C30B 11/00 — Вирощування монокристалів звичайним заморожуванням або заморожуванням при температурному градієнті, наприклад за методом Бріджмена-Стокбаргера

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі

МПК: H01L 31/00, C30B 11/00

Мітки: багатократним, імпульсами, опроміненням, характеристик, виготовлення, середовищі, спосіб, гамма-випромінювання, рентгенівського, підвищення, переходом, cdznte, детекторів, лазера, основі, рідкому

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі

МПК: H01L 21/00, C30B 11/00

Мітки: рідкому, шару, поверхневого, групи, генерованими, твердофазного, елементами, деформаційними, середовищі, а2в6, наносекундними, напівпровідників, легування, лазера, імпульсами, ударними, спосіб, хвилями

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Спосіб отримання фоторезисторів на основі кристалів tlinse2

Завантаження...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Коровицький Андрій Михайлович, Мирончук Галина Леонідівна, Махновець Ганна Володимирівна, Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: основі, отримання, tlinse2, кристалів, фоторезисторів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Спосіб отримання монокристалів agxgaxge1-xse2 (x=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)

Завантаження...

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Влох Ростислав Орестович, Горгут Галина Петрівна, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, 0,200, x=0,333, спосіб, agxgaxge1-xse2, 0,167, монокристалів, 0,250

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Спосіб отримання монокристалів tlhgcl3

Завантаження...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, tlhgcl3, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbі5

Завантаження...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, tl3pbі5, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Спосіб отримання монокристалів тl3рbвr5

Завантаження...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, монокристалів, тl3рbвr5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Спосіб отримання монокристалів тlpbi3

Завантаження...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: тlpbi3, монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Монокристалічний матеріал для активних елементів іч-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза

Завантаження...

Номер патенту: 115794

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Коваленко Назар Олегович, Капустник Олексій Костянтинович, Терзін Ігор Сергійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: твердого, матеріал, заліза, іч-лазерів, домішкою, кадмію-марганцю, монокристалічний, розчину, основі, ізовалентною, активних, легованого, телуриду, елементів

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза, Cd1-xMnxTe:Fe2+, який відрізняється тим, що концентрація марганцю у твердому розчині складає 0,45<х<0,77.

Спосіб отримання монокристалів tlhgbr3

Завантаження...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, tlhgbr3, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Спосіб отримання монокристалів tl10hg3cl16

Завантаження...

Номер патенту: 115226

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, tl10hg3cl16, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що шихту складають із сполук,...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbbr2,5i2,5

Завантаження...

Номер патенту: 115210

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, tl3pbbr2,5i2,5

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl3PbBr2,5I2,5, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зоннимплавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та...

Спосіб отримання монокристалів tl4hgbr6 з розчину-розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 115209

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, tl4hgbr6, монокристалів, розчину-розплаву, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням...

Спосіб отримання монокристалів рbвr1,2і0,8

Завантаження...

Номер патенту: 115208

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: рbвr1,2і0,8, отримання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів РbВr1,2І0,8, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу...

Спосіб отримання монокристалів tlpb2bri4

Завантаження...

Номер патенту: 115207

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, монокристалів, tlpb2bri4

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів ТlРb2ВrІ4, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з...

Спосіб отримання монокристалів ag0,5pb1,75ges4

Завантаження...

Номер патенту: 111911

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Когут Юрій Миколайович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, ag0,5pb1,75ges4, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag0,5Pb1,75GeS4 з розплаву, який включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах:температура...

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі cuin, cuga, cd ii s, se

Завантаження...

Номер патенту: 111910

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Романюк Ярослав Євгенійович, Парасюк Олег Васильович, Марушко Лариса Петрівна, Піскач Людмила Василівна, Лавренюк Зоряна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: системі, спосіб, четверній, взаємній, гамма-твердих, розчинів, утворюються, cuin, одержання, cuga, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі CuIn, CuGa, Cd || S, Se, який включає компонування шихти з простих речовин (міді, кадмію, галію, індію, сірки та селену), синтез, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанта методу Бріджмена, який відрізняється тим, що одержання монокристалів проводять у два етапи, при...

Кристалізатор та спосіб для виробництва монокристалічної напівпровідникової заготовки

Завантаження...

Номер патенту: 112879

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ранкулі Гілберт, Мартен Крістіан

МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 29/06 ...

Мітки: виробництва, заготовки, кристалізатор, напівпровідникової, спосіб, монокристалічної

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за 1400 °C, вищезгаданий верхній шар здатен до...

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 108977

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/12, C30B 11/04 ...

Мітки: детектора, спосіб, іонізуючого, виготовлення, випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання з випрямляючим контактом, який створює в напівізолюючих напівпровідниках CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe збіднену область, яка при відсутності зворотної напруги рівна "W(0)", товщину якої можна розрахувати по відомих методиках, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виготовляють товщиною "d", яка рівна або менша

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Романчук Вікторія Володимирівна, Колесніков Олександр Володимирович, Архіпов Павло Васильович, Галенін Євгеній Петрович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: пристрій, монокристалів, ампулі, розплаву, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Кристалізатор для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт, Дюбуа Лоран

МПК: C30B 11/14, C30B 28/06, C30B 11/00 ...

Мітки: кристалізатор, кристалічних, виготовлення, спосіб, напівпровідникових, виробництва, заготовок

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому

Завантаження...

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Капустник Олексій Костянтинович, Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 11/00

Мітки: основі, легованого, кадмію, хрому, селеніду, монокристалічний, матеріал, іонами

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 109196

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Таранюк Володимир Іванович, Ляхов Віктор Васильович, Сулаєв Михайло Іванович, Колесніков Олександр Володимирович, Гектін Олександр Вульфович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: полікристалічних, пристрій, спосіб, пластин, великої, площі, отримання, реалізації

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: купрум(і)пентатіофосфату(v, спрямовано, методом, йодиду, спосіб, cu6ps5i, вирощування, кристалізації, розплаву, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, cu6ps5br, розплаву, кристалізації, спрямовано, броміду, методом, вирощування, купрум(і)пентатіофосфату(v

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Гектін Олександр Вульфович, Колесніков Олександр Володимирович, Таранюк Володимир Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: пластин, зокрема, одержання, площі, спосіб, великої, кристалів, кристалічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Завантаження...

Номер патенту: 99181

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Фочук Петро Михайлович, Раренко Іларій Михайлович, Захарук Зінаїда Іванівна, Копач Олег Вадимович, Колісник Михайло Григорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: підгрупи, іі-v, злитків, другої, усунення, фазі, періодичної, включень, спосіб, системі, телуридів, основі

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи, що включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано...

Спосіб вирощування об’ємних кристалічних злитків з розчинів

Завантаження...

Номер патенту: 107662

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Найденкова Марія Володимирівна, Сушко Борис Іванович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C30B 35/00, C30B 11/00, C30B 7/00 ...

Мітки: розчинів, об'ємних, кристалічних, злитків, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування об'ємних кристалічних злитків з розчинів в розплавах легкоплавких металів, що здійснюють в вакуумованій камері, що містить нагрівальну піч, тигель, в якому швидкість вирощування злитків визначається переміщенням розчину-розплаву, обумовлена природною конвенцією з області насичення в область кристалізації злитка на затравці, що охолоджують з подальшим переміщенням збідненого розчину в область його насичення, відокремленої...

Спосіб одержання монокристалів (ga55, in45)2s300

Завантаження...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: in45)2s300, одержання, спосіб, монокристалів, ga55

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, монокристалів, спосіб, халькогінідних, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі cugase2-cuinse2-2cdse

Завантаження...

Номер патенту: 95215

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Піскач Людмила Василівна, Парасюк Олег Васильович, Лавринюк Зоряна Володимирівна, Марушко Лариса Петрівна, Романюк Ярослав Євгенійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: системі, спосіб, cugase2-cuinse2-2cdse, утворюються, одержання, гамма-твердих, розчинів, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe, включає вирощування монокристалів з розплаву, який відрізняється тим, що синтез проводять горизонтальним варіантом методу Бріджмена у два етапи, при цьому на першому етапі проводять попередній синтез у полум'ї киснево-газового пальника для зв'язування компонентів та гомогенізацію розплаву при 1450-1500 К, обертаючи контейнери протягом...

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00, C01G 35/00, C01G 5/00, C30B 29/12 ...

Мітки: спосіб, ag6tas5i, одержання, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на напівізолюючих матеріалах cdte та cd1-xznxte (cd1-xmnxte)

Завантаження...

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: виготовлення, випромінювання, cd1-xmnxte, детектора, іонізуючого, матеріалах, cd1-xznxte, спосіб, напівізолюючих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р&sup3;107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі cdte та його твердих розчинів

Завантаження...

Номер патенту: 87411

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/12, C30B 11/04 ...

Мітки: напівізолюючих, переносу, матеріалах, спосіб, твердих, визначення, заряду, основі, розчинів, параметрів

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Юрчишин Ігор Костянтинович, Никируй Любомир Іванович, Лисюк Юрій Володимирович, Чобанюк Володимир Михайлович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02, C30B 11/00, H01L 21/20 ...

Мітки: квантово-розмірного, термоелектричного, отримання, матеріалу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: купрум(і, пентатіофосфату(v, кристалізації, cu6ps5i, монокристалів, методом, вирощування, розплаву, спрямовано, йодиду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, купрум(і, cu7ps6, методом, монокристалів, спосіб, кристалізації, розплаву, спрямовано, гексатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Наконечний Ігор Йосипович, Фочук Петро Михайлович, Вержак Євгенія Васлівна, Панчук Олег Ельпідефорович, Копач Олег Вадимович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: другої, основі, фазі, включень, усунення, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Рачковський Олег Михайлович, Криськов Цезарій Андрійович, Люба тетяна Сергіївна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: температури, кристалізації, вирощування, градієнтом, змінним, розплаву, області, кристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах inse і gase

Завантаження...

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Заслонкін Андрій Володимирович, Товарницький Мірча Васильович, Дуплавий Василь Йосипович, Катеринчук Валерій Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/46, C30B 1/00, C30B 11/00 ...

Мітки: кристалографічній, одержання, кристалах, грані, колінеарної, шаруватих, спосіб, осі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.