Берінгов Сергій Борисович

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 107555

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тимур Вікторович, Хенриксен Бьорн Руне, Берінгов Сергій Борисович, Форвальд Карл, Черпак Юрій Володимирович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/037

Мітки: полікристалічного, виготовлення, виробництва, елементів, сонячних, фотогальванічних, кремнію, спосіб, придатного

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів, що включає плавлення металургійного кремнію, попередньо обробленого шляхом шлакування силікатом кальцію з наступними кристалізацією кремнію після шлакування та вилуговуванням кремнію розчином кислотного вилуговування для видалення домішок, кристалізацію розплаву попередньо обробленого металургійного кремнію з одержанням зливка...

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом та холодний тигель, використаний в ньому

Завантаження...

Номер патенту: 104640

Опубліковано: 25.02.2014

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: B22D 11/01, B22D 11/041, C30B 29/06 ...

Мітки: ньому, одержання, холодний, використаний, індукційним, тигель, кремнію, методом, пристрій, зливків, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, які утворюють плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/10, C30B 29/06, C23C 4/04 ...

Мітки: монокристалічного, методом, злитка, чохральського, спосіб, підготовки, великого, тигля, діаметра, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків

Завантаження...

Номер патенту: 72174

Опубліковано: 10.08.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/02, C30B 35/00 ...

Мітки: кремнієвих, злитків, спосіб, мультикристалічних, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який відрізняється тим, що додаткову кремнієву сировину переміщують за допомогою пристрою для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків з його бункера до камери печі вирощування на тверду кремнієву пробку, що утворюється на поверхні розплаву.

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків

Завантаження...

Номер патенту: 67692

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 29/06

Мітки: вирощування, завантаження, печі, кремнієвих, мультикристалічних, пристрій, злитків

Формула / Реферат:

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який характеризується тим, що складається з накопичувального бункера, вібратора, подавальної труби та пристрою, контролюючого введення додаткової маси кремнієвої сировини.

Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 67586

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C01B 33/021

Мітки: методом, кремнію, індукційним, мультикристалічного, виробництва, система, автоматизована

Формула / Реферат:

1. Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом в холодному тиглі, що включає ділянку підготовки сировини, засіб доставки сировини, понад одну установку отримання зливка мультикристалічного кремнію, зв'язану з диспетчерським центром керування, кожна з яких обладнана бункером подачі сировини, засобами утримування і переміщення зливка та засобами вилучення зливка, і засіб транспортування зливка в зону...

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 97620

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Черпак Юрій Володимирович, Шкульков Анатолій Васільєвич

МПК: C01B 33/00, F03G 6/00

Мітки: кремнію, методом, зливків, індукційним, мультикристалічного, одержання, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, утворюючи плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і розташоване нижче...

Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 67361

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Бучовська Ірина Богданівна, Яцюк Сергій Анатолійович, Андрієнко Віктор Богданович, Лясковський Олександр Анатолійович, Власенко Тимур Вікторович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/06

Мітки: сонячних, кремнію, методом, направленої, установка, кристалізації, елементів, зливків, виготовлення, придатного, вирощування

Формула / Реферат:

1. Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації, що включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з...

Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 96558

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тимур Вікторович, Власюк Марина Сергіївна, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C01B 33/00, C30B 29/06, C30B 15/02 ...

Мітки: сонячних, кремнію, одержання, спосіб, злитка, виготовлення, елементів, придатного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, що включає вибір щонайменше одного легуючого елемента, одержання розплаву з вихідної сировини та вирощування злитка, який відрізняється тим, що попередньо задають діапазон питомого опору та тип електропровідності злитка, що мають одержати, додатково визначають тип електропровідності гаданого злитка з вихідної сировини, вибір легуючого елемента здійснюють з...

Пристрій для безконтактного введення легуючого елемента та/або лігатури до печі вирощування мультикристалічного кремнію в завантажку та/або розплав

Завантаження...

Номер патенту: 95674

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Власенко Тімур Віктрович, Лясковський Олександр Анатолійович, Тьощин Володимир Вікторович, Бучовська Ірина Богданівна

МПК: G01F 11/34, F27D 3/10, C30B 35/00 ...

Мітки: безконтактного, печі, елемента, легуючого, кремнію, лігатури, вирощування, введення, мультикристалічного, розплав, завантажку, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для безконтактного введення легуючого елемента та/або лігатури до печі вирощування мультикристалічного кремнію в завантажку та/або розплав, який відрізняється тим, що включає трубу для подачі легуючого елемента та/або лігатури, кульовий кран, трубоподібний накопичувальний бункер та заглушку, що з'єднані послідовно, в одній осі, з можливістю від'єднання трубоподібного накопичувального бункера в процесі експлуатації пристрою для...

Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 95326

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Тьощин Володимир Вікторович, Шифрук Олександр Сергійович, Берінгов Сергій Борисович, Кравченко Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/06, B05D 3/02, B05D 5/08 ...

Мітки: кварцового, розплаву, підготовки, спосіб, твердого, формування, тигля, зливка, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву, що включає приготування водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози для нанесення антиадгезійного покриття, формування антиадгезійного покриття на внутрішній поверхні нагрітого кварцового тигля шляхом нанесення в дві стадії водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози та наступне випалювання кварцового тигля з сформованим антиадгезійним...

Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 95131

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Позігун Сергій Анатолійович, Онищенко Володимир Євгенович, Черпак Юрій Володимирович, Марченко Степан Анатолійович, Шевчук Андрій Леонідович, Шкульков Анатолій Васільєвич

МПК: B22D 11/041, B22D 11/16, C30B 21/00 ...

Мітки: спосіб, методом, мультикристалічного, зливків, одержання, кремнію, індукційним

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, який включає подачу шихти кремнію у плавильний простір охолоджуваного тигля, оточеного індуктором, формування дзеркала розплаву, плавлення при контролі вихідних параметрів джерела живлення індуктора і витягування зливка мультикристалічного кремнію при контрольованому його охолодженні, який відрізняється тим, що при плавленні встановлюють масову швидкість подачі...

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 94784

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Онищенко Володимир Євгенович, Чепурний Богдан Васильович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Позігун Сергій Анатолійович, Марченко Степан Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович

МПК: C30B 29/06, B22D 11/01

Мітки: методом, одержання, мультикристалічного, пристрій, зливків, кремнію, індукційним

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що містить камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхвачений індуктором охолоджуваний тигель з рухомим дном та чотирма стінками, котрі складені з секцій, що розділені вертикальними щілинами, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване нижче охолоджуваного тигля, відділення контрольованого охолодження, причому внутрішньою...

Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Позігун Сергій Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович, Шевчук Андрій Леонідович, Шкульков Анатолій Васілієвіч, Онищенко Володимир Євгенович, Берінгов Сергій Борисович, Марченко Степан Анатолійович

МПК: C30B 11/00, B22D 11/00, B22D 11/08 ...

Мітки: кремнію, індукційним, методом, полікристалічного, пристрій, одержання, спосіб, здійснення, зливків

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 44908

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 33/00

Мітки: кремнію, пластин, спосіб, виготовлення, мультикристалічного, кремнієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію, що включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини, який відрізняється тим, що додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані 0,1-10 мм.

Кремнієва пластина для сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 44907

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/00

Мітки: елементів, пластина, сонячних, кремнієва

Формула / Реферат:

1. Кремнієва пластина для сонячних елементів, що має планарні та торцеву поверхні, яка відрізняється тим, що має товщину 160 мкм і нижче, а торцева поверхня за периметром утворена лазерним різанням.2. Кремнієва пластина за п. 1, яка відрізняється тим, що отримана зі зливка монокристалічного кремнію псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі, що має припуск перед різанням на пластини.3. Кремнієва пластина за п. 1, яка...

Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин

Завантаження...

Номер патенту: 43896

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/06

Мітки: кремнієвих, спосіб, виготовлення, монокристалічних, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск...

Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву та пристрій сигналізації протікання розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Кравченко Віктор Леонович, Берінгов Сергій Борисович, Єлісєєв Валерій Андрійович, Куліковський Станіслав Володимирович

МПК: C01B 33/00, C30B 29/06, C30B 15/00 ...

Мітки: індикацією, кремнію, пристрій, одержання, сигналізації, протікання, розплаву

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі

Завантаження...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Задніпрянний Денис Львович, Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/10, C30B 15/00 ...

Мітки: розплаву, вирощування, кристалу, спосіб, утриманням, тиглі

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Спосіб ліщука вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 85648

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/00, C30B 27/00 ...

Мітки: вирощування, ліщука, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем електричного контакту ділянки кола кристал-розплав, який відрізняється тим, що у процесі зростання монокристала визначають часову залежність електричних параметрів згаданої ділянки кола, а про порушення монокристалічного зростання кристала судять по характерному відхиленню від аналогічної еталонної залежності.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що порушення...

Спосіб вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 78899

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович, Дятел Максим Михайлович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем опору ділянки електричного кола затравка-розплав, який відрізняється тим, що опір контролюють при відсутності прямого механічного контакту між затравкою та розплавом, а за величиною цього опору  визначають відстань між затравкою та поверхнею розплаву.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що опір контролюють при позитивній полярності напруги, прикладеної до...

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 77874

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Горбенко Юрій Васильович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Щербань Олексій Петрович, Власенко Тимур Вікторович, Ковтун Геннадій Прокопович

МПК: C30B 15/00, H01L 31/036, H01L 31/0264 ...

Мітки: спосіб, галієвої, одержання, кремнію, лігатури

Формула / Реферат:

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію, який включає плавлення в тиглі завантаження, що складається з кремнію з додатком галію, і кристалізацію одержаного розплаву, який відрізняється тим, що використовують завантаження у вигляді кусків кремнію з нанесеним шаром галію, плавлення завантаження здійснюють у атмосфері інертного газу, і після одержання розплаву знижують тиск інертного газу до значення, що визначають з...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Коломоєць Сергій Дмитрович, Шульга Юрій Григорович, Куликовський Едуард Володимирович, Шифрук Олександр Сергійович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/10, C30B 29/06

Мітки: спосіб, методом, злитка, вирощування, чохральського, монокристалічного, тигля, підготовки

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Скобаро Андрій Олексійович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Святелик Володимир Федосійович

МПК: H01L 31/18, H01L 21/02, C30B 29/06 ...

Мітки: елементів, пластин, спосіб, одержання, сонячних, мультикристалічного, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Пристрій для вирощування монокристалів кремнію, екрануючий пристрій для нього і спосіб вирощування монокристалів кремнію за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Повстяний Володимир Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: монокристалів, чохральського, вирощування, нього, пристрій, екрануючий, кремнію, методом, спосіб

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Руденко Сергій Васильович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: вирощування, кремнію, спосіб, монокристала, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Скобаро Андрій Олексійович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, H01L 21/304, C30B 29/00 ...

Мітки: пластин, одержання, кремнію, спосіб, сонячних, елементів, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю

Завантаження...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Шульга Юрій Григорович, Бакалець Ігор Павлович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00, B28D 5/00

Мітки: зливка, концентрацією, кремнію, спосіб, частини, домішки, монокристала, виділення, вирощеного, заданою, вуглецю

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 49104

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович, Самохвалов Володимир Олександрович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристала, спосіб, вирощуваного, діаметра, кремнію, контролю, розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву, що включає регулювання температурних і швидкісних параметрів процесу вирощування за допомогою системи автоматичного регулювання діаметра, що має у своєму складі оптичний датчик з чутливим елементом, за допомогою якого реєструють зміну напрямку випромінювання від меніска стовпчика розплаву в підкристальній області під час вирощування монокристала, і визначення моменту...

Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель

Завантаження...

Номер патенту: 46145

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович, Клевець Сергій Григорович, Повстяний Володимир Григорович, Маковський Валерій Георгієвич

МПК: C30B 15/02

Мітки: матеріалу, завантаження, тигель, пристрій, повторного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель, що включає резервуар, підтримуючі елементи, розташовані в нижньому торці резервуара, і вузол кріплення резервуара до механізму переміщення, який відрізняється тим, що додатково містить фіксуюче кільце, що розташовано зовні резервуара і жорстко зв'язано з ним, при цьому резервуар постачено днищем, що відчиняється, а вузол кріплення резервуара виконано у вигляді послідовно з'єднаних...

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, обробки, злитків, кремнію, монокристала, вирощених

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: монокристала, спосіб, кремнію, визначення, бездефектної, зони

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту

Завантаження...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кремнію, порушенні, монокристалічного, росту, монокристалів, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.