Беца Володимир Васильович

Середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5,63bi0,70se3,67

Завантаження...

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Габорець Наталія Йосипівна, Барчій Ігор Євгенович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/16

Мітки: евтектики, tl5.63bi0.70se3.67, середньотемпературний, основі, термоелектрик

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Ефективний середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5.63bi0.70se3.67

Завантаження...

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Габорець Наталія Йосипівна, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01G 15/00, C01G 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: основі, середньотемпературний, термоелектрик, ефективний, tl5.63bi0.70se3.67, евтектики

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи snse2-tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Барчій Ігор Євгенович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: підвищення, термоелектричної, спосіб, сплаву, ефективності, snse2-tlbise2, евтектичного, системі

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2-bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 19/00, C01B 19/00, H01L 35/00 ...

Мітки: термоелектричний, евтектичного, композиту, snse2-bi2se3, матеріал, системі, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 19/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: евтектичного, матеріал, термоелектричний, композиту, основі, системі, tl4snse4-tl9bise6

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: C01G 19/00, C01G 17/00, C01G 15/00 ...

Мітки: тетратіостанату, монокристалів, матеріалу, tl4sns4, основі, талію(і, термоелектричного, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі тl9вise6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/14

Мітки: тl9вise6-tl4snse4, основі, системі, матеріал, розчину, твердого, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)

Завантаження...

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14, H01L 35/34, H01L 35/16 ...

Мітки: cпociб, tpиtioctaнatу, tepmoeлektpичнoгo, талію, основі, moнokpиctaлib, одержання, матеріалу, вигляді, твердого, розчину

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі tl9bіsе6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: tl9bіsе6-tl4snse4, розчину, системі, термоелектричний, твердого, матеріал, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: системі, композиту, tl4snse4-tl9bise6, матеріал, евтектичного, термоелектричний, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2 -bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, системі, основі, евтектичного, bi2se3, композиту, матеріал, snse2

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: C01G 1/12, C01G 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 91653

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Глух Олег Станіславович, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричної, покращення, tl4sns4, добротності, спосіб, монокристалів, тетратіостанату, талій

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 47226

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Глух Олег Станіславович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3

Завантаження...

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричної, добротності, монокристалів, тритіостанату, tl2sns3, талій, спосіб, покращення

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Твердотільний елемент для формування підвищеної термоерс

Завантаження...

Номер патенту: 59973

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: формування, елемент, твердотільний, підвищеної, термоерс

Формула / Реферат:

Твердотільний елемент для формування підвищеної термоерс, який містить сформований циліндр або паралелепіпед, який розміщений в електроізолюючому корпусі, та електроди, що притиснуті до протилежних торців циліндра або паралелепіпеда, який відрізняється тим, що циліндр або паралелепіпед виконаний із тетратіоцирконату талію (Tl4ZrS4), а між протилежними торцями елемента створений високий градієнт температури від  90° К  до 140° К.

Термоелектричний перетворювач теплової енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 80148

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: перетворювач, теплової, електричну, термоелектричний, енергії

Формула / Реферат:

Термоелектричний перетворювач теплової енергії в електричну, який містить циліндричний або прямокутний брусок із напівпровідникового матеріалу та електроди, що притиснуті до протилежних торців бруска, який відрізняється тим, що брусок виготовлено із метатіостаннату талію Tl2SnS3, який розміщений в електроізолюючому корпусі, а між притиснутими до протилежних торців бруска електродами встановлений градієнт температури 20-50 градусів, при цьому...

Термоелектричний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 35194

Опубліковано: 15.06.2004

Автор: Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00, H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, елемент

Формула / Реферат:

Термоелектричний елемент, що містить напівпровідниковий матеріал, який відрізняється тим, що термоелектричний елемент сформовано на основі однієї термочутливої напівпровідникової сполуки - стержня із двох кристалоподібних частин з протилежними типами провідності та керованою температурою.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43181

Опубліковано: 15.11.2001

Автор: Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Застосування тетратіотитанату талію /ІУ/ - Tl4TiS4 як термоелектричного матеріалу.

Спосіб керування термоелектричними параметрами напівпровідника

Завантаження...

Номер патенту: 20443

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Беца Володимир Васильович, Попик Юрій Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: спосіб, параметрами, термоелектричними, керування, напівпровідника

Формула / Реферат:

Спосіб керування термоелектричними пара­метрами напівпровідника, що включає його нагрівання та охолодження, який відрізняється тим, що напівпровідник р-типу нагрівають вище температури, при якій змінюється знак термоЕРС із додатнього на від'ємний, далі проводять охоло­дження в область температур, при яких термоЕРС знову стає додатньою, при цьому додаткове збільшення термоЕРС здійснюється повторним нагрівом, задовільняючи...