C30B — Вирощування монокристалів

Термостійкий синтетичний ювелірний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 116113

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Димшиц Ольга Сєргєєвна, Жилін Алєксандр Алєксандровіч

МПК: C03C 10/12, C30B 29/20, A44C 27/00 ...

Мітки: синтетичний, ювелірний, термостійкий, матеріал

Формула / Реферат:

1. Термостійкий синтетичний ювелірний матеріал, який містить:композиційний нанокристалічний матеріал, що має нанорозмірні оксидні та силікатні кристалічні фази, причому цей композиційний нанокристалічний матеріал містить:щонайменше одну кристалічну фазу, що вибрана з групи, яка складається з: шпінелі, кварцоподібних фаз, сапфірину, енстатиту, петалітоподібної фази, кордієриту, вілеміту, циркону, алюмотитанатів магнію, рутилу,...

Спосіб колоїдного синтезу нанокристалів кадмію телуриду

Завантаження...

Номер патенту: 122646

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Халавка Юрій Богданович, Окрепка Галина Михайлівна, Тинкевич Олена Олександрівна

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00

Мітки: синтезу, телуриду, кадмію, колоїдного, нанокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб колоїдного синтезу нанокристалів кадмію телуриду високої концентрації шляхом змішування прекурсорів кадмію та телуру в присутності стабілізуючого ліганду, який відрізняється тим, що як прекурсор телур використовують свіжоприготовлений розчин політелуридів, який отримують шляхом пропускання гідрогену телуриду через 1М водний розчин натрію гідроксиду, рН якого варіюється в межах 8-12, до зміни забарвлення розчину на фіолетове.

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази

Завантаження...

Номер патенту: 115873

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Боскін Олег Осипович, Цибуленко Вадим Володимирович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208, H01L 21/20 ...

Мітки: епітаксії, рідинної, спосіб, розчину-розплаву, очищення, змочування, підкладки, фазі

Формула / Реферат:

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази, що полягає у змочуванні підкладки розчином-розплавом, на який діє сила тяжіння, способом зміщення слайдера касети, який утримує підкладку, між комірками, що заповнені розчинами-розплавами, і очищенні підкладки від розчину-розплаву, який відрізняється тим, що при змочуванні на розчин-розплав додатково діють силою Ампера, яку викликають тим, що по...

Спосіб отримання композитного фотокаталізатора

Завантаження...

Номер патенту: 122252

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Серкіз Роман Ярославович, Топоровська Лілія Романівна, Турко Борис Ігорович, Парандій Петро Петрович

МПК: B82B 3/00, C30B 29/06, C01B 33/00 ...

Мітки: отримання, композитного, спосіб, фотокаталізатора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання композитного фотокаталізатора, за яким з розчину реагентів вирощують наноструктури ZnO з n-типом електропровідності на шарі зародків ZnO з n-типом електропровідності, що міститься на поруватому кремнії з р-типом електропровідності, який відрізняється тим, що як наноструктури використовують наноквіти ZnO з розвиненою поверхнею.

Спосіб виготовлення кремнієвих пластин

Завантаження...

Номер патенту: 115688

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Тіщенко Ігор Юрійович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/04

Мітки: виготовлення, пластин, спосіб, кремнієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин, що включає розрізання з припуском квадратованого чи псевдоквадратованого зливка монокристалічного чи мультикристалічного кремнію на пластини з припуском та видалення припуску з торцевих поверхонь пластини шляхом обробки за допомогою високоенергетичного вузьконаправленого газового потоку, який відрізняється тим, що при видаленні припуску одночасно на торцевій поверхні формують фаску, при цьому...

Спосіб одержання лантаноїд(ііі)-вмісних поліоксовольфраматів

Завантаження...

Номер патенту: 121322

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Розанцев Георгій Михайлович, Марійчак Олександра Юріївна, Радіо Сергій Вікторович

МПК: C01G 41/00, C30B 29/32

Мітки: лантаноїд(ііі)-вмісних, поліоксовольфраматів, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалічних солей лантаноїд(III)-вмісних поліоксовольфраматів із аніоном зі структурою Пікока-Уіклі, що включає послідовне додавання розчинів натрію вольфрамату, нітратної кислоти й лантаноїду нітрату у стехіометричному відношенні, який відрізняється тим, що проводиться висолювання дією апротонного розчинника ацетону, витримування розчину з кристалами у щільно закритій хімічній склянці за 6 °C упродовж 48 годин,...

Спосіб з’єднання кристалічних деталей

Завантаження...

Номер патенту: 115607

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Андрєєв Євген Петрович, Литвинов Леонід Аркадійович, Гайдук Андрій Ігоревич, Андрєєв Олександр Євгенійович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/34, B23K 28/00 ...

Мітки: деталей, кристалічних, спосіб, з'єднання

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання сапфірових деталей, що включає розташування деталей відносно один одного з капілярним зазором між контактними поверхнями, подачу розплаву в зону з'єднання та подальшу кристалізацію контактної зони, який відрізняється тим, що подача розплаву в зону з'єднання здійснюють з поверхні краплі розплаву, яку створюють в поглибленні на торці утримувача, форма і розмір якого збігаються з конфігурацією контактної зони, а об'єм краплі...

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 13/04, C30B 13/00, C30B 9/00 ...

Мітки: методом, спрямовано, кристалізації, складу, розчинів, спосіб, cu1-xagx)7ges5i, твердих, розплаву-розчину, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань

Завантаження...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Горбенко Віталій Іванович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Павлик Богдан Васильович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Возняк Тарас Іванович, Сідлецький Олег Цезаревич, Гриньов Борис Вікторович, Шикоряк Йосип Андрійович, Архіпов Павло Васильович, Федоров Олександр Григорович, Зоренко Юрій Володимирович

МПК: G01T 1/20, C30B 29/00, C09K 11/00 ...

Мітки: іонізуючих, сцинтилятор, випромінювань, реєстрації, комбінований

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Танько Аліна Вікторівна, Ніжанковський Сергій Вікторович, Гринь Леонід Олексійович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20, C30B 11/14 ...

Мітки: пристрій, спрямовано, тугоплавких, методом, вирощування, кристалізації, монокристалів, оксидів, горизонтально

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00

Мітки: спосіб, cu7ges5i, кристалізації, розплаву-розчину, вирощування, методом, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від’ємним температурним коефіцієнтом об’ємного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 119994

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Коптєв Михайло Михайлович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/10

Мітки: розширення, тигель, вирощування, речовин, кристалів, температурним, об`ємного, від'ємним, коефіцієнтом

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від'ємним температурним коефіцієнтом об'ємного розширення, виконаний у вигляді циліндра, пласке дно якого з'єднане з циліндричною боковою поверхнею по сферичній поверхні, який відрізняється тим, що бокова поверхня тигля виконана у вигляді хвилястого профілю.

Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 1/06, C30B 29/46, C30B 11/02 ...

Мітки: методом, вирощування, ag7ges5i, кристалізації, розплаву-розчину, спрямовано, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Гордєєв Сергій Олексійович, Бурченя Андрій Віталійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Івахненко Сергій Олексійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Лисаковський Валентин Володимирович

МПК: C30B 7/00

Мітки: високого, стабільності, вирощування, тиску, алмазу, області, монокристалів, температури, пристрій, затравці, термодинамічно

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Галенін Евгеній Петрович, Архіпов Павло Васильович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: сировиною, вирощування, спосіб, наплавлення, монокристалів, тиглів

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб синтезу монокристалів іонних купрум(і)-олефінових координаційних сполук

Завантаження...

Номер патенту: 118819

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Сливка Юрій Іванович, Павлюк Олексій Вікторович, Лук'янов Михайло Юрійович, Миськів Мар'ян Григорович

МПК: C30B 7/12

Мітки: купрум(і)-олефінових, координаційних, синтезу, спосіб, сполук, монокристалів, іонних

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу іонних p-комплексів купруму(І), що включає проведення електрохімічного відновлення солей купруму(ΙΙ) на мідних електродах в присутності органічного ліганду в розчиннику з одночасним окисненням міді з мідних електродів до купруму(І), який відрізняється тим, що електрохімічне відновлення проводять у двофазній суміші, що містить водний або метанольний розчин солі купруму(ІІ) та ацетонітрильний або толуеновий розчин...

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора

Завантаження...

Номер патенту: 118459

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Хвищун Микола В'ячеславович, Маслюк Володимир Трохимович, Луньов Сергій Валентинович, Зімич Андрій Іванович

МПК: C30B 33/04, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: магніточутливого, спосіб, мікросенсора, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора, що включає одержання напівпровідникового домішкового монокристалу, піддавання його ізотермічному відпалу та з'єднання після охолодження до кімнатної температури з двома парами контактів, який відрізняється тим, що домішковий монокристал виготовляють з речовини n-типу провідності, та додатково опромінюють його потоком високоенергетичних електронів, а ізотермічний відпал здійснюють після...

Спосіб вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 114804

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Козьмін Юрій Семенович, Будаковський Сергій Валентинович, Тонкошкур Володимир Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20

Мітки: монокристалів, ампулі, розплаву, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування органічних монокристалів з розплаву в ампулі, що включає кристалізацію речовини в ампулі при її безперервному опусканні униз у вертикальній площині двозонної печі, розділеної діафрагмою на дві камери, в якій нагрівання речовини здійснюють тепловим вузлом, що складається з верхнього та нижнього нагрівачів, причому в ампулі підтримують постійне положення фронту кристалізації шляхом корекції температури нагрівачів...

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями при кімнатній температурі на основі шаруватих кристалів bi2se3, bi2te3

Завантаження...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: матеріалів, спосіб, температури, одержання, напівпровідникових, кімнатний, властивостями, шаруватих, кристалів, bi2te3, основі, bi2se3, феромагнітними

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович

МПК: C30B 11/00, H01L 31/00

Мітки: гамма-випромінювання, багатократним, рентгенівського, виготовлення, детекторів, cdznte, основі, лазера, переходом, середовищі, спосіб, імпульсами, підвищення, характеристик, рідкому, опроміненням

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович

МПК: C30B 11/00, H01L 21/00

Мітки: імпульсами, поверхневого, легування, напівпровідників, твердофазного, деформаційними, а2в6, лазера, ударними, рідкому, хвилями, спосіб, групи, середовищі, наносекундними, генерованими, елементами, шару

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату

Завантаження...

Номер патенту: 114692

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Воронов Олексій Петрович, Юрченко Антон Миколайович

МПК: C30B 7/04, C30B 7/00, C30B 29/14 ...

Мітки: спосіб, монокристалів, літію, вирощування, дигідрофосфату, орієнтованих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату, що включає приготування вихідного водного розчину літію дигідрофосфату з ортофосфорною кислотою, підготування та встановлення в ростовій камері затравки, заповнення кристалізатора вихідним розчином, доведення вихідного розчину до стану насичення, вирощування монокристала при постійному відносному пересиченні, який відрізняється тим, що у готовому вихідному водному розчині...

Реактор для високотемпературних процесів у псевдозрідженому шарі

Завантаження...

Номер патенту: 117157

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Бондаренко Борис Іванович, Сімейко Костянтин Віталійович, Дмітрієв Валерій Максимович, Кожан Олексій Пантелеймонович

МПК: B01J 19/14, B01J 8/18, B01J 8/42 ...

Мітки: псевдозрідженому, процесів, високотемпературних, шарі, реактор

Формула / Реферат:

Реактор для високотемпературних процесів у псевдозрідженому шарі, що включає зовнішній циліндричний корпус з теплоізоляцією, в якому встановлено реакційну камеру з псевдозрідженим шаром, у верхній частині якої співвісно встановлений рухомий електрод, а у нижній - повітряна камера з газопровідними трубками та газорозподільними ковпачками, який відрізняється тим, що він оснащений нагрівальною камерою з нагрівним елементом, розміщеним всередині...

Спосіб отримання шихти селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Звєрєва Віра Сергіївна, Рибалка Ірина Анатоліївна, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/46 ...

Мітки: цинку, спосіб, шихти, отримання, селеніду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Спосіб отримання фоторезисторів на основі кристалів tlinse2

Завантаження...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Коровицький Андрій Михайлович, Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович, Махновець Ганна Володимирівна, Мирончук Галина Леонідівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, tlinse2, кристалів, фоторезисторів, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Спосіб отримання монокристалів agxgaxge1-xse2 (x=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)

Завантаження...

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Горгут Галина Петрівна, Влох Ростислав Орестович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: agxgaxge1-xse2, 0,250, отримання, спосіб, монокристалів, x=0,333, 0,200, 0,167

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Спосіб отримання сонячних елементів на монокристалічному кремнії з використанням нанорозмірного поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна

МПК: C30B 29/06, H01L 31/00, H01L 21/00 ...

Мітки: використанням, кремнії, елементів, спосіб, отримання, нанорозмірного, поруватого, кремнію, монокристалічному, сонячних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду

Завантаження...

Номер патенту: 116463

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Томашик Василь Миколайович, Оптасюк Сергій Васильович, Борук Сергій Дмитрович, Корбутяк Дмитро Васильович, Тріщук Любомир Іванович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Серпак Наталія Федорівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: C30B 29/46, C30B 7/00

Мітки: синтезу, телуриду, кадмію, спосіб, колоїдних, розчинів, високочистих, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду, який включає синтез нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, причому як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6.10-2-1,15.10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що до отриманого водного колоїдного розчину нанокристалів кадмію...

Спосіб отримання нових речовин з вихідних продуктів

Завантаження...

Номер патенту: 116091

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Кривунь Валентина Степанівна, Жартовський Олександр Володимирович

МПК: C30B 30/00

Мітки: спосіб, речовин, продуктів, вихідних, отримання, нових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нових речовин з вихідних продуктів, що включає подачу інгредієнтів, нагрівання та осадження інгредієнтів з парової фази, який відрізняється тим, що на металеві поверхні, оброблені з шорсткістю 25…3,2 мкм, розташовані паралельно одна напроти одної, наносять суміш вихідних продуктів у вигляді пасти, поверхні зближують до дотику, пропускають імпульсний електричний струм, поверхні нагрівають до температури не вище температури...

Спосіб отримання монокристалів tlhgcl3

Завантаження...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, монокристалів, tlhgcl3

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 116034

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, напівпровідникового, отримання, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять індій та телур, синтез напівпровідникового матеріалу, вирощування кристалів з нього методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів вводять кадмій, у співвідношенні, яке визначають стехіометричним складом напівпровідникового матеріалу Cd3In2Те6,...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbі5

Завантаження...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, tl3pbі5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Спосіб отримання монокристалів тl3рbвr5

Завантаження...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, тl3рbвr5, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Спосіб отримання монокристалів тlpbi3

Завантаження...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тlpbi3, спосіб, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Монокристалічний матеріал для активних елементів іч-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза

Завантаження...

Номер патенту: 115794

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Капустник Олексій Костянтинович, Коваленко Назар Олегович, Терзін Ігор Сергійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: домішкою, кадмію-марганцю, основі, ізовалентною, монокристалічний, заліза, розчину, елементів, активних, легованого, матеріал, твердого, телуриду, іч-лазерів

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза, Cd1-xMnxTe:Fe2+, який відрізняється тим, що концентрація марганцю у твердому розчині складає 0,45<х<0,77.

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію

Завантаження...

Номер патенту: 115640

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Долженкова Олена Федорівна, Безкровна Ольга Миколаївна, Костенюкова Олена Ігоревна, Притула Ігор Михайлович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 7/00

Мітки: вирощування, кристалів, калію, дигідрофосфату, спосіб, допованих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію, який включає приготування розчину солі дигідрофосфату калію, додавання домішки амінокислоти L-аргінін у розчин, виготовлення та встановлення затравки, заливку розчину у кристалізатор, вирощування кристала при реверсивному перемішуванні розчину 60-80 об./хв, який відрізняється тим, що домішку додають у розчин в концентрації 0,3-1,4 мас. %, а вирощування кристала ведуть методом...

Спосіб отримання монокристалів tlhgbr3

Завантаження...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, tlhgbr3, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Спосіб одержання монокристалу ga5,94ln3,96er0,1se15

Завантаження...

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 1/00

Мітки: ga5,94ln3,96er0,1se15, спосіб, одержання, монокристалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Спосіб одержання монокристалу ga5,46ln4,47er0,07s15

Завантаження...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: монокристалу, спосіб, одержання, ga5,46ln4,47er0,07s15

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Баранов В'ячеслав Валерійович, Гринь Леонід Олексійович, Романенко Андрій Олександрович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Танько Аліна Вікторівна

МПК: C30B 29/20, C30B 11/02, C30B 11/14 ...

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування, оксидів, кристалізації, горизонтально, методом, спрямовано, тугоплавких

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...