Бендак Андрій Васильович

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Віктор Ігорович, Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович

МПК: G02F 1/13, G01R 3/00

Мітки: суперіонного, підвищення, провідності, внесення, нематичного, 6снвт, рідкого, наночастинок, кристалу, cu6ps5i, шляхом, електричної, нього, спосіб, провідника

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Студеняк Віктор Ігорович, Машіко Владислав Володимирович, Мікула Маріан, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, матеріалу, плівки, міді, застосування, джерела, тонкої, основі, бромід-пентатіофосфату, cu6ps5br, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Куш Петер, Машіко Владислав Володимирович, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Мікула Маріан, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: бромід-пентатіофосфату, застосування, джерела, міді, матеріалу, основі, cu6ps5br, тонкої, плівки, енергії, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Пал Юрій Олександрович, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Бендак Андрій Васильович, Тімко Мілан

МПК: G02F 1/13

Мітки: наночастинок, кристалу, електричної, нього, суперіонного, провідника, внесення, провідності, спосіб, шляхом, рідкого, нематичного, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: аморфної, джерела, cu7ges5i, плівки, енергії, твердоелектролітичного, міді, йодид-пентатіогерманату, основі, застосування, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Біланчук Василь Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Кохан Олександр Павлович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01F 1/00

Мітки: енергії, основі, аморфної, cu7ges5i, джерела, міді, йодид-пентатіогерманату, застосування, плівки, твердоелектролітичного, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.