Бородін Борис Григорович

Номер патенту: 97624

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Жерліцин Олександр Сергійович, Бородін Борис Григорович, Гордієнко Юрій Омелянович

МПК: H01L 21/66

Мітки: прямої, дії, тонкоплівковий, перетворювач, випромінювання

Формула / Реферат:

Комірка матриці тонкоплівкового перетворювача випромінювання прямої дії, яка являє собою тривимірну тонкоплівкову структуру, що сформована на скляній пластині, і містить фоторезистивний приймач випромінювання та електролюмінесцентний випромінювач, структура комірки має декілька інтегральних рівнів, яка відрізняється тим, що структура містить вісім розташованих один над одним інтегральних рівнів, у першому рівні, що є нижнім, знаходяться...

Номер патенту: 61534

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Бородін Борис Григорович, Гордієнко Юрій Омелянович, Яковлєв Дмитро Рудольфович

МПК: H01L 21/66

Мітки: тонкоплівковий, дії, випромінювання, прямої, перетворювач

Формула / Реферат:

Тонкоплівковий перетворювач випромінювання прямої дії, який виконаний у вигляді розташованої між двома скляними пластинами тонкоплівкової структури, що містить джерело змінної напруги, приймач випромінювання та електролюмінесцентний випромінювач, який відрізняється тим, що в нього введені джерела постійної напруги та опорного сигналу, а структура виконана у вигляді матриці, в кожну комірку якої введено підсилювач сигналу від фотоприймача, що...

Номер патенту: 57427

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Гордієнко Юрій Омелянович, Бородін Борис Григорович, Бабиченко Сергій Васильович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: життя, вимірювання, часу, поверхневої, швидкості, напівпровідниках, спосіб, рекомбінації, носіїв, заряду, об`ємного

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного напівпровідникового зразка в НВЧ резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його гармонійно модульованим монохроматичним світлом, виділенні на виході вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності, який відрізняється тим, що здійснюють вимірювання спектрального...

Номер патенту: 38308

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Бородін Борис Григорович, Гордієнко Юрій Омелянович

МПК: G01N 21/41, H01L 21/66

Мітки: заряду, життя, швидкості, носіїв, рекомбінації, поверхневої, спосіб, часу, вимірювання, напівпровідниках, об`ємного

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного   напівпровідникового   зразка   в   НВЧ   резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його по черзі світлом яке сильно і слабко поглинається у матеріалі напівпровідника, виділенні на виході резонаторного вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності при сильному і...

Номер патенту: 34983

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Смуглій Віталій Ігорович, Бородін Борис Григорович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/08, H01L 31/12 ...

Мітки: фотоприймальний, пристрій

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, до складу якого входить генератор сигналів високої частоти, який є джерелом живлення фоточутливого перетворювача з комірками, що виконуються у вигляді інтегральних структур типу фотоконденсатор - резистор, виходи якого зв'язані з входами комутатора, вихід якого зв'язаний з входом підсилювача, який відрізняється тим, що додатково введений вимірювач фазового зсуву, входи якого зв'язані з виходами генератора та...