Патенти з міткою «товстоплівкових»

Резистивний матеріал для товстоплівкових елементів

Завантаження...

Номер патенту: 110982

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Бугайова Тетяна Миколаївна, Лепіх Ярослав Ілліч, Лавренова Тетяна Іванівна

МПК: H01C 17/065, H01B 1/08

Мітки: резистивний, елементів, матеріал, товстоплівкових

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для товстоплівкових елементів, який містить струмопровідну фазу на основі оксидних сполук рутенію 6-10 мас. %, срібла 15-25 мас. % та паладію 2-6 мас. %, склозв'язуюче, органічне сполучне, який відрізняється тим, що як склозв'язуюче використовується легкоплавке скло наступного складу, мас. %: Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 ...

Низькоомний резистивний матеріал для товстоплівкових елементів

Завантаження...

Номер патенту: 90549

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Лепіх Ярослав Ілліч, Бугайова Тетяна Миколаївна, Лавренова Тетяна Іванівна

МПК: H01C 17/00

Мітки: резистивний, низькоомний, товстоплівкових, матеріал, елементів

Формула / Реферат:

Низькоомний резистивний матеріал для товстоплівкових елементів, що містить струмопровідну фазу на основі оксидних з'єднань рутенію, срібла та паладію, стеклозв'язуюче, органічне сполучне, який відрізняється тим, що як стеклозв'язуюче використовують легкоплавке скло наступного складу, (мас, %): Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 5,0-8,5 ...

Легкоплавке скло для товстоплівкових резисторів

Завантаження...

Номер патенту: 68124

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Лавренова Тетяна Іванівна, Лепіх Ярослав Ілліч, Курмашев Шаміль Джамашевич, Бугайова Тетяна Миколаївна

МПК: C03C 14/00, H01C 17/00

Мітки: скло, резисторів, легкоплавке, товстоплівкових

Формула / Реферат:

Легкоплавке скло для товстоплівкових резисторів, що включає SiO2, Ві2О3, СdO, яке відрізняється тим, що додатково містить ZnO, MgO, В2О3, а інгредієнти узяті в наступному співвідношенні (%, мас): Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 5,0-8,5 В2О, 7,5-10,0 CdO 3,0-8,5 ...

Паста для товстоплівкових діелектричних ізоляційних шарів багаторівневих комутаційних плат

Завантаження...

Номер патенту: 53734

Опубліковано: 11.10.2010

Автор: Осєчкін Сергій Іванович

МПК: C04B 35/468, H05K 1/16

Мітки: паста, діелектричних, шарів, багаторівневих, комутаційних, товстоплівкових, ізоляційних, плат

Формула / Реферат:

Паста для товстоплівкових діелектричних ізоляційних шарів багаторівневих комутаційних плат, що містить дрібнодисперсний порошок склокристалічного титано-барієвого матеріалу із вмістом двоокису титану, окису барію, двоокису кремнію, окису цинку, окису бору, окису алюмінію, двоокису цирконію, окису кадмію, окису свинцю, окису вісмуту, дрібнодисперсний порошок окису металу як наповнювач і органічну зв'язку із вмістом терпінеолу і етилцелюлози,...

Паста для товстоплівкових струмопровідних шарів внутрішніх рівнів багаторівневих комутаційних плат

Завантаження...

Номер патенту: 52943

Опубліковано: 10.09.2010

Автор: Осєчкін Сергій Іванович

МПК: H01B 1/02

Мітки: внутрішніх, товстоплівкових, струмопровідних, плат, комутаційних, паста, рівнів, багаторівневих, шарів

Формула / Реферат:

Паста для товстоплівкових струмопровідних шарів внутрішніх рівнів багаторівневих комутаційних плат, яка містить суміш дрібнодисперсного порошку срібла, дрібнодисперсного порошку паладію, дрібнодисперсного порошку аморфного вісмутборосилікатного скла і органічну зв'язку, яка відрізняється тим, що вона додатково містить дрібнодисперсний порошок свинцевосилікатного склокристалічного матеріалу при наступному співвідношенні всіх компонентів,...

Паста для товстоплівкових струмопровідних шарів зовнішніх рівнів багаторівневих комутаційних плат

Завантаження...

Номер патенту: 52628

Опубліковано: 25.08.2010

Автор: Осєчкін Сергій Іванович

МПК: H01B 1/02

Мітки: комутаційних, паста, рівнів, шарів, плат, зовнішніх, струмопровідних, товстоплівкових, багаторівневих

Формула / Реферат:

Паста для товстоплівкових струмопровідних шарів зовнішніх рівнів багаторівневих комутаційних плат, що містить суміш дрібнодисперсного порошку срібла, дрібнодисперсного порошку платини, дрібнодисперсного порошку безсвинцевого скла із вмістом окису бору і окису цинку, органічну зв'язку із вмістом терпінеолу, етилцелюлози і води, яка відрізняється тим, що вона додатково містить дрібнодисперсний порошок вісмутборосилікатного скла при наступному...

Спосіб одержання багатошарових товстоплівкових п`єзоелектричних елементів на основі цирконату-титанату свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 37213

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Штонда Олексій Сергійович, Селікова Нелля Іванівна, Бронников Анатолій Никифорович, Скірдіна Інна Костянтинівна, Клімов Всеволод Валентинович

МПК: C04B 35/00, H01L 21/00

Мітки: п'єзоелектричних, товстоплівкових, спосіб, елементів, цирконату-титанату, багатошарових, одержання, свинцю, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання багатошарових товстоплівкових п'єзоелектричних елементів на основі цирконату-титанату свинцю, який включає отримання наповнювача на основі дрібнодисперсної синтезованої шихти п'єзоелектричного матеріалу ЦТССт-3 із добавкою 2 мас. % Ві2О3 у пристроях з високим рівнем енергетичної дії, змішування наповнювача з органічним зв'язуючим, отримання сегнетоелектричної пасти, нанесення сегнетоелектричної пасти та срібловмісної пасти...

Скло для високовольтних товстоплівкових резисторів

Завантаження...

Номер патенту: 20814

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Пучкова Надія Сергіївна, Вікулін Іван Михайлович, Смирнов Анатолій Миколайович, Сидорець Ростислав Григорович

МПК: C03C 14/00

Мітки: високовольтних, товстоплівкових, резисторів, скло

Формула / Реферат:

1. Скло для високовольтних товстоплівкових резисторів, що містить PbO, SiО2, Al2O3, яке відрізняється тим, що додатково містить ТіО2 і ВаО при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: РbО – 50...60, SiO2 - 25...35, Al2O3 - 5...10, ВаО - 5...10, ТiO2 - 1...5.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після здрібнювання (помелу) на планетарному млині його додатково класифікують методом центрифугування за розмірами частинок 1-0...

Матеріал для товстоплівкових резисторів

Завантаження...

Номер патенту: 16229

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Тельніков Євгеній Якович, Шибаєв Володимир Олександрович, Максимов Володимир Миколайович

МПК: H05B 3/00, H01B 1/00

Мітки: товстоплівкових, матеріал, резисторів

Формула / Реферат:

1. Матеріал для товстоплівкових резисторів, що містить провідну фазу і склозв'язуюче, який відрізняється тим, що провідна фаза містить бориди металів, наприклад: ТіВ2, CrB2, NiB, Ni2B, Ni3B, Ni3B-Ni, ВаВ6, СаВ6, і т.ін., а склозв'язуючим є скло, що кристалізується.2. Матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що провідна фаза містить ТіВ2 та/або CrB2, та/або NiB, та/або N2B, та/або Ni3В, та/або Ni3В-Ni, та/або ВаВ6, та/або СаВ6 і...

Скло для товстоплівкових резисторів

Завантаження...

Номер патенту: 12849

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Смирнов Анатолій Миколайович, Пучкова Надія Сергіївна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01C 17/06, C03C 14/00

Мітки: резисторів, товстоплівкових, скло

Формула / Реферат:

1. Скло для товстоплівкових резисторів, яке містить PbO, SiO2 і Ві2О3, яке відрізняється тим, що воно додатково містить CdO і Аl2О3 при наступному співвідношенні компонентів, мас %:PbO                55-65SiO2                20-30Ві2О3                1-3CdO                  4-7Аl2О3                5-10.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після подрібнення (помелу) на планетарному млині воно...

Резистивний матеріал для товстоплівкових електронагрівачів

Завантаження...

Номер патенту: 25448

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Кужель Богдан Степанович, Шередько Микола Андрійович, Левін Євген Михайлович, Яворів Ігор Богданович, Калашник Ліна Дмитрівна

МПК: H01B 1/06

Мітки: товстоплівкових, резистивний, матеріал, електронагрівачів

Формула / Реферат:

1. Резистивний матеріал для товстоплівкових електронагрівачів, що містить провідну фазу і склозв'язку, який відрізняється тим, що провідною фазою є дисиліцид хрому, а склозв'язка містить компоненти у наступному співвідношенні мас.%: BaO3 45,0 - 50,0 Аl2O3 1,0 - 8,0 ZnO 25,0 - 33,0 MnO 13,0 - 19,0 ...

Матеріал для товстоплівкових резисторів

Завантаження...

Номер патенту: 19294

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Левін Євген Михайлович, Калашник Ліна Дмитрівна, Прокопишин Іван Юрійович, Тебенько Ігор Васильович, Шередько Микола Андрійович, Яворів Ігор Богданович

МПК: H01B 1/06, H01C 7/00

Мітки: резисторів, матеріал, товстоплівкових

Формула / Реферат:

Материл для толстопленочных резисторов, включающий борсодержащий силицид никеля в количестве 30-60 мас.% и стекло-связующее на основе системы B2O3-AI2O3-ZnO-MnO-Na2O-Li2O в количестве 40-70 мас.%, отличающийся тем, что он дополнительно содержит в составе стекло-связующего оксид калия при следующем соотношении компонентов стеклосвязующего, мас.%: