C30B — Вирощування монокристалів

Термостійкий синтетичний ювелірний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 116113

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Жилін Алєксандр Алєксандровіч, Димшиц Ольга Сєргєєвна

МПК: C30B 29/20, A44C 27/00, C03C 10/12 ...

Мітки: термостійкий, матеріал, синтетичний, ювелірний

Формула / Реферат:

1. Термостійкий синтетичний ювелірний матеріал, який містить:композиційний нанокристалічний матеріал, що має нанорозмірні оксидні та силікатні кристалічні фази, причому цей композиційний нанокристалічний матеріал містить:щонайменше одну кристалічну фазу, що вибрана з групи, яка складається з: шпінелі, кварцоподібних фаз, сапфірину, енстатиту, петалітоподібної фази, кордієриту, вілеміту, циркону, алюмотитанатів магнію, рутилу,...

Спосіб колоїдного синтезу нанокристалів кадмію телуриду

Завантаження...

Номер патенту: 122646

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Окрепка Галина Михайлівна, Тинкевич Олена Олександрівна, Халавка Юрій Богданович

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00

Мітки: телуриду, спосіб, синтезу, нанокристалів, колоїдного, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб колоїдного синтезу нанокристалів кадмію телуриду високої концентрації шляхом змішування прекурсорів кадмію та телуру в присутності стабілізуючого ліганду, який відрізняється тим, що як прекурсор телур використовують свіжоприготовлений розчин політелуридів, який отримують шляхом пропускання гідрогену телуриду через 1М водний розчин натрію гідроксиду, рН якого варіюється в межах 8-12, до зміни забарвлення розчину на фіолетове.

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази

Завантаження...

Номер патенту: 115873

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Цибуленко Вадим Володимирович, Боскін Олег Осипович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/208, H01L 21/20, C30B 19/00 ...

Мітки: рідинної, очищення, змочування, розчину-розплаву, спосіб, підкладки, фазі, епітаксії

Формула / Реферат:

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази, що полягає у змочуванні підкладки розчином-розплавом, на який діє сила тяжіння, способом зміщення слайдера касети, який утримує підкладку, між комірками, що заповнені розчинами-розплавами, і очищенні підкладки від розчину-розплаву, який відрізняється тим, що при змочуванні на розчин-розплав додатково діють силою Ампера, яку викликають тим, що по...

Спосіб отримання композитного фотокаталізатора

Завантаження...

Номер патенту: 122252

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Турко Борис Ігорович, Топоровська Лілія Романівна, Серкіз Роман Ярославович, Парандій Петро Петрович

МПК: B82B 3/00, C30B 29/06, C01B 33/00 ...

Мітки: отримання, композитного, спосіб, фотокаталізатора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання композитного фотокаталізатора, за яким з розчину реагентів вирощують наноструктури ZnO з n-типом електропровідності на шарі зародків ZnO з n-типом електропровідності, що міститься на поруватому кремнії з р-типом електропровідності, який відрізняється тим, що як наноструктури використовують наноквіти ZnO з розвиненою поверхнею.

Спосіб виготовлення кремнієвих пластин

Завантаження...

Номер патенту: 115688

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Тіщенко Ігор Юрійович

МПК: C30B 33/04, C30B 29/00

Мітки: пластин, спосіб, кремнієвих, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин, що включає розрізання з припуском квадратованого чи псевдоквадратованого зливка монокристалічного чи мультикристалічного кремнію на пластини з припуском та видалення припуску з торцевих поверхонь пластини шляхом обробки за допомогою високоенергетичного вузьконаправленого газового потоку, який відрізняється тим, що при видаленні припуску одночасно на торцевій поверхні формують фаску, при цьому...

Спосіб одержання лантаноїд(ііі)-вмісних поліоксовольфраматів

Завантаження...

Номер патенту: 121322

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Марійчак Олександра Юріївна, Розанцев Георгій Михайлович, Радіо Сергій Вікторович

МПК: C01G 41/00, C30B 29/32

Мітки: поліоксовольфраматів, спосіб, одержання, лантаноїд(ііі)-вмісних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалічних солей лантаноїд(III)-вмісних поліоксовольфраматів із аніоном зі структурою Пікока-Уіклі, що включає послідовне додавання розчинів натрію вольфрамату, нітратної кислоти й лантаноїду нітрату у стехіометричному відношенні, який відрізняється тим, що проводиться висолювання дією апротонного розчинника ацетону, витримування розчину з кристалами у щільно закритій хімічній склянці за 6 °C упродовж 48 годин,...

Спосіб з’єднання кристалічних деталей

Завантаження...

Номер патенту: 115607

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Гайдук Андрій Ігоревич, Андрєєв Євген Петрович, Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Олександр Євгенійович

МПК: C30B 35/00, B23K 28/00, C30B 15/34 ...

Мітки: кристалічних, деталей, спосіб, з'єднання

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання сапфірових деталей, що включає розташування деталей відносно один одного з капілярним зазором між контактними поверхнями, подачу розплаву в зону з'єднання та подальшу кристалізацію контактної зони, який відрізняється тим, що подача розплаву в зону з'єднання здійснюють з поверхні краплі розплаву, яку створюють в поглибленні на торці утримувача, форма і розмір якого збігаються з конфігурацією контактної зони, а об'єм краплі...

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00, C30B 13/04 ...

Мітки: кристалізації, складу, методом, спрямовано, розчинів, cu1-xagx)7ges5i, розплаву-розчину, твердих, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань

Завантаження...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Зоренко Юрій Володимирович, Архіпов Павло Васильович, Гриньов Борис Вікторович, Герасимов Ярослав Віталійович, Федоров Олександр Григорович, Горбенко Віталій Іванович, Сідлецький Олег Цезаревич, Зоренко Тетяна Євгенівна, Ткаченко Сергій Анатолійович, Возняк Тарас Іванович

МПК: G01T 1/20, C09K 11/00, C30B 29/00 ...

Мітки: реєстрації, комбінований, сцинтилятор, іонізуючих, випромінювань

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Танько Аліна Вікторівна, Ніжанковський Сергій Вікторович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20, C30B 11/14 ...

Мітки: оксидів, пристрій, вирощування, тугоплавких, кристалізації, спрямовано, горизонтально, методом, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: спрямовано, кристалізації, розплаву-розчину, вирощування, спосіб, cu7ges5i, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від’ємним температурним коефіцієнтом об’ємного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 119994

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Коптєв Михайло Михайлович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/10

Мітки: вирощування, об`ємного, тигель, коефіцієнтом, розширення, від'ємним, речовин, кристалів, температурним

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від'ємним температурним коефіцієнтом об'ємного розширення, виконаний у вигляді циліндра, пласке дно якого з'єднане з циліндричною боковою поверхнею по сферичній поверхні, який відрізняється тим, що бокова поверхня тигля виконана у вигляді хвилястого профілю.

Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 29/46, C30B 1/06, C30B 11/02 ...

Мітки: кристалізації, ag7ges5i, спосіб, розплаву-розчину, методом, спрямовано, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Лисаковський Валентин Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Бурченя Андрій Віталійович, Гордєєв Сергій Олексійович, Каленчук Віталій Анатолійович

МПК: C30B 7/00

Мітки: високого, алмазу, стабільності, пристрій, вирощування, області, температури, термодинамічно, затравці, тиску, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Галенін Евгеній Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Архіпов Павло Васильович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: тиглів, сировиною, монокристалів, наплавлення, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб синтезу монокристалів іонних купрум(і)-олефінових координаційних сполук

Завантаження...

Номер патенту: 118819

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Лук'янов Михайло Юрійович, Миськів Мар'ян Григорович, Павлюк Олексій Вікторович, Сливка Юрій Іванович

МПК: C30B 7/12

Мітки: спосіб, іонних, синтезу, купрум(і)-олефінових, монокристалів, координаційних, сполук

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу іонних p-комплексів купруму(І), що включає проведення електрохімічного відновлення солей купруму(ΙΙ) на мідних електродах в присутності органічного ліганду в розчиннику з одночасним окисненням міді з мідних електродів до купруму(І), який відрізняється тим, що електрохімічне відновлення проводять у двофазній суміші, що містить водний або метанольний розчин солі купруму(ІІ) та ацетонітрильний або толуеновий розчин...

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора

Завантаження...

Номер патенту: 118459

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Зімич Андрій Іванович, Луньов Сергій Валентинович, Маслюк Володимир Трохимович, Хвищун Микола В'ячеславович

МПК: C30B 33/04, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: магніточутливого, спосіб, отримання, мікросенсора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора, що включає одержання напівпровідникового домішкового монокристалу, піддавання його ізотермічному відпалу та з'єднання після охолодження до кімнатної температури з двома парами контактів, який відрізняється тим, що домішковий монокристал виготовляють з речовини n-типу провідності, та додатково опромінюють його потоком високоенергетичних електронів, а ізотермічний відпал здійснюють після...

Спосіб вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 114804

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Будаковський Сергій Валентинович, Тонкошкур Володимир Миколайович, Суздаль Віктор Семенович, Козьмін Юрій Семенович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: вирощування, монокристалів, ампулі, розплаву, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування органічних монокристалів з розплаву в ампулі, що включає кристалізацію речовини в ампулі при її безперервному опусканні униз у вертикальній площині двозонної печі, розділеної діафрагмою на дві камери, в якій нагрівання речовини здійснюють тепловим вузлом, що складається з верхнього та нижнього нагрівачів, причому в ампулі підтримують постійне положення фронту кристалізації шляхом корекції температури нагрівачів...

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями при кімнатній температурі на основі шаруватих кристалів bi2se3, bi2te3

Завантаження...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: bi2te3, температури, кристалів, bi2se3, матеріалів, спосіб, властивостями, кімнатний, одержання, основі, напівпровідникових, шаруватих, феромагнітними

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: C30B 11/00, H01L 31/00

Мітки: опроміненням, рентгенівського, основі, гамма-випромінювання, середовищі, переходом, спосіб, багатократним, підвищення, імпульсами, рідкому, детекторів, виготовлення, cdznte, характеристик, лазера

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі

МПК: C30B 11/00, H01L 21/00

Мітки: спосіб, наносекундними, напівпровідників, елементами, шару, легування, твердофазного, генерованими, хвилями, лазера, ударними, рідкому, деформаційними, поверхневого, середовищі, а2в6, імпульсами, групи

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату

Завантаження...

Номер патенту: 114692

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Юрченко Антон Миколайович, Воронов Олексій Петрович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/14, C30B 7/04 ...

Мітки: вирощування, спосіб, монокристалів, дигідрофосфату, орієнтованих, літію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату, що включає приготування вихідного водного розчину літію дигідрофосфату з ортофосфорною кислотою, підготування та встановлення в ростовій камері затравки, заповнення кристалізатора вихідним розчином, доведення вихідного розчину до стану насичення, вирощування монокристала при постійному відносному пересиченні, який відрізняється тим, що у готовому вихідному водному розчині...

Реактор для високотемпературних процесів у псевдозрідженому шарі

Завантаження...

Номер патенту: 117157

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Бондаренко Борис Іванович, Сімейко Костянтин Віталійович, Дмітрієв Валерій Максимович, Кожан Олексій Пантелеймонович

МПК: B01J 8/18, B01J 8/42, B01J 19/14 ...

Мітки: шарі, реактор, високотемпературних, процесів, псевдозрідженому

Формула / Реферат:

Реактор для високотемпературних процесів у псевдозрідженому шарі, що включає зовнішній циліндричний корпус з теплоізоляцією, в якому встановлено реакційну камеру з псевдозрідженим шаром, у верхній частині якої співвісно встановлений рухомий електрод, а у нижній - повітряна камера з газопровідними трубками та газорозподільними ковпачками, який відрізняється тим, що він оснащений нагрівальною камерою з нагрівним елементом, розміщеним всередині...

Спосіб отримання шихти селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Рибалка Ірина Анатоліївна, Звєрєва Віра Сергіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/46, C01B 19/00 ...

Мітки: шихти, цинку, селеніду, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Спосіб отримання фоторезисторів на основі кристалів tlinse2

Завантаження...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Кітик Іван Васильович, Мирончук Галина Леонідівна, Коровицький Андрій Михайлович, Замуруєва Оксана Валеріївна, Махновець Ганна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, фоторезисторів, кристалів, tlinse2, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Спосіб отримання монокристалів agxgaxge1-xse2 (x=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)

Завантаження...

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Горгут Галина Петрівна, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Влох Ростислав Орестович

МПК: C30B 11/00

Мітки: 0,200, спосіб, 0,250, монокристалів, x=0,333, agxgaxge1-xse2, отримання, 0,167

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Спосіб отримання сонячних елементів на монокристалічному кремнії з використанням нанорозмірного поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна

МПК: H01L 21/00, C30B 29/06, H01L 31/00 ...

Мітки: монокристалічному, використанням, спосіб, елементів, нанорозмірного, кремнії, отримання, кремнію, поруватого, сонячних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду

Завантаження...

Номер патенту: 116463

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Борук Сергій Дмитрович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Оптасюк Сергій Васильович, Томашик Василь Миколайович, Серпак Наталія Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Тріщук Любомир Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/46

Мітки: колоїдних, спосіб, кадмію, нанокристалів, синтезу, розчинів, телуриду, високочистих

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду, який включає синтез нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, причому як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6.10-2-1,15.10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що до отриманого водного колоїдного розчину нанокристалів кадмію...

Спосіб отримання нових речовин з вихідних продуктів

Завантаження...

Номер патенту: 116091

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Кривунь Валентина Степанівна, Жартовський Олександр Володимирович

МПК: C30B 30/00

Мітки: продуктів, нових, речовин, спосіб, вихідних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нових речовин з вихідних продуктів, що включає подачу інгредієнтів, нагрівання та осадження інгредієнтів з парової фази, який відрізняється тим, що на металеві поверхні, оброблені з шорсткістю 25…3,2 мкм, розташовані паралельно одна напроти одної, наносять суміш вихідних продуктів у вигляді пасти, поверхні зближують до дотику, пропускають імпульсний електричний струм, поверхні нагрівають до температури не вище температури...

Спосіб отримання монокристалів tlhgcl3

Завантаження...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgcl3, отримання, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 116034

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, матеріалу, напівпровідникового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять індій та телур, синтез напівпровідникового матеріалу, вирощування кристалів з нього методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів вводять кадмій, у співвідношенні, яке визначають стехіометричним складом напівпровідникового матеріалу Cd3In2Те6,...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbі5

Завантаження...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, отримання, tl3pbі5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Спосіб отримання монокристалів тl3рbвr5

Завантаження...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, спосіб, тl3рbвr5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Спосіб отримання монокристалів тlpbi3

Завантаження...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, тlpbi3, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Монокристалічний матеріал для активних елементів іч-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза

Завантаження...

Номер патенту: 115794

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Капустник Олексій Костянтинович, Терзін Ігор Сергійович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: активних, елементів, іч-лазерів, домішкою, легованого, монокристалічний, заліза, твердого, основі, кадмію-марганцю, матеріал, розчину, ізовалентною, телуриду

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза, Cd1-xMnxTe:Fe2+, який відрізняється тим, що концентрація марганцю у твердому розчині складає 0,45<х<0,77.

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію

Завантаження...

Номер патенту: 115640

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Безкровна Ольга Миколаївна, Притула Ігор Михайлович, Долженкова Олена Федорівна, Коваленко Назар Олегович, Костенюкова Олена Ігоревна

МПК: C30B 7/00

Мітки: спосіб, вирощування, кристалів, дигідрофосфату, калію, допованих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію, який включає приготування розчину солі дигідрофосфату калію, додавання домішки амінокислоти L-аргінін у розчин, виготовлення та встановлення затравки, заливку розчину у кристалізатор, вирощування кристала при реверсивному перемішуванні розчину 60-80 об./хв, який відрізняється тим, що домішку додають у розчин в концентрації 0,3-1,4 мас. %, а вирощування кристала ведуть методом...

Спосіб отримання монокристалів tlhgbr3

Завантаження...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, tlhgbr3, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Спосіб одержання монокристалу ga5,94ln3,96er0,1se15

Завантаження...

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: ga5,94ln3,96er0,1se15, спосіб, монокристалу, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Спосіб одержання монокристалу ga5,46ln4,47er0,07s15

Завантаження...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна, Данилюк Ірина Вікторівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: монокристалу, спосіб, одержання, ga5,46ln4,47er0,07s15

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Танько Аліна Вікторівна, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 29/20, C30B 11/02, C30B 11/14 ...

Мітки: кристалізації, оксидів, монокристалів, спрямовано, методом, вирощування, тугоплавких, горизонтально, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...