Барабан Сергій Володимирович

Частотний вимірювальний перетворювач з транзисторним піроелектричним температурним сенсором

Завантаження...

Номер патенту: 118105

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Щепанівський Віталій Юрійович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Коваль Костянтин Олегович

МПК: G01K 7/00

Мітки: вимірювальний, піроелектричним, частотний, транзисторним, температурним, сенсором, перетворювач

Формула / Реферат:

Частотний вимірювальний перетворювач з транзисторним піроелектричним температурним сенсором, що містить польовий транзистор, індуктивність, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а перша вихідна клема та перший вивід індуктивності з'єднаний з стоком польового транзистора, а другий вивід індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим...

Пристрій для диференційно-термічного аналізу

Завантаження...

Номер патенту: 117378

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Альтман Олександра Ігорівна, Коваль Костянтин Олегович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 25/00

Мітки: диференційно-термічного, пристрій, аналізу

Формула / Реферат:

Пристрій для диференційно-термічного аналізу, який містить піч з камерою, в якій розміщені тигель для об'єкта контролю та капсула зі реперною речовиною, два вимірювачі температури, два формувачі імпульсів та вимірювач температури печі, який відрізняється тим, що виходи тигля для об'єкта контролю та капсули з реперною речовиною, як така використана термічно-інертна речовина, з'єднані з першим та другим вимірювачем температури відповідно, крім...

Волоконно-оптичний датчик фізичних величин

Завантаження...

Номер патенту: 102140

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Смішний Сергій Миколайович

МПК: G01B 11/16

Мітки: величин, фізичних, волоконно-оптичний, датчик

Формула / Реферат:

1. Волоконно-оптичний датчик фізичних величин, що містить джерело випромінювання з довжиною хвилі, що відповідає спектральній сприйнятливості приймачів випромінювання, випромінювання якого поширюється по світловодам розгалужувача і створює потоки, які проходять через робочий і опорний канали, що мають однакові розміри та знаходяться в одній робочій зоні, який відрізняється тим, що в каналах розміщено оптично зв'язані вхідний світловод,...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 62316

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01K 7/00

Мітки: мікроелектронний, температури, пристрій, вимірювання, виходом, частотним

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з частотним виходом, який містить термочутливий сегнетоелектричний конденсатор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, МДН-транзистор, перший та другий резистори, пасивну індуктивність, конденсатор, джерело постійної напруги, причому база біполярного транзистора з'єднана з першими виводами першого і другого резисторів, а другий вивід другого резистора з'єднаний зі...

Транзисторний піроелектричний температурний сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 90032

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01J 1/44

Мітки: температурний, транзисторний, піроелектричний, сенсор

Формула / Реферат:

Транзисторний піроелектричний температурний сенсор, що містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано шар піроелектрика і чутливий до випромінювання електрод затвору, причому області стоку, витоку і електрод затвору розташовані на одній площині, а область витоку зв'язана з областю стоку через область каналу, який відрізняється тим, що вільна від піролектрика поверхня підкладки є чутливою до...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури

Завантаження...

Номер патенту: 88814

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01K 7/00

Мітки: мікроелектронний, вимірювання, пристрій, температури

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури, що містить польовий транзистор, конденсатор, резистор та перше і друге джерела напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введені біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика...

Мікроелектронний піроелектричний сенсор температури з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 42780

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01K 7/00

Мітки: температури, частотним, сенсор, піроелектричний, мікроелектронний, виходом

Формула / Реферат:

Мікроелектронний піроелектричний сенсор температури з частотним виходом, який містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор, перше і друге джерела напруги, загальну шину, причому до стоку польового транзистора підключена перша вихідна клема та перший вивід пасивної індуктивності, другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги, а другий вивід конденсатора...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності

Завантаження...

Номер патенту: 87585

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01J 5/58, G01K 7/00

Мітки: потужності, теплової, пристрій, мікроелектронний, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності, який містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор та перше і друге джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введений біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, причому затвор польового транзистора з...

Мікроелектронний сенсор оптичної потужності

Завантаження...

Номер патенту: 87584

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 1/44

Мітки: сенсор, потужності, мікроелектронний, оптично

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори та резистор, який відрізняється тим, що додатково містить другий і третій МДН-фототранзистори, при цьому всі МДН-фототранзистори виконані шляхом створення зі зворотної сторони підкладки під областю каналу глибоких пазів, площа перерізу (А) кожного з яких задовольняє співвідношеннюA<S/n, деS - площа каналу,...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом

Завантаження...

Номер патенту: 41856

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01K 7/00

Мітки: пристрій, температури, піроелектричним, елементом, вимірювання, мікроелектронний, активним, індуктивним

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом, який містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерела напруги, загальну шину, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, введено два біполярних транзистори з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, другий...

Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 31974

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44

Мітки: вимірювач, випромінювання, оптичного, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання, що містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної...

Мікроелектронний сенсор температури

Завантаження...

Номер патенту: 31510

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01K 7/00

Мітки: мікроелектронний, температури, сенсор

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор температури, який містить польовий транзистор, резистор, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а другий вивід другого конденсатора - з другим полюсом другого джерела напруги, який відрізняється тим, що введено перший біполярний транзистор, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, другий біполярний транзистор і другий...

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 31603

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01J 1/44

Мітки: випромінювання, виміру, пристрій, мікроелектронний, оптичного

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до затвору МДН-транзистора і першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого...

Пристрій для виміру температури

Завантаження...

Номер патенту: 31170

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01K 7/00

Мітки: виміру, температури, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для виміру температури, який містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерело напруги, причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, введено перший і другий біполярні транзистори, другий конденсатор, причому другий полюс першого джерела напруги...

Пристрій для вимірювання теплової потужності

Завантаження...

Номер патенту: 31065

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 5/58

Мітки: теплової, вимірювання, пристрій, потужності

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання теплової потужності, що містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор, перше і друге джерело напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, крім того введено біполярний транзистор, причому затвор польового транзистора з напиленими плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання з'єднаний з першим полюсом першого джерела...

Мікроелектронний сенсор теплової потужності

Завантаження...

Номер патенту: 31114

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01J 5/58

Мітки: теплової, сенсор, мікроелектронний, потужності

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор теплової потужності, який містить польовий транзистор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, перше джерело постійної напруги, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, котушку індуктивності, конденсатор і друге джерело постійної напруги, причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела постійної напруги, а другий полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний...

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичної потужності

Завантаження...

Номер патенту: 30180

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01J 1/44

Мітки: оптично, потужності, мікроелектронний, пристрій, виміру

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичної потужності, який містить джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, конденсатор, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, причому перший та другий МДН-фототранзистори виконано з непрозорим затворним електродом із алюмінію, із зворотної сторони підкладки яких під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне...

Мікроелектронний вимірювач оптичної потужності

Завантаження...

Номер патенту: 30177

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44

Мітки: вимірювач, мікроелектронний, потужності, оптично

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, індуктивний елемент, конденсатор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги, а як індуктивний елемент використано МДН-фототранзистор з непрозорим затворним електродом із алюмінію, у якому зі зворотної сторони підкладки під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з...