C01G 15/00 — Сполуки галію, індію або талію

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(і) триселеностанату(іі)-тi4snse3

Завантаження...

Номер патенту: 121133

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Філеп Михайло Йосипович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Когутич Антон Антонович

МПК: C01G 15/00, H01L 35/16, H01L 35/00 ...

Мітки: покращення, спосіб, полікристалічного, триселеностанату(іі)-тi4snse3, потужності, термоелектричної, тетраталію(і

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(І) триселеностанату(II)-Tl4SnSe3, який включає фазову модифікацію зразка тетраталію(І) триселеностанату(II), який відрізняється тим, що змінюють хімічний склад Tl4SnSe3 ізовалентним заміщенням атомів Стануму на Плюмбум, що підвищує термоелектричну потужність у 10¸35 разів, яку вимірюють на спеціально підготовлених зразках чотирикутної форми, при цьому...

Спосіб одержання летких гетерометалічних гексафторацетилацетонатних комплексів індію з перехідними металами

Завантаження...

Номер патенту: 119253

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Железнова Лідія Іванівна, Роговцов Олександр Олександрович, Слюсарчук Людмила Іванівна, Трунова Олена Костянтинівна

МПК: C01G 51/00, C01G 3/00, C01G 15/00 ...

Мітки: гетерометалічних, летких, комплексів, одержання, гексафторацетилацетонатних, перехідними, спосіб, металами, індію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання летких гетерометалічних гексафторацетилацетонатних комплексів індію з перехідними металами загальної формули InM(rOA)n.2AN (М - Со(ІІ), Cu(II), Zn(II), Nd(III); НГФА-гексафторацетилацетон (F3C-C(O)-CH2-C(O)-CF3), AN - ацетонітрил (СН3-CN)), шляхом проведення прямого синтезу в середовищі апротонного розчинника з металевого індію, хлориду 3d-металу або оксиду неодиму та гексафторацетилацетону, який відрізняється тим, що леткі...

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 108960

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: шарів, арсеніду, отримання, поруватих, галію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію, що включає механічне полірування підкладинки та її хімічне травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розплаві KОН:NaNO3 (y масовому співвідношенні 1:25, відповідно) при температурі 500-700 °C протягом 20-40 хвилин.

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x

Завантаження...

Номер патенту: 106139

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Риган Михайло Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Пісак Роман Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна

МПК: C01G 15/00, C30B 11/02, C01B 19/00 ...

Мітки: складу, спосіб, синтезу, матеріалу, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, сегнетоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (і) бісмут (ііі) диселеніду tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 29/00 ...

Мітки: синтезу, енергозберігаючого, спосіб, tlbise2, ііі, талій, твердофазного, перспективного, диселеніду, термоелектрика, бісмут

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Спосіб одержання йодиду таллію з відходів виробництва монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 102947

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Реброва Тетяна Павлівна, Чергінець Віктор Леонідович, Дацько Юрій Миколайович, Бояринцев Андрій Юрійович

МПК: C01G 9/00, C01G 15/00

Мітки: виробництва, йодиду, таллію, відходів, спосіб, одержання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду Талію, що включає очистку відходів виробництва монокристалів від механічних включень і розчинних домішок, одержання розчину тетрайодоталату Натрію шляхом розчинення осаду йодиду Талію у водному розчині йоду та йодиду Натрію, осадження йодиду Талію розчином гідропероксиду Натрію, який відрізняється тим, що перед стадією осадження йодиду Талію в розчин тетрайодоталату Талію додають комплексоутворювач - натрієву соль...

Матеріал з підвищеною термоелектричною потужністю на основі твердого розчину системи tlbise2–tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 102198

Опубліковано: 26.10.2015

Автор: Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 19/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: твердого, системі, потужністю, термоелектричною, tlbise2–tl4snse4, основі, підвищеною, розчину, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал, що містить моноталій (І) монобісмут (III) диселенід TlBiSe2, який відрізняється тим, що містить у складі тетраталій (І) моностанум (IV) тетраселеніду Tl4SnSe4, а утворений у результаті їх взаємодії твердий розчин вихідного складу (TlBiSe2)0,995(Tl4SnSe4)0,005 має на ~ 50 % вищу термоелектричну потужність та потребує при синтезі в 3 рази менших енерговитрат і в 2 рази менших затрат часу.

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (snse2)0.55(tlbise2)0.45

Завантаження...

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 29/00 ...

Мітки: добротності, термоелектричної, евтектичного, спосіб, snse2)0.55(tlbise2)0.45, покращення, сплаву

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Ефективний середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5.63bi0.70se3.67

Завантаження...

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Барчій Ігор Євгенович, Габорець Наталія Йосипівна, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01B 19/00, C01G 15/00, C01G 29/00 ...

Мітки: ефективний, основі, середньотемпературний, tl5.63bi0.70se3.67, термоелектрик, евтектики

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Спосіб регенерації відходів, які містять тіогалат талію

Завантаження...

Номер патенту: 101519

Опубліковано: 25.09.2015

Автори: Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C01G 15/00

Мітки: тіогалат, відходів, талію, спосіб, містять, регенерації

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять тіогалат талію, який включає розділення тіогалату талію на сполуки, одна з яких містить талій, а інша галій, який відрізняється тим, що вихідну речовину витримують в атмосфері кисню або повітря при температурі 400-450 °C протягом 0,5-1,0 години, після чого нагрівають до температури 900-950 °C і витримують при цій температурі протягом 2-3 годин в герметичному контейнері, частина якого...

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(і)гексаселенобісмутиту tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01B 19/00, C21D 1/60, C01G 15/00 ...

Мітки: ефективності, tl9bise6, підвищення, термоелектричної, сполуки, нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, спосіб, матеріалу, основі

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Спосіб синтезу селеногалату талію

Завантаження...

Номер патенту: 81513

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Пісак Роман Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00

Мітки: синтезу, спосіб, талію, селеногалату

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу селеногалату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування та заварювання ампули, нагрівання компонентів та охолодження, який відрізняється тим, що компоненти розміщують в одному кінці горизонтально встановленої ампули, який розміщують в робочу зону печі, інший кінець ампули при цьому перебуває поза робочою зоною печі, вміст ампули нагрівають до температури 270-290 °C,...

Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (tlins2)x(tlinse2)1-x

Завантаження...

Номер патенту: 80203

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Гуранич Павло Павлович, Рубіш Василь Михайлович, Росул Роман Романович, Риган Михайло Юрійович, Гуранич Оксана Григорівна

МПК: H01L 41/39, C01G 15/00

Мітки: спосіб, сегнетоелектричного, складу, матеріалу, tlins2)x(tlinse2)1-x, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 19/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: основі, композиту, термоелектричний, системі, матеріал, евтектичного, tl4snse4-tl9bise6

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 19/00, C01G 17/00, C01G 15/00 ...

Мітки: матеріалу, tl4sns4, талію(і, монокристалів, основі, тетратіостанату, термоелектричного, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Спосіб отримання поруватого шару p-gaas шляхом електрохімічного травлення

Завантаження...

Номер патенту: 57811

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Віталійович, Кірілаш Олександр Іванович

МПК: C01G 15/00

Мітки: електрохімічного, шару, травлення, поруватого, p-gaas, шляхом, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного арсеніду галію, який включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за такою формулою: H2O:HF:HBr=7:5:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за формулою H2O:HF:HBr=7:5:1 протягом 10 хвилин при використанні щільності...

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01G 1/12 ...

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Спосіб витягання галію з алюмінатного розчину, що його містить

Завантаження...

Номер патенту: 87302

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Ваказукі Акіхіро, Сано Хіросі, Кобаясі Ясусі

МПК: C25C 1/00, C01G 15/00

Мітки: витягання, містить, алюмінатного, розчину, галію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб витягання галію з алюмінатного розчину, що його містить, в якому приводять у контакт алюмінатний розчин з хелатуючим агентом, що складається з водонерозчинного заміщеного хінолінолу, проводять екстрагування галію шляхом приведення у контакт розчину для зворотного захоплення, що складається з кислотного водного розчину, який містить заміщений хінолінол, з хелатуючим агентом, що містить захоплений галій, і витягають металічний галій з...

Спосіб одержання йодиду талію особливої чистоти із сировини з великим вмістом домішок

Завантаження...

Номер патенту: 83676

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Кулик Олександр Федорович, Білов Юрій Петрович

МПК: C01B 9/00, C01G 15/00

Мітки: чистоти, спосіб, одержання, великим, талію, домішок, вмістом, сировини, особливої, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду талію особливої чистоти з сировини з великим вмістом домішок, що містить в своєму складі йодид талію, зокрема з відходів виробництва лужногалоїдних монокристалів, який відрізняється тим, що йодид талію одержують у дві стадії: на першій стадії проводять попереднє очищення сировини від нерозчинних механічних включень та розчинних домішок, одержаний осад йодиду талію розчиняють у водному розчині йоду та йодистого натрію ...

Спосіб одержання монокристалів сполук талію(і)сульфотетрахлориду tl6scl4 і талію(і)сульфотетраброміду tl6sbr4

Завантаження...

Номер патенту: 70133

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Черешня Володимир Михайлович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євгеній Юлійович, Габорець Наталія Йосипівна

МПК: C30B 11/00, C01G 15/00, C30B 9/00 ...

Мітки: tl6scl4, одержання, талію(і)сульфотетраброміду, tl6sbr4, спосіб, талію(і)сульфотетрахлориду, сполук, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу сполуки талію(І)сульфотетрахлориду Tl6SCl4, який включає вирощування монокристалу із розчину за методом Бріджмена, який відрізняється тим, що беруть вихідну шихту наступного складу (мол.%):Tl2S -29,00TlCl-71,00,при цьому для процесу вирощування монокристалу Tl6SCl4 встановлюють задану швидкість переміщення фронту кристалізації 0,1 - 0,3 мм/годину, температурний градієнт у зоні...

Спосіб одержання талію (і) – титану (iv) тетрасульфіду тl4тіs4

Завантаження...

Номер патенту: 70185

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Севрюков Дмитро Володимирович

МПК: C01B 17/20, C01G 23/00, C01G 15/00 ...

Мітки: тетрасульфіду, талію, одержання, тl4тіs4, титану, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання талію (І)-титану (ІV) тетрасульфіду (Тl4ТіS4), який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти для синтезу у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальший відпал при 650 К, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні талій, титан і...

Спосіб одержання йодиду талію особливої чистоти із сировини з великим вмістом домішок

Завантаження...

Номер патенту: 17683

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Кулик Олександр Федорович, Білов Юрій Петрович

МПК: C01B 9/00, C01G 15/00

Мітки: великим, талію, одержання, спосіб, особливої, домішок, сировини, чистоти, вмістом, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду талію особливої чистоти методом розчинення і осадження домішок та нагрівання, плавлення і грануляції йодиду талію в інертній атмосфері, з сировини з великим вмістом домішок, що містить в своєму складі йодид талію та є відходами виробництва лужногалоїдних монокристалів або йодиду талію з великим вмістом домішок, який відрізняється тим, що одержують йодид талію в дві стадії: на першій стадії після попереднього очищення...

Спосіб отримання монокристалів ортодифосфату натрію-індію na7(inp2o7)4(po4)

Завантаження...

Номер патенту: 67538

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Слободяник Микола Семенович, Стусь Наталія Вікторівна, Лісняк Владислав Владиславович, Стратійчук Денис Анатолійович, Смірнова Тамара Іванівна

МПК: C01D 13/00, C01B 25/18, C01B 25/22 ...

Мітки: натрію-індію, монокристалів, ортодифосфату, отримання, спосіб, na7(inp2o7)4(po4

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів ортодифосфату натрію-індію Nа7(InP2О7)4(PО4), який передбачає змішування натрієвмісного, фосфорвмісного компонентів та оксиду індію (Іn2О3) (в кількості 12-14 % мас.), нагрівання отриманої суміші методом ізотермічного насичення до утворення високотемпературного лужно-фосфатного розплаву, який відрізняється тим, що при змішуванні додають метаванадат натрію (NaVO3) в кількості 10-15 % мас.2. Спосіб за п....

Спосіб вилучення галію сорбцією

Завантаження...

Номер патенту: 26859

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Скворцов Олександр Юрійович, Фомічов Юрій Олександрович

МПК: C22B 58/00, C01G 15/00

Мітки: сорбцією, спосіб, галію, вилучення

Формула / Реферат:

Способ извлечения галлия сорбцией из щелочных алюминатных ратворов, включающий предварительную обработку раствора и последующее сорбционное извлечение галлия, отличающийся тем, что предварительная обработка заключается в выделении алюминия из раствора в осадок путем крабонизации растворов углекислым газом, а сорбцию проводят из карбонизированной пульпы или раствора после фильтрации такой пульпы.

Спосіб добування галію

Завантаження...

Номер патенту: 11021

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Фомічов Юрій Олександрович, Скворцов Олександр Юрійович, Толкачьов Олександр Борисович

МПК: C01F 7/46, C01G 15/00, C22B 58/00 ...

Мітки: спосіб, галію, добування

Формула / Реферат:

1. Способ извлечения галлия из щелочных алюминийсодержащих растворов, включающий осаждение из них алюминия с получением пульпы и сорбцию галлия ионообменником, отличающий­ся тем, что осаждение алюминия ведут в виде каль­циевого гидроалюмината обработкой раствора кальцийсодержащим реагентом, а сорбцию галлия ведут из пульпы или из растворов после выделения осадка из пульпы.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в каче­стве...