C30B 1/00 — Вирощування монокристалів безпосередньо з твердого стану

Номер патенту: 105367

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Дремлюженко Сергій Григорович, Колісник Михайло Георгієвич, Галочкин Олександр Вікторович, Захарук Зінаїда Іванівна

МПК: C30B 13/10, C30B 1/00, C30B 13/12 ...

Мітки: in2hg3te6, отримання, монокристалів, процес

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Заслонкін Андрій Володимирович, Товарницький Мірча Васильович, Дуплавий Василь Йосипович, Катеринчук Валерій Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 1/00, C30B 29/46 ...

Мітки: кристалах, шаруватих, осі, грані, кристалографічній, одержання, спосіб, колінеарної

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Фреїк Наталія Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Гургула Галина Ярославівна, Потяк Володимир Юрійович

МПК: C30B 1/00

Мітки: провідності, спосіб, p-типу, отримання, znse:in, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Номер патенту: 52583

Опубліковано: 25.08.2010

Автори: Сич Тетяна Григорівна, Лободюк Валентин Андрійович, Литвиненко Юрій Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: металевих, спосіб, монокристалів, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання металевих монокристалів, що включає нагрів масивного металевого зразка до температури переходу в монокристалічний стан, який відрізняється тим, що нагрівають з одного кінця масивний металевий зразок, який знаходиться в аморфному стані, до температури кристалізації в твердому стані та здійснюють його поступове переміщення відносно температурної діафрагми, нагрітої до температури кристалізації в твердому стані, в напрямку руху...

Номер патенту: 83148

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Юрченко Микола Миколайович, Патон Борис Євгенович, Асніс Юхим Аркадійович, Щегельський Микола Євдокимович, Заболотін Станіслав Павлович, Статкевич Ігор Іванович, Перепеченко Борис Іванович, Шевченко Петро Миколайович, Порєв Володимир Андрійович

МПК: C30B 1/00, C30B 13/00, C30B 35/00 ...

Мітки: зонної, вакууму, плавки, умовах, космічного, космосі, матеріалу, мікрогравітації, установка, електронно-променевої

Формула / Реферат:

1. Установка для електронно-променевої зонної плавки матеріалу в космосі в умовах мікрогравітації і космічного вакууму, що складається з ростової вакуумної камери, яка має вакуумно-щільний корпус з циліндричними охолоджуваними стінками і кришкою,  електронно-променевого нагрівача, приводу переміщення електронно-променевого нагрівача, приводу вертикального переміщення електронно-променевого нагрівача, утримувачів зразка матеріалу, патрубка для...

Номер патенту: 29700

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Сташко Назар Васильович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: p-znse, отримання, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів p-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для здійснення їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe p-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т = (1420 ± 3) К і парціальному тиску...

Номер патенту: 29699

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: n-znse, спосіб, отримання, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів n-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe n-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т=(1420±3)К і парціальному тиску пари цинку...

Номер патенту: 27517

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Туровська Лілія Вадимівна, Межиловська Любов Йосипівна, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: основі, свинцю, отримання, спосіб, термоелектричного, матеріалу, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю, який включає розташування вихідної речовини у кварцовій вакуумній ампулі, поміщення у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, отриману синтезовану речовину піддають гомогенізаційному відпалу, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 26752

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: напівпровідникових, n-типу, кристалів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при...

Номер патенту: 26751

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Сташко Назар Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: отримання, спосіб, кристалів, напівпровідникових, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170

Номер патенту: 79396

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Кисіль Олена Михайлівна, Кудін Костянтин Олександрович, Семиноженко Володимир Петрович, Шишкін Олег Валерійович, Волошко Олександр Юрійович

МПК: C01D 3/00, C30B 1/00

Мітки: металів, сполук, органічних, домішок, очищення, лужних, йодидів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення йодидів лужних металів від домішок органічних сполук, що включає завантаження солі в ампулу, її вакуумування, нагрівання солі при постійному вакуумуванні, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють поступово з швидкістю 20-50 °С за годину до температури 420±20 °С, при цьому тиск підтримують постійним на рівні 10-3 мм рт. ст.

Номер патенту: 77308

Опубліковано: 15.11.2006

Автор: Кеснель Янік

МПК: C07C 403/00, C09B 61/00, C09B 67/00 ...

Мітки: каротиноїдів, кристалів, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів каротиноїдів з рослинної екстракційної ефірної олії, що містить каротиноїди, який включає: (а) введення екстракційної ефірної олії в органічний розчинник, спирт і основу при температурі кипіння органічного розчинника з утворенням здатної омилюватися реакційної суміші; (b) витримування цієї здатної омилюватися реакційної суміші протягом часу, достатнього для завершення реакції омилення, одержуючи в...

Номер патенту: 49563

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Слободяник Микола Семенович, Лісняк Владислав Владиславович, Стратійчук Денис Анатолійович

МПК: C01G 41/00, C30B 1/00

Мітки: вольфрамових, бронз, спосіб, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів вольфрамових бронз, який передбачає змішування вихідних порошкоподібних компонентів, які містять порошки вищого оксиду вольфраму та металічного вольфраму, здійснення їх синтезу при високих температурах, який відрізняється тим, що в процесі синтезу при високих температурах як флюс використовують принаймні один з евтектичних хлоридних розплавів лужних металів LiCl - K(Rb)Cl в кількості не менше 10-15 % від...

Номер патенту: 46282

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Никируй Любомир Іванович, Матеїк Галина Дмитрівна, Межиловська Любов Йосипівна, Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: розчинів, основі, твердих, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання твердих розчинів на основі SnTe, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, методом ступінчатого нагріву синтезують, витримують при максимальній температурі, після чого охолоджують до кімнатної, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи напівпровідникової чистоти, співвідношення яких відповідає твердому розчину...

Номер патенту: 46281

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Іванишин Ірина Мирославівна, Довгий Олег Ярославович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, основі, сплавів, сполук, термоелектричних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі сполук АIVВIV, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи, співвідношення...

Номер патенту: 43951

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Павлюк Мирослав Федорович, Матеїк Галина Дмитрівна, Запухляк Руслан Ігорович, Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: твердих, спосіб, основі, розчинів, sntе, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі SnTe, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, методом ступінчастого нагріву синтезують, витримують при максимальній температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи напівпровідникової чистоти, співвідношення яких відповідає твердому...

Номер патенту: 43949

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Довгий Олег Ярославович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 1/00

Мітки: отримання, спосіб, термоелектричних, основі, сполук, сплавів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі сполук АIVВIV, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи,...

Номер патенту: 43163

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C22C 1/00, C22C 5/00, C22C 32/00 ...

Мітки: телуриду, спосіб, сплавів, отримання, свинцю, тербію, термоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю - телуриду тербію, який полягає у тому, що вихідну речовину, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи тербію (Тb)...

Номер патенту: 41467

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Дяденко Аркадій Ігоревич, Середа Анатолій Павлович

МПК: C01B 31/06, C10C 3/00, C30B 1/00, C30B 29/04 ...

Мітки: гетерогенної, спосіб, кристалізації, алмазу, рідкофазної

Формула / Реферат:

Спосіб гетерогенної рідкофазної кристалізації алмазу шляхом взаємодії вуглеводнів з каталізатором, який відрізняється тим, що як вуглеводні використовують дегідровані компоненти бітуму і процес здійснюють адсорбційною взаємодією цих компонентів з гідридною поверхнею каталізатора, що утворюється хемосорбцією водню при високотемпературному і каталітичному дегідруванні полідисперсних високомолекулярних компонентів бітум-смол і асфальтенів з...

Номер патенту: 28553

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: C30B 1/00

Мітки: провідності, одержання, n-типу, герметичний, ампулі, пластин, х=0,2...0,22, hg1-xcdxte, спосіб, монокристалічних

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллических пластин, , при х=0,20-0,22, n-типа проводимости в герметичной ампуле, включающий загрузку шихты в стехеометрическом соотношении компонентов, синтез и гомогенизацию раствора--расплава, выращивание слитка с монокристаллическими блоками из поликристаллической заготовки, полученной в результате синтеза, разрезания слитка на пластины и отжиг...

Номер патенту: 2

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Новіков Микола Васильович, Івахненко Сергій Олексійович, Будяк Олександр Ананійович, Чіпенко Георгій Володимирович

МПК: C30B 1/00, B01J 3/00, C01B 31/06 ...

Мітки: затравці, монокристалів, спосіб, синтезу, алмазу

Формула / Реферат:

Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий создание начального перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, которые разделены расположенной между ними массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную...