C01B 19/00 — Селен; телур; їх з’єднання

Спосіб синтезу політелуридів лужних металів

Завантаження...

Номер патенту: 120663

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Окрепка Галина Михайлівна, Тинкевич Олена Олександрівна, Халавка Юрій Богданович

МПК: C01B 19/00, C07C 395/00

Мітки: металів, спосіб, політелуридів, синтезу, лужних

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу політелуридів лужних металів в атмосфері аргону шляхом електрохімічного відновлення на електроді Те0 до Те2- іонів з наступною їх взаємодією з гідроксидами лужних металів до зміни забарвлення на фіолетове, який відрізняється тим, що в окремій електрохімічній комірці на телуровому електроді в 50 % охолодженій сульфатній кислоті при струмі 0,5-1 А отримують гідрогентелурид (Н2Те) відновленням телуру до Те2-, який...

Спосіб отримання шихти селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Рибалка Ірина Анатоліївна, Звєрєва Віра Сергіївна, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C01B 19/00, C30B 29/46, C01G 9/00 ...

Мітки: шихти, цинку, селеніду, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x

Завантаження...

Номер патенту: 106139

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна

МПК: C30B 11/02, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: сегнетоелектричного, матеріалу, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, синтезу, спосіб, складу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (і) бісмут (ііі) диселеніду tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C01B 19/00, C01G 29/00, C01G 15/00 ...

Мітки: спосіб, ііі, перспективного, tlbise2, термоелектрика, твердофазного, бісмут, диселеніду, синтезу, талій, енергозберігаючого

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Хронопотенціометричний спосіб визначення селену у водних розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 110744

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Суровцев Ігор Вікторович, Галімова Валентина Михайлівна, Копілевич Володимир Абрамович

МПК: G01N 33/18, G01N 27/48, C01B 19/00 ...

Мітки: визначення, спосіб, селену, хронопотенціометричний, водних, розчинах

Формула / Реферат:

Спосіб визначення селену електрохімічним методом у водних розчинах, що включає вимірювання на електроді при заданому потенціалі, який відрізняється тим, що визначення концентрації Se4+ у водних розчинах виконують методом інверсійної хронопотенціометрії після їх випаровування і мінералізації органічних речовин 66-70 % азотною кислотою та 30 % пероксидом водню з наступним встановленням концентрації селену методом добавок на фоні 2М НСl за...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102229

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Яворський Ростислав Святославович

МПК: C01G 30/00, B82B 3/00, C01B 19/00 ...

Мітки: наноструктур, високою, слюди, спосіб, snte:sb, термо-е.р.с, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...

Спосіб отримання термоелектричного композита pbte із нановключеннями zno

Завантаження...

Номер патенту: 102228

Опубліковано: 26.10.2015

Автор: Матківський Остап Миколайович

МПК: B82B 3/00, C01B 19/00, C01G 9/02 ...

Мітки: нановключеннями, композита, термоелектричного, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного РbТе із нановключеннями ZnO, який полягає в тому, що високого класу чистоти компоненти свинець (Рb), телур (Те) завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, витримують при температурі, вищій від температури плавлення компонентів, здійснюють гомогенізуючий відпал, охолоджують на повітрі до кімнатної температури, а отриманий матеріал пресують з подальшим відпалом, який відрізняється тим, що до...

Спосіб отримання нанокомпозиту pbte:zno із незначною теплопровідністю

Завантаження...

Номер патенту: 102227

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Криницький Олександр Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матківський Остап Миколайович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C01B 19/00, B82B 3/00, C01G 21/00 ...

Мітки: pbte:zno, теплопровідністю, спосіб, незначною, нанокомпозиту, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного РbТе із нановключеннями ZnO, який полягає в тому, що високого класу чистоти компоненти свинець (Рb), телур (Те) завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, витримують при температурі, вищій від температури плавлення компонентів, здійснюють гомогенізуючий відпал, охолоджують на повітрі до кімнатної температури, а отриманий матеріал пресують з подальшим відпалом, який відрізняється тим, що до...

Матеріал з підвищеною термоелектричною потужністю на основі твердого розчину системи tlbise2–tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 102198

Опубліковано: 26.10.2015

Автор: Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 19/00 ...

Мітки: tlbise2–tl4snse4, підвищеною, термоелектричною, основі, матеріал, твердого, системі, розчину, потужністю

Формула / Реферат:

Матеріал, що містить моноталій (І) монобісмут (III) диселенід TlBiSe2, який відрізняється тим, що містить у складі тетраталій (І) моностанум (IV) тетраселеніду Tl4SnSe4, а утворений у результаті їх взаємодії твердий розчин вихідного складу (TlBiSe2)0,995(Tl4SnSe4)0,005 має на ~ 50 % вищу термоелектричну потужність та потребує при синтезі в 3 рази менших енерговитрат і в 2 рази менших затрат часу.

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (snse2)0.55(tlbise2)0.45

Завантаження...

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01G 29/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: добротності, термоелектричної, евтектичного, сплаву, snse2)0.55(tlbise2)0.45, спосіб, покращення

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Ефективний середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5.63bi0.70se3.67

Завантаження...

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Габорець Наталія Йосипівна, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 29/00 ...

Мітки: середньотемпературний, ефективний, термоелектрик, основі, евтектики, tl5.63bi0.70se3.67

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(і)гексаселенобісмутиту tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C21D 1/60, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: матеріалу, сполуки, tl9bise6, основі, ефективності, нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, підвищення, спосіб, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Спосіб одержання плівок селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 108182

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Софронова Олена Михайлівна, Стариков Вадим Володимирович

МПК: C01B 19/00

Мітки: одержання, плівок, селеніду, цинку, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який включає розміщення кварцової або скляної підкладки в реакційному об'єму з 3-5 М розчином гідроксиду натрію або калію, додання еквівалентних співвідношень оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1 М, приливання двократного надлишку гідразину гідрату, нагрівання одержаної суміші до 80-100 °C та витримку протягом 60-30 хвилин відповідно, який відрізняється тим, що після приливання...

Спосіб синтезу стабілізованих нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині

Завантаження...

Номер патенту: 92850

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Мазарчук Ірина Опанасівна, Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: C30B 28/00, C01G 11/00, C01B 19/00 ...

Мітки: спосіб, нанокристалів, синтезу, розчині, колоїдному, стабілізованих, кадмію, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині протягом 2-9 хв. з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти в деіонізованій воді з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л, який відрізняється тим, що після закінчення процесів формування нанокристалів кадмію телуриду у деіонізованій воді в колоїдний розчин додатково додають 5 %-й розчин желатину та інгібітор...

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи snse2-tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: сплаву, підвищення, евтектичного, системі, snse2-tlbise2, спосіб, ефективності, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Спосіб спільного визначення вмісту кисню та селену (iv) в рідких середовищах

Завантаження...

Номер патенту: 89715

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Колбасов Геннадій Якович, Воробець Віра Стефанівна

МПК: C01B 13/00, C01B 19/00, G01N 27/26 ...

Мітки: середовищах, вмісту, кисню, спосіб, визначення, спільного, рідких, селену

Формула / Реферат:

Спосіб спільного визначення вмісту кисню та селену (IV) в рідких середовищах за допомогою інверсійного електрохімічного методу на твердих електродах з використанням лимонної кислоти (рH=3÷4) та хлориду калію як електроліту, який відрізняється тим, що активний шар вимірювального електрода містить плівку нанодисперсного діоксиду титану, модифікованого іонами цинку та наночастинками золота, а компонентом електроліту є хлорна кислота з...

Спосіб синтезу вібраційностійких нанокристалів кадмій телуриду в твердотільній матриці

Завантаження...

Номер патенту: 88968

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Капуш Ольга Анатоліївна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Тріщук Любомир Іванович

МПК: C01B 17/20, C01G 11/00, C01B 19/00 ...

Мітки: телуриду, нанокристалів, вібраційностійких, синтезу, кадмій, спосіб, матриці, твердотільний

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в твердотільній матриці, який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії прекурсорів в деіонізованій воді, полімеризацію матриці із синхронним інкорпоруванням в матрицю утворених нанокристалів, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на підкладку та висушування утвореної плівки за відсутності освітлення, який відрізняється тим,...

Механохімічний спосіб одержання графеноподібних наношарових дихалькогенідів перехідних металів

Завантаження...

Номер патенту: 104963

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Хазєєва Олександра Алмазівна, Походенко Віталій Дмитрович, Кошечко Вячеслав Григорович, Посудієвський Олег Юлійович

МПК: C01G 39/00, C01B 17/20, C01B 19/00 ...

Мітки: наношарових, спосіб, одержання, механохімічний, дихалькогенідів, графеноподібних, металів, перехідних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання графеноподібних наношарових дихалькогенідів перехідних металів, який включає механохімічну обробку суміші мікрокристалів дихалькогеніду та хімічно інертного твердого розшарувальника у кульовому млині при кімнатній температурі при швидкості обертання 300-600 об./хв. протягом 0,5-3 год., видалення твердого хімічно інертного водорозчинного розшарувальника водою, сушіння одержаного наноструктурованого матеріалу при температурі...

Спосіб одержання плівок селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Софронова Олена Михайлівна, Стариков Вадим Володимирович

МПК: C01B 19/00

Мітки: одержання, спосіб, селеніду, цинку, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який відрізняється тим, що кварцову або скляну підкладку поміщають в реакційний об'єм з 3-5М розчином гідроксиду натрію або калію, додають еквівалентні співвідношення оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1М, потім приливають двократний надлишок гідразин гідрату, одержану суміш нагрівають до 80-100 °C і витримують протягом 60-30 хвилин відповідно.

Спосіб синтезу наногетероструктур “багатошарові вуглецеві нанотрубки – оксиди металів”

Завантаження...

Номер патенту: 82970

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Іваненко Ірина Миколаївна, Донцова Тетяна Анатоліївна, Астрелін Ігор Михайлович

МПК: C01B 19/00

Мітки: наногетероструктур, синтезу, вуглецеві, оксиди, нанотрубки, спосіб, металів, багатошарові

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу наногетероструктур "багатошарові вуглецеві нанотрубки - оксиди металів", що включає змішування попередньо очищених і окиснених багатошарових вуглецевих нанотрубок з розчинами солей металів (нікелю або купруму) під дією ультразвуку, додавання розчину аміаку, фільтрування, висушування і прожарювання, який відрізняється тим, що як прекурсори використовують нітрати Ni та Сu, а термічну обробку проводять за температури...

Спосіб одержання тонких плівок кадмій селеніду

Завантаження...

Номер патенту: 82328

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Гумінілович Руслана Ростиславівна, Ільчук Григорій Архипович, Шаповал Павло Йосифович, Ятчишин Йосип Йосипович, Кусьнеж Віктор Вацлавович

МПК: C01G 11/00, C01B 19/00

Мітки: плівок, кадмій, селеніду, спосіб, тонких, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок кадмій селеніду, що включає його хімічне осадження на підкладку з розчину, що містить іони металу та іони селену у лужному середовищі, який відрізняється тим, що попередньо підкладку поміщають на нагріту термостатовану поверхню, а осадження здійснюють нанесенням на підкладку розчину, що містить іони металу та іони селену.

Спосіб синтезу селеногалату талію

Завантаження...

Номер патенту: 81513

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00

Мітки: селеногалату, синтезу, талію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу селеногалату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування та заварювання ампули, нагрівання компонентів та охолодження, який відрізняється тим, що компоненти розміщують в одному кінці горизонтально встановленої ампули, який розміщують в робочу зону печі, інший кінець ампули при цьому перебуває поза робочою зоною печі, вміст ампули нагрівають до температури 270-290 °C,...

Спосіб отримання стабільного термоелектричного n-pbte:sb

Завантаження...

Номер патенту: 80800

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович, Криницький Олександр Степанович

МПК: C01G 21/00, H01L 21/324, C01B 19/00 ...

Мітки: спосіб, стабільного, n-pbte:sb, отримання, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання стабільного термоелектричного n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), телур (Те) та сурму високого класу чистоти (99,999%), взяті у відповідних вагових співвідношеннях, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (i) гексаселенобісмутиту tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 79434

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01B 19/00, C21D 1/60, H01L 35/16 ...

Мітки: tl9bise6, спосіб, сполуки, підвищення, термоелектричної, ефективності, гексаселенобісмутиту, матеріалу, нонаталій, основі

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-pbte:sb

Завантаження...

Номер патенту: 78466

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Криницький Олександр Степанович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C01B 19/00, H01L 21/00

Мітки: отримання, термоелектричного, матеріалу, спосіб, ефективного, n-pbte:sb

Формула / Реферат:

Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який...

Пристрій для очищення телуру методом вакуумної дистиляції

Завантаження...

Номер патенту: 98751

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Єрмаков Олексій Сергійович, Канібор Юрій Олександрович, Біляков Віктор Миколайович, Нетак Борислав Борисович, Єрмаков Сергій Юрійович, Черненков Данило Віталійович

МПК: C22B 9/02, C22B 9/04, C01B 19/00 ...

Мітки: пристрій, телуру, методом, вакуумної, дистиляції, очищення

Формула / Реферат:

1. Пристрій для очищення телуру методом вакуумної дистиляції, що містить вакуумну камеру із засобами відкачування повітря і нагрівниками, усередині якої розміщені резервуар для телуру, що очищують, конденсатор, встановлений над резервуаром, і фільтр, який відрізняється тим, що вакуумна камера обладнана принаймні двома завантажувальними камерами, з'єднаними з бічною поверхнею її верхньої частини за допомогою патрубків, і двома або більше...

Спосіб одержання рідкокристалічних нанокомпозитних матеріалів з напівпровідниковими наночастинками cdse

Завантаження...

Номер патенту: 69609

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Мирна Тетяна Альфредівна, Волков Сергій Васильович, Яремчук Галина Григорівна, Асаула Віталій Миколайович

МПК: C01G 11/00, B82B 1/00, C01B 19/00 ...

Мітки: матеріалів, рідкокристалічних, одержання, наночастинками, напівпровідниковими, нанокомпозитних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання рідкокристалічних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових селенідів металів, що включає взаємодію металовмісної органічної матриці та селенідного реагенту, який відрізняється тим, що нанокомпозити одержують на основі рідкокристалічної фази алканоатів металів, що містить монодисперсні (± 0,2 нм) напівпровідникові наночастинки CdSe з розміром 1,0-3,0 нм, в якому алканоат металу формули (СnН2n+1СОО)2М, де...

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2-bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/00, C01G 19/00 ...

Мітки: матеріал, системі, snse2-bi2se3, термоелектричний, основі, евтектичного, композиту

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01B 19/00 ...

Мітки: термоелектричний, системі, композиту, евтектичного, матеріал, основі, tl4snse4-tl9bise6

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Пристрій для очищення телуру методом вакуумної дистиляції

Завантаження...

Номер патенту: 66382

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Нетак Борислав Борисович, Єрмаков Олексій Сергійович, Біляков Віктор Миколайович, Канібор Юрій Олександрович, Черненков Данило Віталійович, Єрмаков Сергій Юрійович

МПК: C01B 19/00

Мітки: дистиляції, методом, очищення, вакуумної, пристрій, телуру

Формула / Реферат:

1. Пристрій для очищення телуру методом вакуумної дистиляції, що містить вакуумну камеру із засобами відкачування повітря і нагрівниками, усередині якої розміщені резервуар для телуру, що очищують, конденсатор, встановлений над резервуаром, і фільтр, який відрізняється тим, що вакуумна камера обладнана принаймні двома завантажувальними камерами, з'єднаними з бічною поверхнею її верхньої частини за допомогою патрубків, і двома або більше...

Шарувате інтеркальоване воднем тверде мастило

Завантаження...

Номер патенту: 59115

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Балицький Олексій Олександрович, Вус Олег Богданович, Еліаш Яцек

МПК: C01B 17/00, C01B 19/00

Мітки: воднем, шарувате, мастило, інтеркальоване, тверде

Формула / Реферат:

Шарувате інтеркальоване воднем тверде мастило, що містить халькогенід (сульфід або селенід) металу, яке відрізняється тим, що мастило складається з напівпровідникового порошку на основі халькогеніду галію (GaSe), легованого свинцем (у кількості від 0,34 до 0,72 ат. %) і воднем (в межах від 200 до 350 ррm (млн.-1)).

Напівпровідниковий матеріал для термоелектричного застосування та термоелектричний генератор, що його містить

Завантаження...

Номер патенту: 92213

Опубліковано: 11.10.2010

Автор: Хаасс Франк

МПК: H01L 35/12, C04B 35/515, C01B 19/00 ...

Мітки: генератор, термоелектричного, напівпровідниковий, застосування, термоелектричний, містить, матеріал

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий матеріал для термоелектричного застосування, що містить сполуку формули:Рb1-(х1+х2+...+хn)А1х1А2х2…АnхnТe1+z, де n - кількість відмінних від Рb та Те хімічних елементів, причому індекси незалежно один від одного мають наступні значення:1 ч. млн. £ х 1 ... хn £ 0,05,-0,05 £ z £ 0,05, таn ³ 2,А1 .... Аn відрізняються один від одного та...

Спосіб регенерації відходів, які містять двооксид телуру

Завантаження...

Номер патенту: 91707

Опубліковано: 25.08.2010

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Гасинець Степан Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович

МПК: C01B 19/00

Мітки: регенерації, містять, спосіб, двооксид, відходів, телуру

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять двоокис телуру, який включає введення оброблюваної речовини в контакт з відновником, який відрізняється тим, що як відновник використовують титан, а процес відновлення здійснюють при температурі 400-730 °С.

Спосіб регенерації відходів, які містять селенід миш`яку

Завантаження...

Номер патенту: 90517

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Гасинець Степан Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович

МПК: C22B 3/06, C01G 28/00, C01B 19/00 ...

Мітки: регенерації, миш'яку, спосіб, відходів, містять, селенід

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять селенід миш'яку, який відрізняється тим, що відходи обробляють азотною кислотою, після чого відділяють рідку фазу від твердого залишку, твердий залишок витримують в гарячій зоні градієнтної печі при температурі 350-400 °С, при цьому температура холодної зони градієнтної печі нижче 200 °С, а рідку фазу упарюють в контейнері при температурі 100-130 °С.

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00, C01G 9/00 ...

Мітки: селеніду, цинку, термообробки, кристалів, активованих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C01B 19/00, C30B 29/00, C01G 9/00 ...

Мітки: цинку, селеніду, кристалів, термообробки, активованих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 36475

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович, Дикун Наталія Іванівна

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: термоелектричного, свинцю, отримання, n-типу, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, двойодистий свинець, нікель і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 30390

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C01B 19/00, H01L 21/00

Мітки: телуриду, сплавів, основі, отримання, свинцю, термоелектричних, n-типу, оптимізованих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Спосіб одержання нанокристалічних порошків дихалькогенідів молібдену

Завантаження...

Номер патенту: 81588

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Кьоніг Наталія Борисівна, Куліков Леонід Мінейович

МПК: C01B 17/00, C01B 19/00, C01G 39/00 ...

Мітки: одержання, дихалькогенідів, нанокристалічних, порошків, спосіб, молібдену

Формула / Реферат:

Спосіб одержання нанокристалічних порошків дихалькогенідів молібдену, що включає їх синтез, який відрізняється тим, що синтез нанокристалічних порошків дихалькогенідів молібдену з шаруватими структурами типу 2Н виконують з порошків елементів молібдену та халькогену у стехіометричних співвідношеннях 1:2 при температурах 820-840 К з наступним відпалом одержаних нанокристалічних порошків з шаруватими структурами типу 2Н при температурах 820-1120...