Абашин Сергій Леонідович

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 78882

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Абашин Сергій Леонідович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Олійник Сергій Володимирович, Полубояров Олексій Олександрович, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: G01N 13/00

Мітки: спосіб, визначення, кристалічних, матеріалах, фотоактивних, центрів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання прирощення ефективних значень діелектричної проникності  та коефіцієнта діелектричних втрат  в залежності від довжини хвилі монохроматичного світла  з...

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 92595

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Абашин Сергій Леонідович, Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01N 27/22, G01J 5/50

Мітки: матеріалах, неоднорідностей, визначення, спосіб, розподілу, кристалічних, електрофізичних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах шляхом переміщення електродів відносно поверхні зразка з одночасним вимірюванням в змінному електричному полі їх електрофізичних параметрів, який відрізняється тим, що на плоскому електроді розміщують еталонний зразок товщиною  з pівномірним розподілом діелектричної проникності

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Олійник Сергій Володимирович, Комарь Віталій Корнійович, Чуйко Олексій Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Терзін Ігор Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Абашин Сергій Леонідович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: життя, спосіб, струму, часу, нерівноважних, носіїв, вимірювання, напівпровідниках

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Морозов Дмитро Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Абашин Сергій Леонідович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чугай Олег Миколайович, Олійник Сергій Володимирович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: G01R 31/26

Мітки: твердих, електроопору, високоомних, вимірювання, розчинів, спосіб, питомого, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 77464

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Сулима Сергій Віталійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Мигаль Валерій Павлович, Комарь Віталій Корнійович, Чугай Олег Миколайович, Абашин Сергій Леонідович

МПК: G01N 21/63, G01J 1/10

Мітки: визначення, фотоактивних, кристалічних, матеріалах, спосіб, центрів

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективної діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині з використанням вимірювання при планарній та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку, визначення значень довжини хвилі λі фотозбудження як таких, що відповідають...

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 66107

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Чугай Олег Миколаєвич, Сулима Сергій Віталійович, Мигаль Валерій Павлович, Абашин Сергій Леонідович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: G01N 13/10

Мітки: визначення, спосіб, матеріалах, центрів, фотоактивних, кристалічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективних діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині, який відрізняється тим, що вимірювання послідовно виконують при поверхневій та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку та його збудження, граничні довжини хвиль