Беца Володимир Васильович

Середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5,63bi0,70se3,67

Завантаження...

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Габорець Наталія Йосипівна

МПК: H01L 35/16

Мітки: евтектики, середньотемпературний, термоелектрик, tl5.63bi0.70se3.67, основі

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Ефективний середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5.63bi0.70se3.67

Завантаження...

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович, Габорець Наталія Йосипівна

МПК: C01G 29/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: евтектики, ефективний, термоелектрик, середньотемпературний, основі, tl5.63bi0.70se3.67

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи snse2-tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: snse2-tlbise2, системі, підвищення, спосіб, ефективності, евтектичного, сплаву, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2-bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/00, C01G 19/00 ...

Мітки: матеріал, snse2-bi2se3, евтектичного, термоелектричний, основі, системі, композиту

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 19/00 ...

Мітки: основі, композиту, tl4snse4-tl9bise6, матеріал, термоелектричний, системі, евтектичного

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01G 17/00 ...

Мітки: тетратіостанату, термоелектричного, основі, матеріалу, tl4sns4, одержання, монокристалів, талію(і, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі тl9вise6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: основі, тl9вise6-tl4snse4, системі, розчину, термоелектричний, матеріал, твердого

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)

Завантаження...

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/16, H01L 35/14, H01L 35/34 ...

Мітки: матеріалу, tpиtioctaнatу, твердого, moнokpиctaлib, розчину, основі, одержання, cпociб, tepmoeлektpичнoгo, вигляді, талію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/14

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі tl9bіsе6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: розчину, tl9bіsе6-tl4snse4, основі, твердого, системі, матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: композиту, евтектичного, tl4snse4-tl9bise6, системі, матеріал, термоелектричний, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2 -bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: евтектичного, snse2, термоелектричний, композиту, основі, bi2se3, системі, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 1/12, C01G 15/00, C01G 19/00 ...

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/00

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 91653

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Глух Олег Станіславович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: монокристалів, тетратіостанату, покращення, tl4sns4, спосіб, талій, добротності, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 47226

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Глух Олег Станіславович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3

Завантаження...

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/00

Мітки: талій, монокристалів, тритіостанату, спосіб, tl2sns3, покращення, добротності, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Твердотільний елемент для формування підвищеної термоерс

Завантаження...

Номер патенту: 59973

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: формування, твердотільний, елемент, термоерс, підвищеної

Формула / Реферат:

Твердотільний елемент для формування підвищеної термоерс, який містить сформований циліндр або паралелепіпед, який розміщений в електроізолюючому корпусі, та електроди, що притиснуті до протилежних торців циліндра або паралелепіпеда, який відрізняється тим, що циліндр або паралелепіпед виконаний із тетратіоцирконату талію (Tl4ZrS4), а між протилежними торцями елемента створений високий градієнт температури від  90° К  до 140° К.

Термоелектричний перетворювач теплової енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 80148

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: електричну, термоелектричний, перетворювач, енергії, теплової

Формула / Реферат:

Термоелектричний перетворювач теплової енергії в електричну, який містить циліндричний або прямокутний брусок із напівпровідникового матеріалу та електроди, що притиснуті до протилежних торців бруска, який відрізняється тим, що брусок виготовлено із метатіостаннату талію Tl2SnS3, який розміщений в електроізолюючому корпусі, а між притиснутими до протилежних торців бруска електродами встановлений градієнт температури 20-50 градусів, при цьому...

Термоелектричний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 35194

Опубліковано: 15.06.2004

Автор: Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00, H01L 35/12

Мітки: елемент, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний елемент, що містить напівпровідниковий матеріал, який відрізняється тим, що термоелектричний елемент сформовано на основі однієї термочутливої напівпровідникової сполуки - стержня із двох кристалоподібних частин з протилежними типами провідності та керованою температурою.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43181

Опубліковано: 15.11.2001

Автор: Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Застосування тетратіотитанату талію /ІУ/ - Tl4TiS4 як термоелектричного матеріалу.

Спосіб керування термоелектричними параметрами напівпровідника

Завантаження...

Номер патенту: 20443

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Беца Володимир Васильович, Попик Юрій Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричними, спосіб, напівпровідника, параметрами, керування

Формула / Реферат:

Спосіб керування термоелектричними пара­метрами напівпровідника, що включає його нагрівання та охолодження, який відрізняється тим, що напівпровідник р-типу нагрівають вище температури, при якій змінюється знак термоЕРС із додатнього на від'ємний, далі проводять охоло­дження в область температур, при яких термоЕРС знову стає додатньою, при цьому додаткове збільшення термоЕРС здійснюється повторним нагрівом, задовільняючи...