Патенти з міткою «твердоелектролітичного»

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Мікула Маріан, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Рибак Стефан Олександрович

МПК: C23C 14/35, H01M 6/18

Мітки: одержання, матеріалу, спосіб, плівок, йодид-пентатіофосфату, джерела, міді, твердоелектролітичного, тонких, енергії, основі, високопровідних, cu6ps5i

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Рибак Стефан Олександрович, Мікула Маріан

МПК: H01M 6/18, C01G 3/00, H01M 4/28 ...

Мітки: плівок, матеріалу, джерела, тонких, одержання, cu6ps5i, основі, спосіб, високопровідних, міді, твердоелектролітичного, йодид-пентатіофосфату, енергії

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Мікула Маріан, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Машіко Владислав Володимирович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: основі, плівки, твердоелектролітичного, матеріалу, бромід-пентатіофосфату, джерела, застосування, міді, cu6ps5br, тонкої, енергії

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мікула Маріан, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Куш Петер, Машіко Владислав Володимирович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: твердоелектролітичного, основі, тонкої, енергії, матеріалу, джерела, cu6ps5br, міді, застосування, бромід-пентатіофосфату, плівки

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Ямковий Олександр Олександрович, Демко Павло Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: йодид-пентаселенофосфату, аморфної, основі, cu6pse5i, твердоелектролітичного, застосування, міді, плівки, енергії, джерела, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Гуранич Павло Павлович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: йодид-пентатіогерманату, основі, матеріалу, міді, твердоелектролітичного, застосування, енергії, джерела, cu7ges5i, плівки, аморфної

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Гуранич Павло Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: плівки, джерела, матеріалу, йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, міді, твердоелектролітичного, основі, енергії, застосування, аморфної

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5l як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Демко Павло Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/08

Мітки: енергії, твердоелектролітичного, основі, йодид-пентаселенофосфату, міді, застосування, джерела, матеріалу, аморфної, cu6pse5l, плівки

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді cu7gese5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: монокристалу, йодид-пентаселеногерманату, твердоелектролітичного, джерела, матеріал, основі, cu7gese5i, енергії, міді

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Мінець Юрій Васильович, Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, кераміки, енергії, застосування, основі, нанокристалічного, йодид-пентатіофосфату, матеріалу, cu6ps5i, міді, джерела, суперіонної

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування монокристалу твердого розчину cu7ge(s0,7se0,3)5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: джерела, монокристалу, твердого, твердоелектролітичного, енергії, матеріалу, застосування, cu7ge(s0,7se0,3)5i, розчину

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді сu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, міді, енергії, застосування, сu6ps5i, аморфної, матеріалу, основі, йодид-пентатіофосфату, плівки, джерела

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 65984

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Гуранич Павло Павлович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: аморфної, cu6ps5i, основі, міді, твердоелектролітичного, йодид-пентатіофосфату, плівки, матеріалу, джерела, енергії, застосування

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i

Завантаження...

Номер патенту: 64545

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: йодид-пентаселенофосфату, джерела, міді, твердоелектролітичного, енергії, cu6pse5i, основі, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I, який відрізняється тим, що активний елемент матеріалу виготовлено із монокристалу суперіонного провідника Cu6PSe5I.

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 64541

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Мінець Юрій Васильович, Неймет Юрій Юрійович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: енергії, йодид-пентатіофосфату, застосування, основі, джерела, твердоелектролітичного, нанокристалічного, матеріалу, міді, кераміки, cu6ps5i, суперіонної

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу іонну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 94851

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Прітц Іван Павлович, Бучук Роман Юрійович

МПК: H01M 6/00

Мітки: твердоелектролітичного, джерела, основі, йодид-пентатіофосфату, cu6ps5i, міді, матеріал, кераміки, енергії, суперіонної

Формула / Реферат:

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що матеріал виготовлено із суперіонної кераміки мікрокристалічної структури, а саме з мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, при цьому матеріал має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації.

Застосування полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді cu6ps5cl як матеріалу композиту для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 60128

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: джерела, хлорид-пентатіофосфату, cu6ps5cl, твердоелектролітичного, енергії, застосування, композиту, міді, матеріалу, полікристалічного

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу композиту, що має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 54729

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Прітц Іван Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: кераміки, матеріалу, суперіонної, застосування, основі, твердоелектролітичного, мікрокристалічного, енергії, джерела, міді, йодид-пентатіофосфату, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, що має високу іонну провідність та низьку енергію активації, як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі хлорид-пентатіофосфату міді cu6ps5cl

Завантаження...

Номер патенту: 88417

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, джерела, основі, хлорид-пентатіофосфату, cu6ps5cl, міді, енергії, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі хлорид-пентатіофосфату міді, який відрізняється тим, що хлорид-пентатіофосфат міді Cu6PS5Cl є монокристалом.

Застосування хлорид-пентатіофосфату міді cu6ps5cl як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 40029

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01L 45/00

Мітки: хлорид-пентатіофосфату, cu6ps5cl, енергії, твердоелектролітичного, джерела, застосування, матеріалу, міді

Формула / Реферат:

Застосування хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування полікристалічного йодидпентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 85158

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Бучук Роман Юрійович, Пріц Іван Павлович, Панько Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: енергії, cu6ps5i, матеріалу, композита, застосування, йодидпентатіофосфату, міді, твердоелектролітичного, полікристалічного, джерела

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодидпентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: твердоелектролітичного, енергії, джерела, матеріалу, йодид-пентатіогерманату, міді, застосування, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 38013

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Пріц Іван Павлович, Бучук Роман Юрійович, Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: міді, застосування, твердоелектролітичного, енергії, полікристалічного, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, композита, джерела, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5і для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 83930

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, міді, йодид-пентатіофосфату, cu6ps5i, джерела, застосування, енергії

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6PS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 31019

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, cu7ges5i, твердоелектролітичного, джерела, матеріалу, міді, йодид-пентатіогерманату, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 23103

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, застосування, cu6ps5i, джерела, йодид-пентатіофосфату, енергії, матеріалу, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.