C01B 33/021 — отримання

Реактор для високотемпературних процесів у псевдозрідженому шарі

Завантаження...

Номер патенту: 117157

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Дмітрієв Валерій Максимович, Сімейко Костянтин Віталійович, Бондаренко Борис Іванович, Кожан Олексій Пантелеймонович

МПК: B01J 8/18, B01J 19/14, B01J 8/42 ...

Мітки: псевдозрідженому, процесів, реактор, шарі, високотемпературних

Формула / Реферат:

Реактор для високотемпературних процесів у псевдозрідженому шарі, що включає зовнішній циліндричний корпус з теплоізоляцією, в якому встановлено реакційну камеру з псевдозрідженим шаром, у верхній частині якої співвісно встановлений рухомий електрод, а у нижній - повітряна камера з газопровідними трубками та газорозподільними ковпачками, який відрізняється тим, що він оснащений нагрівальною камерою з нагрівним елементом, розміщеним всередині...

Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 111178

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Родіонов Валерій Євгенович, Венгер Євген Федорович, Шека Галина Костянтинівна

МПК: C01B 33/021, C01B 33/00, C01B 33/02 ...

Мітки: одержання, спосіб, полікристалічного, кремнію, порошку

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію, при якому використовують як вихідну речовину діоксид кремнію, при цьому технологічний процес містить чотири послідовні стадії, де на 1 стадії в першому реакторі діоксид кремнію обробляють елементним фтором (фторують) з надлишковою його кількістю відносно необхідної стехіометричної кількості; на 2 стадії у другому реакторі здійснюють фторування надлишкової кількості діоксиду кремнію...

Каскадний комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості

Завантаження...

Номер патенту: 108789

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Циба Андрій Вікторович, Карплюк Олександр Іванович, Кузема Павло Олександрович

МПК: B22F 9/28, C01B 33/021, C01B 31/36, C04B 35/565 ...

Мітки: порошку, промислового, карбіду, якості, виробництва, високої, каскадний, кремнію, комплекс

Формула / Реферат:

1. Каскадний комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості, який містить перший змішувач компонент колоїдного розчину, таких як джерело кремнію і джерело вуглецю, який зв'язаний з сушильною піччю, яка зв'язана з піччю синтезу карбіду кремнію, який відрізняється тим, що містить n змішувачів компонент колоїдного розчину, вихід кожного з яких зв'язаний з входом сушильної печі, вихід якої зв'язаний з входом печі...

Комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості

Завантаження...

Номер патенту: 108544

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Караульщук Володимир Антонович, Карплюк Олександр Іванович, Новоженюк Любомир Іванович, Циба Андрій Вікторович, Кузема Павло Олександрович

МПК: B22F 9/00, C01B 31/36, C01B 33/021, C04B 35/565 ...

Мітки: якості, кремнію, порошку, комплекс, високої, промислового, карбіду, виробництва

Формула / Реферат:

1. Комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості, виробничий ланцюг якого містить блок завантаження вхідних компонент, у складі яких є цукор, змішувач, випарник, вихід якого зв'язаний з входом печі карбонізації, вихід якої зв'язаний з входом печі синтезу карбіду кремнію, вихід якої зв'язаний з входом печі декарбонізації, який відрізняється тим, що блок завантаження вхідних компонент містить механізм завантаження...

Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 67586

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C01B 33/021, C30B 35/00

Мітки: індукційним, методом, автоматизована, кремнію, система, виробництва, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом в холодному тиглі, що включає ділянку підготовки сировини, засіб доставки сировини, понад одну установку отримання зливка мультикристалічного кремнію, зв'язану з диспетчерським центром керування, кожна з яких обладнана бункером подачі сировини, засобами утримування і переміщення зливка та засобами вилучення зливка, і засіб транспортування зливка в зону...

Алюмотермічний спосіб одержання кремнію високого ступеня чистоти

Завантаження...

Номер патенту: 90286

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович, Марончук Ігор Ігорович

МПК: C01B 33/023, C01B 33/02, C01B 33/021 ...

Мітки: ступеня, високого, чистоти, одержання, кремнію, спосіб, алюмотермічний

Формула / Реферат:

Алюмотермічний спосіб одержання кремнію високого ступеня чистоти з діоксиду кремнію SiO2, який включає розміщення в реакторі тигля з легкоплавким металом, нагрів тигля в вакуумі та потоці аргону з одержанням розплаву, введення у розплав алюмінію та діоксиду кремнію, відновлення SiO2 алюмінієм в розплаві легкоплавкого металу до елементарного кремнію, кристалізацію кремнію, відділення одержаних кристалів кремнію від розплаву з наступною...

Установка для одержання зливка чистого кремнію з діоксиду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 89661

Опубліковано: 25.02.2010

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна

МПК: C01B 33/023, C01B 33/021, C01B 33/02, C01B 33/00 ...

Мітки: кремнію, одержання, діоксиду, установка, зливка, чистого

Формула / Реферат:

Установка для одержання зливка чистого кремнію з діоксиду кремнію шляхом його алюмотермічного відновлення, яка містить реактор для відновлення кремнію з діоксиду кремнію у вакуумі або середовищі інертного газу, розташовану в реакторі піч (7), тигель (5) для розміщення в ньому розчину кремнію у розплаві легкоплавкого металу, пристрій (9) для постійного перемішування вказаного розчину-розплаву, яка відрізняється тим, що реактор являє собою...

Тигель для кристалізації кремнію та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 88964

Опубліковано: 10.12.2009

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C01B 33/021, B22D 41/02, C04B 35/14 ...

Мітки: спосіб, виготовлення, тигель, кристалізації, кремнію

Формула / Реферат:

1. Тигель (1) для кристалізації кремнію, який включаєa) основний корпус (2), який включає нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які обмежують внутрішній об'єм;b) шар підкладки (25), який включає від 80 до 100 мас. % нітриду кремнію на поверхні бокових стінок (22), спрямованій до внутрішнього об'єму;c) проміжний шар (3), який включає від 50 до 100 мас. % кремнезему над шаром підкладки (25); таd) поверхневий шар...

Спосіб одержання високочистого кремнію та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 85324

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Тарасевич Юрій Стефанович, Бакай Едуард Аполінарійович, Тарасевич Олексій Юрійович, Огенко Володимир Михайлович, Борисюк Сергій Михайлович

МПК: F01B 9/02, C01B 33/027, C01B 33/021 ...

Мітки: кремнію, здійснення, одержання, високочистого, пристрій, спосіб

Формула / Реферат:

1.    Спосіб одержання високочистого кремнію, який включає термохімічний розклад очищених кремнійвмісних сполук в присутності газоподібних компонентів, утворення та уловлювання дисперсних частинок в псевдозрідженому шарі і розділення одержаних продуктів, який відрізняється тим, що в реактор термохімічного розкладу очищених кремнійвмісних сполук періодично подають вихідні компоненти в присутності відновника та формують дисперсні...

Спосіб очищення металургійного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 84653

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Комар Фідель Леонідович, Марончук Ігор Ігорович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02, C01B 33/037 ...

Мітки: кремнію, спосіб, очищення, металургійного

Формула / Реферат:

Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає введення кремнію в розплав металу-розчинника, нагрівання цього розплаву, кристалізацію кремнію на кристалічній затравці, що опущена в розплав, масоперенос розчиненого кремнію до фронту кристалізації, який відрізняється тим, що введення металургійного кремнію в розплав металу-розчинника здійснюють шляхом безперервного подавання його при фіксованій температурі, величину якої обмежують...

Спосіб очищення кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 17528

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Тербан Віктор Андрійович, Семенюк Олександр Васильович, Волохов Сергій Олександрович

МПК: C01B 33/158, C01B 33/021

Мітки: спосіб, кремнію, очищення

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення кремнію, який включає механічну обробку кремнієвмісної шихти, видалення металевих та неметалевих домішок і видалення вологи шляхом сушіння в середовищі інертного газу, який відрізняється тим, що механічну обробку здійснюють до одержання з шихти порошку, після чого одержаний порошок змішують з водним розчином кислоти, вибраної з НСl та/або Н3РO4, та/або H2SO4, або суміші НСl / Н3РO4, Н3РO4 / H2SO4 та Н3РO4 /НСl/ H2SO4, суміш...

Лінія для одержання кремнію з кремнієвмісних відходів

Завантаження...

Номер патенту: 17527

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Тербан Віктор Андрійович, Волохов Сергій Олександрович, Семенюк Олександр Васильович

МПК: C01B 33/158, C01B 33/021

Мітки: кремнієвмісних, відходів, кремнію, лінія, одержання

Формула / Реферат:

1. Лінія для одержання кремнію з кремнієвмісних відходів, що складається з блока чищення шихти від механічних домішок, з яким зв'язані блок промивання, блок сушіння, блок вивантаження чистого кремнію, станція подачі кислотних розчинів та станція подачі води.2. Лінія за п. 1, яка додатково містить дозатор для завантаження мірної кількості відходів виробництва кремнію у вигляді порошку.3. Лінія за п. 1 або п. 2, яка додатково...

Спосіб отримання силіцію

Завантаження...

Номер патенту: 14278

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Соловйов Олег Володимирович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Повстяний Михайло Васильович

МПК: C01B 33/021

Мітки: силіцію, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання силіцію, який включає пряме електродугове відновлення двооксигенту силіцію і його очищення, який відрізняється тим, що пряме електродугове відновлення двооксигенту силіцію здійснюють карбоном шляхом використання електродів складу С : SiO2.

Спосіб очищення силіцію

Завантаження...

Номер патенту: 12665

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Хлопенова Ірина Анатоліївна, Марончук Ігор Євгенович, Соловйов Олег Володимирович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/021

Мітки: спосіб, очищення, силіцію

Формула / Реферат:

Спосіб очищення силіцію, що включає введення силіцію в розплав металу-розчинника, нагрівання розплаву, створення температурного градієнта уздовж тигля й кристалізацію силіцію на кристалі-запалі, зануреному в розплав, який відрізняється тим, що введення силіцію в розплав галію (металу-розчинника) здійснюють шляхом закріплення силіцію на дні тигля при нагріванні розплаву до 800-1000°С, створення температурного градієнту 4-8°С/см й кристалізації...

Спосіб одержання тетрафториду кремнію, спосіб відділення тетрафториду кремнію від кисню і високолетких фторидів домішок, спосіб одержання порошку кремнію з тетрафториду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 73847

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Карєлін Алєксандр Івановіч, Абубекєров Равіль Абдурахімович, Карєлін Владімір Алєксандровіч, Домашев Євген Дмитрович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02, C01B 33/03 ...

Мітки: тетрафториду, спосіб, кисню, порошку, кремнію, фторидів, відділення, одержання, домішок, високолетких

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання тетрафториду кремнію, що полягає в тому, що здійснюють фторування природних кремнієвмісних концентратів з 97,0 - 99,998 % мас. SiO2 у дві наступні стадії, що протікають незалежно без поділу продуктів реакцій:- на 1-ій стадії фторування проводять у факелі при 1500 - 2000 °С з надлишком елементного фтору 15-20 % мас. щодо стехіометрії реакцій фторування з виводом із процесу нелетких фторидів при 100 - 350°С, а...

Установка для отримання силіцію

Завантаження...

Номер патенту: 8439

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Масенко Борис Павлович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Повстяний Михайло Васильович, Соловйов Олег Володимирович, Афонченкова Тетяна Миколаївна

МПК: C01B 33/021, C01B 33/025, C22B 4/00 ...

Мітки: силіцію, установка, отримання

Формула / Реферат:

Установка для отримання силіцію складена з апарата прямого електродугового відновлення силіцію, що включає електроди, випускний жолоб-накопичувач для збору відновленого силіцію, трубок подачі інертного газу і відведення газоподібних продуктів реакції, яка відрізняється тим, що апарат електродугового відновлення виконаний у вигляді горизонтального кварцового реактора, який з'єднаний з високочастотним генератором дуги змінного струму, вздовж...

Спосіб отримання силіцію

Завантаження...

Номер патенту: 5396

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Хлопенова Ірина Анатоліївна, Масенко Борис Павлович, Соловйов Олег Володимирович, Повстяний Михайло Васильович, Афонченкова Тетяна Миколаївна

МПК: C01B 33/023, C01B 33/021

Мітки: спосіб, силіцію, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання силіція, який включає пряме електродугове відновлення двооксигенту силіція і його очищення, який відрізняється тим, що пряме електродугове відновлення двооксигенту силіція здійснюють металом-відновлювачем шляхом використання електродів складу Me:SiО2 і одноразовим очищенням.