Патенти з міткою «твердоелектролітичного»

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Рибак Стефан Олександрович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: C23C 14/35, H01M 6/18

Мітки: плівок, джерела, йодид-пентатіофосфату, міді, спосіб, тонких, високопровідних, основі, матеріалу, cu6ps5i, одержання, твердоелектролітичного, енергії

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Рибак Стефан Олександрович

МПК: H01M 6/18, H01M 4/28, C01G 3/00 ...

Мітки: енергії, високопровідних, плівок, тонких, одержання, матеріалу, міді, твердоелектролітичного, джерела, основі, спосіб, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович, Куш Петер, Машіко Владислав Володимирович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: cu6ps5br, матеріалу, твердоелектролітичного, джерела, плівки, тонкої, енергії, міді, застосування, основі, бромід-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Машіко Владислав Володимирович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, джерела, твердоелектролітичного, тонкої, міді, застосування, матеріалу, бромід-пентатіофосфату, основі, плівки, cu6ps5br

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Демко Павло Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Ямковий Олександр Олександрович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: енергії, аморфної, плівки, твердоелектролітичного, основі, застосування, cu6pse5i, матеріалу, йодид-пентаселенофосфату, міді, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Кохан Олександр Павлович, Бендак Андрій Васильович, Гуранич Павло Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: йодид-пентатіогерманату, матеріалу, аморфної, твердоелектролітичного, застосування, основі, міді, плівки, енергії, cu7ges5i, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: енергії, міді, cu7ges5i, основі, джерела, твердоелектролітичного, застосування, плівки, аморфної, йодид-пентатіогерманату, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5l як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Ямковий Олександр Олександрович, Демко Павло Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/08

Мітки: міді, cu6pse5l, основі, джерела, енергії, застосування, йодид-пентаселенофосфату, аморфної, плівки, твердоелектролітичного, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді cu7gese5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: монокристалу, енергії, cu7gese5i, твердоелектролітичного, міді, матеріал, основі, джерела, йодид-пентаселеногерманату

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Бучук Роман Юрійович, Неймет Юрій Юрійович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: йодид-пентатіофосфату, основі, застосування, енергії, матеріалу, міді, суперіонної, нанокристалічного, джерела, cu6ps5i, твердоелектролітичного, кераміки

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування монокристалу твердого розчину cu7ge(s0,7se0,3)5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: матеріалу, cu7ge(s0,7se0,3)5i, енергії, твердого, джерела, твердоелектролітичного, розчину, застосування, монокристалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді сu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Чомоляк Артем Анатолійович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: матеріалу, йодид-пентатіофосфату, плівки, джерела, енергії, сu6ps5i, аморфної, застосування, основі, міді, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 65984

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Мінець Юрій Васильович, Чомоляк Артем Анатолійович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: джерела, матеріалу, міді, основі, йодид-пентатіофосфату, застосування, аморфної, плівки, cu6ps5i, твердоелектролітичного, енергії

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i

Завантаження...

Номер патенту: 64545

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Коперльос Богдан Михайлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: матеріал, міді, твердоелектролітичного, джерела, основі, cu6pse5i, йодид-пентаселенофосфату, енергії

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I, який відрізняється тим, що активний елемент матеріалу виготовлено із монокристалу суперіонного провідника Cu6PSe5I.

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 64541

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Бучук Роман Юрійович, Пономарьов Вадим Євгенович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: нанокристалічного, джерела, йодид-пентатіофосфату, кераміки, міді, основі, застосування, енергії, суперіонної, матеріалу, cu6ps5i, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу іонну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 94851

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Прітц Іван Павлович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00

Мітки: кераміки, cu6ps5i, основі, йодид-пентатіофосфату, міді, суперіонної, енергії, джерела, матеріал, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що матеріал виготовлено із суперіонної кераміки мікрокристалічної структури, а саме з мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, при цьому матеріал має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації.

Застосування полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді cu6ps5cl як матеріалу композиту для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 60128

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: H01M 6/18

Мітки: джерела, матеріалу, хлорид-пентатіофосфату, застосування, композиту, полікристалічного, міді, твердоелектролітичного, cu6ps5cl, енергії

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу композиту, що має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 54729

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Прітц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, суперіонної, йодид-пентатіофосфату, матеріалу, основі, енергії, мікрокристалічного, кераміки, застосування, міді, джерела, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, що має високу іонну провідність та низьку енергію активації, як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі хлорид-пентатіофосфату міді cu6ps5cl

Завантаження...

Номер патенту: 88417

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Панько Василь Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Коперльос Богдан Михайлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: основі, хлорид-пентатіофосфату, енергії, джерела, твердоелектролітичного, міді, cu6ps5cl, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі хлорид-пентатіофосфату міді, який відрізняється тим, що хлорид-пентатіофосфат міді Cu6PS5Cl є монокристалом.

Застосування хлорид-пентатіофосфату міді cu6ps5cl як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 40029

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01L 45/00

Мітки: застосування, енергії, твердоелектролітичного, cu6ps5cl, міді, джерела, матеріалу, хлорид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування полікристалічного йодидпентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 85158

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Пріц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Бучук Роман Юрійович, Панько Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, застосування, полікристалічного, cu6ps5i, йодидпентатіофосфату, композита, міді, матеріалу, джерела, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодидпентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, застосування, енергії, матеріалу, джерела, міді, cu7ges5i, йодид-пентатіогерманату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 38013

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Бучук Роман Юрійович, Пріц Іван Павлович, Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: твердоелектролітичного, cu6ps5i, полікристалічного, матеріалу, джерела, енергії, йодид-пентатіофосфату, композита, міді, застосування

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5і для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 83930

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Коперльос Богдан Михайлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: джерела, міді, застосування, йодид-пентатіофосфату, енергії, cu6ps5i, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6PS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 31019

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Панько Василь Васильович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: застосування, йодид-пентатіогерманату, джерела, енергії, твердоелектролітичного, cu7ges5i, матеріалу, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 23103

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Панько Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: застосування, міді, енергії, твердоелектролітичного, матеріалу, джерела, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.