині циліндра і закріплена нерухомо щодо печі, а циліндр складається...

Пристрій для вирощування термоелектричного матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 75680

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Струтинська Любов Тимофіївна, Каштелян Олександр Фрідович, Михайловський Віліус Ярославович

МПК: C30B 11/00

Мітки: термоелектричного, пристрій, матеріалу, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування термоелектричного матеріалу на основі кварцового контейнера для термоелектричного матеріалу, електричного нагрівника, механізму для його переміщення та пристрою для вібрації, який відрізняється тим, що кварцовий контейнер для термоелектричного матеріалу має вигляд циліндричної ампули з загостреними кінцями конусної форми, яка розміщена вертикально між муфтами вібраційного і притискного пристроїв, коаксіально до...

Спосіб отримання монокристалів ag2hgsns4

Завантаження...

Номер патенту: 70719

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, монокристалів, ag2hgsns4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2HgSnS4 з розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Sn, S та попередньо синтезованого HgS, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що до складу шихти вводиться надлишок HgS, синтез та ріст суміщені в одній ампулі з грушоподібним дном, при цьому попередньо проводять синтез...

Спосіб отримання монокристалів cu2zngese4

Завантаження...

Номер патенту: 70718

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, cu2zngese4, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2ZnGeSe4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cu, Zn, Ge, Se, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Cu2GeSe3-ZnSe, вводячи до складу шихти 75 мол. % Сu2SnSе3 та 25 мол. % ZnSe, а синтез і...

Спосіб отримання монокристалів ag2cdsns4

Завантаження...

Номер патенту: 70717

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, ag2cdsns4, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2CdSnS4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Cd, Sn, S, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанту методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Ag2SnS3-CdS, вводячи до складу шихти 58 мол. % Ag2SnS3...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu 6ps5(cl1-xbrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 69181

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Паньков Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, хлориду-броміду, розчинів, спосіб, твердих, купрум, реакцій, монокристалів, транспортних, допомогою, хімічних, 6ps5(cl1-xbrx, пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Пристрій для управління процесом росту монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 97932

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович, Будаковський Сергій Валентинович, Козьмін Юрій Семенович, Демченко Вячеслав Васильович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/20, C30B 11/00 ...

Мітки: розплаву, процесом, пристрій, ампулі, управління, монокристалів, росту

Формула / Реферат:

Пристрій управління процесом росту монокристалів з розплаву в ампулі, що містить вертикальну піч із нагрівачах у верхній і нижньої її зонах, ампулу із речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, термопари, установлені на зазначених нагрівачах, регулятори зворотного зв'язку по температурі нагрівачів верхньої й нижньої зони печі, підключені до відповідних термопар і самих нагрівачів, блок програмно-логічного управління й...

Спосіб отримання монокристалів g-твердих розчинів на основі високотемпературних модифікацій cuinse2, cuins2 та cds, cdse, що утворюються у взаємній системі cu,cd,in

Завантаження...

Номер патенту: 67803

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Романюк Ярослав Євгенович, Парасюк Олег Васильович, Марушко Лариса Петрівна, Лавринюк Зоряна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: cuinse2, cuins2, системі, утворюються, високотемпературних, спосіб, взаємній, cdse, розчинів, модифікацій, монокристалів, cu,cd,in, основі, g-твердих, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів γ-твердих розчинів на основі високотемпературних модифікацій CuInSe2, CuInS2 та CdS, CdSe, які утворюються у взаємній системі Cu,Cd,In||Se,S, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cu, In, Cd, Se, S, попередній синтез у тепловому потоці джерела тепла та вирощування монокристалів із розплаву, з подальшою кристалізацією, відпалом та охолодженням до кімнатної температури за модифікованим...

Процес отримання сурми

Завантаження...

Номер патенту: 67457

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: процес, отримання, сурми

Формула / Реферат:

1. Процес отримання сурми гексагональної або ромбоедричної модифікацій, що складається з етапів загрузки наважки та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку сурми заданої модифікації.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у випадку сурми гексагональної...

Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 67361

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Власенко Тимур Вікторович, Яцюк Сергій Анатолійович, Лясковський Олександр Анатолійович, Андрієнко Віктор Богданович, Берінгов Сергій Борисович, Бучовська Ірина Богданівна

МПК: C30B 29/06, C30B 11/00

Мітки: зливків, кремнію, методом, направленої, придатного, виготовлення, установка, вирощування, елементів, сонячних, кристалізації

Формула / Реферат:

1. Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації, що включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з...

Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 66476

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Копач Олег Вадимович, Феш Роман Миколайович, Фочук Петро Михайлович, Гешл Павел

МПК: C30B 11/00

Мітки: леткого, компоненту, ампулі, ростовій, вимірювання, спосіб, тиску

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій скляній ампулі при вирощуванні монокристалів методом Бріджмена, що включає завантаження ампули наважкою, розміщення ампули в ростовій печі та вирощування, який відрізняється тим, що ампулу поміщають під ковпак-компенсатор в ростову піч в область високотемпературного плато печі, нагрівають її до температури на 20-50 К вище температури плавлення сполуки, після цього змінюють ступінчасто...

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: перестроюванням, селеніду, активних, матеріал, цинку, лазерів, елементів, середнього, частоти, основі, діапазону, кристалічний

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 96345

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Колєсніченко Володимир Іванович, Карускевич Ольга Віталіївна, Шаповалов Віктор Олександрович, Якуша Володимир Вікторович, Гніздило Олександр Миколайович

МПК: C30B 13/00, C30B 30/00, C30B 11/00 ...

Мітки: структурою, матеріалів, виробів, полікристалічною, вирощування, металів, певною, тугоплавких, монокристалів, профільованих, отримання, монокристалічною, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів, який включає герметичну камеру, механізм подачі витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, який виконаний з можливістю  переміщення у вертикальній площині, плазмове джерело нагрівання, яке виконане з можливістю  переміщення в...

Спосіб отримання монокристалів cdte та g-твердих розчинів на його основі, що утворюються у взаємній системі cu,cd,in

Завантаження...

Номер патенту: 63598

Опубліковано: 10.10.2011

Автори: Романюк Ярослав Євгенович, Юрченко Оксана Миколаївна, Марушко Лариса Петрівна, Парасюк Олег Васильович, Лавринюк Зоряна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, утворюються, розчинів, отримання, g-твердих, монокристалів, основі, cu,cd,in, системі, взаємній

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe та утвердих розчинів на його основі, що утворюються у взаємній системі Cu,Cd,In||Se,Te, який включає складання шихти, синтез у тепловому потоці з джерела тепла та вирощуванні монокристалів із розплаву з подальшою кристалізацією та охолодженням до кімнатної температури за модифікованим варіантом методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез проводять у два етапи, перший з яких полягає у...

Процес отримання монокристалів цинку

Завантаження...

Номер патенту: 62629

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Орест Миколайович, Гуцул Іван Васильович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: отримання, процес, цинку, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів цинку, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої направленої перекристалізації при Т1 = 692,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів цинку за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...