Берінгов Сергій Борисович

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 107555

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Хенриксен Бьорн Руне, Власенко Тимур Вікторович, Форвальд Карл, Берінгов Сергій Борисович, Черпак Юрій Володимирович, Бучовська Ірина Богданівна

МПК: C01B 33/037, C30B 29/06

Мітки: виробництва, спосіб, елементів, полікристалічного, виготовлення, фотогальванічних, сонячних, кремнію, придатного

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів, що включає плавлення металургійного кремнію, попередньо обробленого шляхом шлакування силікатом кальцію з наступними кристалізацією кремнію після шлакування та вилуговуванням кремнію розчином кислотного вилуговування для видалення домішок, кристалізацію розплаву попередньо обробленого металургійного кремнію з одержанням зливка...

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом та холодний тигель, використаний в ньому

Завантаження...

Номер патенту: 104640

Опубліковано: 25.02.2014

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, B22D 11/041, B22D 11/01 ...

Мітки: використаний, тигель, кремнію, одержання, ньому, індукційним, мультикристалічного, зливків, холодний, методом, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, які утворюють плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C23C 4/04, C30B 29/06, C30B 15/10 ...

Мітки: великого, методом, тигля, спосіб, підготовки, діаметра, чохральського, злитка, вирощування, монокристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків

Завантаження...

Номер патенту: 72174

Опубліковано: 10.08.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00, C30B 29/06 ...

Мітки: вирощування, мультикристалічних, кремнієвих, злитків, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який відрізняється тим, що додаткову кремнієву сировину переміщують за допомогою пристрою для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків з його бункера до камери печі вирощування на тверду кремнієву пробку, що утворюється на поверхні розплаву.

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків

Завантаження...

Номер патенту: 67692

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 29/06

Мітки: злитків, пристрій, мультикристалічних, кремнієвих, завантаження, печі, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який характеризується тим, що складається з накопичувального бункера, вібратора, подавальної труби та пристрою, контролюючого введення додаткової маси кремнієвої сировини.

Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 67586

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C01B 33/021

Мітки: мультикристалічного, методом, виробництва, кремнію, індукційним, система, автоматизована

Формула / Реферат:

1. Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом в холодному тиглі, що включає ділянку підготовки сировини, засіб доставки сировини, понад одну установку отримання зливка мультикристалічного кремнію, зв'язану з диспетчерським центром керування, кожна з яких обладнана бункером подачі сировини, засобами утримування і переміщення зливка та засобами вилучення зливка, і засіб транспортування зливка в зону...

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 97620

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Черпак Юрій Володимирович

МПК: C01B 33/00, F03G 6/00

Мітки: одержання, кремнію, зливків, мультикристалічного, пристрій, індукційним, методом

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, утворюючи плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і розташоване нижче...

Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 67361

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Яцюк Сергій Анатолійович, Лясковський Олександр Анатолійович, Власенко Тимур Вікторович, Андрієнко Віктор Богданович, Бучовська Ірина Богданівна, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/06

Мітки: зливків, кремнію, методом, кристалізації, придатного, сонячних, направленої, вирощування, установка, елементів, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації, що включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з...

Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 96558

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Бучовська Ірина Богданівна, Берінгов Сергій Борисович, Власенко Тимур Вікторович, Власюк Марина Сергіївна

МПК: C01B 33/00, C30B 15/02, C30B 29/06 ...

Мітки: злитка, виготовлення, сонячних, одержання, спосіб, кремнію, елементів, придатного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, що включає вибір щонайменше одного легуючого елемента, одержання розплаву з вихідної сировини та вирощування злитка, який відрізняється тим, що попередньо задають діапазон питомого опору та тип електропровідності злитка, що мають одержати, додатково визначають тип електропровідності гаданого злитка з вихідної сировини, вибір легуючого елемента здійснюють з...

Пристрій для безконтактного введення легуючого елемента та/або лігатури до печі вирощування мультикристалічного кремнію в завантажку та/або розплав

Завантаження...

Номер патенту: 95674

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Тьощин Володимир Вікторович, Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тімур Віктрович, Берінгов Сергій Борисович, Лясковський Олександр Анатолійович

МПК: G01F 11/34, C30B 35/00, F27D 3/10 ...

Мітки: завантажку, вирощування, елемента, пристрій, кремнію, введення, лігатури, мультикристалічного, розплав, легуючого, печі, безконтактного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для безконтактного введення легуючого елемента та/або лігатури до печі вирощування мультикристалічного кремнію в завантажку та/або розплав, який відрізняється тим, що включає трубу для подачі легуючого елемента та/або лігатури, кульовий кран, трубоподібний накопичувальний бункер та заглушку, що з'єднані послідовно, в одній осі, з можливістю від'єднання трубоподібного накопичувального бункера в процесі експлуатації пристрою для...

Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 95326

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Тьощин Володимир Вікторович, Кравченко Олександр Володимирович, Шифрук Олександр Сергійович

МПК: B05D 3/02, B05D 5/08, C30B 29/06 ...

Мітки: формування, розплаву, твердого, підготовки, кварцового, зливка, кремнію, спосіб, тигля

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву, що включає приготування водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози для нанесення антиадгезійного покриття, формування антиадгезійного покриття на внутрішній поверхні нагрітого кварцового тигля шляхом нанесення в дві стадії водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози та наступне випалювання кварцового тигля з сформованим антиадгезійним...

Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 95131

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Шкульков Анатолій Васільєвич, Шевчук Андрій Леонідович, Марченко Степан Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович, Черпак Юрій Володимирович, Позігун Сергій Анатолійович, Онищенко Володимир Євгенович

МПК: B22D 11/041, C30B 21/00, B22D 11/16 ...

Мітки: одержання, мультикристалічного, кремнію, спосіб, методом, індукційним, зливків

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, який включає подачу шихти кремнію у плавильний простір охолоджуваного тигля, оточеного індуктором, формування дзеркала розплаву, плавлення при контролі вихідних параметрів джерела живлення індуктора і витягування зливка мультикристалічного кремнію при контрольованому його охолодженні, який відрізняється тим, що при плавленні встановлюють масову швидкість подачі...

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 94784

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Онищенко Володимир Євгенович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Чепурний Богдан Васильович, Позігун Сергій Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович, Марченко Степан Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович

МПК: B22D 11/01, C30B 29/06

Мітки: індукційним, методом, пристрій, мультикристалічного, кремнію, зливків, одержання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що містить камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхвачений індуктором охолоджуваний тигель з рухомим дном та чотирма стінками, котрі складені з секцій, що розділені вертикальними щілинами, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване нижче охолоджуваного тигля, відділення контрольованого охолодження, причому внутрішньою...

Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Марченко Степан Анатолійович, Шкульков Анатолій Васілієвіч, Черпак Юрій Володимирович, Онищенко Володимир Євгенович, Позігун Сергій Анатолійович, Шевчук Андрій Леонідович

МПК: C30B 11/00, B22D 11/00, B22D 11/08 ...

Мітки: методом, спосіб, пристрій, зливків, індукційним, здійснення, кремнію, полікристалічного, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 44908

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/06, C30B 33/00

Мітки: кремнію, спосіб, пластин, виготовлення, мультикристалічного, кремнієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію, що включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини, який відрізняється тим, що додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані 0,1-10 мм.

Кремнієва пластина для сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 44907

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/00

Мітки: кремнієва, елементів, сонячних, пластина

Формула / Реферат:

1. Кремнієва пластина для сонячних елементів, що має планарні та торцеву поверхні, яка відрізняється тим, що має товщину 160 мкм і нижче, а торцева поверхня за периметром утворена лазерним різанням.2. Кремнієва пластина за п. 1, яка відрізняється тим, що отримана зі зливка монокристалічного кремнію псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі, що має припуск перед різанням на пластини.3. Кремнієва пластина за п. 1, яка...

Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин

Завантаження...

Номер патенту: 43896

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/06

Мітки: кремнієвих, виготовлення, монокристалічних, спосіб, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск...

Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву та пристрій сигналізації протікання розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Куліковський Станіслав Володимирович, Єлісєєв Валерій Андрійович, Кравченко Віктор Леонович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C01B 33/00, C30B 15/00, C30B 29/06 ...

Мітки: індикацією, кремнію, розплаву, пристрій, одержання, сигналізації, протікання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі

Завантаження...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Задніпрянний Денис Львович, Берінгов Сергій Борисович, Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20, C30B 15/10 ...

Мітки: вирощування, тиглі, розплаву, утриманням, кристалу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Спосіб ліщука вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 85648

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/00, C30B 27/00, C30B 15/20 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб, ліщука

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем електричного контакту ділянки кола кристал-розплав, який відрізняється тим, що у процесі зростання монокристала визначають часову залежність електричних параметрів згаданої ділянки кола, а про порушення монокристалічного зростання кристала судять по характерному відхиленню від аналогічної еталонної залежності.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що порушення...

Спосіб вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 78899

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Дятел Максим Михайлович, Берінгов Сергій Борисович, Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем опору ділянки електричного кола затравка-розплав, який відрізняється тим, що опір контролюють при відсутності прямого механічного контакту між затравкою та розплавом, а за величиною цього опору  визначають відстань між затравкою та поверхнею розплаву.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що опір контролюють при позитивній полярності напруги, прикладеної до...

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 77874

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Ковтун Геннадій Прокопович, Щербань Олексій Петрович, Берінгов Сергій Борисович, Горбенко Юрій Васильович, Шульга Юрій Григорович, Власенко Тимур Вікторович

МПК: C30B 15/00, H01L 31/036, H01L 31/0264 ...

Мітки: кремнію, галієвої, спосіб, одержання, лігатури

Формула / Реферат:

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію, який включає плавлення в тиглі завантаження, що складається з кремнію з додатком галію, і кристалізацію одержаного розплаву, який відрізняється тим, що використовують завантаження у вигляді кусків кремнію з нанесеним шаром галію, плавлення завантаження здійснюють у атмосфері інертного газу, і після одержання розплаву знижують тиск інертного газу до значення, що визначають з...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Коломоєць Сергій Дмитрович, Берінгов Сергій Борисович, Шифрук Олександр Сергійович, Куликовський Едуард Володимирович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10

Мітки: монокристалічного, тигля, злитка, чохральського, спосіб, вирощування, підготовки, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Шульга Юрій Григорович, Святелик Володимир Федосійович, Скобаро Андрій Олексійович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, H01L 21/02, H01L 31/18 ...

Мітки: спосіб, мультикристалічного, сонячних, пластин, кремнію, одержання, елементів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Пристрій для вирощування монокристалів кремнію, екрануючий пристрій для нього і спосіб вирощування монокристалів кремнію за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Шульга Юрій Григорович, Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Повстяний Володимир Григорович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: нього, екрануючий, монокристалів, чохральського, пристрій, вирощування, кремнію, методом, спосіб

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Руденко Сергій Васильович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02

Мітки: розплаву, спосіб, вирощування, кремнію, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Скобаро Андрій Олексійович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: H01L 21/304, C30B 29/06, C30B 29/00 ...

Мітки: елементів, одержання, спосіб, пластин, сонячних, кремнію, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю

Завантаження...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Бакалець Ігор Павлович, Шульга Юрій Григорович

МПК: B28D 5/00, C30B 33/00

Мітки: кремнію, вирощеного, спосіб, заданою, частини, вуглецю, домішки, монокристала, виділення, концентрацією, зливка

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 49104

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Самохвалов Володимир Олександрович, Куликовський Едуард Володимирович

МПК: C30B 15/20

Мітки: спосіб, кремнію, діаметра, монокристала, вирощуваного, контролю, розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву, що включає регулювання температурних і швидкісних параметрів процесу вирощування за допомогою системи автоматичного регулювання діаметра, що має у своєму складі оптичний датчик з чутливим елементом, за допомогою якого реєструють зміну напрямку випромінювання від меніска стовпчика розплаву в підкристальній області під час вирощування монокристала, і визначення моменту...

Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель

Завантаження...

Номер патенту: 46145

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Повстяний Володимир Григорович, Куликовський Едуард Володимирович, Маковський Валерій Георгієвич, Клевець Сергій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: матеріалу, повторного, завантаження, тигель, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель, що включає резервуар, підтримуючі елементи, розташовані в нижньому торці резервуара, і вузол кріплення резервуара до механізму переміщення, який відрізняється тим, що додатково містить фіксуюче кільце, що розташовано зовні резервуара і жорстко зв'язано з ним, при цьому резервуар постачено днищем, що відчиняється, а вузол кріплення резервуара виконано у вигляді послідовно з'єднаних...

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вирощених, кремнію, монокристала, злитків, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: кремнію, спосіб, бездефектної, визначення, монокристала, зони

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту

Завантаження...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: одержання, кремнію, монокристалічного, порушенні, росту, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.