Барабан Сергій Володимирович

Номер патенту: 118105

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Щепанівський Віталій Юрійович, Осадчук Олександр Володимирович, Коваль Костянтин Олегович

МПК: G01K 7/00

Мітки: частотний, піроелектричним, температурним, перетворювач, сенсором, транзисторним, вимірювальний

Формула / Реферат:

Частотний вимірювальний перетворювач з транзисторним піроелектричним температурним сенсором, що містить польовий транзистор, індуктивність, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а перша вихідна клема та перший вивід індуктивності з'єднаний з стоком польового транзистора, а другий вивід індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим...

Номер патенту: 117378

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Альтман Олександра Ігорівна, Коваль Костянтин Олегович

МПК: G01N 25/00

Мітки: диференційно-термічного, пристрій, аналізу

Формула / Реферат:

Пристрій для диференційно-термічного аналізу, який містить піч з камерою, в якій розміщені тигель для об'єкта контролю та капсула зі реперною речовиною, два вимірювачі температури, два формувачі імпульсів та вимірювач температури печі, який відрізняється тим, що виходи тигля для об'єкта контролю та капсули з реперною речовиною, як така використана термічно-інертна речовина, з'єднані з першим та другим вимірювачем температури відповідно, крім...

Номер патенту: 102140

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Смішний Сергій Миколайович, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01B 11/16

Мітки: волоконно-оптичний, величин, датчик, фізичних

Формула / Реферат:

1. Волоконно-оптичний датчик фізичних величин, що містить джерело випромінювання з довжиною хвилі, що відповідає спектральній сприйнятливості приймачів випромінювання, випромінювання якого поширюється по світловодам розгалужувача і створює потоки, які проходять через робочий і опорний канали, що мають однакові розміри та знаходяться в одній робочій зоні, який відрізняється тим, що в каналах розміщено оптично зв'язані вхідний світловод,...

Номер патенту: 62316

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01K 7/00

Мітки: частотним, вимірювання, температури, мікроелектронний, пристрій, виходом

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з частотним виходом, який містить термочутливий сегнетоелектричний конденсатор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, МДН-транзистор, перший та другий резистори, пасивну індуктивність, конденсатор, джерело постійної напруги, причому база біполярного транзистора з'єднана з першими виводами першого і другого резисторів, а другий вивід другого резистора з'єднаний зі...

Номер патенту: 90032

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44

Мітки: температурний, піроелектричний, транзисторний, сенсор

Формула / Реферат:

Транзисторний піроелектричний температурний сенсор, що містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано шар піроелектрика і чутливий до випромінювання електрод затвору, причому області стоку, витоку і електрод затвору розташовані на одній площині, а область витоку зв'язана з областю стоку через область каналу, який відрізняється тим, що вільна від піролектрика поверхня підкладки є чутливою до...

Номер патенту: 88814

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01K 7/00

Мітки: пристрій, температури, мікроелектронний, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури, що містить польовий транзистор, конденсатор, резистор та перше і друге джерела напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введені біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика...

Номер патенту: 42780

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01K 7/00

Мітки: виходом, мікроелектронний, сенсор, піроелектричний, частотним, температури

Формула / Реферат:

Мікроелектронний піроелектричний сенсор температури з частотним виходом, який містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор, перше і друге джерела напруги, загальну шину, причому до стоку польового транзистора підключена перша вихідна клема та перший вивід пасивної індуктивності, другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги, а другий вивід конденсатора...

Номер патенту: 87585

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01J 5/58, G01K 7/00

Мітки: потужності, мікроелектронний, пристрій, вимірювання, теплової

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності, який містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор та перше і друге джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введений біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, причому затвор польового транзистора з...

Номер патенту: 87584

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01J 1/44

Мітки: мікроелектронний, сенсор, оптично, потужності

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори та резистор, який відрізняється тим, що додатково містить другий і третій МДН-фототранзистори, при цьому всі МДН-фототранзистори виконані шляхом створення зі зворотної сторони підкладки під областю каналу глибоких пазів, площа перерізу (А) кожного з яких задовольняє співвідношеннюA<S/n, деS - площа каналу,...

Номер патенту: 41856

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01K 7/00

Мітки: температури, мікроелектронний, піроелектричним, пристрій, елементом, вимірювання, активним, індуктивним

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом, який містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерела напруги, загальну шину, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, введено два біполярних транзистори з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, другий...

Номер патенту: 31974

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01J 1/44

Мітки: випромінювання, вимірювач, оптичного, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання, що містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної...

Номер патенту: 31510

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01K 7/00

Мітки: температури, сенсор, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор температури, який містить польовий транзистор, резистор, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а другий вивід другого конденсатора - з другим полюсом другого джерела напруги, який відрізняється тим, що введено перший біполярний транзистор, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, другий біполярний транзистор і другий...

Номер патенту: 31603

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44

Мітки: випромінювання, мікроелектронний, виміру, оптичного, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до затвору МДН-транзистора і першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого...

Номер патенту: 31170

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01K 7/00

Мітки: пристрій, температури, виміру

Формула / Реферат:

Пристрій для виміру температури, який містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерело напруги, причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, введено перший і другий біполярні транзистори, другий конденсатор, причому другий полюс першого джерела напруги...

Номер патенту: 31065

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01J 5/58

Мітки: теплової, потужності, вимірювання, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання теплової потужності, що містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор, перше і друге джерело напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, крім того введено біполярний транзистор, причому затвор польового транзистора з напиленими плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання з'єднаний з першим полюсом першого джерела...

Номер патенту: 31114

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 5/58

Мітки: сенсор, потужності, мікроелектронний, теплової

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор теплової потужності, який містить польовий транзистор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, перше джерело постійної напруги, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, котушку індуктивності, конденсатор і друге джерело постійної напруги, причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела постійної напруги, а другий полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний...

Номер патенту: 30180

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01J 1/44

Мітки: потужності, мікроелектронний, оптично, виміру, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичної потужності, який містить джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, конденсатор, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, причому перший та другий МДН-фототранзистори виконано з непрозорим затворним електродом із алюмінію, із зворотної сторони підкладки яких під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне...

Номер патенту: 30177

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44

Мітки: оптично, потужності, вимірювач, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, індуктивний елемент, конденсатор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги, а як індуктивний елемент використано МДН-фототранзистор з непрозорим затворним електродом із алюмінію, у якому зі зворотної сторони підкладки під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з...