Патенти з міткою «затравці»

Номер патенту: 70965

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Чепугов Олексій Павлович

МПК: C01B 31/06

Мітки: монокристалів, затравці, спосіб, алмазу, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом створення градієнта температури між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, що розміщені пошарово та розділені сплавом-розчинником вуглецю, при цьому градієнт температури встановлюється таким чином, щоб джерело вуглецю знаходилося в області, яку нагріто до максимальної для даного градієнта температури, а...

Номер патенту: 8143

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Заневський Олег Олексійович, Шевчук Сергій Миколайович, Білоусов Ігор Святославович, Марков Андрій Іванович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: затравці, синтезу, спосіб, монокристалів, алмазу

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці, який передбачає створення початкового перепаду температури між алмазною затравкою і джерелом вуглецю, які розділені розташованою між ними масою металічного каталізатора-розчинника, який полягає у прикладанні високого тиску і температури Т0 до розміщених пошарово в реакційній зоні джерела вуглецю, металічного каталізатора-розчинника і кристала затравки, причому алмазну затравку нагрівають до...

Номер патенту: 6823

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Будяк Олександр Ананійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: C01B 31/06

Мітки: синтезу, монокристалів, спосіб, затравці, алмазу

Формула / Реферат:

1.Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке путем создания заданного перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, разделенных массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную затравку нагревают до температуры,...

Номер патенту: 1374

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Білоусов Ігор Святославович, Будяк Олександр Ананійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, алмазу, синтезу, затравці, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализато­ра-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источ­ника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращива­емого...

Номер патенту: 2

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Чіпенко Георгій Володимирович, Будяк Олександр Ананійович, Новіков Микола Васильович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: B01J 3/00, C01B 31/06, C30B 1/00 ...

Мітки: монокристалів, затравці, синтезу, алмазу, спосіб

Формула / Реферат:

Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий создание начального перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, которые разделены расположенной между ними массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную...