Патенти з міткою «транзисторної»

Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури

Завантаження...

Номер патенту: 42207

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: структури, фоточутливої, оптичного, мікроелектронний, основі, випромінювання, сенсор, транзисторної

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, який містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний...