Большакова Інеса Антонівна

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно стійких сенсорів магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 82990

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Ворошило Галина Іванівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: мікрокристалів, індію, магнітного, радіаційної, поля, антимоніду, спосіб, сенсорів, легованих, отримання, стійких

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно-стійких сенсорів магнітного поля, згідно з яким кварцову ампулу, в якій послідовно розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)×10-4 Па, запаюють та розмішують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів...

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 74253

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Макідо Олена Юріївна, Штабалюк Агата Петрівна, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00

Мітки: плівок, індію, виготовлення, антимоніду, тонких, поля, сенсорів, спосіб, основі, магнітного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію, згідно з яким на готовій плівці створюють геометричну конфігурацію магнітного сенсора та наносять електроди хімічним або електрохімічним способом, до яких припаюють мідний провід, який відрізняється тим, що плівку з припаяним мідним проводом розміщують у вакуумну камеру, вакуумують до тиску в камері 1·10-6-1·10-5 Па, нагрівають до температури 200-250 °С,...

Спосіб вимірювання магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 99187

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Голяка Роман Любомирович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: G01R 33/06

Мітки: вимірювання, спосіб, поля, магнітного

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання магнітного поля, що включає вимірювання вихідної напруги гальваномагнітного перетворювача та розрахунок індукції вимірюваного магнітного поля за виміряним значенням вихідної напруги та чутливістю гальваномагнітного перетворювача, причому гальваномагнітний перетворювач містить принаймні дві пари виводів, а вимірювання проводять в два етапи - на першому етапі першу пару виводів підключають до джерела живлення...

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 99078

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Штабалюк Агата Петрівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна

МПК: C30B 25/00, C30B 29/40

Мітки: параметрів, підвищення, індію, мікрокристалів, антимоніду, спосіб, стабільності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9-1,1)∙10-4 Па, запаюють та розміщують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури Т=700±5 °С та нагрівом зони...

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину inхga1-хas

Завантаження...

Номер патенту: 62990

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Макідо Олена Юріївна, Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Стецко Роман Михайлович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: inхga1-хas, твердого, спосіб, мікрокристалів, отримання, розчину

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InxGa1-xAs, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують НСl, а як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, в яку завантажують підкладку з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною (0,01¸0,05) мкм,...

Спосіб отримання легованих мікрокристалів арсеніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 60473

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: індію, мікрокристалів, арсеніду, отримання, легованих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують арсенід індію та підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)·10-2 Па, заповнюють транспортним газом - хлористим воднем до тиску (3¸4)·104 Па, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури...

Спосіб отримання нановіскерів германію

Завантаження...

Номер патенту: 60472

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Швець Олександр Вікторович, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: спосіб, германію, отримання, нановіскерів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів германію, згідно з яким кварцову ампулу, яку попередньо завантажують германієм у твердому стані та бромом у рідкому стані, вакуумують до тиску в ампулі 9·10-4-1,1·10-3 Па та розташовують у печі опору з градієнтом температур з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури 400-450 °С, а зони кристалізації до температури 350-400 °С, ампулу у такому градієнті температур витримують протягом 10-11 хвилин...

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 59265

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Марусенкова Тетяна Анатоліївна, Большакова Інеса Антонівна, Голяка Роман Любомирович, Готра Зенон Юрійович

МПК: G01R 33/06

Мітки: магнітного, поля, вимірювальний, перетворювач

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач магнітного поля, який містить напівпровідниковий шар та п'ять виводів до нього, перший з яких є центральним струмовим виводом, другий та третій виводи розміщені симетрично відносно першого виводу і є боковими струмовими виводами, четвертий та п'ятий виводи також розміщені симетрично відносно першого виводу іє потенціальними виводами, четвертий вивід розміщено між першим та другим виводами, п'ятий вивід розміщено...

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 58889

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Готра Зенон Юрійович, Голяка Роман Любомирович, Большакова Інеса Антонівна, Марусенкова Тетяна Анатоліївна

МПК: G01R 33/06

Мітки: поля, вимірювальний, магнітного, перетворювач

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач магнітного поля, який містить сформовану на підкладці область чутливого шару та чотири виводи до неї, який відрізняється тим, що між виводами та областю чутливого шару сформовані області проміжного шару, товщина яких є меншою, ніж товщина чутливого шару.

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 58887

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Голяка Роман Любомирович, Большакова Інеса Антонівна, Готра Зенон Юрійович, Марусенкова Тетяна Анатоліївна

МПК: G01R 33/06

Мітки: перетворювач, вимірювальний, поля, магнітного

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач магнітного поля, що містить два чутливі шари, до кожного з яких сформовано принаймні три виводи, причому площини шарів утворюють двогранний кут, який відрізняється тим, що додатково містить третій чутливий шар, до якого сформовано виводи, причому площина третього шару розміщена перпендикулярно до площин першого та другого чутливих шарів.

Спосіб отримання нановіскерів арсеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 54765

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: арсеніду, спосіб, нановіскерів, галію, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів арсеніду галію, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, на яку попередньо наносять мікрочастинки золота, джерела арсену та галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, яка завантажена арсенідом галію у твердому стані з розташованою...

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 90834

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна, Ворошило Галина Іванівна, Большакова Інеса Антонівна, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 29/40, C30B 25/00, C30B 29/10 ...

Мітки: індію, мікрокристалів, одержання, спосіб, антимоніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію, за яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором золотом, та джерело антимоніду індію, вакуумують, запаюють та нагрівають, який відрізняється тим, що одночасно з підкладкою та джерелом антимоніду індію в кварцовій ампулі розташовують йод, вакуумування проводять до тиску в ампулі не більше (0,9-4,1)·10-4 Па, після вакуумування...

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 48871

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: арсеніду, спосіб, отримання, мікрокристалів, індію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота та арсенід індію, вакуумують, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури Т=930±2 К, у такому режимі ампулу витримують до отримання мікрокристалів InAs, який відрізняється тим, що вакуумування проводять до тиску в ампулі не...

Cпociб otpиmaння mikpokpиctaлib tbepдoгo poзчину inas1-хsbх

Завантаження...

Номер патенту: 48820

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: poзчину, otpиmaння, inas1-хsbх, cпociб, tbepдoгo, mikpokpиctaлib

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InAs1-xSbx, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, стибію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, в яку завантажують підкладку, з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною...

Спосіб отримання нановіскерів германію

Завантаження...

Номер патенту: 45468

Опубліковано: 10.11.2009

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Фендик Андрій Васильович, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: нановіскерів, германію, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів германію, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують джерело германію разом з транспортуючим реагентом та золотом як металом-каталізатором та нагрівають, який відрізняється тим, що як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, яку попередньо завантажують германієм та золотом у твердому стані та бромом у рідкому стані, вакуумують до тиску в ампулі 9·10-4 Па - 1,1·10-3 Па та...

Спосіб вимірювання квазістаціонарного магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 82496

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Гєрасімов Сєргєй Ніколаєвіч, Большакова Інеса Антонівна, Голяка Роман Любомирович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00

Мітки: спосіб, магнітного, квазістаціонарного, поля, вимірювання

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання квазістаціонарного магнітного поля, який включає вимірювання вихідної напруги гальваномагнітного перетворювача та наступний розрахунок індукції вимірюваного магнітного поля за виміряним значенням вихідної напруги та наперед відомою чутливістю гальваномагнітного перетворювача, яку визначають шляхом періодичного калібрування гальваномагнітного перетворювача через встановлення співвідношення між зміною магнітного поля та...

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 76132

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Голяка Роман Любомирович

МПК: H01L 43/06, G01R 33/06

Мітки: вимірювальний, магнітного, перетворювач, поля

Формула / Реферат:

1. Вимірювальний перетворювач магнітного поля, який містить сформовані на підкладці та перехрещені між собою дві прямокутні напівпровідникові області вертикальних перетворювачів Холла, які утворюють хрестоподібну геометричну фігуру із зоною перехрещення та чотирма рівновеликими взаємно перпендикулярними плечами, а на поверхні напівпровідникових областей сформовані вісім контактів - по одному струмовому та одному потенційному контакту до...

Багатопозиційний 3-d сенсор магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 74628

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Голяка Роман Любомирович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00

Мітки: багатопозиційний, поля, магнітного, сенсор

Формула / Реферат:

Багатопозиційний 3-D сенсор магнітного поля, який містить декілька однакових вимірювальних перетворювачів, кожний з яких містить підкладку з сформованими на ній напівпровідниковою областю та контактами до неї, причому підкладки перетворювачів розміщені в різних площинах, який відрізняється тим, що містить шість перетворювачів, які утворюють шість сторін куба, причому напівпровідникові області кожного перетворювача розміщені по периметру...

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 73816

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Голяка Роман Любомирович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: G01R 33/06

Мітки: вимірювальний, магнітного, поля, перетворювач

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач магнітного поля, що містить напівпровідниковий шар та декілька виводів, сформованих по периметру напівпровідникового шару, який відрізняється тим, що напівпровідниковий шар виконаний на просторовому елементі, який складається з двох дзеркально симетричних плоских ділянок, причому площини цих ділянок та всіх виводів, приєднаних до них, утворюють двогранний кут.

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 72826

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Голяка Роман Любомирович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00

Мітки: магнітного, поля, вимірювальний, перетворювач

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач магнітного поля, який містить сформовані на підкладці область напівпровідникового шару та з'єднані з цією областю два струмові виводи та декілька потенційних виводів, який відрізняється тим, що до кожного струмового виводу під'єднано  по одному потенційному виводу, а всі виводи перетворювача розміщені на підкладці тільки з однієї сторони області напівпровідникового шару.

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 72825

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Голяка Роман Любомирович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00

Мітки: вимірювальний, магнітного, поля, перетворювач

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач магнітного поля, який містить сформований на підкладці перетворювач Холла з двома струмовими та двома потенційними виводами та петлю електромагнітної компенсації з двома виводами, який відрізняється тим, що додатково на тій же підкладці сформований другий перетворювач Холла, їх струмові виводи  виконані спільними, а геометрична форма його потенційних виводів є дзеркально симетричною до геометричної форми петлі...

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 72824

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Голяка Роман Любомирович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00

Мітки: перетворювач, вимірювальний, поля, магнітного

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач магнітного поля, що містить напівпровідникову робочу область квадратної форми, яка обмежена по периметру зовнішньою ізолюючою областю, а в кутах напівпровідникової робочої області сформовані  чотири струмові контакти, між якими по сторонах сформовані чотири потенційні контакти, який відрізняється тим, що в центрі робочої області додатково сформована внутрішня ізолююча область.

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 72832

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Голяка Роман Любомирович

МПК: H01L 43/06, G01R 33/06

Мітки: перетворювач, магнітного, поля, вимірювальний

Формула / Реферат:

1. Вимірювальний перетворювач магнітного поля, який містить сформовані на підкладці напівпровідниковий шар та п'ять виводів до нього, перший з яких є центральним струмовим виводом, другий та третій виводи розміщені симетрично відносно першого виводу і є боковими струмовими виводами, четвертий та п'ятий виводи також розміщені симетрично відносно першого виводу і є потенційними виводами, причому четвертий вивід розміщений між першим та другим...

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 72831

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Голяка Роман Любомирович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/06

Мітки: перетворювач, магнітного, поля, вимірювальний

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач, що містить сформований на підкладці напівпровідниковий шар, в якому сформована робоча область прямокутної форми, на поверхні якої розміщені три струмові контакти, перший з яких є центральним і розміщений посередині робочої області, а два інші є боковими і розміщені на краях робочої області, між струмовими контактами розміщені два потенційні контакти, а конструкція перетворювача в цілому є симетричною відносно...