Ащеулов Анатолій Анатолійович

Фотодіод шотткі на основі in2hg3te6

Завантаження...

Номер патенту: 111231

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Галочкин Олександр Вікторович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Романюк Ірина Ігорівна

МПК: H01L 29/872

Мітки: in2hg3te6, основі, шотткі, фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод Шотткі, що містить поглинач оптичного випромінювання з n-In2Hg3Te6 та нанесений на нього фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що містить шар, додатково оброблений лазерним випромінюванням, причому фронтальний бар'єрний шар до підкладки n-In2Hg3Te6 виконаний з хрому.

Фототранзистор

Завантаження...

Номер патенту: 111228

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Романюк Ігор Степанович, Галочкин Олександр Вікторович, Раренко Ганна Іларівна, Прядко Володимир Васильович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фототранзистор

Формула / Реферат:

Фототранзистор на основі напівпровідникового шару довжиною а, товщиною b та шириною с (a>c>>b), розміщений між обкладинками конденсатора, який відрізняється тим, що обкладинка конденсатора та діелектричний прошарок зі сторони випромінювання, яке реєструється, виконано з оптично-прозорих у заданому діапазоні довжин хвиль електропровідного та діелектричного матеріалів (Сr та SiC, відповідно), при цьому товщина напівпровідникового...

Цифровий процесор

Завантаження...

Номер патенту: 106153

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Прядко Володимир Васильович, Даналакий Олег Григорович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Добровольський Юрій Георгійович, Романюк Ігор Степанович

МПК: H01L 35/10, G06F 7/00

Мітки: цифровий, процесор

Формула / Реферат:

Цифровий процесор обчислювальної техніки, який відрізняється тим, що він містить в своєму складі тонкоплівковий термоелектричний модуль Пельт'є, охолоджуючі спаї якого розміщено безпосередньо на верхній грані кристала цифрового процесора в місцях розташування елементів, що виконують відповідні арифметичні та логічні операції (ALV), при цьому електричні струмовідводи від модуля до джерела електроживлення виконуються з тих же матеріалів, що і...

Процес отримання монокристалів in2hg3te6

Завантаження...

Номер патенту: 105367

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Галочкин Олександр Вікторович, Дремлюженко Сергій Григорович, Захарук Зінаїда Іванівна, Колісник Михайло Георгієвич, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 1/00, C30B 13/12, C30B 13/10 ...

Мітки: монокристалів, процес, отримання, in2hg3te6

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...

Термоелектричний термостатуючий пристрій для елементної бази обчислювальної техніки

Завантаження...

Номер патенту: 101635

Опубліковано: 25.09.2015

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Ковальчук Мирослав Любомирович, Галочкин Олександр Вікторович, Спинь Уляна Романівна, Даналакий Олег Григорович, Романюк Ігор Степанович

МПК: H01L 35/00

Мітки: пристрій, термостатуючий, обчислювальної, термоелектричний, базі, техніки, елементної

Формула / Реферат:

Термоелектричний термостатуючий пристрій на основі теплорозсіюючого радіатора, термоелектричного модуля та двосекційної ємності з теплоакумулюючими матеріалами, який відрізняється тим, що розміщено додатковий кільцевий термоелектричний модуль, який розташовано між теплорозсіюючим радіатором та виступаючою перегородкою, що розділяє теплоакумулюючі матеріали.

Процес охолодження елементів твердотільної електроніки

Завантаження...

Номер патенту: 100882

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Байцар Ігор Богданович, Політанський Леонід Францович, Даналакий Олег Григорович, Горбулик Володимир Іванович, Герасим Василь Васильович, Романюк Ігор Степанович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/10, H01L 23/34, H01L 23/38 ...

Мітки: охолодження, процес, елементів, твердотільної, електроніки

Формула / Реферат:

Процес охолодження елементів твердотільної електроніки, який відрізняється тим, що відвод тепла від активних тепловиділяючих зон кристалічних структур здійснюється розташованими на їх зовнішній поверхні охолоджуючих спаїв тонкоплівкових термопар, через які пропускають електричний струм від незалежних джерел живлення, при цьому поглинене тепло розсіюють в об'ємі цих джерел.

Термоелектричний охолоджувач

Завантаження...

Номер патенту: 85707

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Бєліков Олександр Борисович, Чернов Володимир Макарович, Романюк Ігор Степанович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: F01P 7/00, H01L 35/10

Мітки: термоелектричний, охолоджувач

Формула / Реферат:

1. Термоелектричний охолоджувач, що складається з n- та р-гілок та електротеплопереходів, який відрізняється тим, що протилежні торці почергово розташованих у циліндричному сепараторі р- та n-гілок за допомогою електротеплопереходів з'єднано у електрично короткозамкнену, через випрямляючий діод, термоелектричну батарею, яка співвісно розташована у внутрішньому об'ємі статора, у вигляді пустотілого циліндра з феродіелектричного матеріалу з...

Процес отримання монокристалічних злитків fese, fete та твердих розчинів fesexte1-x

Завантаження...

Номер патенту: 67792

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Савчук Андрій Йосипович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 31/20, C30B 9/00, C30B 29/26 ...

Мітки: fese, злитків, розчинів, монокристалічних, твердих, fesexte1-x, процес, отримання

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...

Процес отримання сурми

Завантаження...

Номер патенту: 67457

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: отримання, сурми, процес

Формула / Реферат:

1. Процес отримання сурми гексагональної або ромбоедричної модифікацій, що складається з етапів загрузки наважки та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку сурми заданої модифікації.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у випадку сурми гексагональної...

Процес отримання монокристалів цинку

Завантаження...

Номер патенту: 62629

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Орест Миколайович, Гуцул Іван Васильович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: цинку, процес, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів цинку, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої направленої перекристалізації при Т1 = 692,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів цинку за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...

Процес отримання монокристалів селену

Завантаження...

Номер патенту: 62628

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: селену, отримання, процес, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів селену, що складається з етапів загрузки наважки, подальшої направленої перекристалізації при температурі Т1 = 490 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів селену за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...

Процес отримання монокристалів кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 62627

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: кадмію, монокристалів, отримання, процес

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів кадмію, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при , який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів кадмію за пунктом 1, який відрізняється тим, що його...

Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 60530

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: корекції, матеріалів, характеристик, напівпровідникових, процес

Формула / Реферат:

1. Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів методом опромінювання, який відрізняється тим, що злиток напівпровідникового матеріалу розміщують в полі дії електромагнітного випромінювання, при цьому довжини хвиль λi та їх мінімальні потужності Ei вибирають згідно з резонансними довжинами хвиль λr та потужностями Еr енергій активацій, що визначаються складовими тонкої структури хімічного зв'язку конкретного...

Процес отримання монокристалів телуру

Завантаження...

Номер патенту: 60529

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: процес, монокристалів, телуру, отримання

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалу телуру, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при Т1=722,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості .2. Процес отримання монокристалу телуру за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають температурним відпалом...

Процес отримання полікристалічних злитків fese, fete та твердих розчинів fesexte1-x

Завантаження...

Номер патенту: 57163

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 9/00, C30B 29/46, C30B 31/20 ...

Мітки: злитків, отримання, полікристалічних, процес, твердих, fesexte1-x, fese, розчинів

Формула / Реферат:

Процес створення полікристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, розміщення її у технологічній печі і проведення синтезу, який відрізняється тим, що на етапі синтезу розплав піддають дії зовнішнього магнітного поля, яке обертається навколо осі наважки.

Процес отримання оптичного матеріалу на основі znsb

Завантаження...

Номер патенту: 56653

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: основі, процес, оптичного, матеріалу, отримання

Формула / Реферат:

Процес отримання оптичного матеріалу на основі ZnSb, який включає етапи завантаження наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву зони підтримують на рівні Т1=820±0,5 К, а відпал закристалізованого злитка проводять при температурі Т2=810±0,5 К протягом двох годин.

Гіротропний охолоджувач

Завантаження...

Номер патенту: 54108

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Величук Денис Дмитрович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Романюк Ігор Степанович

МПК: H01L 35/02

Мітки: охолоджувач, гіротропний

Формула / Реферат:

Гіротропний охолоджувач, що складається з термостата та елемента Нернста-Еттінсгаузена з центральним каналом, який відрізняється тим, що останній розташований аксіально у кільцевому електромагніті з феродіелектричного корпусу та обмоток постійного і змінного струмів, при цьому поверхня бічної грані елемента Нернста-Еттінсгаузена змінюється по заданому гіперболічному закону із звуженням його нижньої частини, що електроізольована від обмоток...

Гіротропний охолоджувач

Завантаження...

Номер патенту: 54107

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Романюк Ігор Степанович, Бучковський Іван Аполінарійович, Величук Денис Дмитрович

МПК: H01L 35/02

Мітки: охолоджувач, гіротропний

Формула / Реферат:

1. Гіротропний охолоджувач, що складається з термостата та елемента Нернста-Еттінсгаузена, який відрізняється тим, що він розташований аксіально у кільцевому електромагніті, який складається з феродіелектричного корпусу з обмотками постійного та змінного струмів, при цьому бічна грань елемента Нернста-Еттінсгаузена ізольована від обмоток магніту кільцем з високотеплопровідної кераміки, а його нижня торцева грань знаходиться у тепловому...

Гіротропний охолоджувач

Завантаження...

Номер патенту: 53264

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Романюк Ігор Степанович, Маник Орест Миколайович, Величук Денис Дмитрович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/02

Мітки: охолоджувач, гіротропний

Формула / Реферат:

1. Гіротропний охолоджувач, з термостата та елемента Нернста-Еттінсгаузена, який відрізняється тим, що останній розташований аксіально у кільцевому електромагніті з обмотками постійного і змінного струмів та виконаний з двох однакових співвісних кілець з зовнішнім r і внутрішнім r1 радіусами та висотами d1=d2 з матеріалів р- та n-типів провідності відповідно, внутрішні торцеві грані яких розділені діелектричною теплопровідною прокладкою, а...

Процес створення об’ємних мікро-та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи аiiвv

Завантаження...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: наноструктур, напівпровідникових, об'ємних, основі, створення, низькосиметричних, процес, мікро-та, аiiвv, групи, кристалів, сполук

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...

Спосіб отримання оптичного матеріалу на основі cdsb

Завантаження...

Номер патенту: 49484

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: отримання, оптичного, основі, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптичного матеріалу на основі CdSb, який включає етапи загрузки наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву підтримують на рівні T1=740±0,5К, а відпал закристалізованого злитку проводять при температурі T2=726±0,5 К протягом двох годин.

Пристрій для магнітолазеротерапії

Завантаження...

Номер патенту: 48994

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Величук Денис Дмитрович, Бучковський Іван Аполінарійович, Бондар Людмила Олександрівна, Романюк Ігор Степанович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: A61M 5/00

Мітки: магнітолазеротерапії, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для магнітолазеротерапії, що містить випромінювач та магніт, який відрізняється тим, що він складається з співвісних циліндричної форми діелектричного корпусу з центральним отвором та розташованого на ньому ззовні постійного магніту, при цьому отвір корпусу з одного боку містить твердотільний лазерний випромінювач з необхідною довжиною хвилі λ, а з другого - електричний роз'єм, до якого під'єднані його...

Термоелектричний приймач променевих потоків

Завантаження...

Номер патенту: 46044

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Бучковський Іван Аполінарійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Романюк Ігор Степанович, Величук Денис Дмитрович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, променевих, приймач, потоків

Формула / Реферат:

1. Термоелектричний приймач променевих потоків, що виконаний на основі термоелектричної батареї, верхня грань якої містить неселективний поглинаючий шар, а нижня - тепловідвід, який відрізняється тим, що тепловідвід виконано з феродіелектричного матеріалу, при цьому між нижньою гранню термоелектричної батареї та верхньою гранню тепловідводу розміщено індуктивність у вигляді плоскої спіралі Архімеда з електровиводами.2. Термоелектричний...

Термоелектричний приймач променевих потоків

Завантаження...

Номер патенту: 44304

Опубліковано: 25.09.2009

Автори: Романюк Ігор Степанович, Величук Денис Дмитрович, Бучковський Іван Аполінарійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: потоків, термоелектричний, променевих, приймач

Формула / Реферат:

1. Термоелектричний приймач променевих потоків на основі термоелектричної батареї, верхня грань якої містить неселективний поглинаючий шар, а нижня - тепловідвід, який відрізняється тим, що тепловідвід розміщено в прорізі кільцевого феродіелектричного сердечника вимірювального коливного контуру, при цьому нижня грань тепловідводу знаходиться в тепловому контакті з термостатом.2. Термоелектричний приймач за п. 1, який відрізняється...

Пристрій для безконтактного визначення добротності термоелектричних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 41769

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Бучковський Іван Аполінарієвич, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Величук Денис Дмитрович

МПК: G01R 27/00

Мітки: визначення, пристрій, матеріалів, термоелектричних, добротності, безконтактного

Формула / Реферат:

Пристрій для безконтактного визначення добротності термоелектричних матеріалів, що містить індуктивний датчик, блоки вимірювання електропровідності та відображення результатів, який відрізняється тим, що він додатково містить блоки визначення температури вимірюваного зразка і обробки кінцевих результатів, при цьому блок вимірювання електропровідності визначає величини електропровідності σс і σа зразка у випадку протікання через...

Давач для безконтактного визначення електропровідності термоелектричних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 41743

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Бучковський Іван Аполінарієвич, Величук Денис Дмитрович

МПК: H01L 35/00, G01N 27/02

Мітки: давач, безконтактного, визначення, електропровідності, термоелектричних, матеріалів

Формула / Реферат:

Давач для безконтактного визначення електропровідності термоелектричних матеріалів на основі кільцевого прорізного феромагнітного сердечника з котушкою індуктивності, який відрізняється тим, що він містить три індуктивності L1, L2, L3 (L1> L2= L3) та два однакові феромагнітні прорізні сердечники, при цьому L1 охоплює перерізи обох сердечників, а L2 і L3 - перерізи першого і другого відповідно; електровиводи індуктивності L1 з'єднано з...

Процес безконтактного контролю параметрів термоелектричних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 41715

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Бучковський Іван Аполінарієвич, Величук Денис Дмитрович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричних, безконтактного, контролю, матеріалів, параметрів, процес

Формула / Реферат:

1. Процес контролю параметрів термоелектричних матеріалів методом безконтактного вимірювання їх електропровідності, який відрізняється тим, що він складається з етапів послідовного визначення електропровідності термоелектричного зразка за допомогою вимірювального коливного контуру в умовах як симетричного теплового поля його об'єму (ss), так і з порушенням його симетрії (sn), при цьому величини термоелектричної добротності Z, коефіцієнтів...

Процес створення адіабатичних умов при безконтактному визначенні електропровідності термоелектричного зразка

Завантаження...

Номер патенту: 40328

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Бучковский Иван Аполинариевич, Романюк Ігор Степанович, Величук Денис Дмитрович

МПК: H01L 35/00

Мітки: створення, процес, адіабатичних, термоелектричного, безконтактному, визначенні, електропровідності, зразка, умов

Формула / Реферат:

Процес створення адіабатичних умов при безконтактному визначенні електропровідності термоелектричного зразка за допомогою індуктивного датчика, який відрізняється тим, що через обмотку датчика пропускають електричний струм виду , де І0 - максимальне значення електричного струму, що протікає через обмотку датчика, F , f - частоти чергування та модуляції імпульсу цього...

Термоелектричний приймач променевих потоків

Завантаження...

Номер патенту: 39836

Опубліковано: 10.03.2009

Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, потоків, променевих, приймач

Формула / Реферат:

1. Термоелектричний приймач променевих потоків, на основі термоелектричної батареї, верхня грань якої містить неселективний поглинаючий шар, а нижня - тепловідвід, який відрізняється тим, що тепловідвід виконано з феродіелектричного матеріалу, при цьому його протилежна грань містить плоску котушку індуктивності у вигляді спіралі Архімеда з електровиводами.2. Термоелектричний приймач за п. 1, який відрізняється тим, що термоелектрична...

Процес безконтактного контролю ступеня порушень умов ізотермічності термоелектричних середовищ

Завантаження...

Номер патенту: 39688

Опубліковано: 10.03.2009

Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: контролю, середовищ, процес, умов, ступеня, безконтактного, термоелектричних, ізотермічності, порушень

Формула / Реферат:

Процес безконтактного контролю ступеня порушень умов ізотермічності термоелектричного середовища, який відрізняється тим, що включає етапи: визначення електричної добротності вимірювального коливного контуру (Q1), розміщення контрольованого середовища в зоні дії його магнітного поля і послідовного вимірювання електричних добротностей як в ізотермічних умовах (Q2), так і при порушенні ізотермічності (Q3), при цьому величину потужності DР, яка...

Анізотропний термоелектричний сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 39677

Опубліковано: 10.03.2009

Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: сенсор, термоелектричний, анізотропний

Формула / Реферат:

1. Анізотропний термоелектричний сенcор, що виконаний на основі анізотропного термоелектричного модуля, верхня грань якого містить поглинаючо-випромінюючий неселективний шар, а нижня - тепловідвід у вигляді металевого корпусу з вивідними електроконтактами, який відрізняється тим, що на деякій відстані d1 перед верхньою гранню анізотропного термоелектричного модуля встановлено оптичний фільтр з електропровідного матеріалу з необхідними...

Термоелектрична матриця оптичного відображення

Завантаження...

Номер патенту: 38637

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Величук Денис Дмитрович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: відображення, термоелектрична, оптичного, матриця

Формула / Реферат:

Термоелектрична матриця оптичного відображення прямокутної форми, яка відрізняється тим, що складається з (n ´ m) термоелектричних модулів Пельтьє, одна з робочих граней яких знаходиться в тепловому контакті з загальним тепловідводом, а інші - протилежні - грані розташовані в одній площині та містять рідкокристалічні шари з холестеричної суміші

Процес введення постійного електричного струму в термоелектричне середовище

Завантаження...

Номер патенту: 38433

Опубліковано: 12.01.2009

Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/32

Мітки: введення, середовище, електричного, постійного, струму, процес, термоелектричне

Формула / Реферат:

1. Процес введення постійного електричного струму в термоелектричне середовище, який характеризується тим, що термоелектричне середовище розміщується в зоні дії магнітного поля, яке обертається.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що термоелектричне середовище виконується з термопарних структур.3. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що термоелектричне середовище виконується з анізотропних структур.4. Процес за...

Процес контролю холодопродуктивності термоелектричних модулів пельтьє

Завантаження...

Номер патенту: 38058

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Черкез Радіон Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Величук Денис Дмитрович

МПК: H01L 35/00

Мітки: пельтьє, контролю, процес, холодопродуктивності, термоелектричних, модулів

Формула / Реферат:

1. Процес контролю холодопродуктивності термоелектричних модулів Пельтьє, який відрізняється тим, що керований тепловий потік через модулі задається лазерним випромінювачем.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що як датчик теплових потоків застосовано анізотропний термоелектричний тепломір.

Процес контролю холодопродуктивності термоелектричних модулів пельтьє

Завантаження...

Номер патенту: 37644

Опубліковано: 10.12.2008

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Черкез Радіон Георгійович, Величук Денис Дмитрович

МПК: H01L 35/00

Мітки: процес, модулів, пельтьє, контролю, термоелектричних, холодопродуктивності

Формула / Реферат:

1. Процес контролю холодопродуктивності термоелектричних модулів Пельтьє, що складається з етапів їх закріплення до тепловідводу, пропускання відповідних електричних струмів, визначення параметрів та побудови відповідних залежностей, який відрізняється тим, що тепловий потік з охолоджуваної грані модуля визначається безконтактним методом за допомогою анізотропного термоелектричного тепломіра.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим,...

Процес визначення типу провідності термоелектричних злитків, заготовок та деталей

Завантаження...

Номер патенту: 35442

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Бучовський Іван Аполінарієвич, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/34

Мітки: заготовок, термоелектричних, деталей, провідності, типу, злитків, процес, визначення

Формула / Реферат:

1. Процес визначення типу провідності термоелектричних об'єктів, який характеризується тим, що безконтактним методом при вибраних позитивних та негативних напрямках уніполярного струму індуктивного датчика кільцевого типу вимірюють їх електропровідність та далі, по її максимальному значенню, визначають тип провідності.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що р-тип провідності відповідає максимальним значенням електропровідності...

Анізотропний термоелектричний сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 35364

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Величук Денис Дмитрович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: анізотропний, термоелектричний, сенсор

Формула / Реферат:

Анізотропний термоелектричний сенсор з анізотропного термоелектричного модуля, верхня грань якого містить неселективний шар, а нижня - тепловідвід, який відрізняється тим, що між неселективним шаром та верхньою гранню анізотропного термоелектричного модуля міститься лейкосапфіровий круглий диск з резистивним шаром та електропідводами.

Процес обробки кристалів твердих розчинів bi-te-se-sb

Завантаження...

Номер патенту: 33016

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Бучковський Іван Аполінарійович, Величук Денис Дмитрович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: B28D 5/00, H01L 35/32

Мітки: розчинів, bi-te-se-sb, процес, кристалів, обробки, твердих

Формула / Реферат:

Процес обробки кристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи розташування кристалів на станку, орієнтування за допомогою автоколіматора та наступного різання, який відрізняється тим, що етап орієнтування кристалів на автоколіматорі виконують безконтактним методом індуктивним кільцевим датчиком з розрізом, в якому розміщена вставка з діамагнітного високопровідного матеріалу, при цьому датчик жорстко зафіксований відносно площини...

Пристрій для затравлювання кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 32619

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Юрійчук Іван Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Грицюк Богдан Миколайович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/10

Мітки: затравлювання, кристалів, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для затравлювання кристалів при вирощуванні методом Чохральського на основі циліндричного пустотілого патрона, який відрізняється тим, що патрон між зовнішньою і внутрішньою стінками конічних наконечників містить кристалотримач у вигляді перевернутого, зрізаного, пустотілого конуса, а в центральній частині конуса містить радіаційний тепловідвід.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що кристалотримач виготовлено...

Термоелектричний перетворювач оптичного відображення

Завантаження...

Номер патенту: 32740

Опубліковано: 26.05.2008

Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, відображення, перетворювач, оптичного

Формула / Реферат:

Термоелектричний перетворювач оптичного відображення на основі модуля Пельтьє з тепловідводом на одній із робочих граней, який відрізняється тим, що інша робоча грань містить шар з рідкокристалічної плівки, наприклад, на основі холестеричної суміші.